JP7242612B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Description
第1の態様を、図面を参照しながら説明する。
本態様に係る基板処理装置の構成について、主に図1、図2、図3を用いて説明する。図1は本態様に係る基板処理装置200を上方から見た図である。横断面概略図である。図2は本態様に係る基板処理装置200の縦断面概略図であり、図1に示すチャンバのα-α’線断面図である。なお、α-α’線は、αからチャンバ302の中心を通ってα’に向かう線である。図3は基板支持機構を説明する説明図である。
チャンバ302にはノズル341、ノズル342、ノズル344、ノズル345、ノズル346が設けられる。図1のAは図5(a)のAと接続される。すなわち、ノズル341は供給管241に接続される。図1のBは図5(b)のBと接続される。すなわち、ノズル342は供給管251に接続される。図1のCは図5(c)のCと接続される。すなわち、ノズル344、ノズル345はそれぞれ供給管261に接続される。図2のDは図5(d)のDと接続される。すなわち、ノズル346は供給管271に接続される。
第2ガス供給管251には、上流方向から順に、第2ガス供給源252、流量制御器であるMFC253、バルブ254が設けられる。
パージガス供給管261には、上流方向から順に、パージガス供給源262、流量制御器(流量制御部)であるMFC263、バルブ264が設けられる。
チャンバ302の下方には排気孔392が設けられる。排気口392は処理領域306毎に設けられる。第1処理領域306aに対応して排気孔392aが設けられ、第2処理領域306bに対応して排気孔392bが設けられる。
基板処理装置200は、マイクロ波供給部、昇降回転部、バルブ、MFC等、各部の動作を制御するコントローラ400を有している。コントローラ400は、演算部(CPU)401、一時記憶部402、記憶部403、送受信部404を少なくとも有する。コントローラ400は、送受信部404を介して基板処理装置200の各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部403からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。なお、コントローラ400は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置(例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、CDやDVD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリ(USB Flash Drive)やメモリカード等の半導体メモリ)412を用意し、外部記憶装置412を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本態様に係るコントローラ400を構成できる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置412を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置420から送受信部411を介して情報を受信し、外部記憶装置412を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、キーボードやタッチパネル等の入出力装置413を用いて、コントローラ400に指示をしても良い。
次に、図7を用い、基板処理工程について説明する。図7は、本態様に係る基板処理工程を示すフロー図である。以下の説明において、基板処理装置200の構成各部の動作は、コントローラ400により制御される。
ゲートバルブ305と隣接する位置に搬出したい基板100を移動するよう基板載置プレートを回転させる。その後、基板搬入時と逆の方法で基板を搬出する。これらの動作を繰り返し、すべての基板100を搬出する。
続いて、図8から図10を用いて第2の態様を説明する。図8は図2に相当する図であり、基板処理装置200を側方から見た図である。図9は、基板載置プレート317とスロット板361との関係を説明する図である。図10は基板載置プレート317、スロット板361、移動板362との関係を説明する図である。
続いて、図11と図12とを用いて第3の態様を説明する。図11は図2に相当する図であり、基板処理装置200を側方から見た図である。図12は、基板載置プレート317とスロット板361との関係を説明する図である。
以上、本開示の第1の態様から第3の態様を具体的に説明したが、本開示が上述の各態様に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更することが可能である。
200 基板処理装置
240 第一ガス供給部
250 第二ガス供給部
270 第三ガス供給部
301 処理室
302 チャンバ
317 基板載置プレート
324 回転部
334 ガス排気部
350 プラズマ生成部
380 ヒータ
Claims (11)
- 基板を処理する処理室と、
非基板載置面と複数の基板載置面とを備える基板載置プレートと、
前記基板載置プレートを回転させる回転部と、
前記基板載置面上のプラズマ密度よりも前記非基板載置面上のプラズマ密度が高くなるよう構成されたプラズマ生成部と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室に、前記プラズマ生成部によってプラズマ状態とされるクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
前記基板載置プレートの下方に配されたヒータと
を有する基板処理装置。 - 前記基板載置プレートは、熱を透過する透過材で構成される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板載置面は、熱を透過する透過材で構成される請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 更に、前記処理室にはゲートバルブが設けられ、
前記プラズマ生成部は、前記ゲートバルブに隣接するよう構成される請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、前記基板載置面よりも中心側の領域であるセンター領域と、前記センター領域よりも外周側であって、前記基板載置面を含むミドル領域と、前記基板載置面から前記基板載置プレートのエッジまでを含むエッジ領域とを有し、
前記プラズマ生成部は、前記センター領域のプラズマ密度が前記ミドル領域のプラズマ密度よりも高くなるよう、または前記エッジ領域のプラズマ密度が前記ミドル領域のプラズマ密度よりも高くなるよう構成される請求項1から請求項4のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、前記基板載置面よりも中心側の領域であるセンター領域と、前記センター領域よりも外周側であって、前記基板載置面を含むミドル領域と、前記基板載置面から前記基板載置プレートのエッジまでを含むエッジ領域とを有し、
前記プラズマ生成部は、誘電体板と、前記誘電体板上に設けられ複数の放射孔を有するスロット板と、マイクロ波供給部とを有し、
前記放射孔の単位面積当たりの開孔面積は、前記センター領域が前記ミドル領域よりも広くなるよう、または前記エッジ領域が前記ミドル領域よりも広くなるよう構成される請求項1から請求項4のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、前記基板載置面よりも中心側の領域であるセンター領域と、前記センター領域よりも外周側であって、前記基板載置面を含むミドル領域と、前記基板載置面から前記基板載置プレートのエッジまでを含むエッジ領域とを有し、
前記プラズマ生成部は、誘電体板と、前記誘電体板上に設けられ、複数の放射孔を有するスロット板と、マイクロ波供給部と、
前記プラズマ生成部に隣接した容器と、
前記容器内と前記スロット板上の間を移動可能であって、クリーニング処理時には前記センター領域もしくは前記エッジ領域上に配され、前記センター領域もしくは前記エッジ領域の前記放射孔を露出する第一部位と、前記クリーニング処理時には前記ミドル領域上に配され、前記ミドル領域上の放射孔を塞ぐ第二部位とを有する移動板とを有する請求項1から請求項4のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記非基板載置面のうち、隣接する前記基板載置面の間の領域をクリーニングする際には、
前記基板載置面の間の領域が前記プラズマ生成部下方を通過する間、前記移動板を前記容器に退避させる請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、前記基板載置面よりも中心側の領域であるセンター領域と、前記センター領域よりも外周側であって、前記基板載置面を含むミドル領域と、前記基板載置面から前記基板載置プレートのエッジまでを含むエッジ領域とを有し、
前記プラズマ生成部は、誘電体板と、前記誘電体板上に設けられ、複数の放射孔を有するスロット板と、マイクロ波供給部と、を有し
前記スロット板のうち、前記ミドル領域には前記基板載置面に対応した無孔部が設けられ、前記センター領域および前記エッジ領域には放射孔を有する有孔部が設けられる請求項1から請求項4のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。 - 非基板載置面と複数の基板載置面とを備えた基板載置プレートを有する処理室に基板を搬入する工程と、
前記基板載置面に基板を載置する工程と、
回転部が前記基板載置プレートを回転させ、処理ガス供給部から処理ガスを供給し、ヒータが前記基板載置プレートの下方から前記基板を加熱して基板を処理する工程と、
前記基板を搬出する工程と、
前記処理室に基板が無い状態でクリーニングガスを供給すると共に、プラズマ生成部が前記基板載置面上のプラズマ密度よりも前記非基板載置面上のプラズマ密度が高くなるよう前記クリーニングガスのプラズマを生成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 非基板載置面と複数の基板載置面とを備えた基板載置プレートを有する処理室に基板を搬入する手順と、
前記基板載置面に基板を載置する手順と、
回転部が前記基板載置プレートを回転させ、処理ガス供給部から処理ガスを供給し、ヒータが前記基板載置プレートの下方から前記基板を加熱して基板を処理する手順と、
前記基板を搬出する手順と、
前記処理室に基板が無い状態でクリーニングガスを供給すると共に、プラズマ生成部が前記基板載置面上のプラズマ密度よりも前記非基板載置面上のプラズマ密度が高くなるよう前記クリーニングガスのプラズマを生成する手順と
をコンピュータによって半導体製造装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
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