JP7223047B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。

半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置として、例えば、複数の基板を円周状に並べて配置し、各基板に第一ガスおよび第二ガスを順次供給することで、各基板に対して所定の処理（成膜処理等）を行うように構成されたものがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６－１０２２４２号公報

本開示は、供給したガスを排気する際に第一ガスと第二ガスとのミックスが生じ得るおそれに対して、排気系のクリーニング効率を高めることができる技術を提供する。

本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、複数の前記基板を平面上に支持する支持部と、
前記処理容器内に設定された第一ドメインに第一ガスを供給する第一ガス供給部と、
前記処理容器内に設定された第二ドメインに第二ガスを供給する第二ガス供給部と、
前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部と、
前記排気バッファ構造部に接続され、前記第一ガス供給部からの前記第一ガスの流れの下流に設けられる第一ガス排気部と、
前記排気バッファ構造部に接続され、前記第二ガス供給部からの前記第二ガスの流れの下流に設けられる第二ガス排気部と、
前記排気バッファ構造部にクリーニングガスを供給する第三ガス供給部と、
を有する技術が提供される。

本開示によれば、排気バッファ構造部にクリーニングガスを供給することで、排気系のクリーニング効率を高めることができる

本開示の一実施形態に係る基板処理装置を上方から見た横断面概略図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置の縦断面概略図であり、図１におけるα－α’線断面図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置の縦断面概略図であり、図１におけるβ－β’線断面図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置における基板支持機構の構成例を示す説明図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置におけるガス供給部の構成例を説明する説明図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置におけるコントローラの機能構成例を示すブロック図である。 本開示の一実施形態に係る基板処理装置が実行する基板処理工程の手順の例を示すフロー図である。

以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

（１）基板処理装置の構成
本開示の一実施形態に係る基板処理装置の構成について、主に図１、図２、図３、図４を用いて説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面上の各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

図１は本実施形態に係る基板処理装置２００を上方から見た横断面概略図である。図２は本実施形態に係る基板処理装置２００の縦断面概略図であり、図１におけるα－α’線断面図である。なお、α－α’線は、αからチャンバ３０２の中心を通ってα’に向かう線である。図３は本実施形態に係る基板処理装置２００の縦断面概略図であり、図１におけるβ－β’線断面図である。なお、β－β’線は、βからチャンバ３０２の中心を通ってβ’に向かう線である。図４は本実施形態に係る基板処理装置２００における基板支持機構の構成例を示す説明図である。

（チャンバ）
図１、図２および図３に示すように、基板処理装置２００は、主に円筒状の気密容器（処理容器）であるチャンバ３０２で構成される。チャンバ３０２内には、基板１００を処理する処理室３０１が構成されている。チャンバ３０２にはゲートバルブ３０５が接続されており、ゲートバルブ３０５を介して基板１００が搬入出される。ゲートバルブ３０５は通路３０５ａに隣接する。基板１００は通路３０５ａを介して移動される。

処理室３０１内には、処理ガスを供給するドメイン（領域）である処理領域３０６と、パージガスを供給するドメイン（領域）であるパージ領域３０７と、が設定されている。ここでは、処理領域３０６とパージ領域３０７は、円周状に交互に配される。例えば、第一ドメインとしての第一処理領域３０６ａ、パージドメインとしての第一パージ領域３０７ａ、第二ドメインとしての第二処理領域３０６ｂおよびパージドメインとしての第二パージ領域３０７ｂの順に配される。後述するように、第一処理領域３０６ａ内には第一ガスが供給され、第二処理領域３０６ｂ内には第二ガスが供給され、また第一パージ領域３０７ａおよび第二パージ領域３０７ｂには不活性ガスが供給される。これにより、それぞれの領域内に供給されるガスに応じて、基板１００に対して所定の処理が施される。

パージ領域３０７は、第一処理領域３０６ａと第二処理領域３０６ｂとを空間的に切り分ける領域である。パージ領域３０７の天井３０８は処理領域３０６の天井３０９よりも低くなるよう構成されている。第一パージ領域３０７ａには天井３０８ａが設けられ、第二パージ領域３０７ｂには天井３０８ｂが設けられる。各天井を低くすることで、パージ領域３０７の空間の圧力を高くする。この空間にパージガスを供給することで、隣り合う処理領域３０６を区画している。なお、パージガスは基板１００上の余分なガスを除去する役割も有する。

チャンバ３０２内には、基板１００を支持する支持部としての基板載置プレート３１７が設けられている。基板載置プレート３１７は、チャンバ３０２の中心付近に配された回転軸を有し、回転自在に構成される。また、基板載置プレート３１７は、複数枚（例えば５枚）の基板１００を同一平面上に、かつ、回転方向に沿って同一円周状に配置可能なよう構成される。基板載置プレート３１７は、熱を透過する性質を有し、後述するヒータ３８０から放射される熱を透過させる。透過された熱は基板１００を加熱する。基板載置プレート３１７は、例えば石英で構成される。

基板載置プレート３１７の表面は、基板１００が載置される基板載置面３１１と、それ以外の非基板載置面３２５と、で構成される。

基板載置面３１１は、基板載置プレート３１７の中心から同心円状の位置に互いに等間隔（例えば７２°の間隔）で配置されている。なお、図１においては、説明の便宜上図示を省略している。基板載置面３１１は、凹部３１２の底面に設けられる。それぞれの凹部３１２は、例えば基板載置プレート３１７の上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状である。凹部３１２の直径は基板１００の直径よりもわずかに大きくなるように構成することが好ましい。凹部３１２内に基板１００を載置することで、基板１００を基板載置面３１１に載置できる。

非基板載置面３２５は、基板載置面３１１以外の面であり、基板１００が載置されない面である。例えば、複数の凹部３１２の間の面、凹部３１２から見てチャンバ３０２の中心側の領域を構成する面、凹部３１２から見てチャンバ３０２の外周側の領域を構成する面等が、非基板載置面３２５に該当する。

基板載置面３１１を構成する各凹部３１２には、リフトピン３２０が貫通する貫通孔３１７ａが複数設けられている。基板載置プレート３１７の下方であってゲートバルブ３０５と向かい合う箇所には、図４に示す基板保持機構３１６が設けられている。基板保持機構３１６は、基板１００の搬入・搬出時に、基板１００を突き上げて、基板１００の裏面を支持するリフトピン３２０を複数有する。リフトピン３２０は延伸可能な構成であって、例えば基板保持機構３１６の本体に収納可能である。基板１００を移載する際には、リフトピン３２０が延伸され基板１００を保持する。その後、リフトピン３２０の先端が下方に移動することで、基板１００は凹部３１２に載置される。基板保持機構３１６は、基板載置時にリフトピン３２０を貫通孔３１７ａに挿入可能な構成であればよい。

基板載置プレート３１７は、コア部３２１に固定される。コア部３２１は、基板載置プレート３１７の中心に設けられ、基板載置プレート３１７を固定する役割を有する。コア部３２１の下方には、シャフト３２２が配される。シャフト３２２は、コア部３２１を支持する。

シャフト３２２の下方は、チャンバ３０２の底部に設けられた孔３２３を貫通し、チャンバ３０２外で気密可能なベローズ３０４で覆われている。また、シャフト３２２の下端には、回転部３１９が設けられる。なお、シャフト３２２を昇降させる機能も有する場合は、昇降回転部と呼んでもよい。回転部３１９は、後述するコントローラ４００の指示によって、基板載置プレート３１７を回転可能に構成される。

基板載置プレート３１７の下方には、加熱部（ヒータ部）としてのヒータ３８０を内包するヒータユニット３８１が配される。ヒータ３８０は、基板載置プレート３１７に載置した各基板１００を加熱する。ヒータ３８０は、チャンバ３０２の形状に沿って円周状に配される。ヒータ３８０には、ヒータ制御部３８７が接続される。ヒータ３８０は、後述するコントローラ４００に電気的に接続され、コントローラ４００の指示によってヒータ３８０への電力供給を制御し、温度制御を行う。

基板載置プレート３１７の外周側には、基板載置プレート３１７の外周に沿うように、排気バッファ構造部３８６が設けられている。排気バッファ構造部３８６は、排気溝３８８と排気バッファ空間３８９とを有する。排気溝３８８、排気バッファ空間３８９は、チャンバ３０２の形状に沿って円周状に構成される。

排気バッファ構造部３８６の底には、排気孔３９２が設けられている。排気孔３９２はチャンバ３０２内に供給されるガスを排気する。各ガスは、排気バッファ構造部３８６を構成する排気溝３８８および排気バッファ空間３８９を介して、排気孔３９２から排気されることになる。

排気バッファ構造部３８６のうち、パージ領域３０７と隣接する箇所には、凸部３９０が設けられる。凸部３９０は、排気バッファ構造部３８６の外周から、基板支持部３１７に向けて延伸される構造である。凸部３９０を設けることで、パージ領域３０７から供給される不活性ガスが排気バッファ構造部３８６内に大量に流れることを防げるので、上流側から流れるガスを遮断できる。

（ガス供給部）
次に、チャンバ３０２へのガス供給を行うガス供給部について、主に図１、図２、図５を用いて説明する。
図５は本実施形態に係る基板処理装置２００におけるガス供給部の構成例を示す説明図である。

図１、図２に示すように、チャンバ３０２には、第一処理領域３０６ａに延びるノズル３４１、第二処理領域３０６ｂに延びるノズル３４２、第一パージ領域３０７ａに延びるノズル３４４、第二パージ領域３０７ｂに延びるノズル３４５、排気バッファ構造部３８６に延びるノズル３４６、および、処理室３０１内の基板載置プレート３１７上に延びるノズル３４８が設けられている。図１中の「Ａ」は図５（ａ）中の「Ａ」と接続される。すなわち、ノズル３４１は供給管２４１に接続される。図１中の「Ｂ」は図５（ｂ）中の「Ｂ」と接続される。すなわち、ノズル３４２は供給管２５１に接続される。図１中の「Ｃ」は図５（ｃ）中の「Ｃ」と接続される。すなわち、ノズル３４４、ノズル３４５はそれぞれ供給管２６１に接続される。図２中の「Ｄ」は図５（ｄ）中の「Ｄ」と接続される。すなわち、ノズル３４６は供給管２７１に接続される。図１中の「Ｅ」は図５（ｅ）中の「Ｅ」と接続される。すなわち、ノズル３４８は供給管２８１に接続される。

図５（ａ）はガス供給部の一部である第一ガス供給部２４０の構成例を示す。第一ガス供給部２４０における第一ガス供給管２４１には、上流方向から順に、第一ガス供給源２４２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４３、および、開閉弁であるバルブ２４４が設けられる。

このような第一ガス供給部２４０における第一ガス供給管２４１からは、第一元素を含有するガス（以下、「第一ガス」という。）が主に供給される。つまり、第一ガスは、ＭＦＣ２４３、バルブ２４４、第一ガス供給管２４１を介してノズル３４１に供給される。そして、ノズル３４１を通じて第一処理領域３０６ａに供給される。

第一ガスは、処理ガスの一つであり、第一元素を含有する原料ガスである。ここで、第一元素は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。すなわち、第一ガスは、Ｓｉガス（Ｓｉ含有ガスとも呼ぶ。）であり、Ｓｉを主成分としたガスである。具体的には、ジクロロシラン（ＤＣＳ、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）ガスが用いられる。

主に、第一ガス供給管２４１、ＭＦＣ２４３、バルブ２４４、ノズル３４１により、第一ガス供給部２４０が構成される。第一ガス供給源２４２を第一ガス供給部２４０に含めて考えてもよい。

図５（ｂ）はガス供給部の一部である第二ガス供給部２５０の構成例を示す。第二ガス供給部２５０における第二ガス供給管２５１には、上流方向から順に、第二ガス供給源２５２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２５３、バルブ２５４が設けられる。

このような第二ガス供給部２５０における第二ガス供給管２５１からは、第一ガスと反応する反応ガス（以下、「第二ガス」という。）が主に供給される。つまり、第二ガスは、ＭＦＣ２５３、バルブ２５４、第二ガス供給管２５１を介してノズル３４２に供給される。そして、ノズル３４２を通じて第二処理領域３０６ｂに供給される。

第二ガスは、処理ガスの一つであり、例えば窒素を主成分とした窒素含有ガスである。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ_３）ガスが用いられる。

主に、第二ガス供給管２５１、ＭＦＣ２５３、バルブ２５４、ノズル３４２により、第二ガス供給部２５０が構成される。第二ガス供給源２５２を第二ガス供給部２５０に含めてもよい。なお、第二ガス供給部２５０は、反応ガスを供給する構成であるので、反応ガス供給部と呼ぶこともある。

図５（ｃ）はガス供給部の一部であるパージガス（不活性ガス）供給部２６０の構成例を示す。パージガス供給部２６０におけるパージガス供給管２６１には、上流方向から順に、パージガス供給源２６２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２６３、バルブ２６４が設けられる。

このようなパージガス供給部２６０におけるパージガス供給管２６１からは、パージガス（不活性ガス）が供給される。つまり、パージガスは、ＭＦＣ２６３、バルブ２６４、パージガス供給管２６１を介してノズル３４４およびノズル３４５のそれぞれに供給される。そして、ノズル３４４を通じて第一パージ領域３０７ａに供給されるとともに、ノズル３４５を通じて第二パージ領域３０７ｂに供給される。

パージガスは、第一ガスや第二ガス等と反応しないガスであり、処理室３０１中の雰囲気をパージするパージガスの一つであり、例えば窒素（Ｎ_２）ガスである。

主に、パージガス供給管２６１、ＭＦＣ２６３、バルブ２６４、ノズル３４４、ノズル３４５により、パージガス供給部２６０が構成される。パージガス供給源２６２をパージガス供給部２６０に含めてもよい。

第一ガス供給部２４０、第二ガス供給部２５０をまとめて処理ガス供給部とも呼ぶ。処理ガス供給部には、パージガス供給部２６０を含めてもよい。

図５（ｄ）はガス供給部の一部である第三ガス供給部２７０の構成例を示す。第三ガス供給部２７０における第三ガス供給管２７１には、上流方向から順に、第三ガス供給源２７２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２７３、バルブ２７４が設けられる。

このような第三ガス供給部２７０における第三ガス供給管２７１からは、クリーニングガスが供給される。つまり、クリーニングガスは、ＭＦＣ２７３、バルブ２７４、第三ガス供給管２７１を介してノズル３４６に供給される。そして、ノズル３４６を通じて排気バッファ構造部３８６に供給される。

クリーニングガスは、第一ガスと第二ガスの反応によって生成された副生成物を除去するためのもので、例えば三フッ化（ＮＦ_３）ガスまたはフッ素（Ｆ_２）ガスを用いる。

主に、第三ガス供給管２７１、ＭＦＣ２７３、バルブ２７４、ノズル３４６で第三ガス供給部２７０が構成される。第三ガス供給源２７２を第三ガス供給部２７０に含めてもよい。また、第三ガス供給部２７０は、クリーニングガスを活性化させる活性化部（以下「第一の活性化部」ともいう。）２７５を含んでいてもよい。第一の活性化部２７５については、詳細を後述する。

図５（ｅ）はガス供給部の一部である第四ガス供給部２８０の構成例を示す。第四ガス供給部２８０における第四ガス供給管２８１には、上流方向から順に、第四ガス供給源２８２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２８３、バルブ２８４が設けられる。

このような第四ガス供給部２８０における第四ガス供給管２８１からは、クリーニングガスが供給される。つまり、クリーニングガスは、ＭＦＣ２８３、バルブ２８４、第四ガス供給管２８１を介してノズル３４８に供給される。そして、ノズル３４８を通じて処理室３０１内の基板載置プレート３１７上に供給される。

クリーニングガスは、第一ガスと第二ガスの反応によって生成された副生成物を除去するためのもので、例えばＮＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを用いる。ただし、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスとは異なる成分のものであっても構わない。

主に、第四ガス供給管２８１、ＭＦＣ２８３、バルブ２８４、ノズル３４８で第四ガス供給部２８０が構成される。第四ガス供給源２８２を第四ガス供給部２８０に含めてもよい。また、第四ガス供給部２８０は、クリーニングガスを活性化させる活性化部（以下、「第二の活性化部」ともいう。）２８５を含んでいてもよい。第二の活性化部２８５については、詳細を後述する。

第一の活性化部２７５、第二の活性化部２８５としては、それぞれ、例えばプラズマ生成部、加熱用触媒、ヒータ３８０とは別の第二のヒータ、マイクロ波供給部のいずれかを用いることができる。

（ガス排気部）
次に、チャンバ３０２からのガス排気を行うガス排気部について、主に図１、図２を用いて説明する。

図１に示すように、チャンバ３０２内の排気バッファ構造部３８６の下方には、排気孔３９２が設けられる。排気口３９２は処理領域３０６毎に設けられる。具体的には、第一処理領域３０６ａに対応して排気孔３９２ａが設けられ、第二処理領域３０６ｂに対応して排気孔３９２ｂが設けられる。つまり、第一処理領域３０６ａへのガス供給を行う第一ガス供給部２４０からのガスの流れの下流側には排気孔３９２ａが配され、第二処理領域３０６ｂへのガス供給を行う第二ガス供給部２５０からのガスの流れの下流側には排気孔３９２ｂが配される。

第一処理領域３０６ａに対応して排気バッファ構造部３８６の下方に配された排気孔３９２ａには、ガス排気部の一部である第一ガス排気部３３４が接続されている。つまり、排気孔３９２ａと連通するように、第一ガス排気部３３４の一部を構成する第一排気管３３４ａがチャンバ３０２に接続される。第一排気管３３４ａには、開閉弁としてのバルブ３３４ｄ、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ３３４ｃを介して、真空排気装置としての真空ポンプ３３４ｂが接続されている。これにより、第一ガス排気部３３４は、排気バッファ構造部３８６を通じて、処理室３０１内が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。

主に、ＡＰＣバルブ３３４ｃ、バルブ３３４ｄ、第一排気管３３４ａ、排気孔３９２ａにより、第一ガス排気部３３４が構成される。真空ポンプ３３４ｂを第一ガス排気部３３４に含めて考えてもよい。

第二処理領域３０６ｂに対応して排気バッファ構造部３８６の下方に配された排気孔３９２ｂには、ガス排気部の一部である第二ガス排気部３３５が接続されている。つまり、排気孔３９２ｂと連通するように、第二ガス排気部３３５の一部を構成する第二排気管３３５ａがチャンバ３０２に接続される。第二排気管３３５ａには、開閉弁としてのバルブ３３５ｄ、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣバルブ３３５ｃを介して、真空排気装置としての真空ポンプ３３５ｂが接続されている。これにより、第二ガス排気部３３５は、排気バッファ構造部３８６を通じて、処理室３０１内が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。

主に、ＡＰＣバルブ３３５ｃ、バルブ３３５ｄ、第二排気管３３５ａ、排気孔３９２ｂにより、第二ガス排気部３３５が構成される。真空ポンプ３３５ｂを第二ガス排気部３３５に含めて考えてもよい。

（制御部）
以上のように構成された基板処理装置２００は、制御部（制御手段）としてのコントローラ４００により制御される。
以下、コントローラ４００について、主に図６を用いて説明する。
図６は本実施形態に係る基板処理装置２００におけるコントローラ４００の機能構成例を示すブロック図である。

基板処理装置２００は、マイクロ波供給部、昇降回転部、バルブ、ＭＦＣ等、各部の動作を制御するコントローラ４００を有している。コントローラ４００は、演算部（ＣＰＵ）４０１、一時記憶部４０２、記憶部４０３、送受信部４０４を少なくとも有する。コントローラ４００は、送受信部４０４を介して基板処理装置２００の各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部４０３からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。なお、コントローラ４００は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ Ｆｌａｓｈ Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）４１２を用意し、外部記憶装置４１２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本態様に係るコントローラ４００を構成できる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置４１２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置４２０から送受信部４１１を介して情報を受信し、外部記憶装置４１２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、キーボードやタッチパネル等の入出力装置４１３を用いて、コントローラ４００に指示をしても良い。

なお、記憶部４０２や外部記憶装置４１２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部４０２単体のみを含む場合、外部記憶装置４１２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

（２）基板処理工程
次に、上述した構成の基板処理装置２００を用い、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程としての基板処理工程を行う場合の手順を説明する。ここでは、基板処理工程において、第一ガスとしてＳｉ含有ガスを用い、第二ガスとしてＮＨ_３ガスを用い、基板１００上に薄膜として窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を形成する場合を例に挙げる。

以下、基板処理工程について、主に図７を用いて説明する。
図７は本実施形態に係る基板処理装置２００が実行する基板処理工程の手順の例を示すフロー図である。
なお、以下の説明において、基板処理装置２００を構成する各部の動作は、コントローラ４００により制御される。

（基板搬入・載置工程）
基板処理工程では、まず、基板搬入・載置工程を行う。なお、図７中においては、基板搬入・載置工程の図示を省略している。

基板搬入・載置工程では、基板載置プレート３１７を回転させ、凹部３１２をゲートバルブ３０５と隣接する位置に移動させる。そして、リフトピン３２０を上昇させ、基板載置プレート３１７の貫通孔３１７ａに貫通させる。続いて、ゲートバルブ３０５を開いてチャンバ３０２と真空搬送室（図示せず）と連通させる。そして、この移載室からウエハ移載機（図示せず）を用いて基板１００をリフトピン３２０上に移載し、その後リフトピン３２０を下降させる。これにより、基板１００は基板載置面３１１上に支持される。

基板１００が基板載置面３１１上に載置されたら、基板１００が載置されていない基板載置面３１１がゲートバルブ３０５と向かい合うよう、基板載置プレート３１７を回転させる。その後、同様に基板載置面３１１に基板を載置する。これを、すべての基板載置面３１１に基板１００が載置されるまで繰り返す。

基板１００を基板載置プレート３１７に載置する際は、予めヒータ３８０に電力を供給し、基板１００の表面が所定の温度となるよう制御する。基板１００の温度は、例えば４００℃以上であって５００℃以下である。ヒータ３８０から放射された熱は、基板載置プレート３１７を介して基板１００の裏面に照射される。ヒータ３８０は、少なくとも基板搬入・載置工程から後述する基板搬出工程が終了するまでの間は、常に通電させた状態とする。

（基板載置プレート回転開始工程）
基板１００が各凹部３１２に載置されたら、次いで、基板載置プレート回転開始工程（Ｓ１１０）を行う。基板載置プレート回転開始工程（Ｓ１１０）において、回転部３２４は基板載置プレート３１７をＲ方向に回転させる。基板載置プレート３１７を回転させることにより、基板１００は、第一処理領域３０６ａ、第一パージ領域３０７ａ、第二処理領域３０６ｂ、第二パージ領域３０７ｂの順に移動する。

（ガス供給開始工程）
基板搬入・載置工程で基板１００を加熱して所望とする温度に達し、基板載置プレート回転開始工程（Ｓ１１０）で基板載置プレート３１７が所望とする回転速度に到達したら、次いで、ガス供給開始工程（Ｓ１２０）を行う。ガス供給開始工程（Ｓ１２０）では、バルブ２４４を開けて第一処理領域３０６ａ内にＳｉ含有ガスの供給を開始する。それと併行して、バルブ２５４を開けて第二処理領域３０６ｂ内にＮＨ_３ガスを供給する。

このとき、Ｓｉ含有ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２４３を調整する。Ｓｉ含有ガスの供給流量は、例えば５０ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下である。

また、ＮＨ_３ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２５３を調整する。ＮＨ_３ガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上５０００ｓｃｃｍ以下である。

なお、基板搬入・載置工程後、継続して、第一ガス排気部３３４および第二ガス排気部３３５により処理室３０１内が排気されるとともに、不活性ガス供給部２６０から第一パージ領域３０７ａ内および第二パージ領域３０７ｂ内にパージガスとしてのＮ_２ガスが供給されている。

（成膜工程）
次いで、成膜工程（Ｓ１３０）を行う。成膜工程（Ｓ１３０）において、各基板１００には、第一処理領域３０６ａにてＳｉ含有層が形成され、さらに回転後の第二処理領域３０６ｂにて、Ｓｉ含有層とＮＨ_３ガスとが反応し、基板１００上にＳｉ含有膜が形成される。そして、基板１００上のＳｉ含有膜が所望の膜厚となるよう、基板載置プレート３１７を所定回数回転させる。このとき、非基板載置面３２５にもガスが供給されるため、非基板載置面３２５上にも膜が形成され得る。

（ガス供給停止工程）
成膜工程（Ｓ１３０）において基板載置プレート３１７を所定回数回転させた後、次いで、ガス供給停止工程（Ｓ１４０）を行う。ガス供給停止工程（Ｓ１４０）では、バルブ２４４，バルブ２５４を閉じ、第一処理領域３０６ａへのＳｉ含有ガスの供給、第二処理領域３０６ｂへのＮＨ_３ガスの供給を停止する。

（基板載置プレート回転停止工程）
ガス供給停止工程（Ｓ１４０）の後は、基板載置プレート回転停止工程（Ｓ１５０）を行う。基板載置プレート回転停止工程（Ｓ１５０）では、基板載置プレート３１７の回転を停止する。

（基板搬出工程）
基板載置プレート回転停止工程（Ｓ１５０）の後は、基板搬出工程を行う。なお、図７中においては、基板搬出工程の図示を省略している。

基板搬出工程では、ゲートバルブ３０５と隣接する位置に搬出したい基板１００を移動するよう基板載置プレート３１７を回転させる。その後、基板搬入時と逆の手順で基板１００を搬出する。これらの動作を繰り返し、すべての基板１００を搬出する。

（３）クリーニング処理
上述したように、基板処理工程では、処理室３０１内の基板１００に対してＳｉ含有ガスおよびＮＨ_３ガスを供給して、その基板１００上にＳｉＮ層を形成する。その際に、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５にもガスが供給されるため、Ｓｉ含有ガスとＮＨ_３ガスとのミックスによって、非基板載置面３２５上にも膜が形成されるおそれがある。また、処理室３０１内に供給されたガスは、第一ガス排気部３３４および第二ガス排気部３３５により排気されるが、その際に排気バッファ構造部３８６を経由することから、排気バッファ構造部３８６の内壁部分等にも膜が形成されるおそれがある。

これらの膜については、意図せずに形成される膜、すなわち膜質を制御していない膜であるから、クリーニング処理を行って除去することが必要である。

以下、本実施形態に係る基板処理装置２００で実行するクリーニング処理について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置２００を構成する各部の動作は、コントローラ４００により制御される。

（排気バッファ構造部のクリーニング処理）
排気バッファ構造部３８６については、処理室３０１内に供給されたガスを排気する過程で、第一ガスであるＳｉ含有ガスと第二ガスであるＮＨ_３ガスとがミックスされるおそれがあるため、定期的なクリーニング処理が必要である。特に、基板処理工程に際して処理室３０１では基板１００上で膜質を制御した膜（以下「制御膜」とも呼ぶ。）とするための温度に調整する。一方、排気バッファ構造部３８６では温度を調整していないため、処理室３０１と異なる温度、例えば処理室３０１よりも低い温度となり、意図しない膜、すなわち膜質が制御されていない膜（以下「非制御膜」とも呼ぶ。）が形成される可能性が高い。排気バッファ構造部３０１中に形成された非制御膜は、制御膜に比べて低温条件で形成されているために剥がれやすく、パーティクルとなるおそれがある。

そこで、排気バッファ構造部３８６に形成された非制御膜を確実に除去するために、本実施形態に係る基板処理装置２００は、第三ガス供給部２７０を有する。そして、第三ガス供給部２７０は、排気バッファ構造部３８６の内部に対して、直接的にクリーニングガスを供給する。これにより、処理室３０１内から排気されるガスが排気バッファ構造部３８６を経由する場合であっても、その排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング効率を高めることができる。つまり、排気バッファ構造部３８６に形成された非制御膜を、直接的なクリーニングガスの供給によって、効率的かつ確実に除去することができる。

このとき、第三ガス供給部２７０に第一の活性化部２７５が設けられていれば、その第一の活性化部２７５を利用して、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスを活性化するようにしてもよい。第一の活性化部２７５としては、例えば、プラズマ生成部、加熱用触媒、ヒータ３８０とは別の第二のヒータ、マイクロ波供給部のいずれかを用いることができる。

このような第一の活性化部２７５を利用してクリーニングガスを活性化すれば、エネルギーを添加する構成（例えばヒータ）が無い排気バッファ構造部３８６に対して供給する場合であっても、クリーニングガスにエネルギーを添加でき、更なる排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の効率化が図れる。

排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガスの供給は、以下のように行ってもよい。例えば、第三ガス供給部２７０を、排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガスとして、炭素含有膜を除去可能な第一クリーニングガスと、炭素非含有膜を除去可能な第二クリーニングガスと、を供給可能に構成する。そして、排気バッファ構造部３８６にクリーニングガスを供給する際には、まず第一クリーニングガスを供給し、その後に第二クリーニングガスを供給するように、コントローラ４００が第三ガス供給部２７０を制御する。第一クリーニングガスとしては、例えば、酸素系のＯ_３ガスやＮＯガス等を用いる。第二クリーニングガスとしては、例えば、ＮＦ_３ガスを用いる。

このようにクリーニングガスの供給を行えば、特に処理ガスとして炭素（カーボン）を含むガスを用いた場合に非常に優位となる。カーボンは、Ｓｉ等の他の成分に比べて、壁面への吸着率が高い。そのため、通常のクリーニングでは除去しきれず、カーボンを含んだ状態の炭素含有膜が残り易くなってしまう。そこで、まず、炭素含有膜を除去可能な第一クリーニングガスを供給してカーボン成分を気化させ、その後に炭素非含有膜を除去可能な第二クリーニングガスを流して、膜全体を除去するのである。つまり、第一クリーニングガスと第二クリーニングガスとの供給によって、カーボン成分を含む膜についても、効率的かつ確実に除去することができる。

（非基板載置面のクリーニング処理）
非制御膜の形成は、排気バッファ構造部３８６のみならず、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５でも起こり得る。

そこで、非基板載置面３２５に形成された非制御膜を確実に除去するために、本実施形態に係る基板処理装置２００は、第四ガス供給部２８０を有する。そして、第四ガス供給部２８０は、処理室３０１内の基板載置プレート３１７上に対して、クリーニングガスを供給する。これにより、非基板載置面３２５に形成された非制御膜を、基板載置プレート３１７上へのクリーニングガスの供給によって除去することができる。クリーニングガスを供給する間は、基板載置プレート３１７を回転させる。

このとき、基板載置プレート３１７の下方にはヒータ３８０が配されているので、そのヒータ３８０を利用して基板載置プレート３１７を加熱する。このようにすれば、基板載置プレート３１７を加熱した状態でクリーニング処理を行うことができるので、加熱無しの場合に比べて、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５に対するクリーニング効率が高くなる。

非基板載置面３２５に対するクリーニング処理を行う第四ガス供給部２８０は、重力が作用する方向（以下、「重力方向」という。）において、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を行う第三ガス供給部２７０よりも、上方に設けられている。より具体的には、第四ガス供給部２８０を構成するノズル３４８は、基板処理装置２００を設置した際の鉛直方向（垂直方向）において、第三ガス供給部２７０を構成するノズル３４６よりも、上方に位置するように設けられている。第四ガス供給部２８０のノズル３４８を上方側に配することで、そのノズル３４８からのクリーニングガスを基板載置プレート３１７上の全域に供給することができ、非基板載置面３２５に対するクリーニング処理を効率的に行うことができる。また、第三ガス供給部２７０のノズル３４６を下方側に配することで、チャンバ３０２内からのガス排気経路となる排気バッファ構造部３８６に対して直接的にクリーニングガスを供給することができ、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を効率的に行うことができる。

（各クリーニング処理の関係）
ここで、第三ガス供給部２７０によるクリーニング処理と第四ガス供給部２８０によるクリーニング処理との関係について説明する。既述のように、第三ガス供給部２７０からのクリーニングガス供給と第四ガス供給部２８０からのクリーニングガス供給は、いずれも、コントローラ４００により制御される。

コントローラ４００は、例えば、第一の活性化部２７５を稼働させた状態で第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６にクリーニングガスを供給し、ヒータ３８０を稼働させた状態で第四ガス供給部２８０から基板載置プレート３１７上にクリーニングガスを供給するように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御する。
各クリーニング処理をこのように行えば、基板載置プレート３１７上に対してはヒータ３８０で加熱しつつクリーニング処理を行うことが可能である。一方、排気バッファ構造部３８６については、ヒータ３８０による加熱の影響を受け難いが、その代わりに第一の活性化部２７５を用いてクリーニングガスのエネルギーを高めることができる。したがって、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５と排気バッファ構造部３８６とのいずれに対しても、クリーニング処理を効率的に行うことができる。

また、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６をクリーニング処理する際のクリーニングガスの分圧が、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上をクリーニング処理する際のクリーニングガスの分圧よりも高くなるように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御する。
このように、排気バッファ構造部３８６におけるクリーニングガスの圧力を高くすると、クリーニングガスが排気バッファ構造部３８６に形成された非制御膜に高圧状態で接触されるので、排気バッファ構造部３８６にヒータがない場合であっても、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の効率を向上させ得るようになる。

また、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０による排気バッファ構造部３８６のクリーニング処理の頻度が、第四ガス供給部２８０による基板載置プレート３１７上のクリーニング処理の頻度よりも高くなるように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御する。
基板載置プレート３１７上では、基板１００と同様に、温度等の成膜条件が整っているため、付着強度の高い膜が形成され得る。一方、排気バッファ構造部３８６は温度等の成膜条件が整っていないため、付着強度の弱い膜が形成され得る。すなわち、排気バッファ構造３８６では基板載置プレート３１７上に比べて高頻度でパーティクルが発生するおそれがある。そのため、各クリーニング処理を同頻度で行うと、基板載置プレート３１７についてはクリーニング済みの状態でさらにクリーニング処理がされることになり、オーバエッチングを起こしてしまうおそれがある。そこで、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の頻度を高くすることで、オーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

また、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６に供給するクリーニングガスの供給時間が、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上に供給するクリーニングガスの供給時間よりも長くなるように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御する。
各クリーニング処理におけるクリーニングガスの供給時間が同じであると、基板載置プレート３１７についてはオーバエッチングを起こしてしまうおそれがある。そこで、排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガスの供給時間を長くすることで、オーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

また、基板載置プレート３１７上の非制御膜の付着強度が、排気バッファ構造３８６中の非制御膜よりも強い場合、コントローラ４００は、例えば、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上に供給するクリーニングガスの供給時間が、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６に供給するクリーニングガスの供給時間よりも長くなるように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御してもよい。
各クリーニング処理におけるクリーニングガスの供給時間が同じであると、排気バッファ構造３９６についてはオーバエッチングを起こしてしまうおそれがある。そこで、基板載置プレート３１７へのクリーニングガスの供給時間を長くすることで、オーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

また、コントローラ４００は、例えば、第四ガス供給部２８０による基板載置プレート３１７上へのクリーニングガス供給から所定時間経過後、基板載置プレート３１７上へのクリーニングガス供給を停止するとともに、第三ガス供給部２７０による排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給を開始するように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御する。つまり、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５に対するクリーニング処理を行った後に、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を行うようにする。
仮に、逆の順でクリーニング処理を行った場合には、非基板載置面３２５に対するクリーニング処理で発生した異物（除去後の副生成物等）が排気バッファ構造部３８６に付着してしまうおそれがあるが、非基板載置面３２５に対するクリーニング処理の後に排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を行うようにすれば、排気バッファ構造部３８６内への異物付着を抑制でき、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

また、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６に供給するクリーニングガスの供給回数が、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上に供給するクリーニングガスの供給回数よりも多くなるように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御する。
各クリーニング処理におけるクリーニングガスの供給回数が同じであると、上述した頻度の場合と同様に、基板載置プレート３１７についてはオーバエッチングを起こしてしまうおそれがある。そこで、排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガスの供給回数を多くすることで、オーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

また、基板載置プレート３１７上の非制御膜の付着強度が、排気バッファ構造３８６中の非制御膜よりも強い場合、コントローラ４００は、例えば、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上に供給するクリーニングガスの供給回数が、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６に供給するクリーニングガスの供給回数よりも多くなるように、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０を制御してもよい。
各クリーニング処理におけるクリーニングガス回数が同じであると、排気バッファ構造３９６についてはオーバエッチングを起こしてしまうおそれがある。そこで、基板載置プレート３１７へのクリーニングガスの供給回数を多くすることで、オーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

また、コントローラ４００は、第四ガス供給部２８０に第二の活性化部２８５が設けられていれば、その第二の活性化部２８５を利用して、第四ガス供給部２８０が供給するクリーニングガスを活性化するようにしてもよい。第二の活性化部２８５としては、第三ガス供給部２７０の第一の活性化部２７５と同様に、例えば、プラズマ生成部、加熱用触媒、ヒータ３８０とは別の第二のヒータ、マイクロ波供給部のいずれかを用いることができる。
その場合に、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスに対する第一の活性化部２７５の活性化エネルギー量が、第四ガス供給部２８０が供給するクリーニングガスに対する第二の活性化部２８５の活性化エネルギー量よりも高くなるように、第三ガス供給部２７０における第一の活性化部２７５および第四ガス供給部２８０における第二の活性化部２８５を制御する。
このようにすれば、クリーニングガスの活性化によるクリーニング処理の効率化を図りつつ、基板載置プレート３１７に対するオーバエッチングのおそれを解消することができる。

また、基板載置プレート３１７上の非制御膜の付着強度が、排気バッファ構造３８６中の非制御膜よりも強い場合、コントローラ４００は、例えば、第四ガス供給部２８０が供給するクリーニングガスに対する第二の活性化部２８５の活性化エネルギー量が、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスに対する第一の活性化部２７５の活性化エネルギー量よりも高くなるように、第三ガス供給部２７０における第一の活性化部２７５および第四ガス供給部２８０における第二の活性化部２８５を制御する。
このようにすれば、クリーニングガスの活性化によるクリーニング処理の効率化を図りつつ、排気バッファ構造３８６に対するオーバエッチングのおそれを解消することができる。

第三ガス供給部２７０から供給するクリーニングガスと、第四ガス供給部２８０から供給するクリーニングガスとは、それぞれの成分が互いに異なるように構成されていてもよい。その場合には、第三ガス供給部２７０からのクリーニングガスによる副生成物の除去作用（除去エネルギー）が、第四ガス供給部２８０からのクリーニングガスによる副生成物の除去作用（除去エネルギー）よりも高くなるように、各クリーニングガスが構成されるものとする。このようにすれば、各クリーニングガスの供給条件を相違させなくても、基板載置プレート３１７に対するオーバエッチングのおそれを解消することができる。

（パージガス供給部との関係）
次に、第三ガス供給部２７０および第四ガス供給部２８０による各クリーニング処理と、パージガス供給部２６０によるパージガス供給との関係について説明する。既述のように、チャンバ３０２内にはパージガス供給部２６０からパージガスが供給されるようになっているが、そのパージガス供給部２６０からのパージガス供給は、コントローラ４００により制御される。

コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０による排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と並行して、パージガス供給部２６０からパージガスを供給するように、パージガス供給部２６０および第三ガス供給部２７０を制御する。
このようにすれば、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理に際して、パージガスの供給により処理室３０１内の圧力を排気バッファ構造部３８６よりも高くできるので、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理で発生した異物（除去後の副生成物等）が処理室３０１に側に移動してしまうのを抑制できる。つまり、処理室３０１と排気バッファ構造部３８６とが連通していても、その排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を適切に行うことができる。

このとき、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６へクリーニングガスを供給する間、基板載置プレート３１７の上方の分圧が排気バッファ構造部３８６の分圧よりも高くなるように、パージガス供給部２６０および第三ガス供給部２７０を制御する。
このようにすれば、基板載置プレート３１７の上方と排気バッファ構造部３８６とで圧力差が生じるので、排気バッファ構造部３８６から処理室３０１内への異物の移動抑制を確実なものとすることができる。

特に、基板載置プレート３１７には基板１００を支持するリフトピン３２０を貫通させる貫通孔３１７ａが設けられているが、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６へクリーニングガスを供給する間、貫通孔３１７ａの上方の分圧が排気バッファ構造部３８６の分圧よりも高くなるように、パージガス供給部２６０および第三ガス供給部２７０を制御する。
このようにすれば、貫通孔３１７ａの上方の分圧を高めることができるので、リフトピン３２０が貫通孔３１７ａを貫通する場合であっても、排気バッファ構造部３８６に供給されたクリーニングガスやそのクリーニングガスによって除去された異物等が、貫通孔３１７ａを介して基板載置プレート３１７の上方に巻き上げられることがない。

（第三ガス供給部のノズル配置）
次に、以上のように制御される第三ガス供給部２７０のノズル配置について説明する。

第三ガス供給部２７０のノズル３４６は、重力方向（垂直方向）において、第一ガス供給部２４０のノズル３４１または第二ガス供給部２５０のノズル３４２と、排気バッファ構造部３８６の下方に設けられた排気口３９２（３９２ａ，３９２ｂ）との間に配されていることが好ましい。さらに、第三ガス供給部２７０のノズル３４６は、重力方向との直交方向（水平方向）において、第一ガス供給部２４０のノズル３４１と第二ガス供給部２５０のノズル３４２との間に配されていることが好ましい。

また、第三ガス供給部２７０のノズル３４６は、第一処理領域３０６ａと第二処理領域３０６ｂとの間に設定された第一パージ領域３０７ａ、第二パージ領域３０７ｂにおけるガスの流れの下流側に設けられていることが好ましい。

また、第三ガス供給部２７０のノズル３４６は、凸部３９２の下方に設けられていることが好ましい。

また、チャンバ３０２は、開閉可能なゲートバルブ３０５と、そのゲートバルブ３０５と基板載置プレート３１７との間に設けられる通路３０５ａと、を有している。第三ガス供給部２７０のノズル３４６は、チャンバ３０２内の通路３０５ａに対しても、クリーニングガスを供給可能に構成されていることが好ましい。

これらの各部分は、いずれも、第一ガス（Ｓｉ含有ガス等）と第二ガス（ＮＨ_３ガス等）とのミックスが生じやすく、クリーニング処理によって除去すべき異物（副生成物等）が溜まりやすい箇所である。特に、パージドメインとしての第一パージ領域３０７ａ、第二パージ領域３０７ｂの下流側では、ガスが天井３０８下方や、凸部３９０と基板載置プレート３１７または天井３０８との間の空間を通過した直後であり、ガスに対する圧力が変動してガスの乱流が生じるおそれがあるため、他の箇所に比べて異物が溜まりやすい。さらには、凸部３９０と基板載置プレート３１７の間の空間が狭く高圧となるため、凸部３９０と基板載置プレートの３１７の間では異物がたまりやすい。また、ゲートバルブ３０５の付近では、通路３０５ａを構成する壁がガスと衝突したり、あるいはガスに対する圧力が変動して乱流が発生したりするので、通路３０５ａには異物が溜まりやすい。

その場合であっても、上述したノズル配置とすることで、第三ガス供給部２７０は、異物が溜まりやすい各部分に新鮮な（失活していない）クリーニングガスを供給することができ、各部分に対するクリーニング効率を向上させることが可能となる。

（第三ガス供給部のガス排気部との関係）
次に、第三ガス供給部２７０と、ガス排気部としての第一ガス排気部３３４および第二ガス排気部３３５と、の関係について説明する。第一ガス排気部３３４および第二ガス排気部３３５によるチャンバ３０２からのガス排気は、コントローラ４００により制御される。

コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気の停止と、第二ガス排気部３３５による排気の稼働とを並行して行うか、または、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気の稼動と、第二ガス排気部３３５による排気の停止とを並行して行うように、第一ガス排気部３３４、第二ガス排気部３３５および第三ガス供給部２７０を制御する。
このように、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理にあたり、第一ガス排気部３３４と第二ガス排気部３３５とのいずれかの排気系によるガスの流れを止めれば、排気バッファ構造部３８６の全体にクリーニングガスが行き届くようになる。したがって、排気バッファ構造部３８６に対して、その全体を漏れなくクリーニングできるようになる。

また、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気量が第二ガス排気部３３５による排気量よりも多くなる排気制御とを並行して行うか、または、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気量が第二ガス排気部３３５による排気量よりも少なくなる排気制御とを並行して行うように、第一ガス排気部３３４、第二ガス排気部３３５および第三ガス供給部２７０を制御する。
このように、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理にあたり、第一ガス排気部３３４と第二ガス排気部３３５とのいずれかの排気系による排気ボリュームを小さくすれば、いずれかの排気系によるガスの流れを完全に止めなくても、排気バッファ構造部３８６の全体にクリーニングガスが行き届きやすくなる。したがって、排気バッファ構造部３８６に対して、その全体を漏れなくクリーニングできるようになる。

また、コントローラ４００は、例えば、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気の停止および第二ガス排気部３３５による排気の停止とを並行して行うように、第一ガス排気部３３４、第二ガス排気部３３５および第三ガス供給部２７０を制御する。
このように、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理にあたり、第一ガス排気部３３４および第二ガス排気部３３５によるガスの流れをいずれも止めてしまえば、クリーニングガスを排気バッファ構造部３８６内に閉じ込めることができる。したがって、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の効率化を図る上で有用である。

特に、排気バッファ構造部３８６内へのクリーニングガスの閉じ込めは、例えば排気バッファ構造部３８６における凸部３９０のように、クリーニングガスが入りにくい部分が排気バッファ構造部３８６内に設けられている場合に非常に有用である。つまり、排気バッファ構造部３８６を構成する外周壁と基板載置プレート３１７との間の距離について、凸部３９０が設けられている分だけ、第一処理領域３０６ａおよび第二処理領域３０６ｂにおける距離よりもパージ領域３０７ａ，３０７ｂにおける距離が小さくなるように構成されている場合に、クリーニングガスを排気バッファ構造部３８６内に閉じ込めるようにすれば、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の効率化を図る上で非常に有用である。

（４）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０は、排気バッファ構造部３８６に対して直接的にクリーニングガスを供給する。したがって、チャンバ３０２内に供給したガスを排気する際に、第一ガス（Ｓｉ含有ガス等）と第二ガス（ＮＨ_３ガス等）とのミックスが生じる可能性があり、排気経路となる排気バッファ構造部３８６で非制御膜が形成されるおそれがあっても、その排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング効率を高めることができる。つまり、排気系のクリーニング効率を高めることで、排気バッファ構造部３８６に形成された非制御膜を効率的かつ確実に除去することができる。

（ｂ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスを第一の活性化部２７５が活性化する。したがって、エネルギーを添加する構成（例えばヒータ）が無い排気バッファ構造部３８６に対してクリーニングガスを供給する場合であっても、そのクリーニングガスにエネルギーを添加でき、更なるクリーニング処理の効率化が図れる。

（ｃ）本実施形態によれば、排気バッファ構造部３８６にクリーニングガスを供給する際に、まず炭素含有膜を除去可能な第一クリーニングガスを供給し、その後に炭素非含有膜を除去可能な第二クリーニングガスを供給する。したがって、処理ガスとしてカーボンを含むガスを用いた場合に非常に優位となり、カーボン成分を含む膜について効率的かつ確実に除去することができる。

（ｄ）本実施形態によれば、第四ガス供給部２８０が処理室３０１内の基板載置プレート３１７上に対してクリーニングガスを供給するとともに、その際にヒータ３８０が基板載置プレート３１７を加熱する。したがって、基板載置プレート３１７を加熱した状態でクリーニング処理を行うことができるので、加熱無しの場合に比べて、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５に対するクリーニング効率が高くなる。

（ｅ）本実施形態によれば、重力方向において、第四ガス供給部２８０が第三ガス供給部２７０よりも上方に設けられている。したがって、上方側の第四ガス供給部２８０からのクリーニングガスを基板載置プレート３１７上の全域に供給することができ、非基板載置面３２５に対するクリーニング処理を効率的に行うことができる。しかも、第三ガス供給部２７０を下方側に配することで、チャンバ３０２内からのガス排気経路となる排気バッファ構造部３８６に対して直接的にクリーニングガスを供給することができ、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を効率的に行うことができる。

（ｆ）本実施形態によれば、第一の活性化部２７５を稼働させた状態で第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６にクリーニングガスを供給し、ヒータ３８０を稼働させた状態で第四ガス供給部２８０から基板載置プレート３１７上にクリーニングガスを供給する。したがって、基板載置プレート３１７の非基板載置面３２５と排気バッファ構造部３８６とのいずれに対しても、クリーニング処理を効率的に行うことができる。

（ｇ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０に設けられる第一の活性化部２７５は、プラズマ生成部、加熱用触媒、第二のヒータ、マイクロ波供給部のいずれかである。したがって、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスを確実に活性化することができ、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を効率的に行う上で有用なものとなる。

（ｈ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６をクリーニング処理する際のクリーニングガスの分圧を、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上をクリーニング処理する際のクリーニングガスの分圧よりも高くする。したがって、排気バッファ構造部３８６にヒータがない場合であっても、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の効率を向上させ得るようになる。

（ｉ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０による排気バッファ構造部３８６のクリーニング処理の頻度を、第四ガス供給部２８０による基板載置プレート３１７上のクリーニング処理の頻度よりも高くする。したがって、各クリーニング処理を同頻度で行うと基板載置プレート３１７についてオーバエッチングを起こしてしまうおそれがあるが、そのようなオーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

（ｊ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６に供給するクリーニングガスの供給時間を、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上に供給するクリーニングガスの供給時間よりも長くする。したがって、各クリーニング処理におけるクリーニングガスの供給時間が同じであると基板載置プレート３１７についてオーバエッチングを起こしてしまうおそれがあるが、そのようなオーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

（ｋ）本実施形態によれば、第四ガス供給部２８０による基板載置プレート３１７上へのクリーニングガス供給から所定時間経過後、基板載置プレート３１７上へのクリーニングガス供給を停止するとともに、第三ガス供給部２７０による排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給を開始する。したがって、非基板載置面３２５に対するクリーニング処理で発生した異物（除去後の副生成物等）が排気バッファ構造部３８６に付着してしまうおそれがなく、排気バッファ構造部３８６内への異物付着を抑制でき、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

（ｌ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６に供給するクリーニングガスの供給回数を、第四ガス供給部２８０が基板載置プレート３１７上に供給するクリーニングガスの供給回数よりも多くする。したがって、各クリーニング処理におけるクリーニングガスの供給回数が同じであると基板載置プレート３１７についてオーバエッチングを起こしてしまうおそれがあるが、そのようなオーバエッチングのおそれを解消して、各クリーニング処理の効率化が図れるようになる。

（ｍ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が供給するクリーニングガスに対する第一の活性化部２７５の活性化エネルギー量を、第四ガス供給部２８０が供給するクリーニングガスに対する第二の活性化部２８５の活性化エネルギー量よりも高くする。したがって、クリーニングガスの活性化によるクリーニング処理の効率化を図りつつ、基板載置プレート３１７に対するオーバエッチングのおそれを解消することができる。

（ｎ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０から供給するクリーニングガスと、第四ガス供給部２８０から供給するクリーニングガスとについて、それぞれの成分が互いに異なるようにする。具体的には、例えば、第三ガス供給部２７０からのクリーニングガスによる副生成物の除去作用（除去エネルギー）が、第四ガス供給部２８０からのクリーニングガスによる副生成物の除去作用（除去エネルギー）よりも高くなるように、各クリーニングガスを構成する。したがって、各クリーニングガスの供給条件を相違させなくても、基板載置プレート３１７に対するオーバエッチングのおそれを解消することができる。

（ｏ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０による排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と並行して、パージガス供給部２６０からパージガスを供給する。したがって、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理に際して、パージガスの供給により処理室３０１内の圧力を排気バッファ構造部３８６よりも高くできるので、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理で発生した異物が処理室３０１に側に移動してしまうのを抑制できる。つまり、処理室３０１と排気バッファ構造部３８６とが連通していても、その排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理を適切に行うことができる。

（ｐ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６へクリーニングガスを供給する間、基板載置プレート３１７の上方の分圧が排気バッファ構造部３８６の分圧よりも高くなるように、パージガス供給部２６０からのパージガス供給を行う。したがって、基板載置プレート３１７の上方と排気バッファ構造部３８６とで圧力差が生じるので、排気バッファ構造部３８６から処理室３０１内への異物の移動抑制を確実なものとすることができる。

（ｑ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が排気バッファ構造部３８６へクリーニングガスを供給する間、貫通孔３１７ａの上方の分圧が排気バッファ構造部３８６の分圧よりも高くなるように、パージガス供給部２６０からのパージガス供給を行う。したがって、貫通孔３１７ａの上方の分圧を高めることができるので、リフトピン３２０が貫通孔３１７ａを貫通する場合であっても、排気バッファ構造部３８６に供給されたクリーニングガスやそのクリーニングガスによって除去された異物等が、貫通孔３１７ａを介して基板載置プレート３１７の上方に巻き上げられることがない。

（ｒ）本実施形態によれば、重力方向において、第三ガス供給部２７０が、第一ガス供給部２４０または第二ガス供給部２５０と、排気バッファ構造部３８６の下方に設けられた排気口３９２（３９２ａ，３９２ｂ）との間に配されている。さらに、重力方向との直交方向において、第三ガス供給部２７０が、第一ガス供給部２４０と第二ガス供給部２５０との間に配されている。
また、本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０が、第一処理領域３０６ａと第二処理領域３０６ｂとの間に設定された第一パージ領域３０７ａ、第二パージ領域３０７ｂにおけるガスの流れの下流側に設けられている。
また、本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０は、チャンバ３０２内の通路３０５ａに対してもクリーニングガスを供給可能である。
これらの各部分は、いずれも、第一ガス（Ｓｉ含有ガス等）と第二ガス（ＮＨ_３ガス等）とのミックスが生じやすく、クリーニング処理によって除去すべき異物が溜まりやすい箇所であるが、その場合であっても、第三ガス供給部２７０は、異物が溜まりやすい各部分に新鮮な（失活していない）クリーニングガスを供給することができ、各部分に対するクリーニング効率を向上させることが可能となる。

（ｓ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気の停止と、第二ガス排気部３３５による排気の稼働とを並行して行うか、または、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気の稼動と、第二ガス排気部３３５による排気の停止とを並行して行うようにする。したがって、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理にあたり、第一ガス排気部３３４と第二ガス排気部３３５とのいずれかの排気系によるガスの流れを止めることで、排気バッファ構造部３８６の全体にクリーニングガスが行き届くようになり、その結果として排気バッファ構造部３８６の全体を漏れなくクリーニングできるようになる。

（ｔ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気量が第二ガス排気部３３５による排気量よりも多くなる排気制御とを並行して行うか、または、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気量が第二ガス排気部３３５による排気量よりも少なくなる排気制御とを並行して行う。したがって、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理にあたり、第一ガス排気部３３４と第二ガス排気部３３５とのいずれかの排気系による排気ボリュームを小さくすることで、いずれかの排気系によるガスの流れを完全に止めなくても、排気バッファ構造部３８６の全体にクリーニングガスが行き届きやすくなり、その結果として排気バッファ構造部３８６の全体を漏れなくクリーニングできるようになる。

（ｕ）本実施形態によれば、第三ガス供給部２７０から排気バッファ構造部３８６へのクリーニングガス供給と、第一ガス排気部３３４による排気の停止および第二ガス排気部３３５による排気の停止とを並行して行う。したがって、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理にあたり、第一ガス排気部３３４および第二ガス排気部３３５によるガスの流れをいずれも止めてしまうことで、クリーニングガスを排気バッファ構造部３８６内に閉じ込めることができ、排気バッファ構造部３８６に対するクリーニング処理の効率化を図る上で有用である。

（ｖ）本実施形態によれば、排気バッファ構造部３８６内へのクリーニングガスの閉じ込めを行う。したがって、排気バッファ構造部３８６における凸部３９０のように、クリーニングガスが入りにくい部分が排気バッファ構造部３８６内に設けられている場合に、非常に有用である。つまり、クリーニングガスが入りにくい部分にもクリーニングガスを供給できるため、排気バッファ構造部３８６内に対して漏れなくクリーニング処理を行うことができる。

（５）変形例等
以上、本開示の一実施形態について具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態においては、第一ガスである原料ガスとしてＤＣＳガスを例に挙げたが、これに限定されるものではない。原料ガスとしては、ＤＣＳガスの他、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃ_６、略称：ＨＣＤＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ_４、略称：ＳＴＣ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ_３Ｃｌ_８、略称：ＯＣＴＳ）ガス等のＳｉ－Ｃｌ結合を含むクロロシラン原料ガスを用いることができる。

また、例えば、上述の実施形態においては、第二ガスである反応ガスとしてＮＨ_３ガスを例に挙げたが、これに限定されるものではない。反応ガスとしては、ＮＨ_３ガスの他、ジアゼン（Ｎ_２Ｈ_２）ガス、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）ガス、Ｎ_３Ｈ_８ガス等のＮ－Ｈ結合を含む窒化水素系ガスを用いることができる。

また、例えば、上述の実施形態においては、不活性ガスとしてＮ_２ガスを例に挙げたが、これに限定されるものではない。不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

また、上述の実施形態においては、基板処理工程として基板１００上への成膜処理を行う場合を例に挙げたが、これに限定されるものではなく、ガスの供給および排気を要する処理であれば、他の処理にも適用可能である。他の処理としては、例えば、拡散処理、酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、還元処理、酸化還元処理、エッチング処理、加熱処理等が有る。

（６）本開示の好ましい態様
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。

［付記１］
本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、複数の前記基板を平面上に支持する支持部と、
前記処理容器内に設定された第一ドメインに第一ガスを供給する第一ガス供給部と、
前記処理容器内に設定された第二ドメインに第二ガスを供給する第二ガス供給部と、
前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部と、
前記排気バッファ構造部に接続され、前記第一ガス供給部からの前記第一ガスの流れの下流に設けられる第一ガス排気部と、
前記排気バッファ構造部に接続され、前記第二ガス供給部からの前記第二ガスの流れの下流に設けられる第二ガス排気部と、
前記排気バッファ構造部にクリーニングガスを供給する第三ガス供給部と、
を有する基板処理装置が提供される。

［付記２］
好ましくは、
前記クリーニングガスを活性化する活性化部
を有する付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記３］
好ましくは、
第三ガス供給部は、前記クリーニングガスとして、炭素含有膜を除去可能な第一クリーニングガスと、炭素非含有膜を除去可能な第二クリーニングガスとを供給可能であり、前記排気バッファ構造部への供給の際に、前記第一クリーニングガスを供給し、その後に前記第二クリーニングガスを供給するように構成されている
付記１または２に記載の基板処理装置が提供される。

［付記４］
好ましくは、
前記支持部上にクリーニングガスを供給する第四ガス供給部と、
前記支持部を加熱するヒータ部と、
を有する付記２に記載の基板処理装置が提供される。

［付記５］
好ましくは、
前記第四ガス供給部は、重力方向（垂直方向）において、前記第三ガス供給部よりも上方に設けられる
付記４に記載の基板処理装置が提供される。

［付記６］
好ましくは、
前記第三ガス供給部は、前記活性化部を稼働させた状態で、前記排気バッファ構造部にクリーニングガスを供給し、
前記第四ガス供給部は、前記ヒータ部を稼働させた状態で、前記支持部上にクリーニングガスを供給する
付記４または５に記載の基板処理装置が提供される。

［付記７］
好ましくは、
前記活性化部は、プラズマ生成部、加熱用触媒、第二のヒータ、マイクロ波供給部のいずれかである
付記２または６に記載の基板処理装置が提供される。

［付記８］
好ましくは、
前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部をクリーニングする際のクリーニングガスの分圧が、前記第四ガス供給部が前記支持部上をクリーニングする際のクリーニングガスの分圧よりも高くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する制御部
を有する付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記９］
好ましくは、
前記第三ガス供給部による前記排気バッファ構造部のクリーニングの頻度が、前記第四ガス供給部による前記支持部上のクリーニングの頻度よりも高くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する制御部
を有する付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１０］
好ましくは、
前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部に供給するクリーニングガスの供給時間が、前記第四ガス供給部が前記支持部上に供給するクリーニングガスの供給時間よりも長くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する制御部
を有する付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１１］
好ましくは、
前記第四ガス供給部による前記支持部上へのクリーニングガス供給から所定時間経過後、前記支持部上へのクリーニングガス供給を停止するとともに、前記第三ガス供給部による前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給を開始するように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する制御部
を有する付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１２］
好ましくは、
前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部に供給するクリーニングガスの供給回数が、前記第四ガス供給部が前記支持部上に供給するクリーニングガスの供給回数よりも多くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する制御部
を有する付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１３］
好ましくは、
前記第四ガス供給部が供給するクリーニングガスを活性化する第二の活性化部と、
前記第三ガス供給部が供給するクリーニングガスに対する前記活性化部の活性化エネルギー量が、前記第二の活性化部の活性化エネルギー量よりも高くなるように、前記活性化部および前記第二の活性化部を制御する制御部と、
を有する付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１４］
好ましくは、
前記第三ガス供給部から供給するクリーニングガスと、前記第四ガス供給部から供給するクリーニングガスとは、成分が異なるように構成される
付記４から付記６のいずれか１態様に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１５］
好ましくは、
前記処理容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記第三ガス供給部による前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と並行して、前記不活性ガス供給部から不活性ガスを供給するように、前記不活性ガス供給部および前記第三ガス供給部を制御する制御部と、
を有する付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１６］
好ましくは、
前記制御部は、前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部へクリーニングガスを供給する間、前記支持部の上方の分圧が前記排気バッファ構造部の分圧よりも高くなるように、前記不活性ガス供給部および前記第三ガス供給部を制御する
付記１５に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１７］
好ましくは、
前記支持部には、前記基板を支持するリフトピンを貫通させる貫通孔が設けられているとともに、
前記制御部は、前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部へクリーニングガスを供給する間、前記貫通孔の上方の分圧が前記排気バッファ構造部の分圧よりも高くなるように、前記不活性ガス供給部および前記第三ガス供給部を制御する
付記１５または付記１６に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１８］
好ましくは、
前記第三ガス供給部は、
重力方向（垂直方向）において、前記第一ガス供給部または前記第二ガス供給部と、前記排気バッファ構造部に設けられる排気孔との間に配されており、
前記重力方向との直交方向（水平方向）において、前記第一ガス供給部と前記第二ガス供給部との間に配されている
付記１５に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１９］
好ましくは、
前記第三ガス供給部は、前記第一ドメインと前記第二ドメインとの間に設定されたパージドメインにおけるガスの流れの下流側に設けられる
付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記２０］
好ましくは、
前記処理容器は、開閉可能なゲートバルブと、前記ゲートバルブと前記支持部との間に設けられる通路と、を有しており、
前記第三ガス供給部は、前記通路に前記クリーニングガスを供給可能に構成されている
付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記２１］
好ましくは、
前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気の停止と、前記第二ガス排気部による排気の稼働とを並行して行うか、または、前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気の稼動と、前記第二ガス排気部による排気の停止とを並行して行うように、前記第一ガス排気部、前記第二ガス排気部および前記第三ガス供給部を制御する制御部
を有する付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記２２］
好ましくは、
前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気量が前記第二ガス排気部による排気量よりも多くなる排気制御とを並行して行うか、または、前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気量が前記第二ガス排気部による排気量よりも少なくなる排気制御とを並行して行うように、前記第一ガス排気部、前記第二ガス排気部および前記第三ガス供給部を制御する制御部
を有する付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記２３］
好ましくは、
前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気の停止および前記第二ガス排気部による排気の停止とを並行して行うように、前記第一ガス排気部、前記第二ガス排気部および前記第三ガス供給部を制御する制御部
を有する付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記２４］
好ましくは、
前記第三ガス供給部は、前記第一ドメインと前記第二ドメインとの間に設定されたパージドメインにおけるガスの流れの下流側に設けられており、
前記排気バッファ構造部を構成する外周壁と前記支持部との間の距離は、前記第一ドメインおよび前記第二ドメインにおける距離よりも前記パージドメインにおける距離が小さくなるように構成されている
付記１に記載の基板処理装置が提供される。

［付記２５］
本開示の他の態様によれば、
前記処理容器の内部に設けられた支持部の平面上に複数の基板を支持する工程と、
前記処理容器内に設定された第一ドメインへの第一ガス供給部からの第一ガス供給と、前記処理容器内に設定された第二ドメインへの第二ガス供給部からの第二ガス供給と、前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部に接続され前記第一ガス供給部によるガス流の下流に設けられた第一ガス排気部からの排気および前記排気バッファ構造部に接続され前記第二ガス供給部によるガス流の下流に設けられた部第二ガス排気部からの排気と、を行い、前記基板を処理する工程と、
前記基板を前記処理容器から搬出する工程と、
前記排気バッファ構造部に接続された第三ガス供給部からクリーニングガスを供給して、前記排気バッファ構造部内をクリーニングする工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。

［付記２６］
本開示のさらに他の態様によれば、
前記処理容器の内部に設けられた支持部の平面上に複数の基板を支持する手順と、
前記処理容器内に設定された第一ドメインへの第一ガス供給部からの第一ガス供給と、前記処理容器内に設定された第二ドメインへの第二ガス供給部からの第二ガス供給と、前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部に接続され前記第一ガス供給部によるガス流の下流に設けられた第一ガス排気部からの排気および前記排気バッファ構造部に接続され前記第二ガス供給部によるガス流の下流に設けられた部第二ガス排気部からの排気と、を行い、前記基板を処理する手順と、
前記基板を前記処理容器から搬出する手順と、
前記排気バッファ構造部に接続された第三ガス供給部からクリーニングガスを供給して、前記排気バッファ構造部内をクリーニングする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。

１００ 基板
２００ 基板処理装置
２４０ 第一ガス供給部
２５０ 第二ガス供給部
２６０ パージガス供給部（不活性ガス供給部）
２７０ 第三ガス供給部
２７５ 第一の活性化部
２８０ 第四ガス供給部
２８５ 第二の活性化部
３０１ 処理室
３０２ チャンバ（処理容器）
３０５ ゲートバルブ
３０５ａ 通路
３０６ａ 第一処理領域（第一ドメイン）
３０６ｂ 第二処理領域（第二ドメイン）
３０７ａ 第一パージ領域（パージドメイン）
３０７ｂ 第二パージ領域（パージドメイン）
３１７ 基板載置プレート（支持部）
３３４ 第一ガス排気部
３３５ 第二ガス排気部
３８０ ヒータ（ヒータ部）
３８６ 排気バッファ構造部
４００ コントローラ（制御部）

Claims (22)

1. 基板を処理する処理容器と、
   前記処理容器の内部に設けられ、複数の前記基板を平面上に支持する支持部と、
   前記処理容器内に設定された第一ドメインに第一ガスを供給可能な第一ガス供給部と、
   前記処理容器内に設定された第二ドメインに第二ガスを供給可能な第二ガス供給部と、
   前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部と、
   前記排気バッファ構造部に接続され、前記第一ガス供給部からの前記第一ガスの流れの下流に設けられる第一ガス排気部と、
   前記排気バッファ構造部に接続され、前記第二ガス供給部からの前記第二ガスの流れの下流に設けられる第二ガス排気部と、
   前記排気バッファ構造部にクリーニングガスを供給可能な第三ガス供給部と、
   を有する基板処理装置。
2. 前記クリーニングガスを活性化可能な活性化部
   を有する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第三ガス供給部は、前記クリーニングガスとして、炭素含有膜を除去可能な第一クリーニングガスと、炭素非含有膜を除去可能な第二クリーニングガスとを供給可能であり、
   前記排気バッファ構造部への供給の際に、前記第一クリーニングガスを供給し、その後に前記第二クリーニングガスを供給するように構成されている
   請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記支持部上にクリーニングガスを供給可能な第四ガス供給部
   を有する請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記第四ガス供給部は、重力方向において、前記第三ガス供給部よりも上方に設けられる
   請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部をクリーニングする際のクリーニングガスの分圧が、前記第四ガス供給部が前記支持部上をクリーニングする際のクリーニングガスの分圧よりも高くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御するか、
   前記第三ガス供給部による前記排気バッファ構造部のクリーニングの頻度が、前記第四ガス供給部による前記支持部上のクリーニングの頻度よりも高くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する
   制御部
   を有する請求項４に記載の基板処理装置。
7. 前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部に供給するクリーニングガスの供給時間が、前記第四ガス供給部が前記支持部上に供給するクリーニングガスの供給時間よりも長くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御するか、
   前記第四ガス供給部による前記支持部上へのクリーニングガス供給から所定時間経過後、前記支持部上へのクリーニングガス供給を停止するとともに、前記第三ガス供給部による前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給を開始するように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御するか、
   前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部に供給するクリーニングガスの供給回数が、前記第四ガス供給部が前記支持部上に供給するクリーニングガスの供給回数よりも多くなるように、前記第三ガス供給部および前記第四ガス供給部を制御する
   制御部
   を有する請求項４に記載の基板処理装置。
8. 前記第三ガス供給部が供給するクリーニングガスを活性化可能な第一の活性化部と、
   前記第四ガス供給部が供給するクリーニングガスを活性化可能な第二の活性化部と、
   前記第三ガス供給部が供給するクリーニングガスに対する前記第一の活性化部の活性化エネルギー量が、前記第二の活性化部の活性化エネルギー量よりも高くなるように、前記第一の活性化部および前記第二の活性化部を制御する制御部と、
   を有する請求項４に記載の基板処理装置。
9. 前記第三ガス供給部から供給するクリーニングガスと、前記第四ガス供給部から供給するクリーニングガスとは、成分が異なるように構成される
   請求項４に記載の基板処理装置。
10. 更に、前記クリーニングガスを活性化可能な活性化部と、
    前記支持部上にクリーニングガスを供給可能な第四ガス供給部と、
    前記支持部を加熱可能なヒータ部とを備え、
    前記第三ガス供給部は、前記活性化部を稼働させた状態で、前記排気バッファ構造部にクリーニングガスを供給し、
    前記第四ガス供給部は、前記ヒータ部を稼働させた状態で、前記支持部上にクリーニングガスを供給する
    請求項１に記載の基板処理装置。
11. 前記処理容器内に不活性ガスを供給可能な不活性ガス供給部と、
    前記第三ガス供給部による前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と並行して、前記不活性ガス供給部から不活性ガスを供給するように、前記不活性ガス供給部および前記第三ガス供給部を制御する制御部と、
    を有する請求項１に記載の基板処理装置。
12. 前記制御部は、前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部へクリーニングガスを供給する間、前記支持部の上方の分圧が前記排気バッファ構造部の分圧よりも高くなるように、前記不活性ガス供給部および前記第三ガス供給部を制御する
    請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 前記支持部には、前記基板を支持するリフトピンを貫通させる貫通孔が設けられているとともに、
    前記制御部は、前記第三ガス供給部が前記排気バッファ構造部へクリーニングガスを供給する間、前記貫通孔の上方の分圧が前記排気バッファ構造部の分圧よりも高くなるように、前記不活性ガス供給部および前記第三ガス供給部を制御する
    請求項１１に記載の基板処理装置。
14. 前記第三ガス供給部は、
    重力方向において、前記第一ガス供給部または前記第二ガス供給部と、前記排気バッファ構造部に設けられる排気孔との間に配されており、
    前記重力方向との直交方向において、前記第一ガス供給部と前記第二ガス供給部との間に配されている
    請求項１に記載の基板処理装置。
15. 前記第三ガス供給部は、前記第一ドメインと前記第二ドメインとの間に設定されたパージドメインにおけるガスの流れの下流側に設けられる
    請求項１に記載の基板処理装置。
16. 前記処理容器は、開閉可能なゲートバルブと、前記ゲートバルブと前記支持部との間に設けられる通路と、を有しており、
    前記第三ガス供給部は、前記通路に前記クリーニングガスを供給可能に構成されている
    請求項１に記載の基板処理装置。
17. 前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気の停止と、前記第二ガス排気部による排気の稼働とを並行して行うか、または、前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気の稼動と、前記第二ガス排気部による排気の停止とを並行して行うように、前記第一ガス排気部、前記第二ガス排気部および前記第三ガス供給部を制御する制御部
    を有する請求項１に記載の基板処理装置。
18. 前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気量が前記第二ガス排気部による排気量よりも多くなる排気制御とを並行して行うか、または、前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気量が前記第二ガス排気部による排気量よりも少なくなる排気制御とを並行して行うように、前記第一ガス排気部、前記第二ガス排気部および前記第三ガス供給部を制御する制御部
    を有する請求項１に記載の基板処理装置。
19. 前記第三ガス供給部から前記排気バッファ構造部へのクリーニングガス供給と、前記第一ガス排気部による排気の停止および前記第二ガス排気部による排気の停止とを並行して行うように、前記第一ガス排気部、前記第二ガス排気部および前記第三ガス供給部を制御する制御部
    を有する請求項１に記載の基板処理装置。
20. 前記第三ガス供給部は、前記第一ドメインと前記第二ドメインとの間に設定されたパージドメインにおけるガスの流れの下流側に設けられており、
    前記排気バッファ構造部を構成する外周壁と前記支持部との間の距離は、前記第一ドメインおよび前記第二ドメインにおける距離よりも前記パージドメインにおける距離が小さくなるように構成されている
    請求項１に記載の基板処理装置。
21. 処理容器の内部に設けられた支持部の平面上に複数の基板を支持する工程と、
    前記処理容器内に設定された第一ドメインへの第一ガス供給部からの第一ガス供給と、
    前記処理容器内に設定された第二ドメインへの第二ガス供給部からの第二ガス供給と、前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部に接続され前記第一ガス供給部によるガス流の下流に設けられた第一ガス排気部からの排気および前記排気バッファ構造部に接続され前記第二ガス供給部によるガス流の下流に設けられた部第二ガス排気部からの排気と、を行い、前記基板を処理する工程と、
    前記基板を前記処理容器から搬出する工程と、
    前記排気バッファ構造部に接続された第三ガス供給部からクリーニングガスを供給して、前記排気バッファ構造部内をクリーニングする工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
22. 処理容器の内部に設けられた支持部の平面上に複数の基板を支持する手順と、
    前記処理容器内に設定された第一ドメインへの第一ガス供給部からの第一ガス供給と、
    前記処理容器内に設定された第二ドメインへの第二ガス供給部からの第二ガス供給と、前記支持部の外周に沿って設けられた排気バッファ構造部に接続され前記第一ガス供給部によるガス流の下流に設けられた第一ガス排気部からの排気および前記排気バッファ構造部に接続され前記第二ガス供給部によるガス流の下流に設けられた部第二ガス排気部からの排気と、を行い、前記基板を処理する手順と、
    前記基板を前記処理容器から搬出する手順と、
    前記排気バッファ構造部に接続された第三ガス供給部からクリーニングガスを供給して、前記排気バッファ構造部内をクリーニングする手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。

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