JP2020524393A - インサイチュの半導体処理チャンバ温度装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書で説明する実施態様は、概して、半導体処理に関し、より具体的には、半導体処理チャンバの内部のインサイチュ温度測定のための装置及び方法に関する。
半導体デバイスは通常、一連の処理によって製造され、この一連の処理では、基板の表面に層が堆積され、堆積された材料は、所望のパターンにエッチングされる。半導体デバイスの形状寸法が縮小するにつれて、これらの処理の間の正確な処理制御がますます重要になっている。
Claims (15)
- シャワーヘッドアセンブリであって、
貫通する複数の開口を有する第1電極と、
第1電極の第1下部主表面に取り付けられたガス分配プレートであって、処理ガスを処理チャンバへ供給するための複数の貫通穴を備え、複数の温度制御領域に分割されたガス分配プレートと、
温度制御を提供するために、第1電極の上方に配置されたチルプレートと、
シャワーヘッドアセンブリ内の熱の移動を管理するための複数の熱制御装置であって、複数の熱制御装置のうちの少なくとも1つの熱制御装置は、
熱電モジュールと、
熱電モジュールに連結されたヒートパイプアセンブリとを備え、
複数の熱制御装置の各々は、温度制御領域に関連付けられ、その関連する温度制御領域に独立した温度制御を提供している熱制御装置とを備えるシャワーヘッドアセンブリ。 - チルプレートと第1電極との間に配置された第2電極をさらに備える、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
- 第2電極は、熱制御装置のヒートパイプアセンブリの一部をそれぞれ収容するための複数の第1貫通穴を有している、請求項2に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
- 第2電極は、処理ガスを処理チャンバ内へ供給するための複数の第2貫通穴を有している、請求項3に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
- 第1電極は、熱制御装置のヒートパイプアセンブリの一部をそれぞれ収容するための複数の穴を有している、請求項3に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
- 第1電極は、処理ガスを処理チャンバ内へ供給するための複数の第2穴をさらに有している、請求項5に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
- 熱電モジュールは、
ヒートシンクプレートと、
第1導電層と、
n型熱電材料と、
p型熱電材料と、
第2導電層と、
冷却プレートとを備えている、請求項3に記載のシャワーヘッドアセンブリ。 - ヒートシンクプレートは、チルプレートに隣接して配置され、チルプレートへ熱を放出し、
冷却プレートは、ヒートパイプアセンブリに隣接して配置されている、請求項7に記載のシャワーヘッドアセンブリ。 - 処理チャンバであって、
処理容積を画定する上壁、側壁、及び底壁を有するチャンバ本体と、
処理容積内に配置された基板支持アセンブリと、
基板支持アセンブリに対向して配置されたシャワーヘッドアセンブリであって、
貫通する複数の開口を有する第1電極と、
第1電極の第1下部主表面に取り付けられたガス分配プレートであって、処理ガスを処理容積へ供給するための複数の貫通穴を備え、複数の温度制御領域に分割されたガス分配プレートと、
温度制御を提供するために、第1電極の上方に配置されたチルプレートと、
シャワーヘッドアセンブリ内の熱の移動を管理するための複数の熱制御装置であって、複数の熱制御装置のうちの少なくとも1つの熱制御装置は、
熱電モジュールと、
熱電モジュールに連結されたヒートパイプアセンブリとを備え、
複数の熱制御装置の各々は、温度制御領域に関連付けられ、その関連する温度制御領域に独立した温度制御を提供している熱制御装置とを備えるシャワーヘッドアセンブリとを備える処理チャンバ。 - チルプレートと第1電極との間に配置された第2電極をさらに備える、請求項9に記載の処理チャンバ。
- 第2電極は、
熱制御装置のヒートパイプアセンブリの一部をそれぞれ収容するための複数の第1貫通穴と、
処理ガスを処理容積内へ供給するための複数の第2貫通穴とを有している、請求項10に記載の処理チャンバ。 - 第1電極は、
熱制御装置のヒートパイプアセンブリの一部をそれぞれ収容する複数の穴と、
処理ガスを処理容積内へ供給するための複数の貫通穴とを有している、請求項9に記載の処理チャンバ。 - 熱電モジュールは、
ヒートシンクプレートと、
第1導電層と、
n型熱電材料と、
p型熱電材料と、
第2導電層と、
冷却プレートとを備えている、請求項9に記載の処理チャンバ。 - ヒートシンクプレートは、チルプレートに隣接して配置され、チルプレートへ熱を放出し、
冷却プレートは、ヒートパイプアセンブリに隣接して配置されている請求項13に記載の処理チャンバ。 - 処理容積内に配置された測温ディスクであって、測温ディスクは、
ディスク状の本体であって、
300ミリメートルの直径と、
前面と、
前面の反対側の背面とを有する本体と、
前面と背面のうちの少なくとも一方に配置された1台以上のカメラであって、赤外線ベースの撮像を実行するように構成された1台以上のカメラとを備えている測温ディスクをさらに備える、請求項9に記載の処理チャンバ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022053930A (ja) * | 2020-09-25 | 2022-04-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102198929B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛 |
US11543296B2 (en) * | 2019-05-31 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for calibration of substrate temperature using pyrometer |
US10819905B1 (en) * | 2019-09-13 | 2020-10-27 | Guangdong Media Kitchen Appliance Manufacturing Co., Ltd. | System and method for temperature sensing in cooking appliance with data fusion |
CN112951694B (zh) * | 2019-11-26 | 2024-05-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法 |
CN113745082B (zh) * | 2020-05-28 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法 |
CN112259550A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体器件的刻蚀方法及刻蚀装置 |
US20220270865A1 (en) * | 2021-02-25 | 2022-08-25 | Kurt J. Lesker Company | Pressure-Induced Temperature Modification During Atomic Scale Processing |
CN117594413A (zh) * | 2024-01-17 | 2024-02-23 | 专心护康(厦门)科技有限公司 | 一种用于等离子表面处理的加热装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000508119A (ja) * | 1996-03-29 | 2000-06-27 | ラム リサーチ コーポレイション | 温度制御された半導体の基板ホルダ |
JP2005228972A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
JPWO2005024928A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2007-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置および放熱方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3400452A (en) * | 1963-05-21 | 1968-09-10 | Westinghouse Electric Corp | Process for producing thermoelectric elements |
DE4039007A1 (de) * | 1989-12-06 | 1991-06-13 | Hitachi Ltd | Infrarottemperaturmessgeraet, eichverfahren fuer das geraet, infrarottemperaturbildmessmethode, geraet zur messung desselben, heizgeraet mit messgeraet, verfahren zur steuerung der erwaermungstemperatur, und vakuumbedampfungsgeraet mit infrarotem temperaturmessgeraet |
FR2743153B1 (fr) * | 1995-12-29 | 1998-03-27 | Brun Michel | Hublot de visee, notamment pour controle de la temperature d'objets par thermographie infrarouge |
US6818096B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-11-16 | Michael Barnes | Plasma reactor electrode |
US20020162339A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-07 | Harrison Howard R. | High performance thermoelectric systems |
JP2005024928A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Fujikura Ltd | 光部品 |
US7645341B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
JP2005188970A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱型赤外線固体撮像装置および赤外線カメラ |
DE102004057215B4 (de) * | 2004-11-26 | 2008-12-18 | Erich Reitinger | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer Sondenkarte unter Verwendung eines temperierten Fluidstrahls |
JP5068471B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US8375890B2 (en) * | 2007-03-19 | 2013-02-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for capacitively coupled plasma vapor processing of semiconductor wafers |
TW200913798A (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-16 | Advanced Display Proc Eng Co | Substrate processing apparatus having electrode member |
JP2009278345A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子 |
US8679288B2 (en) * | 2008-06-09 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
JP2010135450A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | 電極部材及びこれを含む基板処理装置 |
US8274017B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-09-25 | Applied Materials, Inc. | Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control |
KR101897604B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2018-09-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 수명이 짧은 종들을 위한 빌트-인 플라즈마 소스를 구비한 프로세스 챔버 리드 설계 |
CN101935750B (zh) * | 2010-09-27 | 2012-06-20 | 辽宁衡业高科新材股份有限公司 | 高性能钢板热处理机组生产工艺 |
WO2013169874A1 (en) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Sheetak, Inc. | Thermoelectric heat pump |
US8901518B2 (en) * | 2012-07-26 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Chambers with improved cooling devices |
US9222842B2 (en) * | 2013-01-07 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corporation | High temperature sensor wafer for in-situ measurements in active plasma |
CN203233503U (zh) * | 2013-03-11 | 2013-10-09 | 陈仲璀 | 一体化红外成像在线测温装置 |
JP6153749B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2017-06-28 | 株式会社Screenホールディングス | 温度測定装置、温度測定方法および熱処理装置 |
US20140356985A1 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
CN105283973B (zh) * | 2013-09-27 | 2018-05-08 | 京瓷株式会社 | 热电模块 |
JP6002262B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN106769163B (zh) * | 2017-03-14 | 2023-04-07 | 常州市环境监测中心 | 一种用于地下管道采样检测的无人机 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000508119A (ja) * | 1996-03-29 | 2000-06-27 | ラム リサーチ コーポレイション | 温度制御された半導体の基板ホルダ |
JPWO2005024928A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2007-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置および放熱方法 |
JP2005228972A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022053930A (ja) * | 2020-09-25 | 2022-04-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7364547B2 (ja) | 2020-09-25 | 2023-10-18 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
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