JP7364547B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラムに関する。

半導体デバイスを製造する装置としては、基板を一枚ごとに処理する枚葉装置が存在する（例えば特許文献１）。枚要装置では、例えば基板を加熱すると共に、基板上にガスを供給することで、半導体デバイスの一部を構成する膜を形成する。

複数の基板に対して同じ種類の膜を形成する場合、温度条件を同じにすることが望ましい。基板温度は、ヒータや処理室壁に影響される。

特開２０１２―５４３９９号公報

複数の基板を処理する場合、基板の入れ替えを行う必要がある。ところが、入れ替える際に処理室の温度が低下する等、その前後で処理環境が変わることがある。その結果、基板間で膜質のばらつきが起きる。

本開示は、基板を加熱処理する基板処理装置において、基板間の処理環境が変化しても基板間の膜質を均一にすることを目的とする。

処理室に基板を搬入する搬入工程と、前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理工程と、前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程と、次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する温度調整工程とを有する技術を提供する。

本開示の一態様によれば、基板を加熱処理する基板処理装置において、基板を加熱処理する基板処理装置において、基板間の処理環境が変化しても基板間の膜質を均一にできる。

本開示の一態様に係る基板処理装置の概略構成例を示す説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置が備えるガス供給部を説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドヒータを説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドヒータとその周辺構成を説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置のコントローラを説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置が備えるコントローラが有するテーブルを説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置が備えるコントローラが有するテーブルを説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理装置が備えるコントローラが有するテーブルを説明する説明図である。 本開示の一態様に係る基板処理工程を説明するフロー図である。 本開示の一態様に係る膜処理工程を説明するフロー図である。

以下に、実施の態様について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面上の各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

［第一態様］
先ず、第一態様について説明する。

図１は本態様に係る基板処理装置を説明する説明図である。以下に、図１の基板処理装置１００を例に各構成を具体的に説明する。

基板処理装置１００は容器２０２を備えている。容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。容器２０２内には、シリコンウエハ等の基板Ｓを処理する処理空間２０５と、基板Ｓを処理空間２０５に搬送する際に基板Ｓが通過する搬送空間２０６とが形成されている。容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０８が設けられる。処理空間２０５を構成する構造を処理室２０１と呼ぶ。本態様においては、主に後述する分散板２３４と基板載置台２１２とで構成される。

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８が設けられており、基板Ｓは基板搬入出口１４８を介して搬送室（図示せず）との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。

処理空間２０５には、基板Ｓを支持する基板支持部２１０が配される。基板支持部２１０は、基板Ｓを載置する基板載置面２１１と、基板載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２、基板載置台２１２内に設けられた加熱源としてのヒータ２１３を主に有する。ヒータ２１３は基板載置台ヒータとも呼ぶ。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。

基板載置台２１２内には、ヒータ２１３の温度を測定する第一の温度測定器である温度測定器２１６を有する。温度測定端器２１６は、配線２２０を介して第一の温度測定部である温度測定部２２１に接続される。

ヒータ２１３には、電力を供給するための配線２２２が接続される。温度測定器２１６はヒータ制御部２２３に接続される。

温度測定部２２１、ヒータ制御部２２３は後述するコントローラ４００に電気的に接続されている。コントローラ４００は、温度測定部２２１で測定した温度情報をもとにヒータ制御部２２１に制御情報を送信する。ヒータ制御部２２３は受信した制御情報を参照し、ヒータ２１３を制御する。

基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、容器２０２の底部を貫通しており、さらに容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。

昇降部２１８はシャフト２１７を支持する支持軸２１８ａと、支持軸２１８ａを昇降させたり回転させたりする作動部２１８ｂを主に有する。作動部２１８ｂは、例えば昇降を実現するためのモータを含む昇降機構２１８ｃと、支持軸２１８ａを回転させるための歯車等の回転機構２１８ｄを有する。

昇降部２１８には、昇降部２１８の一部として、作動部２１８ｂに昇降・回転指示するための指示部２１８ｅを設けても良い。指示部２１８ｅはコントローラ４００に電気的に接続される。指示部２１８ｅはコントローラ４００の指示に基づいて、作動部２１８ｂを制御する。

昇降部２１８を作動させてシャフト２１７および基板載置台２１２を昇降させることにより、基板載置台２１２は、載置面２１１上に載置される基板Ｓを昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、これにより処理空間２０５内は気密に保持されている。

基板載置台２１２は、基板Ｓの搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８に対向するポジションまで下降し、基板Ｓの処理時には、図１で示されるように、基板Ｓが処理空間２０５内の処理位置となるまで上昇する。

処理空間２０５の上部（上流側）には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド（ＳＨとも呼ぶ）２３０が設けられている。シャワーヘッド２３０の蓋２３１には貫通孔２３１ａが設けられる。貫通孔２３１ａは後述する共通ガス供給管２４２と連通する。シャワーヘッド２３０内には、バッファ空間２３２が構成される。

バッファ空間２３２には、整流板２７０が設けられている。整流板２７０は、ガス導入口２４１を中心としてウエハ２００の径方向に向かうにつれ径が広がる円錐形状である。整流板２７０のエッジ下端は、基板Ｓの端部よりも外周に位置する様に構成される。整流板２７０は、供給されたガスを後述する分散板２３４方向に効率よく移動させる構成である。整流板２７０の詳細は後述する。

シャワーヘッド２３０には電極２５１が設けられる。電極２５１は金属製であり、分散板２３４よりも熱伝導率が高い構成となっている。電極２５１は、貫通孔２３１ａを中心に円周状に構成される。

電極２５１には配線２５２を介してプラズマ制御部２８３が接続される。プラズマ制御部２５３からの指示によりシャワーヘッド２３０内処理空間２０５中に、後述するクリーニングガスのプラズマを生成する。

上部容器２０２ａはフランジを有し、フランジ上に支持ブロック２３３が載置され、固定される。支持ブロック２３３はフランジ２３３ａを有し、フランジ２３３ａ上には分散板２３４が載置され、固定される。更に、蓋２３１は支持ブロック２３３の上面に固定される。

続いて、図２を用いてガス供給系を説明する。
共通ガス供給管２４２には、第一ガス供給管２４３ａ、第二ガス供給管２４４ａ、第三ガス供給管２４５ａ、第四ガス供給管２４８ａが接続されている。

第一ガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、第一ガス源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。

第一ガス源２４３ｂは第一元素を含有する第一ガス（「第一元素含有ガス」とも呼ぶ。）源である。第一元素含有ガスは、原料ガス、すなわち、処理ガスの一つである。ここで、第一元素は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。すなわち、第一元素含有ガスは、例えばシリコン含有ガスである。本態様では、シリコン含有ガスとして、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６。ＨＣＤとも呼ぶ。）ガスを用いる例を説明する。

主に、第一ガス供給管２４３ａ、マスフローコントローラ２４３ｃ、バルブ２４３ｄにより、第一ガス供給系２４３（シリコン含有ガス供給系ともいう）が構成される。

（第二ガス供給系）
第二ガス供給管２４４ａには、上流方向から順に、第二ガス源２４４ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４４ｄが設けられている。

第二ガス源２４４ｂは第二元素を含有する第二ガス（以下、「第二元素含有ガス」とも呼ぶ。）源である。第二元素含有ガスは、処理ガスの一つである。なお、第二元素含有ガスは、反応ガスまたは改質ガスとして考えてもよい。

ここで、第二元素含有ガスは、第一元素と異なる第二元素を含有する。第二元素としては、例えば、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のいずれか一つである。本態様では、第二元素含有ガスは、例えば窒素含有ガスであり、アンモニア（ＮＨ_３）ガスを用いる例を説明する。

基板Ｓをプラズマ状態の第二ガスで処理する場合、第二ガス供給管にリモートプラズマユニット２４４ｅを設けてもよい。

主に、第二ガス供給管２４４ａ、マスフローコントローラ２４４ｃ、バルブ２４４ｄにより、第二ガス供給系２４４（反応ガス供給系ともいう）が構成される。第二ガス供給系２４４にプラズマ生成部を含めてもよい。

第三ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、第三ガス源２４５ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４５ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４５ｄが設けられている。

第三ガス源２４５ｂは不活性ガス源である。不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。

主に、第三ガス供給管２４５ａ、マスフローコントローラ２４５ｃ、バルブ２４５ｄにより、第三ガス供給系２４５が構成される。

不活性ガス源２４５ｂから供給される不活性ガスは、基板処理工程では、容器２０２やシャワーヘッド２３０内に留まったガスをパージするパージガスとして作用する。

第四ガス供給管２４８ａには、上流方向から順に、第四ガス源２４８ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４８ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４８ｄが設けられている。

第四ガス源２４８ｂはクリーニングガス源である。クリーニングガスは、例えばＮＦ３やＦ２ガスである。

主に、第四ガス供給管２４８ａ、マスフローコントローラ２４８ｃ、バルブ２４８ｄにより、第三ガス供給系２４８が構成される。

第四ガス源２４８ｂから供給されるクリーニングガスは、処理室２０１やシャワーヘッド２３０内をクリーニングする際にプラズマ状態とされる。プラズマ状態のクリーニングガスは容器２０２やシャワーヘッド２３０内に留まった副生成物を除去する。

処理空間２０５は、排気バッファ構造２６１を介して排気管２６２が連通される。排気バッファ構造２６１は基板Ｓの外周を囲むように円周状に設けられれる。本態様においては、仕切り板２０８と上部容器２０２ａの間に配される。

排気管２６２は、排気バッファ構造２６１を介して処理空間２０５に連通するよう、排気バッファ構造２６１の上部側であって、上部容器２０２ａに接続される。排気管２６２には、処理空間２０５内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２６６が設けられる。ＡＰＣ２６６は開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、コントローラ４００からの指示に応じて排気管２６２のコンダクタンスを調整する。

排気管２６２においてＡＰＣ２６６の上流側にはバルブ２６７が設けられる。排気管２６２とバルブ２６７、ＡＰＣ２６６をまとめて排気系と呼ぶ。さらに、排気管２６２の下流には、ＤＰ（Ｄｒｙ Ｐｕｍｐ。ドライポンプ）２６９が設けられる。ＤＰ２６９は、排気管２６２を介して、処理空間２０５の雰囲気を排気する。

分散板２３４を介して処理空間２０５に供給されたガスは、基板Ｓに接触した後に、排気バッファ構造２６１に移動され、排気管２６２から排気される。このガスの流れにおいては、分散板２３４の中心部下方の圧力は、分散板２３４のエッジ部下方の圧力よりも高くなる。中心部下方の場合、排気バッファ空間２６１にガスが逃げにくいために滞留し、エッジ部下方では排気ポンプ２６９の影響でガスが逃げやすいためである。このように分散板２３４の中心部下方ではガスが滞留するため、加熱されたガスの影響を受けて温度が高くなる。分散板２３４のエッジ部下方と比べた場合、エッジ部の温度は中心温度よりも低くなる。

続いて、図３、図４を用いて整流板２７０の詳細構造を説明する。整流板２７０には、シャワーヘッドヒータ２７１が設けられており、整流板２７０、バッファ空間２３２内の雰囲気、分散板２３４、蓋２３１の少なくとも何れかを加熱可能に構成される。シャワーヘッドヒータ２７１はシャワーヘッドヒータまたは整流部加熱部とも呼ぶ。

図３に示す様に、シャワーヘッドヒータ２７１は分割されて構成され、ゾーン毎（中心部２７１ａ，中間部２７１ｂ，エッジ部２７１ｃ）に加熱可能に構成される。

図３の下図は整流板２７０に設けられたシャワーヘッドヒータ２７１をウエハ２００側から見た図を示す。図のように、シャワーヘッドヒータ２７１は、複数のゾーンで構成される。そのうちの一つのゾーン、例えば中間部２７１ｂは電極２５１の下方に配されるよう構成される。このような構成とすることで、電極２５１の下方部分で局地的に温度が異なったとしても、分散板２３４の表面（基板Ｓと向かい合う面）の温度が均一になるよう制御される。

続いて、図４を用いてシャワーヘッドヒータ２７１の周辺の構成について説明する。シャワーヘッドヒータ２７１には、ゾーンごとに電力供給線２８１１が接続されており、ゾーンごとにシャワーヘッドヒータ２７１の温度を制御可能としている。電力供給線２８１１はシャワーヘッドヒータ２７１に電力を供給する電力供給制御部２８１２に接続される。

具体的には、中心部２７１ａには電力供給線２８１１ａが接続され、中間部２１７ｂには電力供給線２８１１ｂが接続され、エッジ部２７１ｃには電力供給線２８１１ｃが接続される。更に、電力供給線２８１１ａは電力供給制御部２８１２aに接続され、電力供給線２８１１ｂは電力供給制御部２８１２ｂに接続され、電力供給線２８１１ｃは電力供給制御部２８１２ｃに接続される。

温度制御部としての電力制御部２８１２（電力供給制御部２８１２a、電力供給制御部２８１２ｂ、電力供給制御部２８１２ｃ）は、配線２８１３を介してコントローラ４００に電気的に接続される。コントローラ４００は電力制御部２８１２に対して、シャワーヘッドヒータを制御するための電力値（設定温度データ）を送信し、それを受信した電力制御部２８１２はその情報に基づいた電力をシャワーヘッドヒータ（中心部２７１ａ、中間部２１７ｂ、エッジ部２７１ｃ）に供給し、シャワーヘッドヒータの温度を制御する。

更には、シャワーヘッドヒータ２７１の近傍には、各ゾーンに対応した温度検出部２８２１が設けられる。温度検出部２８２１は、配線２８２２を介して温度測定部２８２３に接続されており、ゾーンごとの温度を検出可能としている温度測定部２８２３は、配線２８２４を介してコントローラ４００に接続される。

具体的には、中心部２７１ａ近傍には温度検出部２８２１ａが設けられる。温度検出部２８２１ａは、配線２８２２ａを介して第２温度測定部２８２３ａに接続される。中間部２７１ｂ近傍には温度検出部２８２１ｂが設けられる。温度検出部２８２１ｂは、配線２８２２ｂを介して第２温度測定部２８２３ｂに接続される。エッジ部２７１ｃ近傍には温度検出部２８２１ｃが設けられる。温度検出部２８２１ｃは、配線２８２２ｃを介して第３温度測定部２８２３ｃに接続される。

基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御するコントローラ４００を有している。

コントローラ４００の概略を図５に示す。制御部（制御手段）であるコントローラ４００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４０１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）４０２、記憶装置としての記憶部４０３、Ｉ／Ｏポート４０４を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ４０２、記憶部４０３、Ｉ／Ｏポート４０４は、内部バス４０５を介して、ＣＰＵ４０１とデータ交換可能なように構成されている。基板処理装置１００内のデータの送受信は、ＣＰＵ４０１の一つの機能でもある送受信指示部４０６の指示により行われる。

上位装置２９４にネットワークを介して接続されるネットワーク送受信部２９３が設けられる。ネットワーク送受信部２９３は、ロット中の基板Ｓの処理履歴や処理予定に関する情報等を受信することが可能である。

記憶部４０３は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶部４０３内には、基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ４０９や、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム４１０が読み出し可能に格納されている。さらに、後述する第一シャーヘッド温度テーブル４１１、第二シャーヘッド温度テーブル４１２、制御値テーブル４１３が読み書き可能に格納されている。

なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ４００に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ４０２は、ＣＰＵ４０１によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート４０４は、ゲートバルブ１４９、昇降機構２１８、各圧力調整器、各ポンプ、ヒータ制御部２２３、プラズマ制御部２５３等、基板処理装置１００の各構成に接続されている。

ＣＰＵ４０１は、記憶部４０３からの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２９１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶部４０３からプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ４０１は、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、温度測定部２２１、ヒータ制御部２２３、プラズマ制御部２８３、各ポンプのオンオフ制御、マスフローコントローラの流量調整動作、バルブ等を制御可能に構成されている。

なお、コントローラ４００は、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）２９２を用いてコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本技術に係るコントローラ４００を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２９２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置２９２を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶部４０３や外部記憶装置２９２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部４０３単体のみを含む場合、外部記憶装置２９２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

続いて、図６用いて第一シャワーヘッド温度テーブル４１１について説明する。縦軸がロット番号を示し、横軸が基板番号に対応したＳＨ温度を示す。テーブル中には、温度測定部２８２３が検出したシャワーヘッドの温度が記録される。ここでは、例えば温度測定部２８２３のうち、温度測定部２８２３ｂで検出したデータが記録される。

ここでは、1ロットの処理枚数をｍ（ｍは任意数）枚とする。また、ロット数は、ｎ＋１（ｎは任意数）よりも多いことを示している。ところで基板の枚数はロットごとに異なる。例えば、第1ロットはｍ枚の基板を有しているが、第ｎロットではｍ－２枚の基板を有している。

テーブル４１１には、後述する第一の温度測定工程Ｓ１０４で測定したシャワーヘッド２３０の温度が記録される。第一の温度測定工程Ｓ１０４では、例えばロット中の最後の基板処理にてシャワーヘッド２３０の温度が測定される。言い換えれば、後述する次ロット処理設定工程Ｓ１０８の前の基板処理で測定される。第１ロットであれば、ｍ枚目の基板処理で測定され、第ｎロットであればｍ－２枚目の基板処理で測定される。

続いて、図７を用いて第二シャワーヘッド温度テーブル４１２について説明する。直前に処理されたロット番号の情報と、それに対応するＳＨ温度情報を示す。ＳＨ温度情報は後述する第二の温度測定工程Ｓ１１４で測定したＳＨの温度情報である。テーブル中には、温度測定部２８２３が検出したシャワーヘッド２３０の温度が記録される。

続いて、図８を用いてシャワーヘッドヒータ２７１の制御値テーブル４１３を説明する。ここでは後述するΔｔに対応するシャワーヘッドヒータ２７１の制御値を示している。Ｃａ０、Ｃａ１、Ｃａ２、Ｃａ３は中心部２７１ａの制御値、Ｃｂ０、Ｃｂ１、Ｃｂ２、Ｃｂ３は中間部２７１ｂの制御値、Ｃｃ０、Ｃｃ１、Ｃｃ２、Ｃｃ３はエッジ部２７１ｃの制御値を示している。Ｃａ０、Ｃｂ０、Ｃｃ０は初期値である。Ｃａ３、Ｃｂ３、Ｃｃ３に近づくほどヒータを高い温度で制御する。

次に、半導体製造工程の一工程として、上述した構成の基板処理装置１００を用いて基板Ｓ上に薄膜を形成する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ４００により制御される。

まず、図９を用いてロット単位の基板処理工程を説明する。

（第nロット処理工程Ｓ１０２）
第ｎロット処理工程Ｓ１０２を説明する。
ここではｎ＝１以上である。

第ｎロット処理工程Ｓ１０２では、第ｎロットの基板Ｓを処理する。ここでは、第ｎロット中の所定枚数の基板Ｓを、処理空間２０５にて成膜処理する。成膜処理する際は、分散板２３４が面内、具体的には基板Ｓと対向する面が均一に加熱されるよう、シャワーヘッドヒータ２７１を所望温度に加熱する。

シャワーヘッドヒータ２７１による加熱は、次のように行われる。前述のように、分散板２３４のエッジ部は中央に比べて温度が下がりやすい構造となっている。また、分散板２３４の中心部下方にはガスが滞留するため、分散板２３４中心部はその影響を受けて熱が高くなることがある。

このような状況の中、分散板２３４を均一に加熱するよう、エッジ部２７１ｃの温度が中央部２７１ａよりも温度が高くなるよう、シャワーヘッドヒータ２７１を制御する。このように制御することで、分散板２３４のエッジ側の温度の低下を補うことができ、分散板２３４を均一に加熱できる。

各領域は、制御値テーブル４１３の初期値Ｃａ０、Ｃｂ０、Ｃｃ０で制御される。

成膜が終了したら、次の基板Ｓと入れ替えるため、処理済みの基板Ｓを基板処理装置１００から搬出し、その後未処理の基板Ｓを搬入する。成膜処理の詳細は後述する。

（第一の温度測定工程Ｓ１０４）
続いて第一の温度測定工程Ｓ１０４を説明する。
第一の温度測定工程Ｓ１０４では、温度検出部２８２１が第ｎロット処理工程Ｓ１０２中のシャワーヘッド２３０の温度を測定する。具体的には、分散板２３４の温度を測定する。温度測定部２８２３は温度検出部２８２１が測定した測定値を、基準データとしてシャワーヘッド温度テーブル４１１に記録する。ここでは、例えば温度検出部２８２１ｂが検出し、温度測定部２８２３ｂがシャワーヘッド温度テーブル４１１に記録する。

次に、温度を検出するタイミングについて説明する。
前述のように、第ｎロット処理工程Ｓ１０２では、複数の基板Ｓが処理される。本工程は、例えば第ｎロットの最後の基板処理の直後に行われる。第１ロットであれば、ｍ枚目の基板処理の直後で測定され、第ｎロットであればｍ－２枚目の基板処理の直後で測定される。このようなタイミングで検出することで、安定して温度を検出することができる。なお、本工程は、例えばロットの最後の基板処理と並行して行ってもよい。

（判定Ｓ１０６）
続いて判定Ｓ１０６を説明する。
第ｎロット処理工程Ｓ１０２および第一の温度測定工程Ｓ１０４が終了したら、判定Ｓ１０６に移動する。ここでは、所定ロット数処理したか否かを判断する。所定ロット数処理したと判断されたら、処理を終了する。所定ロット数処理していないと判断されたら、次の次ロット処理設定工程Ｓ１０８に移動する。

（次ロット処理設定工程Ｓ１０８）
続いて次ロット処理設定工程Ｓ１０８を説明する。
ここでは、次に処理するロットに対応できるよう基板処理装置１００を設定する。例えば第ｎロットを処理していた場合、第ｎ＋１ロットを処理可能なよう、設定する。設定の一例としては、第ｎ＋１ロットの基板Ｓが格納されているＦＯＵＰに搬送ロボットがアクセス可能なよう切り替える。

なお、ここでは第ｎロットの基板Ｓを基板処理装置１００から搬出した後であるため、基板載置台２１２は搬送ポジションに待機した状態である。なお、次ロット処理設定工程Ｓ１０８は、単に設定工程とも呼ぶ。

（判定Ｓ１１０）
判定Ｓ１１０を説明する。ここでは、基板処理装置１００のメンテナンスが必要かどうかを判断する。メンテナンスでは、例えば処理空間２０５を構成する処理室の壁や分散板２３４に付着した副生成物等で構成される付着物を除去する。除去することで、基板Ｓを処理する際に、副生成物の影響を受けないようにする。

したがって、本判定では、副生成物の影響を受けないようであればＮｏと判断し、副生成物の影響を受けるようであればＹｅｓと判断する。なお、副生成物の影響に関する定量的な基準としては、例えば基板の処理枚数や、装置の稼働時間、ガスの供給時間等で判断する。

判定Ｓ１１０でＹｅｓと判断されたら、メンテナンス工程Ｓ１１２に移動する。判定Ｓ１１０でＮｏと判断されたら、次のロット処理に移る。

（メンテナンス工程Ｓ１１２）
判定Ｓ１１０でＹｅｓと判断されたら、メンテナンス工程Ｓ１１２に移動する。メンテナンス工程Ｓ１１２では、例えばドライエッチング等にて付着物を除去する。

ところで、メンテナンス工程Ｓ１１２の後、シャワーヘッド２３０の温度が低下する。ヒータ２１３の稼働を停止したり、あるいは低温の液体やガス等を用いて付着物を除去したりするためである。

メンテナンス工程Ｓ１１２にてシャワーヘッド２３０の温度が低下した場合、第一の態様と同様、前のロット処理と次のロット処理とで処理状況が異なる恐れがある。そこで、本態様では、後に温度調整工程Ｓ１１８を実施する。

（第二の温度測定工程Ｓ１１４）
続いて第二の温度測定工程Ｓ１１４を説明する。
次ロット処理設定工程Ｓ１０８の後第二の温度測定工程Ｓ１１４を行う。具体的には、次ロットの基板Ｓを搬入する直前のシャワーヘッド２３０の温度を測定する。ここでは、温度検出部２８２１がシャワーヘッド２３０の一部である分散板２３４の温度を測定する。温度測定部２８２３は温度検出部２８２１が測定した測定値をシャワーヘッド温度テーブル４１２に記録する。ここでは、第一の温度測定工程Ｓ１０４と同じ検出条件とするよう、第一の温度測定工程Ｓ１０４で使用した温度検出部２８２１、温度測定部２８２３を使用する。例えば温度検出部２８２１ｂが検出し、温度測定部２８２３ｂがシャワーヘッド温度テーブル４１１に記録する。

ところでロット間において、分散板２３４の温度低下にはばらつきが発生することがある。その理由としては、例えば次ロット処理設定工程Ｓ１０８の時間が異なる場合や、あるいは前のロットである第ｎロットでの温度にばらつきがある場合等が考えられる。

（温度差算出工程Ｓ１１６）
続いて、温度差算出工程Ｓ１１６を説明する。
ここでいう温度差とは、図８に記載のΔｔであり、第一の温度測定工程Ｓ１０４で測定した温度と、第二の温度測定工程Ｓ１１４で測定した温度の温度差をいう。

例えば、テーブル４１１のロット番号ｎにおける温度と、テーブル４１２の直前に処理されたロット番号ｎにおける温度との差分を算出する。

（判定Ｓ１１８）
続いて判定Ｓ１１８を説明する。
前述したように、シャワーヘッド２３０の温度が低下した場合、基板処理状況の再現性について懸念がある。例えば、第ｎロット処理の最後に処理した基板Ｓと、第ｎ+１ロットの最初に処理した基板Ｓとでは、シャワーヘッドの温度が異なってしまう場合がある。

シャワーヘッド２３０は基板Ｓの近傍に配置されているため、その温度は基板Ｓに影響を与える。特に分散板２３４は基板Ｓの表面と対向するものであり、分散板２３４の温度が低下すると基板処理に影響を及ぼす。分散板２３４の温度が部分的に低下した場合、基板Ｓの面内処理の均一化にも影響を与える。

特に、分散板２３４のエッジ部は排気バッファ構造に近いため熱が奪われやすく、したがって分散板２３４のエッジ部は、分散板２３４の中心よりも温度が低くなる。

このような影響があるので、シャワーヘッド２３０の温度が異なると、基板Ｓの膜質が異なってしまう。そこで、本態様においては、後述する温度調整工程Ｓ１２０を実施する。本工程では、温度調整工程Ｓ１２０の必要性について判定する。

温度調整工程Ｓ１２０の必要性については、図８のテーブルを用いて判定する。例えばΔｔが５℃以下であれば、温度のばらつきが基板処理に影響しないとみなし、後述する温度調整工程Ｓ１２０が必要ないと判断する。必要ないと判断されたら、第ｎ＋１ロットにおける第ｎロット処理工程Ｓ１０２に移行し、基板Ｓの処理を開始する。例えばΔｔが５℃より大きい場合、温度調整工程Ｓ１２０が必要であると判断し、温度調整工程Ｓ１２０に移動する。

（第一温度調整工程Ｓ１２０）
続いて温度調整工程Ｓ１２０について説明する。
前述のように、次ロットに切り替える際はシャワーヘッド２３０の温度が低下するため、その後に処理する基板Ｓの処理状況が、前のロットの処理状況と異なってしまう。そこで本工程では、シャワーヘッド２３０の温度を、前のロットと同程度の温度に調整する。以下に具体的な方法を説明する。

前述のように、Δｔが所定温度よりも高い場合、そのΔｔに応じてシャワーヘッド２３０を加熱する。コントローラ４００は、読み出された制御値でシャワーヘッドヒータ２７１を制御して、シャワーヘッド２３０の温度を所定温度に加熱する。

このときΔｔに応じて、分散板２３４中心の下方領域が基板処理に対応した温度であり、分散板２３４のエッジ部が中心よりも高い温度、すなわち基板処理に対応した温度よりも高い温度となるよう制御する。

続いて、本態様の温度調整工程Ｓ１２０を説明する。ここでは、
Δｔが所定温度よりも高い場合、そのΔｔに応じてシャワーヘッド２３０を加熱する。コントローラ４００は、読み出された制御値でシャワーヘッドヒータ２７１を制御して、シャワーヘッド２３０の温度を所定温度に加熱する。このときΔｔに応じて、分散板２３４中心の下方領域が基板処理に対応した温度であり、分散板２３４のエッジ部が中心よりも高い温度、すなわち基板処理に対応した温度よりも高い温度となるよう、Ｃａ１、Ｃａ２、Ｃａ３、Ｃｂ１、Ｃｂ２、Ｃｂ３、Ｃｃ１、Ｃｃ２、Ｃｃ３は設定される。

このように分散板２３４の上方にヒータ２７１を設けることで、より確実に分散板２３４の温度を制御できる。したがって、メンテナンス工程があったとしても基板面内及びロット間での基板温度を調整できるので、より確実にばらつきのない処理が可能となる。分散板２３４の温度分布が均一になったら、第二温度調整工程Ｓ１２２に移動する。

このとき次の理由により分散板２３４の中心部分の温度をエッジ部よりも高くすることが望ましい。その理由は、シャワーヘッドヒータ２７１と分散板２３４との位置関係によるものである。

図１に記載のように、整流板２７０は、分散板２３４の中心部とエッジ部とでは距離が異なる。具体的には、中心部では距離が遠く、エッジ部では距離が短くなるよう構成されている。このような構造であるため、シャワーヘッドヒータ２７１は、分散板２３４の中心では距離が遠く、エッジ部では距離が短くなる。従って、中心部のシャワーヘッドヒータ２７１の影響は、エッジ部に比べて弱くなる。更に、第一温度調整工程Ｓ１２０は基板載置部２１０が搬送ポジションに待機しており、分散板２３４はヒータ２１３の影響を受けにくい。

このような事情から、分散板２３４の中心部はエッジ部よりも温度が低くなってしまう。そこで、本工程では、分散板２３４の中心部分の温度をエッジ部よりも高くする。

（第二温度調整工程Ｓ１２２）
続いて第二温度調整工程Ｓ１２２を説明する。
第一温度調整工程Ｓ１２２により分散板２３４の温度分布が均一になったら、シャワーヘッドヒータ２７１を膜処理工程Ｓ１０２に対応可能なよう設定する。具体的には、分散板２３４の中心部の温度をエッジ部よりも低くなるよう設定する。例えば、初期値であるＣａ０、Ｃｂ０、Ｃｃ０に設定する。このように事前に設定することで、本工程において分散板２３４のエッジ部の温度が低下しようとしても、分散板２３４の温度分布を均一にできる。

（次ロット処理移行工程Ｓ１２４）
続いて次ロット処理移行工程Ｓ１２４を説明する。第二温度調整工程Ｓ１２２が終了したら、もしくは判定Ｓ１１０、１１８で温度調整不要と判断されたら、次ロット処理移行工程Ｓ１２４に移動する。

ここでは、次ロット処理設定工程Ｓ１０８の設定に基づいて基板処理装置１００を制御する。例えば、次ロットの基板Ｓを基板処理装置１００に搬入する。

このように、次ロットの最初の基板Ｓ（１）を搬入する前に、前に処理したロットの最後の基板Ｓ（ｍ）の処理温度に近づけることで、基板Ｓの処理のばらつきを無くすことができる。

特に、第一温度調整工程Ｓ１２０で分散板２３４の中心部の温度がエッジ部よりも高くなるよう制御しているので、エッジ部が過度に高くなることなく、分散板２３４を均一に加熱することができる。更に第二温度調整工程Ｓ１２２で分散板２３４のエッジ部の温度が中心部よりも高くなるよう加熱しているので、膜処理工程Ｓ１０２において基板面内のばらつきをなくすことができ、したがってロット間のばらつきも無くすことができる。

次に、半導体製造工程の一工程として、上述した構成の基板処理装置１００を用いて、基板Ｓ上に薄膜を形成する工程について、図１０を用いて説明する。この工程は、第ｎロット処理工程Ｓ１０２の内、一枚の基板処理を行う工程である。すなわち、第ｎロット処理工程Ｓ１０２では、膜処理工程をロットの基板処理枚数分繰り返す。

ここでは、第一元素含有ガス（第一の処理ガス）としてジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称ＤＣＳ）ガスを用い、第二元素含有ガス（第二の処理ガス）としてアンモニア（ＮＨ_３）ガスを用いて、それらを交互に供給することによって基板Ｓ上に半導体系薄膜としてシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を形成する例について説明する。

（基板搬入載置工程）
基板載置台２１２を基板Ｓの搬送位置（搬送ポジション）まで下降させ、基板載置台２１２の貫通孔２１４にリフトピン２０７を貫通させる。その結果、リフトピン２０７が、基板載置台２１２表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。これらの動作と並行して、搬送空間２０６の雰囲気を排気し、隣接する真空搬送室（図示せず）と同圧、あるいは隣接する真空搬送室の圧力よりも低い圧力とする。

続いて、ゲートバルブ１４９を開いて、搬送空間２０６を隣接する真空搬送室と連通させる。そして、この真空搬送室から図示しない真空搬送ロボット用いて基板Ｓを搬送空間２０６に搬入する。

（基板処理ポジション移動工程）
所定の時間経過後、基板載置台２１２を上昇させ、基板載置面２１１上に基板Ｓを載置し、さらに図１のように、基板処理ポジションまで上昇させる。

（第一の処理ガス供給工程Ｓ２０２）
基板載置台２１２が基板処理ポジションに移動したら、排気管２６２を介して処理室２０１から雰囲気を排気して、処理室２０１内の圧力を調整する。

所定の圧力に調整しつつ、基板Ｓの温度が所定の温度、例えば５００℃から６００℃に到達したら、共通ガス供給管２４２から第一処理ガスを処理室に供給する。このとき、排気管２６２を介して雰囲気を排気する。供給されたＤＣＳガスは基板Ｓ上にシリコン含有層を形成する。

このとき、第二温度調整工程Ｓ１２２に引き続き、分散板２３４中心の下方領域が基板処理に対応した温度であり、分散板２３４のエッジ部が中心よりも高い温度、すなわち基板処理に対応した温度よりも高い温度となるよう制御する。

（パージ工程：Ｓ２０４）
第一処理ガスの供給を停止した後は、第三ガス供給管２４５ａから不活性ガスを供給し、処理空間２０５のパージを行う。これにより、第一の処理ガス供給工程Ｓ２０２で基板Ｓに結合できなかった第一処理ガスは、排気管２６２を介して処理空間２０５から除去される。

パージ工程Ｓ２０４では、基板Ｓ、処理空間２０５、バッファ空間２３２に残留した第一処理ガスを排除するために、大量のパージガスを供給して排気効率を高める。

（第二の処理ガス供給工程：Ｓ２０６）
バッファ空間２３２および処理空間２０５のパージが完了したら、続いて、第二の処理ガス供給工程Ｓ２０６を行う。第二の処理ガス供給工程Ｓ２０６では、バルブ２４４ｄを開けて、リモートプラズマユニット２４４ｅ、シャワーヘッド２３０を介して、処理空間２０５内へ第二の処理ガスの供給を開始する。このとき、第二処理ガスの流量が所定流量となるように、ＭＦＣ２４４ｃを調整する。第二処理ガスの供給流量は、例えば１０００～１００００ｓｃｃｍである。また、第二の処理ガス供給工程Ｓ２０６においても、第三ガス供給系のバルブ２４５ｄは開状態とされ、第三ガス供給管２４５ａから不活性ガスが供給される。このようにすることで、第二処理ガスが第三ガス供給系に侵入することを防ぐ。

リモートプラズマユニット２４４ｅでプラズマ状態とされた第二処理ガスは、シャワーヘッド２３０を介して、処理空間２０５内に供給される。供給された第二処理ガスは、基板Ｓ上のシリコン含有層と反応する。そして、既に形成されているシリコン含有層が第二処理ガスのプラズマによって改質される。これにより、基板Ｓ上には、例えばシリコン窒化層（SｉＮ層）が形成されることになる。

第二処理ガスの供給を開始してから所定時間経過後、バルブ２４４ｄを閉じ、第二処理ガスの供給を停止する。第二処理ガスの供給時間は、例えば２～２０秒である。

（パージ工程：Ｓ２０８）
第二処理ガスの供給を停止した後は、上述したパージ工程Ｓ２０４と同様のパージ工程Ｓ２０８を実行する。パージ工程Ｓ２０８における各部の動作は、上述したパージ工程Ｓ２０４と同様であるので、ここでの説明を省略する。

（判定工程：Ｓ２１０）
以上の第一の処理ガス供給工程Ｓ２０２、パージ工程Ｓ２０４、第二の処理ガス供給工程Ｓ２０６、パージ工程Ｓ２０８を１サイクルとして、コントローラ４００は、このサイクルを所定回数（ｎサイクル）実施したか否かを判定する。サイクルを所定回数実施すると、基板Ｓ上には、例えば所望膜厚のＳｉＮ層が形成される。

（基板搬出工程）
所望の膜厚の層が形成されたら、基板載置台２１２を下降させ、基板Ｓを搬送ポジションに移動する。搬送ポジションに移動後、搬送空間２０６から基板Ｓを搬出する。

以上説明したように、本態様によれば、メンテナンス工程があったとしても基板面内及びロット間での基板温度を調整できるので、ばらつきのない処理が可能となる。

［第二態様］
続いて第二態様を説明する。第二態様は、メンテナンス工程Ｓ１１０と温度調整工程Ｓ１２０が第二態様と異なる。以下、相違点を中心に説明し、第一態様と同じ構成は説明を省略する。

続いて、本態様の温度調整工程Ｓ１２０を説明する。
電極２５１は金属であるため、熱の吸収率が高く、したがって局地的に温度を低くしてしまう場合が考えられる。その場合、電極２５１下方の領域のシャワーヘッドヒータ２７１の温度をより高くするよう制御する。例えば、図１、図３においては電極２５１の下方に配されている中間部２７１ｂの温度を、電極２５１によって温度が下がる分、補填するよう制御する。例えば、電極２５１の下方領域は、他の領域よりも温度が高くなるようシャワーヘッドヒータ２７１が制御される。

以上説明したように、本態様によれば、メンテナンス工程があったとしても基板面内及びロット間での基板温度を調整できるので、ばらつきのない処理が可能となる。

［他の態様］
以上に、各態様を具体的に説明したが、上述の各態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述した各態様では、第一の温度測定工程Ｓ１０４、第二の温度測定工程Ｓ１１４において温度検出部２８２１ｂ、温度測定部２８２３ｂを用いてシャワーヘッドの温度を検出したが、それに限るものではなく、複数の温度検出部２８２１、温度測定部２８２３を使用してもよい。この場合、より正確に分散板２３４の温度分布を検出できるので、より確実に分散板２３４の温度分布を均一にできる。

例えば、上述した各態様では、基板処理装置が行う成膜処理において、第一元素含有ガス（第一の処理ガス）としてＤＣＳガスを用い、第二元素含有ガス（第二の処理ガス）としてＮＨ_３ガスを用いて、それらを交互に供給することによって基板Ｓ上にＳｉＮ膜を形成する場合を例に挙げたが、これに限定されることはない。すなわち、成膜処理に用いる処理ガスは、ＤＣＳガスやＮＨ_３ガス等に限られることはなく、他の種類のガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、３種類以上の処理ガスを用いる場合であっても、これらを交互に供給して成膜処理を行うのであれば、各態様を適用することが可能である。具体的には、第一元素としては、Ｓｉではなく、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等、種々の元素であってもよい。また、第二元素としては、Ｎではなく、例えばＡｒ等であってもよい。

また、例えば、上述した各態様では、基板処理装置が行う処理として成膜処理を例に挙げたが、本態様がこれに限定されることはない。すなわち、各態様で例に挙げた成膜処理の他に、各態様で例示した薄膜以外の成膜処理にも適用できる。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。さらに、さらに、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、エッチング装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、これらの装置が混在していてもよい。また、ある態様の構成の一部を他の態様の構成に置き換えることが可能であり、また、ある態様の構成に他の態様の構成を加えることも可能である。また、各態様の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。

以下、本開示の望ましい形態について付記する。

（付記１）
処理室に基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する温度調整工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

（付記２）
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程での前記分散板のエッジ部の温度が、前記温度調整工程の前記エッジ部の温度よりも高くなるよう加熱する
付記１に記載の半導体装置の製造方法。

（付記３）
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程での前記分散板の中心温度が、前記膜処理工程での前記分散板のエッジ部の温度よりも低くなるよう加熱する
付記１または付記２に記載の半導体装置の製造方法。

（付記４）
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程では、前記分散板のエッジ部の温度を中央の温度よりも高くなるよう加熱する付記１から付記３のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。

（付記５）
前記シャワーヘッドヒータは、
前記温度調整工程では、前記分散板の中央の温度がエッジ部よりも高くなるよう加熱する付記１から付記４のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。

（付記６）
前記シャワーヘッドのうち、前記分散板の上方には電極が設けられ、
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程では、前記電極の下方領域は他の領域よりも温度が高くなるよう制御される付記１から付記５のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。

（付記７）
前記膜処理工程で処理される前記基板は第ｎロットの基板であり、次に処理される前記基板は第ｎ+１ロットの基板である付記１から付記６のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。

（付記８）
前記膜処理工程で処理される前記基板と、次に処理される前記基板との間ではメンテナンス工程が行われる付記１から付記７のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。

（付記９）
基板を処理する処理室と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドに備えられた分散板と、
前記分散板を加熱可能なシャワーヘッドヒータと、
前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給するガス供給部と、
前記処理室から前記ガスを排気する排気部と、
前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定部と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定し、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、それらの差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。

（付記１１）
処理室に基板を搬入する手順と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する手順と、
前記温度を測定する手順の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する手順とを、コンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。

１００…基板処理装置、 ２００…基板、４００…コントローラ

Claims (7)

1. 処理室に基板を搬入する搬入工程と、
   前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドを備えた分散板を、上方に電極が設けられたシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理工程と、
   前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程と、
   を有し、
   前記膜処理工程では、前記電極の下方領域の温度が他の領域よりも高くなるよう、前記シャワーヘッドヒータが制御される半導体装置の製造方法。
2. 更に、
   次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定工程と、
   前記温度測定工程の後、前記シャワーヘッドの温度の情報と予め設定された温度の情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する温度調整工程とを有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記膜処理工程で処理される前記基板は第ｎロットの基板であり、次に処理される前記基板は第ｎ+１ロットの基板である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記膜処理工程で処理される前記基板と、次に処理される前記基板との間ではメンテナンス工程が行われる請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドと、
   前記シャワーヘッドに備えられた分散板と、
   前記分散板を加熱可能なシャワーヘッドヒータと、
   前記シャワーヘッドヒータの上方に設けられた電極と、
   前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給するガス供給部と、
   前記処理室から前記ガスを排気する排気部と、
   前記電極の下方領域の温度が他の領域よりも高くなるよう、前記シャワーヘッドヒータを制御する制御部と、
   を有する基板処理装置。
6. 処理室に基板を搬入する手順と、
   前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドを備えた分散板を、上方に電極が設けられたシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気して、膜を処理する手順と、
   前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
   を備え、
   前記膜を処理手順では、前記電極の下方領域の温度が他の領域よりも高くなるよう、前記シャワーヘッドヒータを制御する
   コンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
7. 処理室の上流に設けられたシャワーヘッドを備えた分散板を、上方に電極が設けられたシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理工程を有し、
   前記膜処理工程では、前記電極の下方領域の温度が他の領域よりも高くなるよう、前記シャワーヘッドヒータが制御される温度調整方法。