JP2022053930A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022053930A JP2022053930A JP2020160828A JP2020160828A JP2022053930A JP 2022053930 A JP2022053930 A JP 2022053930A JP 2020160828 A JP2020160828 A JP 2020160828A JP 2020160828 A JP2020160828 A JP 2020160828A JP 2022053930 A JP2022053930 A JP 2022053930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- shower head
- substrate
- processing
- dispersion plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 198
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 132
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
先ず、第一態様について説明する。
共通ガス供給管242には、第一ガス供給管243a、第二ガス供給管244a、第三ガス供給管245a、第四ガス供給管248aが接続されている。
第二ガス供給管244aには、上流方向から順に、第二ガス源244b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)244c、及び開閉弁であるバルブ244dが設けられている。
第nロット処理工程S102を説明する。
ここではn=1以上である。
続いて第一の温度測定工程S104を説明する。
第一の温度測定工程S104では、温度検出部2821が第nロット処理工程S102中のシャワーヘッド230の温度を測定する。具体的には、分散板234の温度を測定する。温度測定部2823は温度検出部2821が測定した測定値を、基準データとしてシャワーヘッド温度テーブル411に記録する。ここでは、例えば温度検出部2821bが検出し、温度測定部2823bがシャワーヘッド温度テーブル411に記録する。
前述のように、第nロット処理工程S102では、複数の基板Sが処理される。本工程は、例えば第nロットの最後の基板処理の直後に行われる。第1ロットであれば、m枚目の基板処理の直後で測定され、第nロットであればm-2枚目の基板処理の直後で測定される。このようなタイミングで検出することで、安定して温度を検出することができる。なお、本工程は、例えばロットの最後の基板処理と並行して行ってもよい。
続いて判定S106を説明する。
第nロット処理工程S102および第一の温度測定工程S104が終了したら、判定S106に移動する。ここでは、所定ロット数処理したか否かを判断する。所定ロット数処理したと判断されたら、処理を終了する。所定ロット数処理していないと判断されたら、次の次ロット処理設定工程S108に移動する。
続いて次ロット処理設定工程S108を説明する。
ここでは、次に処理するロットに対応できるよう基板処理装置100を設定する。例えば第nロットを処理していた場合、第n+1ロットを処理可能なよう、設定する。設定の一例としては、第n+1ロットの基板Sが格納されているFOUPに搬送ロボットがアクセス可能なよう切り替える。
判定S110を説明する。ここでは、基板処理装置100のメンテナンスが必要かどうかを判断する。メンテナンスでは、例えば処理空間205を構成する処理室の壁や分散板234に付着した副生成物等で構成される付着物を除去する。除去することで、基板Sを処理する際に、副生成物の影響を受けないようにする。
判定S110でYesと判断されたら、メンテナンス工程S112に移動する。メンテナンス工程S112では、例えばドライエッチング等にて付着物を除去する。
続いて第二の温度測定工程S114を説明する。
次ロット処理設定工程S108の後第二の温度測定工程S114を行う。具体的には、次ロットの基板Sを搬入する直前のシャワーヘッド230の温度を測定する。ここでは、温度検出部2821がシャワーヘッド230の一部である分散板234の温度を測定する。温度測定部2823は温度検出部2821が測定した測定値をシャワーヘッド温度テーブル412に記録する。ここでは、第一の温度測定工程S104と同じ検出条件とするよう、第一の温度測定工程S104で使用した温度検出部2821、温度測定部2823を使用する。例えば温度検出部2821bが検出し、温度測定部2823bがシャワーヘッド温度テーブル411に記録する。
続いて、温度差算出工程S116を説明する。
ここでいう温度差とは、図8に記載のΔtであり、第一の温度測定工程S104で測定した温度と、第二の温度測定工程S114で測定した温度の温度差をいう。
続いて判定S118を説明する。
前述したように、シャワーヘッド230の温度が低下した場合、基板処理状況の再現性について懸念がある。例えば、第nロット処理の最後に処理した基板Sと、第n+1ロットの最初に処理した基板Sとでは、シャワーヘッドの温度が異なってしまう場合がある。
続いて温度調整工程S120について説明する。
前述のように、次ロットに切り替える際はシャワーヘッド230の温度が低下するため、その後に処理する基板Sの処理状況が、前のロットの処理状況と異なってしまう。そこで本工程では、シャワーヘッド230の温度を、前のロットと同程度の温度に調整する。以下に具体的な方法を説明する。
Δtが所定温度よりも高い場合、そのΔtに応じてシャワーヘッド230を加熱する。コントローラ400は、読み出された制御値でシャワーヘッドヒータ271を制御して、シャワーヘッド230の温度を所定温度に加熱する。このときΔtに応じて、分散板234中心の下方領域が基板処理に対応した温度であり、分散板234のエッジ部が中心よりも高い温度、すなわち基板処理に対応した温度よりも高い温度となるよう、Ca1、Ca2、Ca3、Cb1、Cb2、Cb3、Cc1、Cc2、Cc3は設定される。
続いて第二温度調整工程S122を説明する。
第一温度調整工程S122により分散板234の温度分布が均一になったら、シャワーヘッドヒータ271を膜処理工程S102に対応可能なよう設定する。具体的には、分散板234の中心部の温度をエッジ部よりも低くなるよう設定する。例えば、初期値であるCa0、Cb0、Cc0に設定する。このように事前に設定することで、本工程において分散板234のエッジ部の温度が低下しようとしても、分散板234の温度分布を均一にできる。
続いて次ロット処理移行工程S124を説明する。第二温度調整工程S122が終了したら、もしくは判定S110、118で温度調整不要と判断されたら、次ロット処理移行工程S124に移動する。
基板載置台212を基板Sの搬送位置(搬送ポジション)まで下降させ、基板載置台212の貫通孔214にリフトピン207を貫通させる。その結果、リフトピン207が、基板載置台212表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。これらの動作と並行して、搬送空間206の雰囲気を排気し、隣接する真空搬送室(図示せず)と同圧、あるいは隣接する真空搬送室の圧力よりも低い圧力とする。
所定の時間経過後、基板載置台212を上昇させ、基板載置面211上に基板Sを載置し、さらに図1のように、基板処理ポジションまで上昇させる。
基板載置台212が基板処理ポジションに移動したら、排気管262を介して処理室201から雰囲気を排気して、処理室201内の圧力を調整する。
第一処理ガスの供給を停止した後は、第三ガス供給管245aから不活性ガスを供給し、処理空間205のパージを行う。これにより、第一の処理ガス供給工程S202で基板Sに結合できなかった第一処理ガスは、排気管262を介して処理空間205から除去される。
バッファ空間232および処理空間205のパージが完了したら、続いて、第二の処理ガス供給工程S206を行う。第二の処理ガス供給工程S206では、バルブ244dを開けて、リモートプラズマユニット244e、シャワーヘッド230を介して、処理空間205内へ第二の処理ガスの供給を開始する。このとき、第二処理ガスの流量が所定流量となるように、MFC244cを調整する。第二処理ガスの供給流量は、例えば1000~10000sccmである。また、第二の処理ガス供給工程S206においても、第三ガス供給系のバルブ245dは開状態とされ、第三ガス供給管245aから不活性ガスが供給される。このようにすることで、第二処理ガスが第三ガス供給系に侵入することを防ぐ。
第二処理ガスの供給を停止した後は、上述したパージ工程S204と同様のパージ工程S208を実行する。パージ工程S208における各部の動作は、上述したパージ工程S204と同様であるので、ここでの説明を省略する。
以上の第一の処理ガス供給工程S202、パージ工程S204、第二の処理ガス供給工程S206、パージ工程S208を1サイクルとして、コントローラ400は、このサイクルを所定回数(nサイクル)実施したか否かを判定する。サイクルを所定回数実施すると、基板S上には、例えば所望膜厚のSiN層が形成される。
所望の膜厚の層が形成されたら、基板載置台212を下降させ、基板Sを搬送ポジションに移動する。搬送ポジションに移動後、搬送空間206から基板Sを搬出する。
続いて第二態様を説明する。第二態様は、メンテナンス工程S110と温度調整工程S120が第二態様と異なる。以下、相違点を中心に説明し、第一態様と同じ構成は説明を省略する。
電極251は金属であるため、熱の吸収率が高く、したがって局地的に温度を低くしてしまう場合が考えられる。その場合、電極251下方の領域のシャワーヘッドヒータ271の温度をより高くするよう制御する。例えば、図1、図3においては電極251の下方に配されている中間部271bの温度を、電極251によって温度が下がる分、補填するよう制御する。例えば、電極251の下方領域は、他の領域よりも温度が高くなるようシャワーヘッドヒータ271が制御される。
以上に、各態様を具体的に説明したが、上述の各態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
処理室に基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する温度調整工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程での前記分散板のエッジ部の温度が、前記温度調整工程の前記エッジ部の温度よりも高くなるよう加熱する
付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程での前記分散板の中心温度が、前記膜処理工程での前記分散板のエッジ部の温度よりも低くなるよう加熱する
付記1または付記2に記載の半導体装置の製造方法。
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程では、前記分散板のエッジ部の温度を中央の温度よりも高くなるよう加熱する付記1から付記3のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記シャワーヘッドヒータは、
前記温度調整工程では、前記分散板の中央の温度がエッジ部よりも高くなるよう加熱する付記1から付記4のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記シャワーヘッドのうち、前記分散板の上方には電極が設けられ、
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程では、前記電極の下方領域は他の領域よりも温度が高くなるよう制御される付記1から付記5のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記膜処理工程で処理される前記基板は第nロットの基板であり、次に処理される前記基板は第n+1ロットの基板である付記1から付記6のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記膜処理工程で処理される前記基板と、次に処理される前記基板との間ではメンテナンス工程が行われる付記1から付記7のうち、いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
基板を処理する処理室と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドに備えられた分散板と、
前記分散板を加熱可能なシャワーヘッドヒータと、
前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給するガス供給部と、
前記処理室から前記ガスを排気する排気部と、
前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定部と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定し、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、それらの差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
処理室に基板を搬入する手順と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する手順と、
前記温度を測定する手順の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する手順とを、コンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
Claims (10)
- 処理室に基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する温度調整工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程での前記分散板のエッジ部の温度が、前記温度調整工程の前記エッジ部の温度よりも高くなるよう加熱する
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程での前記分散板の中心温度が、前記膜処理工程での前記分散板のエッジ部の温度よりも低くなるよう加熱する
請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程では、前記分散板のエッジ部の温度を中央の温度よりも高くなるよう加熱する請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シャワーヘッドヒータは、
前記温度調整工程では、前記分散板の中央の温度がエッジ部よりも高くなるよう加熱する請求項1から請求項4のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シャワーヘッドのうち、前記分散板の上方には電極が設けられ、
前記シャワーヘッドヒータは、
前記膜処理工程では、前記電極の下方領域は他の領域よりも温度が高くなるよう制御される請求項1から請求項5のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記膜処理工程で処理される前記基板は第nロットの基板であり、次に処理される前記基板は第n+1ロットの基板である請求項1から請求項5のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記膜処理工程で処理される前記基板と、次に処理される前記基板との間ではメンテナンス工程が行われる請求項1から請求項7のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドに備えられた分散板と、
前記分散板を加熱可能なシャワーヘッドヒータと、
前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給するガス供給部と、
前記処理室から前記ガスを排気する排気部と、
前記シャワーヘッドの温度を測定する温度測定部と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定し、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、それらの差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 処理室に基板を搬入する手順と、
前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドが備えた分散板をシャワーヘッドヒータで加熱しつつ、前記分散板を介して前記処理室内の前記基板にガスを供給すると共に、前記処理室から前記ガスを排気する膜処理手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
次に処理する前記基板の搬入前に前記シャワーヘッドの温度を測定する手順と、
前記温度を測定する手順の後、前記シャワーヘッドの温度と予め設定された温度情報とを比較し、その差分が所定値よりも大きい場合、前記シャワーヘッドに設けられたシャワーヘッドヒータを稼働させ、前記予め設定された温度に近づけるよう制御する手順とを、コンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020160828A JP7364547B2 (ja) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN202110971630.3A CN114256092A (zh) | 2020-09-25 | 2021-08-23 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
TW110132195A TWI836261B (zh) | 2020-09-25 | 2021-08-31 | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 |
KR1020210120941A KR102674572B1 (ko) | 2020-09-25 | 2021-09-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 온도 조정 방법 |
US17/474,714 US20220102114A1 (en) | 2020-09-25 | 2021-09-14 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020160828A JP7364547B2 (ja) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022053930A true JP2022053930A (ja) | 2022-04-06 |
JP7364547B2 JP7364547B2 (ja) | 2023-10-18 |
Family
ID=80791263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020160828A Active JP7364547B2 (ja) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220102114A1 (ja) |
JP (1) | JP7364547B2 (ja) |
KR (1) | KR102674572B1 (ja) |
CN (1) | CN114256092A (ja) |
TW (1) | TWI836261B (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945624A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP2008223130A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
JP2020025024A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2020033304A1 (en) * | 2018-08-08 | 2020-02-13 | Lam Research Corporation | Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements |
JP2020524393A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | インサイチュの半導体処理チャンバ温度装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW400548B (en) * | 1998-06-30 | 2000-08-01 | United Microelectronics Corp | The method of improving the uniformity of the thin film's thickness |
JP3804913B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2006-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
WO2009058376A2 (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Lam Research Corporation | Temperature control module using gas pressure to control thermal conductance between liquid coolant and component body |
US8608852B2 (en) * | 2010-06-11 | 2013-12-17 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled plasma processing chamber component with zone dependent thermal efficiencies |
JP2012054399A (ja) | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP5712741B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
JP5973731B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
JP5801374B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 |
JPWO2015115002A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | 微細パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 |
JP6109224B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2017-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
JP6339057B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2018-06-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
JP6523186B2 (ja) * | 2016-02-01 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2017024170A (ja) * | 2016-10-18 | 2017-02-02 | 大日本印刷株式会社 | マイクロ流路装置 |
TWI815813B (zh) * | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
JP6704008B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2020-06-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
-
2020
- 2020-09-25 JP JP2020160828A patent/JP7364547B2/ja active Active
-
2021
- 2021-08-23 CN CN202110971630.3A patent/CN114256092A/zh active Pending
- 2021-08-31 TW TW110132195A patent/TWI836261B/zh active
- 2021-09-10 KR KR1020210120941A patent/KR102674572B1/ko active IP Right Grant
- 2021-09-14 US US17/474,714 patent/US20220102114A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945624A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP2008223130A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
JP2020524393A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | インサイチュの半導体処理チャンバ温度装置 |
JP2020025024A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2020033304A1 (en) * | 2018-08-08 | 2020-02-13 | Lam Research Corporation | Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202215584A (zh) | 2022-04-16 |
KR102674572B1 (ko) | 2024-06-11 |
JP7364547B2 (ja) | 2023-10-18 |
TWI836261B (zh) | 2024-03-21 |
KR20220041736A (ko) | 2022-04-01 |
US20220102114A1 (en) | 2022-03-31 |
CN114256092A (zh) | 2022-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11495477B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR101847575B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
KR101882774B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
US9508546B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US20150294860A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
KR20180131317A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치 | |
JP2020017757A (ja) | 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法 | |
JP6715894B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
US9607908B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
WO2018150537A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
TW202407849A (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法、半導體裝置之製造方法、清潔方法及程式 | |
JP7364547B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
CN110911261B (zh) | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 | |
KR101908187B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
KR20210024141A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
TWI835044B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及電腦可讀取的記錄媒體 | |
JP7558287B2 (ja) | 基板処理方法、プログラム、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP7273086B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置 | |
JP2022121015A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230919 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7364547 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |