JP7246217B2 - 成膜装置の洗浄方法 - Google Patents

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Description

本開示は、成膜装置の洗浄方法に関する。
特許文献１には、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを基板に対して交互に供給することにより、反応生成物を基板に成膜するＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が記載されている。特許文献１では、回転テーブルの回転中心の周りに水平に配置される基板を、回転テーブルと共に回転させることにより、第１の処理領域と、第２の処理領域と、第３の処理領域と、第４の処理領域とに送る。第１の処理領域では、シリコン含有ガス（例えばジクロロシランガス）が基板に供給され、シリコン含有ガスが基板に吸着され、基板にシリコン含有層が形成される。第２の処理領域、第３の処理領域、および第４の処理領域では、窒化用ガス（例えばアンモニアガスと水素ガスの混合ガス）が基板に供給される。窒化用ガスは、プラズマ化され、シリコン含有層を窒化する。その結果、窒化シリコン膜が形成される。
特開２０１７－１７５１０６号公報
本開示の一態様は、処理容器の内部に堆積する窒化シリコン膜を効率良く除去でき、且つ、石英で形成される部材のダメージを抑制できる、技術を提供する。
本開示の一態様に係る成膜装置の洗浄方法は、窒化シリコン膜が堆積する処理容器の内部を、プラズマ化された洗浄用ガスで洗浄する工程を有し、前記洗浄用ガスは、フッ素含有ガスと酸素ガスとを含む、成膜装置の洗浄方法であって、
前記処理容器の内部で回転する水平な回転テーブルを、第１の位置と、前記第１の位置よりも鉛直下方の第２の位置との間で昇降する工程と、
前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、
前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、を有する。
本開示の一態様によれば、処理容器の内部に堆積する窒化シリコン膜を効率良く除去でき、且つ、石英で形成される部材のダメージを抑制できる。
図１は、一実施形態に係る成膜装置の断面図である。 図２は、一実施形態に係る処理容器の内部構造を示す平面図である。 図３は、一実施形態に係る給排気ユニットの断面図である。 図４は、一実施形態に係る給排気ユニットの平面図である。 図５は、一実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。 図６は、一実施形態に係る成膜時に回転テーブル上に供給されるガスの種類を示す平面図である。 図７は、一実施形態に係る洗浄方法を示すフローチャートである。 図８は、図７に示す回転テーブルのフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）で回転テーブルに供給されるガスの一例を示す平面図である。 図９は、図７に示す回転テーブルのフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）における回転テーブルの鉛直方向位置の一例を示す断面図である。 図１０は、図７に示す給排気ユニットのフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）で回転テーブルに供給されるガスの一例を示す平面図である。 図１１は、図７に示す給排気ユニットのフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）における回転テーブルの鉛直方向位置の一例を示す断面図である。 図１２は、変形例に係る洗浄方法を示すフローチャートである。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の又は対応する符号を付し、説明を省略することがある。
（成膜装置）
図１は、一実施形態に係る成膜装置の断面図である。図２は、一実施形態に係る処理容器の内部構造を示す平面図である。
成膜装置は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、基板Ｗに膜を成膜する。基板Ｗは例えばシリコンウエハなどの半導体基板である。基板Ｗは、下地膜を含んでもよい。成膜装置によって形成する膜は、例えば窒化シリコン膜である。窒化シリコン膜は、原料ガス（例えばジクロロシランガス）と、窒化用ガス（例えばアンモニアガス）とを交互に基板Ｗに供給することにより、基板Ｗ上に形成される。
成膜装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な処理容器１と、この処理容器１内に設けられ、処理容器１の中心に回転中心線１３Ｚを有する回転テーブル１３とを備える。処理容器１は、有底の円筒形状を有する容器本体１１と、容器本体１１の上面に対して気密に着脱可能に配置される天板１２とを有する。
処理容器１の側壁には、図２に示すように、基板Ｗの搬送口１９が形成される。外部の搬送アームは、搬送口１９を通り、回転テーブル１３の上方で待機する。回転テーブル１３の上面には、その回転中心線１３Ｚの周りに複数（例えば６つ）の凹部１４が設けられる。凹部１４は、円形に形成される。凹部１４の直径は、基板Ｗの直径よりも大きい。凹部１４の内底面には、基板Ｗが水平に設置される。設置された基板Ｗの上面と、回転テーブル１３の上面とは、面一である。凹部１４の内底面には３つのピン穴が形成され、３つのピン穴のそれぞれに昇降ピンが配置される。３本の昇降ピンは、基板Ｗを下方から支持しながら昇降することにより、搬送アームと回転テーブル１３との間で基板Ｗを受け渡す。搬送口１９は、ゲートバルブにより開閉される。
回転テーブル１３は、図１に示すように、中心部にて、回転軸１５の上端部に固定される。回転軸１５は、鉛直方向下方に延びて、処理容器１の底部を貫通し、駆動部１６と接続される。駆動部１６が回転テーブル１３を回転させると、回転テーブル１３の回転中心線１３Ｚを中心に凹部１４が回転し、凹部１４に載置された基板Ｗが回転する。駆動部１６は、回転テーブル１３を昇降する役割も有する。回転テーブル１３を下降することで、回転テーブル１３と天板１２との間隔が広がるので、回転テーブル１３と天板１２との間に搬送アームが入り込みやすい。
回転テーブル１３の下方には、ヒータ１７が設けられる。ヒータ１７は、回転テーブル１３を加熱することにより、回転テーブル１３上の基板Ｗを加熱する。ヒータ１７は、基板Ｗ全体を加熱できるように、処理容器１の底部に同心円状に配置される。
回転テーブル１３の上方には、図２に示すように、給排気ユニット２と、プラズマ形成ユニット３Ａと、プラズマ形成ユニット３Ｂと、プラズマ形成ユニット３Ｃとが、回転テーブル１３の回転方向１３Ｒに、この順番で配置される。回転テーブル１３と共に回転する基板Ｗは、第１の処理領域Ｒ１、第２の処理領域Ｒ２、第３の処理領域Ｒ３、及び第４の処理領域Ｒ４をこの順番で通過する。
第１の処理領域Ｒ１は、給排気ユニット２の下方に形成される。第１の処理領域Ｒ１では、原料ガスが基板Ｗに吸着される。成膜装置によって窒化シリコン膜を形成する場合、原料ガスとしてはシリコン含有ガスが用いられる。シリコン含有ガスが基板Ｗに吸着されることにより、基板Ｗにシリコン含有層が形成される。シリコン含有層は、シリコンの他に、ハロゲン元素を含む。原料ガスがハロゲン元素を含むからである。
第２の処理領域Ｒ２は、プラズマ形成ユニット３Ａの下方に形成される。また、第３の処理領域Ｒ３は、プラズマ形成ユニット３Ｂの下方に形成される。第２の処理領域Ｒ２及び第３の処理領域Ｒ３では、プラズマ化された改質用ガスで、シリコン含有層が改質される。シリコン含有層の改質は、例えば、シリコン含有層に含まれるハロゲン元素を除去することを含む。ハロゲン元素を除去することで、Ｓｉの未結合手（Ｄａｎｇｌｉｎｇ Ｂｏｎｄ）を形成できる。その結果、シリコン含有層を活性化でき、シリコン含有層の窒化を促進できる。改質用ガスは、例えば水素（Ｈ２）ガスを含む。改質用ガスは、水素ガスに加えてアルゴン（Ａｒ）ガスを含んでもよい。
第４の処理領域Ｒ４は、プラズマ形成ユニット３Ｃの下方に形成される。第４の処理領域Ｒ４では、プラズマ化された窒化用ガスでシリコン含有層が窒化されるので、窒化シリコン膜が形成される。窒化用ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガス、又は窒素（Ｎ２）ガスが用いられる。
図３は、一実施形態に係る給排気ユニットの断面図である。図４は、一実施形態に係る給排気ユニットの平面図である。図４において、図面上での識別性を向上すべく、排気口２２、及びパージガス吐出口２３は、多数のドットを付して示す。
給排気ユニット２は、図４に示すように、平面視で扇状に形成される。給排気ユニット２は、回転テーブル１３の径方向外方に向うほど、回転テーブル１３の周方向に広がる。給排気ユニット２の下面は、回転テーブル１３の上面と平行に配置される。
給排気ユニット２の下面には、ガス吐出口２１、排気口２２、及びパージガス吐出口２３が形成される。ガス吐出口２１は、扇状領域２４に分散して複数配置される。扇状領域２４は、回転テーブル１３の径方向外方に向うほど、回転テーブル１３の周方向に広がる。複数のガス吐出口２１は、成膜処理時に、原料ガスをシャワー状に吐出し、基板Ｗの表面全体に供給する。成膜装置によって窒化シリコン膜を形成する場合、原料ガスとしてはシリコン含有ガスが用いられる。
シリコン含有ガスとしては、例えば、ジクロロシラン（ＤＣＳ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスが用いられる。なお、本実施形態の原料ガスはＤＣＳガスであるが、本開示の技術はこれに限定されない。原料ガスとしては、ＤＣＳガスの他に、例えば、モノクロロシラン（ＭＣＳ：ＳｉＨ３Ｃｌ）ガス、トリクロロシラン（ＴＣＳ：ＳｉＨＣｌ３）ガス、シリコンテトラクロライド（ＳＴＣ：ＳｉＣｌ４）ガス、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ：Ｓｉ２Ｃｌ６）ガス等も使用可能である。これらのガスを基板Ｗに供給することにより、シリコン（Ｓｉ）を含むシリコン含有層を基板Ｗに形成できる。シリコン含有層は、シリコンの他にハロゲン元素を含む。原料ガスがハロゲン元素を含むからである。
扇状領域２４には、回転テーブル１３の中心側から回転テーブル１３の周縁側に向けて、３つの区域２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃが設定される。複数のガス吐出口２１は、区域２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ毎に、異なるガス流路２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃを介して、異なるガス供給機２７と接続される。ガス供給機２７は、ＤＣＳガスの供給源２６からガス吐出口２１に供給されるＤＣＳガスの流量を制御する。区域２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ毎に、ＤＣＳの吐出流量を制御できる。ガス供給機２７は、例えば、原料ガスの流量を制御する流量制御器と、原料ガスの流路を開閉する開閉弁とを有する。
扇状領域２４の外側には、扇状領域２４を取り囲むように排気口２２が環状に配置される。排気口２２は、排気管を介して排気装置２８に接続される。排気装置２８は、ガスを吸引する真空ポンプを含む。排気装置２８と排気口２２とを接続する排気管の途中には、圧力制御器２０が配置される。圧力制御器２０は、排気口２２の気圧を制御する。
排気口２２の外側には、排気口２２を取り囲むようにパージガス吐出口２３が環状に配置される。パージガス吐出口２３は、ガス流路２３Ａを介して、ガス供給機２７と接続される。ガス供給機２７は、パージガスの供給源２９からパージガス吐出口２３に供給されるパージガスの流量を制御する。ガス供給機２７は、例えば、パージガスの流量を制御する流量制御器と、パージガスの流路を開閉する開閉弁とを有する。成膜装置によって窒化シリコン膜を形成する場合、パージガスとしては、例えばアルゴンガスが用いられる。
成膜時には、ガス吐出口２１が原料ガスを吐出すると共にパージガス吐出口２３がパージガスを吐出する。また、成膜時には、排気口２２が、原料ガス、及びパージガスを排気する。これにより、原料ガスが基板Ｗに吸着される第１の処理領域Ｒ１を、平面視で環状の排気口２２の内側に限定できる。また、第１の処理領域Ｒ１に供給された原料ガスと、プラズマ形成ユニット３Ａ、３Ｂ、３Ｃによってプラズマ化されたガスとの混合を抑制できる。パージガスは、第１の処理領域Ｒ１の雰囲気を外部の雰囲気と分離する役割の他、基板Ｗに過剰に吸着した原料ガスを、基板Ｗから除去する役割も有する。
次に、プラズマ形成ユニット３Ｃについて図１を参照して説明する。その他のプラズマ形成ユニット３Ａ、３Ｂは、図１に示すプラズマ形成ユニット３Ｃと同様に構成されるので、説明を省略する。
プラズマ形成ユニット３Ｃは、処理容器１の天板１２を鉛直方向に貫通する開口部１１ａに設けられる。開口部１１ａは、平面視で概略扇形に形成される。開口部１１ａは、円盤状の天板１２の径方向外方に向うほど、天板１２の周方向に広がる。開口部１１ａの開口径が鉛直下方に向うにつれ段階的に小さくなるように、段部１１ｂが形成される。
プラズマ形成ユニット３Ｃは、回転テーブル１３上に供給されるプラズマ形成用ガスをマイクロ波で励起することにより、プラズマを発生させる。プラズマ形成ユニット３Ｃは、上記のマイクロ波を供給するためのアンテナ３１を備える。アンテナ３１は、誘電体板３２と金属製の導波管３３とを含む。
誘電体板３２は、天板１２の開口部１１ａを塞ぐように、平面視で扇状に形成される。誘電体板３２は、天板１２の開口部１１ａに挿入され、段部１１ｂで支持される。誘電体板３２は、回転テーブル１３に対向するように設置される。誘電体板３２は、処理容器１の内部を気密に保つ。
導波管３３は、誘電体板３２上に設けられ、回転テーブル１３の径方向に延在する内部空間３５を有する。内部空間３５の回転中心線１３Ｚ側の端部は塞がれており、内部空間３５の回転中心線１３Ｚとは反対側の端部にはマイクロ波発生器３７が接続される。マイクロ波発生器３７は、例えば約２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管３３に供給する。導波管３３は、誘電体板３２に接するスロット板３６を含む。スロット板３６は、複数のスロット孔３６Ａを有する。
導波管３３に供給されたマイクロ波は、スロット板３６のスロット孔３６Ａを通過して誘電体板３２に至り、誘電体板３２の下面付近でプラズマ形成用ガスをプラズマ化する。プラズマが形成される第４の処理領域Ｒ４を、誘電体板３２の下方領域に限定できる。第４の処理領域Ｒ４には、ガス供給機４０によって、プラズマ形成用ガスが供給される。
ガス供給機４０は、内側ガス吐出口４１と、外側ガス吐出口４２とを有する。内側ガス吐出口４１及び外側ガス吐出口４２は、誘電体板３２を下方から支持する段部１１ｂに設けられる。
内側ガス吐出口４１は、天板１２の径方向外側に向けて、誘電体板３２の下面に沿ってプラズマ形成用ガスを吐出する。内側ガス吐出口４１は、天板１２の周方向に沿って間隔をおいて複数配列される。内側ガス吐出口４１は、主管及び主管から枝分かれする複数の岐管を介して、アルゴンガスの供給源４３と、アンモニアガスの供給源４４と、水素ガスの供給源４５と、フッ素含有ガスの供給源４６と、酸素ガスの供給源４７とに接続される。複数の枝管のそれぞれの途中には、流量制御器４８が配置される。内側ガス吐出口４１は、アルゴンガス、アンモニアガス、水素ガス、フッ素含有ガス、及び酸素ガスから選択される１種類以上のガスを、任意の組合せで、また、任意の混合比で、吐出する。
一方、外側ガス吐出口４２は、天板１２の径方向内側に向けて、誘電体板３２の下面に沿ってプラズマ形成用ガスを吐出する。外側ガス吐出口４２は、天板１２の周方向に沿って間隔をおいて複数配列される。外側ガス吐出口４２は、内側ガス吐出口４１と同様に、主管及び主管から枝分かれする複数の岐管を介して、アルゴンガスの供給源４３と、アンモニアガスの供給源４４と、水素ガスの供給源４５と、フッ素含有ガスの供給源４６と、酸素ガスの供給源４７とに接続される。複数の枝管のそれぞれの途中には、流量制御器４９が配置される。外側ガス吐出口４２は、アルゴンガス、アンモニアガス、水素ガス、フッ素含有ガス、及び酸素ガスから選択される１種類以上のガスを、任意の組合せで、また、任意の混合比で、吐出する。内側ガス吐出口４１と、外側ガス吐出口４２とは、プラズマ形成用ガスを独立に吐出できるように、異なる流量制御器４８、４９に接続される。
処理容器１の底部には、図２に示すように排気口５１が形成される。排気口５１は、回転テーブル１３の径方向外側に配置され、回転中心線１３Ｚを基準として第１の処理領域Ｒ１とは反対側に配置される。排気口５１は、排気管を介して排気装置５２に接続される。排気装置５２は、ガスを吸引する真空ポンプを有する。排気装置５２と排気口５１とを接続する排気管の途中には、圧力制御器５３が配置される。圧力制御器５３は、排気口５１の気圧を制御する。上記のプラズマ形成ユニット３Ａ、３Ｂ、３Ｃから吐出されるプラズマ形成用ガスは、排気口５１から排気される。
成膜装置は、図１に示すように制御部１００を備える。制御部１００は、例えばコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０１と、メモリなどの記憶媒体１０２とを備える。記憶媒体１０２には、成膜装置において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１００は、記憶媒体１０２に記憶されたプログラムをＣＰＵ１０１に実行させることにより、成膜装置の動作を制御する。また、制御部１００は、入力インターフェース１０３と、出力インターフェース１０４とを備える。制御部１００は、入力インターフェース１０３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース１０４で外部に信号を送信する。
かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００の記憶媒体１０２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御部１００の記憶媒体１０２にインストールされてもよい。
（成膜方法）
図５は、一実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。図５に示す工程Ｓ１０１～Ｓ１０６は、制御部１００による制御下で実施される。図６は、一実施形態に係る成膜時に回転テーブル上に供給されるガスの種類を示す平面図である。
成膜方法は、処理容器１の内部に基板Ｗを搬入する工程Ｓ１０１を有する。この工程Ｓ１０１では、先ずゲートバルブが搬送口１９を開く。続いて、搬送アームが、搬送口１９を通り、回転テーブル１３の上方で待機する。次いで、昇降ピンが、搬送アームから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを回転テーブル１３の凹部１４内に載置する。搬送アームから回転テーブル１３への基板Ｗの受け渡しは、回転テーブル１３を間欠的に回転させながら、繰り返し行われる。その結果、回転テーブル１３には、例えば６枚の基板Ｗが載置される。
その後、ゲートバルブが搬送口１９を閉じる。続いて、排気装置５２が処理容器１の内部を排気し、処理容器１の内部の気圧が設定気圧に到達すると、圧力制御器５３が処理容器１の内部の気圧を設定気圧に制御する。圧力制御器５３の設定気圧は、例えば６６．５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）以上、６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）以下である。次いで、駆動部１６が回転テーブル１３を設定回転数で回転させる共に、ヒータ１７が基板Ｗを設定温度に加熱する。回転テーブル１３の設定回転数は、例えば１０ｒｐｍ以上、３０ｒｐｍ以下である。回転テーブル１３と共に回転する基板Ｗは、第１の処理領域Ｒ１、第２の処理領域Ｒ２、第３の処理領域Ｒ３、及び第４の処理領域Ｒ４をこの順番で通過する。
成膜方法は、第１の処理領域Ｒ１において、シリコン含有ガスを基板Ｗに吸着させることにより、基板Ｗにシリコン含有層を形成する工程Ｓ１０２を有する。シリコン含有ガスとしては、例えばＤＣＳガスが用いられる。給排気ユニット２は、扇状領域２４の複数のガス吐出口２１からシリコン含有ガスをシャワー状に吐出すると共に、扇状領域２４を囲む環状のパージガス吐出口２３から回転テーブル１３に向けてパージガスを吐出する。また、給排気ユニット２は、扇状領域２４とパージガス吐出口２３との間に環状に形成される排気口２２から、シリコン含有ガスとパージガスとを排気する。
成膜方法は、第２の処理領域Ｒ２および第３の処理領域Ｒ３において、シリコン含有層を改質する工程Ｓ１０３を有する。この工程Ｓ１０３では、第２の処理領域Ｒ２および第３の処理領域Ｒ３において、内側ガス吐出口４１と、外側ガス吐出口４２とが、改質用ガスを吐出する。改質用ガスとしては、例えば水素ガスが用いられる。改質用ガスは、プラズマ形成用ガスであり、プラズマ形成ユニット３Ａ、３Ｂによってプラズマ化される。プラズマ化された改質用ガスは、シリコン含有層を改質する。シリコン含有層の改質は、例えば、シリコン含有層に含まれるハロゲン元素を除去することを含む。ハロゲン元素を除去することで、シリコン元素の未結合手を形成できる。その結果、シリコン含有層を活性化でき、シリコン含有層の窒化を促進できる。
成膜方法は、第４の処理領域Ｒ４において、シリコン含有層を窒化する工程Ｓ１０４を有する。この工程Ｓ１０４では、第４の処理領域Ｒ４において、内側ガス吐出口４１と、外側ガス吐出口４２とが、窒化用ガスを吐出する。窒化用ガスとしては、例えばアンモニアガスが用いられる。窒化用ガスは、プラズマ形成用ガスであり、プラズマ形成ユニット３Ｃによってプラズマ化される。プラズマ化された窒化用ガスは、シリコン含有層を窒化することにより、窒化シリコン膜を形成する。
窒化シリコン膜の膜厚が目標厚さ未満である場合（工程Ｓ１０５、Ｎｏ）、制御部１００は工程Ｓ１０２以降の処理を再び実施する。窒化シリコン膜の膜厚が目標厚さであるか否かは、処理時間などに基づいて判断される。一方、窒化シリコン膜の膜厚が目標厚さである場合（工程Ｓ１０５、Ｙｅｓ）、制御部１００は工程Ｓ１０６の処理を実施する。
成膜方法は、処理容器１の外部に基板Ｗを搬出する工程Ｓ１０６を有する。この工程Ｓ１０６では、先ずゲートバルブが搬送口１９を開く。続いて、搬送アームが、搬送口１９を通り、回転テーブル１３の上方で待機する。次いで、昇降ピンが、回転テーブル１３から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを搬送アームに渡す。回転テーブル１３から搬送アームへの基板Ｗの受け渡しは、回転テーブル１３を間欠的に回転させながら、繰り返し行われる。
（洗浄方法）
図７は、一実施形態に係る洗浄方法を示すフローチャートである。図７に示す工程Ｓ２０１～Ｓ２０８は、制御部１００による制御下で実施され、例えば、窒化シリコン膜の成膜が設定回数行われる度に、又は設定時間が経過する度に行われる。図７に示す工程Ｓ２０１～Ｓ２０８は、回転テーブル１３を駆動部１６で回転すると共に、回転テーブル１３をヒータ１７で加熱しながら行われる。回転テーブル１３の回転数は、特に限定されないが、例えば１０ｒｐｍである。また、回転テーブル１３の温度は、特に限定されないが、例えば５５０℃である。
洗浄方法は、回転テーブル１３をプラズマ化された洗浄用ガスで洗浄する工程Ｓ２０１を有する。洗浄用ガスは、フッ素含有ガスと酸素（Ｏ２）ガスとを含む。フッ素含有ガスは、例えば、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスである。洗浄用ガスは、例えば、三フッ化窒素ガスを１体積％以上１０体積％以下、酸素ガスを０．５体積％以上５体積％以下含む。なお、本実施形態ではフッ素含有ガスとしてＮＦ３ガスが用いられるが、ＮＦ３ガスの代わりにＦ２ガスが用いられてもよい。フッ素含有ガスは、フッ素を含むガスであればよい。
洗浄用ガスは、プラズマ化され、回転テーブル１３に堆積した堆積物を除去する。除去する堆積物は、例えば窒化シリコン膜である。一方、回転テーブル１３は、例えば石英（酸化シリコン）で形成される。洗浄用ガスは、フッ素含有ガスと酸素ガスとを含むので、酸化シリコン（ＳｉＯ）に比べて窒化シリコン（ＳｉＮ）を選択的にエッチングできる。
なお、本明細書では、窒化シリコンを、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）との比率に関係なく、ＳｉＮと表記する。「ＳｉＮ」は、例えばシリコンと窒素とを３:４で含むもの（Ｓｉ３Ｎ４）を含む。同様に、本明細書では、酸化シリコンを、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との比率に関係なく、ＳｉＯと表記する。「ＳｉＯ」は、例えばシリコンと酸素とを１:２で含むもの（ＳｉＯ２）を含む。
洗浄用ガスがＳｉＯに比べてＳｉＮを選択的にエッチングするメカニズムは、以下のように推定される。
下記式（１）は、プラズマ化されたＮＦ３ガスとＳｉＮとの反応式である。
ＳｉＮ＋ＮＦ３ ＊→ＳｉＦ４↑・・・（１）
上記式（１）に示すように、ＳｉＮは、プラズマ化されたＮＦ３ガス（ＮＦ３ ＊）と反応し、ＳｉＦ４ガスを生じる。ＳｉＦ４ガスは排気口５１から排気され、ＳｉＮがエッチングされる。
下記式（２）は、ＮＦ３ガスにＯ２ガスを添加した場合の反応式である。Ｏ２ガスもＮＦ３ガスと同様に、プラズマ化される。
ＳｉＮ＋ＮＦ３ ＊＋Ｏ２ ＊→ＳｉＦ４↑＋ＮＯ（ＮＯ２）↑・・・（２）
上記式（２）に示すように、ＳｉＮは、プラズマ化されたＯ２ガス（Ｏ２ ＊）と反応し、ＮＯガスまたはＮＯ２ガスを生じる。ＮＯガスまたはＮＯ２ガスは排気口５１から排気され、ＳｉＮがエッチングされる。
ＮＦ３ガスにＯ２ガスを添加することで、ＳｉＦ４ガスの生成に加えてＮＯガスまたはＮＯ２ガスの生成が生じるので、ＳｉＮのエッチング速度が速くなる。従って、ＳｉＮをＳｉＯに比べて選択的にエッチングできると考えられる。
なお、ＮＦ３ガスにＯ２ガスを添加することで、酸素ラジカルが供給され、その結果、ＳｉＯのエッチング速度が遅くなることも、洗浄用ガスがＳｉＯに比べてＳｉＮを選択的にエッチングする一因であると考えられる。ＳｉＯはＳｉＮと同様にＮＦ３ ＊と反応し、ＳｉＦ４ガスを生じる。このとき、ＳｉとＯの結合が切れるが、Ｓｉの未結合手にフッ素ラジカル（Ｆ＊）が結合する前に、酸素ラジカル（Ｏ＊）が結合することで、見かけ上、ＳｉＯのエッチング速度が遅くなる。
なお、ＮＦ３ガスの代わりに、Ｆ２ガスが用いられる場合も、上記の式（１）および式（２）と同様の反応が生じる。
洗浄用ガスは、上述の如く、フッ素含有ガスと酸素ガスとを含むので、酸化シリコン（ＳｉＯ）に比べて窒化シリコン（ＳｉＮ）を選択的にエッチングできる。従って、洗浄用ガスは、石英（酸化シリコン）製の回転テーブル１３の損傷を抑制しつつ、堆積物である窒化シリコン膜を除去できる。
石英製の部材は、回転テーブル１３には限定されない。洗浄用ガスは、フッ素含有ガスと酸素ガスとを含むので、石英製の部材の損傷を抑制しつつ、堆積物である窒化シリコン膜を石英製の部材から除去できる。
洗浄用ガスは、フッ素含有ガスと酸素（Ｏ２）ガスとに加えて、アルゴンガスなどの希ガスをさらに含む。洗浄用ガスは、希ガスをさらに含むことで、プラズマ化されやすくなるからである。
図８は、図７に示す回転テーブルのフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）で回転テーブルに供給されるガスの一例を示す平面図である。図９は、図７に示す回転テーブルのフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）における回転テーブルの鉛直方向位置の一例を示す断面図である。図９は、一実施形態に係る第４の処理領域及び第１の処理領域を回転テーブルの周方向に沿って切断した断面図である。
図８に示すように、洗浄用ガスは、例えば、第４の処理領域Ｒ４に供給され、プラズマ形成ユニット３Ｃによってプラズマ化され、窒化シリコン膜をエッチングする。回転テーブル１３に堆積した窒化シリコン膜は、第４の処理領域Ｒ４を通過する間に、プラズマ化された洗浄用ガスによってエッチングされる。
なお、図７に示す工程Ｓ２０１～Ｓ２０８では、プラズマ形成ユニット３Ｂは、第３の処理領域Ｒ３にプラズマを形成しない。同様に、図７に示す工程Ｓ２０１～Ｓ２０８では、プラズマ形成ユニット３Ａは、第２の処理領域Ｒ２にプラズマを形成しない。
回転テーブル１３の上方には、図８に示すように、回転テーブル１３の周方向に、プラズマ形成ユニット３Ｃと、ブロック６０と、給排気ユニット２とがこの順番で配置される。プラズマ形成ユニット３Ｃは、洗浄用ガスをプラズマ化する。ブロック６０は、図９に示すように、回転テーブル１３に対向する。回転テーブル１３の上面と、ブロック６０の下面とは、互いに平行に形成される。回転テーブル１３の上面と、ブロック６０の下面との隙間の大きさｈ１は、窒化シリコン膜の成膜時と同程度であり、比較的狭い。ブロック６０は、第４の処理領域Ｒ４に供給された洗浄用ガスが第１の処理領域Ｒ１に流れるのを抑制する。洗浄用ガスを第４の処理領域Ｒ４に集中でき、洗浄用ガスによる洗浄効率を向上できる。
回転テーブル１３の上方には、図８に示すように、ブロック６０の他に、別のブロック６１が配置される。２つのブロック６０、６１は、プラズマ形成ユニット３Ｃを回転テーブル１３の周方向に挟んで配置される。ブロック６１は、プラズマ形成ユニット３Ｃとプラズマ形成ユニット３Ｂとの間に配置される。ブロック６１は、ブロック６０と同様に構成され、第４の処理領域Ｒ４に供給された洗浄用ガスが第３の処理領域Ｒ３に流れるのを抑制する。洗浄用ガスを第４の処理領域Ｒ４に集中でき、洗浄用ガスによる洗浄効率を向上できる。また、洗浄用ガスが第３の処理領域Ｒ３に流れるのを抑制するので、洗浄用ガスに含まれるフッ素が残留する領域を第４の処理領域Ｒ４に限定できる。
第１の排気口２２と第２の排気口５１とは、プラズマ形成ユニット３Ｃを回転テーブル１３の周方向に挟んで配置される。第１の排気口２２と第２の排気口５１とは、例えば平面視で、回転テーブル１３の回転中心線１３Ｚを挟んで反対側に配置される。第１の排気口２２は、第１の処理領域Ｒ１の上方に形成され、給排気ユニット２に形成される。一方、第２の排気口５１は、回転テーブル１３の径方向外側に形成され、第３の処理領域Ｒ３の隣に形成される。第１の排気口２２の気圧、つまり圧力制御器２０の設定気圧は、例えば０．８Ｔｏｒｒである。第２の排気口５１の気圧、つまり圧力制御器５３の設定気圧は、例えば１.０Ｔｏｒｒである。第１の排気口２２の気圧Ｐ１Ａと、第２の排気口５１の気圧Ｐ２Ａとは同程度である。
洗浄用ガスは、図８に矢印Ａで示すように、主に第２の排気口５１から排気される。主に第２の排気口５１から洗浄用ガスが排気されるように、給排気ユニット２の扇状領域２４からアルゴンガスがシャワー状に吐出される。扇状領域２４に分散して配置される複数のガス吐出口２１は、原料ガスに代えて、アルゴンガスを吐出する。第１の排気口２２は扇状領域２４から吐出されるアルゴンガスを排気するので、洗浄用ガスは図８に矢印Ａで示すように主に第２の排気口５１から排気される。
洗浄用ガスの流れは、回転テーブル１３の径方向に延びるノズル７０、７１によっても制御できる。ノズル７０、７１は、その長手方向に間隔をおいて配列される複数の吐出孔を有する。複数の吐出孔は、ノズル７０、７１の長手方向に直交する方向に、カウンター用ガスを吐出する。ノズル７０は、例えば、プラズマ形成ユニット３Ｂに設けられ、第４の処理領域Ｒ４から第２の排気口５１を超えてノズル７０に向う洗浄用ガスを、第２の排気口５１に押し戻すように、カウンター用ガスを吐出する。また、ノズル７１は、例えば、プラズマ形成ユニット３Ａに設けられ、第４の処理領域Ｒ４から第１の排気口２２を超えてノズル７１に向う洗浄用ガスを、第１の排気口２２に押し戻すように、カウンター用ガスを吐出する。カウンター用ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）ガスが用いられる。窒素ガスの代わりに、アルゴンガスなどの希ガスが用いられてもよい。カウンター用ガスは、不活性ガスであればよい。
図７に示すように、洗浄方法は、回転テーブル１３を第１の位置（図９に示す位置）から第２の位置（図１１に示す位置）に下降する工程Ｓ２０２を有する。また、洗浄方法は、圧力制御器２０、５３の設定を変更する工程Ｓ２０３を有する。さらに、洗浄方法は、給排気ユニット２をプラズマ化された洗浄用ガスで洗浄する工程Ｓ２０４を有する。回転テーブル１３の下降（工程Ｓ２０２）と、圧力制御器２０、５３の設定変更（工程Ｓ２０３）とは、どちらが先に行われてもよいし、同時に行われてもよい。回転テーブル１３の下降（工程Ｓ２０２）と圧力制御器２０、５３の設定変更（工程Ｓ２０３）とは、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）と給排気ユニットのフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）とで洗浄用ガスの流れを変更するために行われる。
図１０は、図７に示す給排気ユニットのフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）で回転テーブルに供給されるガスの一例を示す平面図である。図１１は、図７に示す給排気ユニットのフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）における回転テーブルの鉛直方向位置の一例を示す断面図である。図１１は、一実施形態に係る第４の処理領域及び第１の処理領域を回転テーブルの周方向に沿って切断した断面図である。
図１０に矢印Ｂで示すように、給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）では、第４の処理領域Ｒ４でプラズマ化された洗浄用ガスは、主に第１の排気口２２に向けて流れる。給排気ユニット２に堆積した窒化シリコン膜を洗浄用ガスでエッチングでき、給排気ユニット２から窒化シリコン膜を除去できる。
洗浄用ガスを主に第１の排気口２２に向けて流すべく、回転テーブル１３の鉛直方向位置は第２の位置（図１１に示す位置）に保持される。第２の位置に保持される回転テーブル１３の上面とブロック６０の下面との隙間の大きさｈ２は、第１の位置に保持される回転テーブル１３の上面とブロック６０の下面との隙間の大きさｈ１よりも大きい。従って、第４の処理領域Ｒ４に供給された洗浄用ガスがブロック６０の下を通過しやすい。それゆえ、洗浄用ガスを主に第１の排気口２２に向けて流すことができる。
また、洗浄用ガスを主に第１の排気口２２に向けて流すべく、回転テーブル１３の鉛直方向位置が第１の位置の場合と、第２の位置の場合とで、第１の排気口２２の気圧と第２の排気口５１の気圧とがそれぞれ変更される。変更後の第１の排気口２２の気圧Ｐ１Ｂは、変更後の第２の排気口５１の気圧Ｐ２Ｂよりも小さい。Ｐ１ＢとＰ２Ｂとの差圧によって、洗浄用ガスを主に第１の排気口２２に向けて流すことができる。
例えば、回転テーブル１３の鉛直方向位置が第２の位置である場合の第１の排気口２２の気圧Ｐ１Ｂは、回転テーブル１３の鉛直方向位置が第１の位置である場合の第１の排気口２２の気圧Ｐ１Ａよりも小さく、例えば、０．３Ｔｏｒｒである。一方、回転テーブル１３の鉛直方向位置が第２の位置である場合の第２の排気口５１の気圧Ｐ２Ｂは、回転テーブル１３の鉛直方向位置が第１の位置である場合の第２の排気口５１の気圧Ｐ２Ａよりも大きく、例えば、２．３Ｔｏｒｒである。
給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）と、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）とは、回転テーブル１３の鉛直方向位置、第１の排気口２２の気圧、および第２の排気口５１の気圧以外、同じ条件で実施されてよい。
図７に示すように、洗浄方法は、給排気ユニット２に付着するフッ素を、プラズマ化されたパージ用ガスで除去する工程Ｓ２０５を有する。給排気ユニット２のフッ素除去（工程Ｓ２０５）は、給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）の後に行われる。給排気ユニット２のフッ素除去（工程Ｓ２０５）は、洗浄用ガスの代わりにパージ用ガスを供給する点を除き、給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）と同様に実施される。
パージ用ガスは、洗浄用ガスとは異なり、フッ素含有ガスを含まずに、酸素（Ｏ２）ガスを含む。「パージ用ガスがフッ素含有ガスを含まない」とは、パージ用ガスにおけるフッ素（Ｆ）の含有率が１体積ｐｐｍ以下であることを意味する。
パージ用ガスは、洗浄用ガスと同様に、第４の処理領域Ｒ４に供給され、プラズマ形成ユニット３Ｃによってプラズマ化される。パージ用ガスは、酸素ガスに加えて、アルゴンガスなどの希ガスをさらに含む。パージ用ガスは、希ガスをさらに含むことで、プラズマ化されやすくなるからである。
パージ用ガスは、プラズマ化された後、洗浄用ガスと同様に、図１０に矢印Ｂで示すように、給排気ユニット２に向けて流れ、給排気ユニット２に付着するフッ素を除去する。フッ素を除去するのは、窒化シリコン膜の成膜を再開する時にその成膜をフッ素が阻害してしまうからである。フッ素は、シリコン含有ガスが基板Ｗに吸着するのを阻害してしまう。また、フッ素は、改質用ガスがシリコン含有層を改質するのを阻害してしまう。本実施形態によれば、フッ素を除去するので、窒化シリコン膜の成膜速度を向上できる。
パージ用ガスは、洗浄用ガスと同様に、図１０に矢印Ｂで示すように、主に第１の排気口２２から排気される。給排気ユニット２に付着するフッ素は、パージ用ガスと共に、主に第１の排気口２２から排気される。
図７に示すように、洗浄方法は、回転テーブル１３を第２の位置（図１１示す位置）から第１の位置（図９に示す位置）に上昇する工程Ｓ２０６を有する。また、洗浄方法は、圧力制御器２０、５３の設定を変更する工程Ｓ２０７を有する。さらに、洗浄方法は、回転テーブル１３に付着するフッ素を、プラズマ化されたパージ用ガスで除去する工程Ｓ２０８を有する。回転テーブル１３の上昇（工程Ｓ２０６）と、圧力制御器２０、５３の設定変更（工程Ｓ２０７）とは、どちらが先に行われてもよいし、同時に行われてもよい。回転テーブル１３の上昇（工程Ｓ２０６）と圧力制御器２０、５３の設定変更（工程Ｓ２０７）とは、給排気ユニット２のフッ素除去（工程Ｓ２０５）と回転テーブル１３のフッ素除去（工程Ｓ２０８）とでパージ用ガスの流れを変更するために行われる。
回転テーブル１３のフッ素除去（工程Ｓ２０８）は、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）の後に行われる。回転テーブル１３のフッ素除去（工程Ｓ２０８）は、洗浄用ガスの代わりにパージ用ガスを供給する点を除き、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）と同様に実施される。
パージ用ガスは、洗浄用ガスと同様に、第４の処理領域Ｒ４に供給され、プラズマ形成ユニット３Ｃによってプラズマ化され、回転テーブル１３に付着するフッ素を除去する。回転テーブル１３に付着するフッ素は、第４の処理領域Ｒ４を通過する間に、プラズマ化されたパージ用ガスによって除去される。
パージ用ガスは、プラズマ化された後、洗浄用ガスと同様に、図８に矢印Ａで示すように、主に第２の排気口５１から排気される。回転テーブル１３に付着するフッ素は、パージ用ガスと共に、主に第２の排気口５１から排気される。
ブロック６０は、第４の処理領域Ｒ４に供給されたパージ用ガスが第１の処理領域Ｒ１に流れるのを抑制する。同様に、ブロック６１は、第４の処理領域Ｒ４に供給された洗浄用ガスが第３の処理領域Ｒ３に流れるのを抑制する。パージ用ガスを第４の処理領域Ｒ４に集中でき、パージ用ガスによるフッ素の除去効率を向上できる。
図７に示すように、洗浄方法は、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）と、回転テーブル１３の下降（工程Ｓ２０２）と、給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）と、給排気ユニット２のフッ素除去（工程Ｓ２０５）、回転テーブル１３の上昇（工程Ｓ２０６）と、回転テーブル１３のフッ素除去（工程Ｓ２０８）とをこの順番で有する。この場合、洗浄方法は、回転テーブル１３の鉛直方向位置を第２の位置に保持した状態で、給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）と、給排気ユニット２のフッ素除去（工程Ｓ２０５）とを続けて行う。従って、回転テーブル１３の鉛直方向位置を第１の位置と第２の位置との間で切り替える回数を低減でき、処理時間を短縮できる。
なお、上記の工程Ｓ２０１～Ｓ２０８の順番は、図７に示す順番には限定されない。例えば、図１２に示すように、洗浄方法は、給排気ユニット２のフッ素洗浄（工程Ｓ２０４）と、回転テーブル１３の上昇（工程Ｓ２０６）と、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）と、回転テーブル１３のフッ素除去（工程Ｓ２０８）と、回転テーブル１３の下降（工程Ｓ２０２）と、給排気ユニット２のフッ素除去（工程Ｓ２０５）とをこの順番で有してもよい。この場合、洗浄方法は、回転テーブル１３の鉛直方向位置を第１の位置に保持した状態で、回転テーブル１３のフッ素洗浄（工程Ｓ２０１）と、回転テーブル１３のフッ素除去（工程Ｓ２０８）とを続けて行う。従って、この場合も、回転テーブル１３の鉛直方向位置を第１の位置と第２の位置との間で切り替える回数を低減でき、処理時間を短縮できる。
なお、図７および図１２に示す洗浄方法は、窒化シリコン膜の成膜が設定回数行われる度に、又は設定時間が経過する度に行われるが、１回目の窒化シリコン膜の成膜前に行われてもよい。つまり、窒化シリコン膜の成膜を全く行っていない処理容器１の内部を、本開示の洗浄方法で洗浄してもよい。本開示の洗浄方法によれば、処理容器１の内部に残留するフッ素量を低減できるが、完全にゼロにすることは困難である。１回目の窒化シリコン膜の成膜前に本開示の洗浄方法を実施すれば、１回目の窒化シリコン膜の成膜時に処理容器１の内部に僅かにフッ素が残存する状況を作り出せる。よって、窒化シリコン膜の成膜を安定して実施できる。
以上、本開示に係る成膜装置の洗浄方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
例えば、成膜装置は、上記実施形態ではマイクロ波プラズマを形成するが、誘導結合プラズマを形成してもよい。また、成膜装置は、処理容器１の外部でプラズマを発生し、発生したプラズマを処理容器１の内部に導入してもよい。
また、成膜装置は、上記実施形態では複数枚の基板Ｗに同時に窒化シリコン膜を形成するものであるが、１枚ずつ、基板Ｗに窒化シリコン膜を形成するものであってもよい。
基板Ｗは、シリコンウエハなどの半導体基板には限定されず、ガラス基板などであってもよい。
１ 処理容器
２ 給排気ユニット
２２ 第１の排気口
３Ｃ プラズマ形成ユニット
１３ 回転テーブル
５１ 第２の排気口
６０ ブロック

Claims (9)

  1. 窒化シリコン膜が堆積する処理容器の内部を、プラズマ化された洗浄用ガスで洗浄する工程を有し、前記洗浄用ガスは、フッ素含有ガスと酸素ガスとを含む、成膜装置の洗浄方法であって、
    前記処理容器の内部で回転する水平な回転テーブルを、第１の位置と、前記第１の位置よりも鉛直下方の第２の位置との間で昇降する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、を有する、成膜装置の洗浄方法。
  2. 前記フッ素含有ガスは、三フッ化窒素ガスである、請求項１に記載の成膜装置の洗浄方法。
  3. 前記洗浄用ガスは、三フッ化窒素ガスを１体積％以上１０体積％以下、酸素ガスを０．５体積％以上５体積％以下含む、請求項２に記載の成膜装置の洗浄方法。
  4. 前記回転テーブルの上方には、前記洗浄用ガスをプラズマ化するプラズマ形成ユニットが設けられ、
    平面視で、前記回転テーブルの周方向に、前記プラズマ形成ユニットを挟んで、第１の排気口と第２の排気口とが配置され、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置が前記第１の位置の場合と、前記第２の位置の場合とで、前記第１の排気口の気圧と前記第２の排気口の気圧とをそれぞれ変更する工程を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の成膜装置の洗浄方法。
  5. 前記回転テーブルの上方には、前記回転テーブルの周方向に、前記洗浄用ガスをプラズマ化するプラズマ形成ユニットと、前記回転テーブルに対向するブロックと、前記窒化シリコン膜の原料ガスであるシリコン含有ガスを給排気する給排気ユニットとがこの順番で配置される、請求項１～４のいずれか１項に記載の成膜装置の洗浄方法。
  6. 前記洗浄用ガスで洗浄する工程の後に、前記処理容器の内部に残留するフッ素を、プラズマ化されたパージ用ガスで除去する工程を有し、
    前記パージ用ガスは、前記フッ素含有ガスを含まずに、酸素ガスを含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の成膜装置の洗浄方法。
  7. 前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記パージ用ガスで前記処理容器の内部に残留するフッ素を除去する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記パージ用ガスで前記処理容器の内部に残留するフッ素を除去する工程とを有する、請求項６に記載の成膜装置の洗浄方法。
  8. 前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、
    前記回転テーブルを前記第１の位置から前記第２の位置に下降する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記パージ用ガスで前記処理容器の内部に残留するフッ素を除去する工程と、
    前記回転テーブルを前記第２の位置から前記第１の位置に上昇する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記パージ用ガスで前記処理容器の内部に残留するフッ素を除去する工程とをこの順番で有する、請求項７に記載の成膜装置の洗浄方法。
  9. 前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、
    前記回転テーブルを前記第２の位置から前記第１の位置に上昇する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記洗浄用ガスで前記処理容器の内部を洗浄する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第１の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記パージ用ガスで前記処理容器の内部に残留するフッ素を除去する工程と、
    前記回転テーブルを前記第１の位置から前記第２の位置に下降する工程と、
    前記回転テーブルの鉛直方向位置を前記第２の位置に保持した状態で、プラズマ化された前記パージ用ガスで前記処理容器の内部に残留するフッ素を除去する工程とをこの順番で有する、請求項７に記載の成膜装置の洗浄方法。
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