JP6690496B2 - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
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Description
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給し且つ前記基板をプラズマに曝すことで前記段部の表面を窒化して形成される窒化膜か、あるいは前記基板に第1のシリコンの原料ガスを供給することで形成されるシリコン含有膜により構成され、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成する第1の工程と、
次いで、前記基板に第2のシリコンの原料ガスと、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスとを供給して、前記シード層に積層されるように前記シリコン窒化膜を形成する第2の工程と、
を備え、
前記シリコン窒化膜を第1のシリコン窒化膜とすると、前記第1の工程は、
前記第1のシリコンの原料ガスを前記基板に供給して吸着させる工程と、
前記シリコン窒化用ガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して吸着させる工程と、
前記基板をプラズマに曝し、当該基板に吸着されたシリコン窒化用ガスと前記第1のシリコンの原料ガスとを反応させて前記シリコン含有膜である第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
本発明の他の成膜方法は、互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜方法において、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給し且つ前記基板をプラズマに曝すことで前記段部の表面を窒化して形成される窒化膜か、あるいは前記基板に第1のシリコンの原料ガスを供給することで形成されるシリコン含有膜により構成され、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成する第1の工程と、
次いで、前記基板に第2のシリコンの原料ガスと、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスとを供給して、前記シード層に積層されるように前記シリコン窒化膜を形成する第2の工程と、
を備え、
前記シード層は前記窒化膜により構成され、
当該シード層を形成する工程は、前記基板が格納される真空容器内の圧力を第1の圧力とした状態で、前記下地膜窒化用ガスをプラズマ化して形成された前記プラズマに前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を曝して窒化する工程を含み、
前記シリコン窒化膜を形成する工程は、前記真空容器内の圧力を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力とするステップを含むことを特徴とする。
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給する下地膜窒化用ガス供給部及び前記下地膜窒化用ガスにより前記段部の表面が窒化された窒化膜を形成するために当該基板の表面にプラズマを形成するプラズマ形成部、あるいは前記基板にシリコンの原料ガスを供給することでシリコン含有膜を形成するためのシリコン原料ガス供給部からなるシード層形成部と、
前記シリコン原料ガス供給部と、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスを前記基板に供給するシリコン窒化用ガス供給部とからなるシリコン窒化膜形成部と、
前記窒化膜あるいは前記シリコン含有膜からなり、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成するステップと、
次いで前記シリコンの原料ガス及びシリコン窒化用ガスを前記基板に供給して前記シリコン窒化膜を形成するステップと、を実施するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記シリコン窒化膜を第1のシリコン窒化膜とすると、前記シード層を形成するステップは、
前記第1のシリコンの原料ガスを前記基板に供給して吸着させるステップと、
前記シリコン窒化用ガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して吸着させるステップと、
前記基板をプラズマに曝し、当該基板に吸着されたシリコン窒化用ガスと前記第1のシリコンの原料ガスとを反応させて前記シリコン含有膜である第2のシリコン窒化膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とする。
本発明の他の成膜装置は、互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜装置において、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給する下地膜窒化用ガス供給部及び前記下地膜窒化用ガスにより前記段部の表面が窒化された窒化膜を形成するために当該基板の表面にプラズマを形成するプラズマ形成部、あるいは前記基板にシリコンの原料ガスを供給することでシリコン含有膜を形成するためのシリコン原料ガス供給部からなるシード層形成部と、
前記シリコン原料ガス供給部と、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスを前記基板に供給するシリコン窒化用ガス供給部とからなるシリコン窒化膜形成部と、
前記窒化膜あるいは前記シリコン含有膜からなり、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成するステップと、
次いで前記シリコンの原料ガス及びシリコン窒化用ガスを前記基板に供給して前記シリコン窒化膜を形成するステップと、を実施するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記シリコン窒化膜を第1のシリコン窒化膜とすると、前記シード層を形成するステップは、
前記シリコンの原料ガスを前記基板に供給して吸着させるステップと、
前記シリコン窒化用ガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して吸着させるステップと、
前記基板をプラズマに曝し、当該基板に吸着されたシリコン窒化用と前記シリコンの原料ガスとを反応させて前記シリコン含有膜である第2のシリコン窒化膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とする。
本発明の第1の実施形態に係る成膜装置1について、図1の縦断側面図、図2の横断平面図を夫々参照しながら説明する。この成膜装置1は、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)ウエハBの表面に、ALD(Atomic Layer Deposition)によってSiN膜を形成する。このSiN膜は、例えばトランジスタのゲートとなるか、あるいはSiN膜の下層の膜に配線を埋め込むために当該下層膜をエッチングするためのパターンマスクとなる。
シード層は、上記のように異なる種類の下地膜の性質を揃えるためのものであり、このような役割を果たせばよいため、窒化膜であることには限られない。例えばSi(シリコン)からなる分子層をSiO膜61及びSiN膜62の表面に形成してシード層としてもよい。以下、このSiのシード層を形成する第2の実施形態に係る成膜装置1について、第1の実施形態の成膜装置1との差異点を中心に説明する。
上記の第2の実施形態でシード層67を形成するにあたり、ガス給排気ユニット2で各ガスの供給及び排気を行うことに並行して、プラズマ形成ユニット3A〜3Cにおいて、NH3ガス及びH2ガスの供給を行うと共にマイクロ波を供給してプラズマ形成領域R2〜R4にプラズマPを形成してもよい。このプラズマPによって、ウエハBに吸着された有機ケイ素化合物を窒化する。つまり、上記のシリコン膜からなるシード層67は窒化されたものであってもよい。この場合シード層67はSiN膜であり、その上にSiN膜66を積層することになる。ただし、このSiN膜66は、例えば後述の物理吸着を利用したALDなどにより形成し、シード層67とは異なる手法で形成され、膜質が異なるSiN膜である。
続いて第3の実施形態について、第2の実施形態との差異点を中心に説明する。この第3の実施形態の成膜装置1は、シード層としてSiO膜を形成する。この第3の実施形態の成膜装置1におけるプラズマ形成ユニット3A〜3Cのガス吐出口41、42は、H2ガスの供給源43及びNH3ガスの供給源44に加えて、O3(オゾン)ガスの供給源にも接続されるように配管系40が構成されている。従って、プラズマ形成ユニット3A〜3Cのガス吐出口41、42は酸化ガス供給部として構成される。そして、ガス供給機器45によって、H2ガス、NH3ガス、O3ガスを各々所望の流量で、ガス吐出口41、42に各々供給することができるように、当該配管系40が構成されている。
第4の実施形態では、一例として図20で説明したSi膜76上にSiO膜61が積層され、これらの膜76、61が露出するように凹部63が形成されたウエハBに対して処理を行う。この第4の実施形態の処理の概要を説明すると、先ず、SiO膜61及びSi膜76の表面を窒化して窒化膜を形成する。さらにこの窒化膜上にSi膜76とSiO膜61との間でのインキュベーションタイムの差が比較的小さくなる処理条件でSiN膜(説明の便宜上、下層側SiN膜とする)を形成する。その後、下層側SiN膜とは異なる処理条件で、下層側SiN膜よりも膜質が良好なSiN膜(説明の便宜上、上層側SiN膜とする)を形成する。窒化膜及び下層側SiN膜(第2のシリコン窒化膜)が、SiO膜61及びSi膜76との間で上層側SiN膜(第1のシリコン窒化膜)のインキュベーションタイムの差を抑制するシード層をなす。上層側SiN膜は、第1の実施形態のSiN膜66に相当する。
ところで、ステップS1、S2で下地膜であるSiO膜、Si膜を窒化するためにNH3ガスを用いたが、使用するガスとしてはNH3ガスに限られず、N2(窒素)ガスなどであってもよい。また、ステップS3の下層側SiN膜79の形成を行わず、ステップS1、S2の終了後、ステップS4を行い、窒化膜78に直接積層されるように上層側SiN膜81を形成してもよい。つまり、シード層が窒化膜78のみによって構成されていてもよい。
本発明に関連して行われた評価試験について説明する。
〔評価試験1〕
第4の実施形態における下層側SiN膜79の効果を確認するための試験を行った。評価試験1−1として、表面がSiにより構成されたウエハBについて、ステップS1〜S4を実行し、下層側SiN膜79上に上層側SiN膜81を形成した。ウエハB毎にステップS4を行う時間、即ち上層側SiN膜81を成膜する成膜時間を変更し、当該成膜時間と上層側SiN膜81の膜厚との関係を取得した。また、評価試験1−2として表面がSiOにより構成されたウエハを用いた他は、評価試験1−1と同様の試験を行った。
評価試験2−1として、SiからなるウエハBにNH3ガスを供給して、表面の水酸基を除去し、窒化膜82を形成した。ただし、このNH3ガスはプラズマ化していない。そして、窒化膜82の形成後、上記の第4の実施形態のステップS4を行い、上層側SiN膜81を成膜し、各膜の膜厚を測定した。また、評価試験2−2として、SiOからなるウエハBを用いた他は、評価試験2−1と同様の試験を行った。
R1 原料ガス吸着領域
R2〜R4 プラズマ形成領域
1 成膜装置
10 制御部
11 真空容器
12 回転テーブル
2 ガス給排気ユニット
3A〜3C プラズマ形成ユニット
Claims (11)
- 互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜方法において、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給し且つ前記基板をプラズマに曝すことで前記段部の表面を窒化して形成される窒化膜か、あるいは前記基板に第1のシリコンの原料ガスを供給することで形成されるシリコン含有膜により構成され、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成する第1の工程と、
次いで、前記基板に第2のシリコンの原料ガスと、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスとを供給して、前記シード層に積層されるように前記シリコン窒化膜を形成する第2の工程と、
を備え、
前記シリコン窒化膜を第1のシリコン窒化膜とすると、前記第1の工程は、
前記第1のシリコンの原料ガスを前記基板に供給して吸着させる工程と、
前記シリコン窒化用ガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して吸着させる工程と、
前記基板をプラズマに曝し、当該基板に吸着されたシリコン窒化用ガスと前記第1のシリコンの原料ガスとを反応させて前記シリコン含有膜である第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記第2の工程は、プラズマ形成用ガスと前記シリコン窒化用ガスとをプラズマ化して得られた活性種を基板に供給することを含むことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記第1の工程は、第2の工程よりも前記基板が格納される真空容器内の圧力を高く設定して行われることを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記シード層は前記窒化膜により構成され、
当該シード層を形成する工程は、
前記基板に前記下地膜窒化用ガスを供給して吸着させる下地膜窒化用ガスの吸着工程と、
続いて、前記基板をプラズマに曝して吸着した前記下地膜窒化用ガスを活性化させて前記窒化膜を形成する窒化膜形成工程と、
を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜方法。 - 前記下地膜窒化用ガスの吸着工程を行った後、前記窒化膜形成工程を行う前に、前記基板にパージガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項4記載の成膜方法。
- 前記シード層は、前記窒化膜と、当該窒化膜に積層される前記第2のシリコン窒化膜と、により構成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜方法において、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給し且つ前記基板をプラズマに曝すことで前記段部の表面を窒化して形成される窒化膜か、あるいは前記基板に第1のシリコンの原料ガスを供給することで形成されるシリコン含有膜により構成され、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成する第1の工程と、
次いで、前記基板に第2のシリコンの原料ガスと、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスとを供給して、前記シード層に積層されるように前記シリコン窒化膜を形成する第2の工程と、
を備え、
前記シード層は前記窒化膜により構成され、
当該シード層を形成する工程は、前記基板が格納される真空容器内の圧力を第1の圧力とした状態で、前記下地膜窒化用ガスをプラズマ化して形成された前記プラズマに前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を曝して窒化する工程を含み、
前記シリコン窒化膜を形成する工程は、前記真空容器内の圧力を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力とする工程を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記シード層は前記シリコン含有膜により構成され、
前記段部は凹部であり、当該凹部のアスペクト比は3以上であることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - 前記シード層の厚さは、2nm以下であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜装置において、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給する下地膜窒化用ガス供給部及び前記下地膜窒化用ガスにより前記段部の表面が窒化された窒化膜を形成するために当該基板の表面にプラズマを形成するプラズマ形成部、あるいは前記基板にシリコンの原料ガスを供給することでシリコン含有膜を形成するためのシリコン原料ガス供給部からなるシード層形成部と、
前記シリコン原料ガス供給部と、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスを前記基板に供給するシリコン窒化用ガス供給部とからなるシリコン窒化膜形成部と、
前記窒化膜あるいは前記シリコン含有膜からなり、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成するステップと、
次いで前記シリコンの原料ガス及びシリコン窒化用ガスを前記基板に供給して前記シリコン窒化膜を形成するステップと、を実施するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記シリコン窒化膜を第1のシリコン窒化膜とすると、前記シード層を形成するステップは、
前記シリコンの原料ガスを前記基板に供給して吸着させるステップと、
前記シリコン窒化用ガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して吸着させるステップと、
前記基板をプラズマに曝し、当該基板に吸着されたシリコン窒化用ガスと前記シリコンの原料ガスとを反応させて前記シリコン含有膜である第2のシリコン窒化膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とする成膜装置。 - 互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜装置において、
前記基板が格納され、内部の圧力を変更可能な真空容器と、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給する下地膜窒化用ガス供給部及び前記下地膜窒化用ガスにより前記段部の表面が窒化された窒化膜を形成するために当該基板の表面にプラズマを形成するプラズマ形成部、あるいは前記基板にシリコンの原料ガスを供給することでシリコン含有膜を形成するためのシリコン原料ガス供給部からなるシード層形成部と、
前記シリコン原料ガス供給部と、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスを前記基板に供給するシリコン窒化用ガス供給部とからなるシリコン窒化膜形成部と、
前記窒化膜あるいは前記シリコン含有膜からなり、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成するステップと、
次いで前記シリコンの原料ガス及びシリコン窒化用ガスを前記基板に供給して前記シリコン窒化膜を形成するステップと、を実施するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記シード層は前記窒化膜により構成され、
前記シード層を形成するステップは、前記真空容器内の圧力を第1の圧力とした状態で、前記下地膜窒化用ガスをプラズマ化して形成された前記プラズマに前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を曝して窒化するステップを含み、
前記シリコン窒化膜を形成するステップは、前記真空容器内の圧力を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力とするステップを含むことを特徴とする成膜装置。
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