JP2008223130A - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の真空処理装置10は、金属にかえて断熱性を有する絶縁枠21aを配置し、絶縁枠21aによってシャワープレート22aを上部電極20aから保持している。成膜処理の際、処理対象物35からシャワープレート22aへ流入した熱は、シャワープレート22aの周辺部から上部電極20aへ伝導しない。従って、シャワープレート22aの周辺部では温度が低下せず、シャワープレート22aの面内温度分布は均一に保たれ、内部応力が生じにくくなり、シャワープレート22aの変形が起こりにくい。
【選択図】図1
Description
この真空処理装置101は、真空槽102と、シャワーヘッド104と、基板ホルダ105とを有している。真空槽102は、ここでは有底の容器状に形成されている。
シャワープレート122の鉛直下方位置であって、真空槽102の内側の底面上には基板ホルダ105が配置されている。基板ホルダ105の内部には加熱手段118が設けられており、処理対象物135を加熱できるように構成されている。
また、本発明では、前記通電手段は、リング状に形成され、前記リングの一辺が前記シャワープレートに接続され、反対側の辺が前記上部電極に接続された真空処理装置である。
また、本発明では、充満空間は、前記上部電極と、前記絶縁枠と、前記シャワープレートで取り囲まれた真空処理装置である。
この真空処理装置10は、真空槽11と、シャワーヘッド12aとを有している。真空槽11は、ここでは有底の容器状に形成されており、底面を下方に、開口を鉛直上方に向けられている。
シャワーヘッド12aは、上部電極20aと、絶縁枠21aと、シャワープレート22aとを有している。
上部電極20aは板状で、ここでは真空槽11の開口よりも大きく形成されており、真空槽11の開口の上端に気密に載せられている。
絶縁枠21aのリング外周の表面には、通電手段30aが配置されている。通電手段30aは導電性を有しており、厚さができるだけ薄く形成されている。通電手段30aは、ここでは円筒形状にされたアルミニウムの薄板で、内側には絶縁枠21aが配置されている。
上部電極20aは高周波電源17に接続されている。高周波電源17から上部電極20aに電圧を印加すると、上部電極20aから通電手段30aを通してシャワープレート22aに電圧が印加できる。
真空槽11には、真空排気系15が接続されている。真空排気系15によって、真空槽11内部を真空排気する。
シャワープレート22aの鉛直下方位置であって、真空槽11の内側の底面上には、基板ホルダ14が配置されている。基板ホルダ14は加熱手段18を有しており、加熱手段18に通電し、予め基板ホルダ14を加熱しておく。
処理対象物35が所望の温度になったところで、ガス供給系16のバルブを開けると、充満空間24aがプロセスガスで充満され、孔23を通じて真空槽11内部にプロセスガスが導入される。
薄膜が成長している間、高温の処理対象物35から熱が放射され、シャワープレート22aの基板ホルダ14側の表面に伝導し、プラズマを長時間形成し続けると、シャワープレート22aが高温に加熱される。
絶縁枠21aには、熱伝導率が低く、プロセスガスによって腐食されにくいものであることが望ましく、アルミナセラミックスやセラミックの内部に気泡を多く生成させたポーラス系材料等を用いることができる。
通電手段30aは、ここではアルミニウムの薄板を用いたが、上記実施例に限らず、プロセスガスによって腐食されにくく、導電率のよい材料を用いることができる。
また、上記実施例では、真空槽11と基板ホルダ14を接地電位に置き、シャワーヘッド12aに電圧を印加していたが、シャワーヘッド12aを接地電位に置いて、基板ホルダ14に交流電圧を印加してもよい。
なお、基板ホルダ14側の絶縁枠21bの表面であって、上部電極20bとシャワープレート22bを接続する位置に通電手段30bを配置してもよい。
なお、上記実施例では、上部電極20a〜20dによって真空槽11の天井が構成されていたが、上部電極20a〜20dとは別に天井を設け、真空槽11の内部にシャワーヘッド12a〜12d全体を配置してもよい。
Claims (3)
- 真空槽と、シャワーヘッドとを有し、
前記シャワーヘッド内部に配置された充満空間にプロセスガスが導入されると、前記プロセスガスは、前記シャワーヘッドの表面の前記真空槽底壁側に位置するシャワープレートから前記真空槽の内部に噴出されるように構成された真空処理装置であって、
前記シャワーヘッドは、前記シャワープレートに密着して配置され、絶縁性材料で構成されたリング形状の絶縁枠と、前記絶縁枠に密着して配置され、前記シャワープレートとは離間された上部電極とを有し、
前記絶縁枠の表面には、前記シャワープレートと前記上部電極を電気的に接続する通電手段が配置された真空処理装置。 - 前記通電手段は、リング状に形成され、前記リングの一辺が前記シャワープレートに接続され、反対側の辺が前記上部電極に接続された請求項1記載の真空処理装置。
- 充満空間は、前記上部電極と、前記絶縁枠と、前記シャワープレートで取り囲まれた請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理装置。
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