JP3804913B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はコールドウォール式の枚葉型CVD装置などにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方法およびコールドウォール式の枚葉CVD装置などの半導体装置の製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5はコールドウォール式の枚葉型CVD装置を示す断面図である。図に示すように、装置本体1に排気口2が設けられ、装置本体1の上部にシャワーヘッド3が設けられ、装置本体1にガス供給管4が取り付けられ、ガス供給管4はシャワーヘッド3の上部の空間に開口している。また、装置本体1に昇降可能に支持体5が取り付けられ、支持体5にベース6が取り付けられ、ベース6にヒータ電極8を介してヒータ7が取り付けられ、支持体5にサセプタ9が取り付けられ、サセプタ9上にシリコンウェハ10が載置され、支持体5にカバープレート11が載置され、支持体5、ベース6、ヒータ7、サセプタ9等によりヒータユニット13が構成され、ヒータユニット13を昇降するヒータユニット移動機構(図示せず)が設けられている。また、装置本体1内にシリコンウェハ10を処理する反応室12が形成されている。なお、図中15はシリコンウェハ10を装置本体1内のサセプタ9に対して搬送する基板搬送口である。
【0003】
つぎに、図5に示した枚葉型CVD装置を使用してシリコンウェハ上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積する方法について説明する。まず、サセプタ9上にシリコンウェハ10を載置しない状態でヒータユニット13を基板搬送位置または基板処理位置に保持し、反応室12内に窒素ガスを供給してパージを行ない、ヒータ7に給電して、装置内の温度環境が安定に整定するのを待つ(連続着工前処理)。つぎに、基板搬送口15を介してサセプタ9上にシリコンウェハ10を搬送し、その後ヒータユニット移動機構によりヒータユニット13を図6に示す基板搬送位置から図5に示す基板処理位置まで移動させて、サセプタ9上に載置されたシリコンウェハ10を反応室12の処理位置まで上昇させる。なお、シリコンウェハ10はヒータ7により処理温度である290〜350°Cまで加熱される。つぎに、反応室12内に窒素(N2)ガスを供給し、反応室12内の圧力を処理圧力にする。つぎに、ガス供給管4によりシャワーヘッド3の上部の空間にルテニウムを含む原料ガスおよび酸素を含む酸素含有ガスを供給する。この場合、原料ガスと酸素含有ガスとがシャワーヘッド3を介してシリコンウェハ10に対してシャワー状に供給され、酸素含有ガス中の酸素により原料ガスからルテニウムが分離され、分離されたルテニウムがシリコンウェハ10上に付着するから、シリコンウェハ10上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜が堆積される。つぎに、原料ガス、酸素含有ガスの供給を停止し、窒素ガスにより反応室12内をパージして、残留ガスを除去したのち、ヒータユニット移動機構によりヒータユニット13を基板処理位置から基板搬送位置まで移動させて、処理済みのシリコンウェハ10を下降し、基板搬送口15を介して装置外に取り出す。つぎに、サセプタ9上に新たなシリコンウェハ10を載置し、以下同様にしてシリコンウェハ10上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積する。このような処理を複数枚のシリコンウェハ10について行なったのち、すなわちシリコンウェハ10の連続処理を行なったのち、サセプタ9上にシリコンウェハ10を載置しない状態でヒータユニット13を基板搬送位置または基板処理位置に保持し、反応室12内に窒素ガスを供給してパージを行ない、ヒータ7に給電して、装置内の温度環境が安定に整定するのを待つ(連続着工前処理)。つぎに、再びシリコンウェハ10の連続処理を行なう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような半導体装置の製造方法においては、連続着工前処理においてヒータユニット13を基板搬送位置に保持したときには、シリコンウェハ10の連続処理を開始したときのシャワーヘッド3の温度はシリコンウェハ10の連続処理を続けて安定したときのシャワーヘッド3の温度よりも低く、一方連続着工前処理においてヒータユニット13を基板処理位置に保持したときには、シリコンウェハ10の連続処理を開始したときのシャワーヘッド3の温度はシリコンウェハ10の連続処理を続けて安定したときのシャワーヘッド3の温度よりも高いから、シリコンウェハ10の連続処理中のシャワーヘッド3の温度が大きく変化するので、シリコンウェハ10に膜質、膜厚が一定のルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積することができない。
【0005】
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、基板の連続処理中の基板周辺部の温度環境(反応室内の温度環境)の変化が小さい半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明においては、基板を支持し加熱するヒータユニットに基板を搬送し、基板搬送後上記ヒータユニットを基板搬送位置から基板処理位置まで移動させて、上記基板を処理する半導体装置の製造方法において、複数の上記基板に対して連続して処理する上記基板の連続処理を行なう前に上記ヒータユニットを上記基板搬送位置と上記基板処理位置との間の領域で保持する。
【0007】
この場合、上記基板と対向する位置に設けられたシャワーヘッドを介して処理ガスを供給して上記基板を処理してもよい。
【0008】
この場合、上記基板の連続処理を行なう前に、上記ヒータユニットを上記基板搬送位置と上記基板処理位置との間の領域であって上記シャワーヘッドから上記ヒータユニットの基板載置面まで所定距離だけ離間させた位置で保持してもよい。
【0009】
この場合、上記所定距離を10mm以上53mm以下としてもよい。
【0010】
また、基板を支持し加熱するヒータユニットに基板を搬送し、基板搬送後上記ヒータユニットを基板搬送位置から基板処理位置まで移動させて、上記基板と対向する位置に設けられたシャワーヘッドを介して処理ガスを供給して上記基板を処理する半導体装置の製造方法において、複数の上記基板に対して連続して処理する上記基板の連続処理を行なう前に上記ヒータユニットを上記基板搬送位置と上記基板処理位置との間の領域で保持し、上記シャワーヘッドの温度が連続処理時の温度とほぼ等しくなるように上記シャワーヘッドを上記ヒータユニットにより加熱する。
【0011】
また、基板を処理する反応室と、上記基板を支持し加熱するヒータユニットと、上記基板に対してシャワー状に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、上記ヒータユニットを基板搬送位置から基板処理位置まで移動させるヒータユニット移動機構とを有する半導体装置の製造装置において、複数の上記基板に対して連続して処理する上記基板の連続処理を行なう前に上記ヒータユニットを基板搬送位置と基板処理位置との間の領域で保持する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係る半導体装置の製造装置すなわち本発明に係る半導体装置の製造方法を実施するための装置の一例であるコールドウォール式の枚葉型CVD装置を示す図である。この枚葉型CVD装置においては、シリコンウェハ10の連続処理を行なう前にヒータユニット13を基板搬送位置と基板処理位置との間の領域で保持する。この場合、シャワーヘッド3からヒータユニット13のシリコンウェハ10の載置面すなわちサセプタ9の上面までの距離は所定距離、たとえば10〜53mm程度とするのが望ましい。ここでは、53mm程度とした。なお、ここで保持とは、ヒータユニット13を基板搬送位置と基板処理位置との間のある位置で止めて、その状態を保持する場合の他、ヒータユニット13を基板搬送位置と基板処理位置との間の領域内で動かす(昇降させる)場合を含む。
【0013】
つぎに、本発明に係る半導体装置の製造方法、すなわち図1に示した枚葉型CVD装置を使用してシリコンウェハ上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積する方法について説明する。まず、サセプタ9上にシリコンウェハ10を載置しない状態でヒータユニット13を図1に示すように基板搬送位置と基板処理位置との間の領域で保持し、反応室12内に窒素ガスを供給してパージを行ない、反応室12内の圧力を133Pa(1Torr)に保持した状態で、ヒータ7に給電して、装置(反応室12)内の温度環境が安定に整定するのを待つ(連続着工前処理)。この際、シャワーヘッド3の温度がシリコンウェハ10の連続処理時の温度とほぼ等しい温度となるようにするのが望ましい。ひき続き、反応室12内に窒素(N2)ガスを流し続けることにより反応室12内の圧力を133Pa(1Torr)に保持した状態で、ヒータユニット移動機構によりヒータユニット13を基板搬送位置まで移動させて(図6の状態)、基板搬送口15を介してサセプタ9上にシリコンウェハ10を載置する。つぎに、ヒータユニット移動機構によりヒータユニット13を基板搬送位置から基板処理位置まで移動させて、サセプタ9上に載置されたシリコンウェハ10を反応室12の処理位置まで上昇させる(図5の状態)。つぎに、反応室12内に窒素ガスを供給してパージを行ない、反応室12内の圧力を665Pa(5Torr)まで上昇させる。つぎに、ルテニウムを含む原料ガスたとえばRu(C2H5C5H4)2を気化したガスを図示しないベント(vent)ラインに流す。なお、シリコンウェハ10はヒータ7により処理温度である290〜350°Cまで加熱される。つぎに、ガス供給管4によりシャワーヘッド3の上部の空間に供給量0.005〜0.12ccmで原料ガスを供給する。つぎに、原料ガスの供給を維持した状態で、ガス供給管4により供給量40〜1500sccmで酸素含有ガスたとえば酸素(O2)ガスをシャワーヘッド3の上部の空間に供給する。この場合、処理ガスすなわち原料ガスと酸素含有ガスとがシャワーヘッド3を介してシリコンウェハ10に対してシャワー状に供給され、酸素含有ガス中の酸素により原料ガスからルテニウムが分離され、分離されたルテニウムがシリコンウェハ10上に付着するから、シリコンウェハ10上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜が堆積される。つぎに、原料ガス、酸素含有ガスの供給を停止し、窒素ガスにより反応室12内をパージして、残留ガスを除去したのち、ヒータユニット移動機構によりヒータユニット13を基板処理位置から基板搬送位置まで移動させて、処理済みのシリコンウェハ10を下降する。つぎに、反応室12内に窒素ガスを流すことにより反応室12内の圧力を133Pa(1Torr)に保持した状態で、処理済みのシリコンウェハ10を基板搬送口15を介して装置外に取り出す。つぎに、サセプタ9上に新たなシリコンウェハ10を載置し、以下同様にしてシリコンウェハ10上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積する。このような処理を複数枚のシリコンウェハ10について行なったのち、すなわちシリコンウェハ10の連続処理を行なったのち、サセプタ9上にシリコンウェハ10を載置しない状態でヒータユニット13を図1に示すように基板搬送位置と基板処理位置との間の領域で保持し、反応室12内に窒素ガスを供給してパージを行ない、反応室12内の圧力を133Pa(1Torr)に保持した状態で、ヒータ7に給電して、装置(反応室12)内の温度環境が安定に整定するのを待つ(連続着工前処理)。この際、シャワーヘッド3の温度がシリコンウェハ10の連続処理時の温度とほぼ等しい温度となるようにするのが望ましい。つぎに、再びシリコンウェハ10の連続処理を行なう。そして、シリコンウェハ10の連続処理後に連続着工前処理を行なう。以下、同様の処理を行なう。
【0014】
このような半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置においては、連続着工前処理後にシリコンウェハ10の連続処理を開始したときのシリコンウェハ10の周辺部たとえばシャワーヘッド3の温度はシリコンウェハ10の連続処理を続けて安定したときのシャワーヘッド3の温度とほぼ等しいから、シリコンウェハ10の連続処理中のシャワーヘッド3の温度の変化が小さいので、シリコンウェハ10に膜質、膜厚が一定のルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積することができる。また、通常は、装置始動時にダミーウェハを用いて反応室12内の温度、雰囲気が安定するまで所定回数たとえば10回程度成膜を行ない(ダミーラン)、その後製品となるシリコンウェハ10に対して処理を行なうが、本発明の半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置においては、反応室12内の温度の変動を最小限に抑制することができるから、ダミーランの回数を減少させることができ、またさらにはダミーラン自体をなくすことも可能である。
【0015】
図2はシリコンウェハの連続処理中のシャワーヘッドの温度の時間的変化を示すグラフで、曲線aは連続着工前処理においてヒータユニット13が図3に示す位置(基板搬送位置近傍の位置)にある場合(シャワーヘッド3からサセプタ9の上面までの距離は95mmである場合)を示し、曲線bは連続着工前処理においてヒータユニット13が図1に示す位置(基板搬送位置と基板処理位置とのほぼ中央位置)にある場合(シャワーヘッド3からサセプタ9の上面までの距離が53mmである場合)を示し、曲線cは連続着工前処理においてヒータユニット13が図4に示す位置(基板処理位置近傍の位置)にある場合(シャワーヘッド3からサセプタ9の上面までの距離が10mmである場合)を示す。このグラフから明らかなように、ヒータユニット13が図3に示す位置にある場合には、シリコンウェハの連続処理中のシャワーヘッド3の温度変化は±4.5℃であり、ヒータユニット13が図1に示す位置にある場合には、シリコンウェハの連続処理中のシャワーヘッド3の温度変化は±2℃であり、ヒータユニット13が図4に示す位置にある場合には、シリコンウェハの連続処理中のシャワーヘッド3の温度変化は±2.5℃である。したがって、連続着工前処理においてシャワーヘッド3からサセプタ9の上面までの距離を10mm以上53mm以下にすれば、シリコンウェハの連続処理中のシャワーヘッド3の温度変化を±2.5℃以下にすることができる。
【0016】
なお、上述実施の形態においては、基板がシリコンウェハ10の場合について説明したが、基板が液晶パネル用薄膜トランジスタ基板(ガラス基板)などの場合にも本発明を適用することができる。また、上述実施の形態においては、コールドウォール式の枚葉型CVD装置によりシリコンウェハ10上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を堆積する場合について説明したが、他の半導体装置の製造装置により他の半導体装置を製造する場合にも本発明を適用することができる。また、上述実施の形態においては、ヒータ7の上方にサセプタ9が設けられたヒータユニット13の場合について説明したが、ヒータがサセプタ中に埋め込まれたヒータユニットの場合にも本発明を適用することができる。
【0017】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置においては、基板の連続処理中の基板周辺部の温度の変化を小さくすることができる。
【0018】
また、基板と対向する位置に設けられたシャワーヘッドを介して処理ガスを供給して基板を処理したときには、シャワーヘッドの温度変化を小さくすることができる。
【0019】
また、基板の連続処理を行なう前に、ヒータユニットを基板搬送位置と基板処理位置との間の領域であってシャワーヘッドからヒータユニットの基板載置面まで所定距離だけ離間させた位置で保持したときには、シャワーヘッドの温度変化をさらに小さくすることができる。
【0020】
また、所定距離を10mm以上53mm以下としたときには、シャワーヘッドの温度変化を非常に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の製造方法を実施するためのコールドウォール式の枚葉型CVD装置を示す図である。
【図2】シリコンウェハの連続処理中のシャワーヘッドの温度の時間的変化を示すグラフである。
【図3】本発明に係る他の半導体装置の製造方法を実施するためのコールドウォール式の枚葉型CVD装置を示す図である。
【図4】本発明に係る他の半導体装置の製造方法を実施するためのコールドウォール式の枚葉型CVD装置を示す図である。
【図5】コールドウォール式の枚葉型CVD装置を示す断面図である。
【図6】図5に示した枚葉型CVD装置の動作説明図である。
【符号の説明】
3…シャワーヘッド
7…ヒータ
9…サセプタ
10…シリコンウェハ
12…反応室
13…ヒータユニット
Claims (6)
- 基板を支持し加熱するヒータユニットに基板を搬送し、基板搬送後上記ヒータユニットを基板搬送位置から基板処理位置まで移動させて、上記基板を処理する半導体装置の製造方法において、複数の上記基板に対して連続して処理する上記基板の連続処理を行なう前に上記ヒータユニットを上記基板搬送位置と上記基板処理位置との間の領域で保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 上記基板と対向する位置に設けられたシャワーヘッドを介して処理ガスを供給して上記基板を処理することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記基板の連続処理を行なう前に、上記ヒータユニットを上記基板搬送位置と上記基板処理位置との間の領域であって上記シャワーヘッドから上記ヒータユニットの基板載置面まで所定距離だけ離間させた位置で保持することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記所定距離とは10mm以上53mm以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を支持し加熱するヒータユニットに基板を搬送し、基板搬送後上記ヒータユニットを基板搬送位置から基板処理位置まで移動させて、上記基板と対向する位置に設けられたシャワーヘッドを介して処理ガスを供給して上記基板を処理する半導体装置の製造方法において、複数の上記基板に対して連続して処理する上記基板の連続処理を行なう前に上記ヒータユニットを上記基板搬送位置と上記基板処理位置との間の領域で保持し、上記シャワーヘッドの温度が連続処理時の温度とほぼ等しくなるように上記シャワーヘッドを上記ヒータユニットにより加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板を処理する反応室と、上記基板を支持し加熱するヒータユニットと、上記基板に対してシャワー状に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、上記ヒータユニットを基板搬送位置から基板処理位置まで移動させるヒータユニット移動機構とを有する半導体装置の製造装置において、複数の上記基板に対して連続して処理する上記基板の連続処理を行なう前に上記ヒータユニットを基板搬送位置と基板処理位置との間の領域で保持することを特徴とする半導体装置の製造装置。
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