TWI409350B - 蒸鍍源、有機電激發光元件之製造裝置 - Google Patents

蒸鍍源、有機電激發光元件之製造裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI409350B
TWI409350B TW097142510A TW97142510A TWI409350B TW I409350 B TWI409350 B TW I409350B TW 097142510 A TW097142510 A TW 097142510A TW 97142510 A TW97142510 A TW 97142510A TW I409350 B TWI409350 B TW I409350B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
evaporation container
heating device
water
organic material
evaporation
Prior art date
Application number
TW097142510A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200932931A (en
Inventor
Junichi Nagata
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of TW200932931A publication Critical patent/TW200932931A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI409350B publication Critical patent/TWI409350B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

蒸鍍源、有機電激發光元件之製造裝置
本發明乃關於蒸鍍源，和使用其蒸鍍源之裝置。
從以往，對於蒸鍍裝置之蒸發容器(坩堝)，係使用石墨製之構成。石墨製之坩堝乃因需要某種程度之厚度，而坩堝變重，熱容量變大。
因此，坩堝的溫度回應性變差，正確地控制坩堝內之蒸鍍材料的溫度則為困難。另外，作為蒸鍍材料而將有機材料填充於坩堝之情況，經由有機材料的種類，係有有機材料乃滲入於坩堝者。
[專利文獻1]日本特開2005-97730號公報
本發明乃為了解決上述課題之構成，提供溫度回應性高，且不易於蒸發容器，滲入蒸鍍材料之蒸鍍源者。
為了解決上述課題，本發明係屬於具有環狀的加熱裝置，和插入於前述加熱裝置，配置有有機材料之蒸發容器，當前述加熱裝置發熱時，前述有機材料則加以加熱，從前述蒸發容器，呈放出前述有機材料的蒸氣地加以構成之 蒸鍍源，其中，前述蒸發容器係由銅，銅．鈹合金，Ti或Ta之任一種金屬材料所成，側壁與底壁乃加以形成為0.3mm以上0.7mm以下的厚度，較前述蒸發容器之前述加熱裝置之下端為下方之部分乃未被前述加熱裝置被覆，於前述蒸發容器中，在較前述加熱裝置之下端為低之位置，配置有前述有機材料之蒸鍍源。
本發明乃蒸鍍源，其中，對於前述加熱裝置之周圍，係配置有水冷護罩，前述加熱裝置之外周側面與前述水冷護罩之內周側面乃呈對面地加以構成之蒸鍍源。
本發明乃蒸鍍源，其中，前述水冷護罩的上述之高度乃較前述蒸發容器的開口高度為低，前述水冷護罩之下端高度乃與前述加熱裝置之下端之高度相同，或其以下者之蒸鍍源。
本發明乃蒸鍍源，其中，具有被覆前述蒸發容器之內部空間之蓋構件，前述蓋構件乃具有蓋部主體，和形成於前述蓋部主體之貫通孔，前述蓋部主體乃配置於前述蒸發容器內部之前述蒸發容器的開口與底面之間，在前述蒸發容器內，從前述有機材料釋放蒸氣時，該蒸氣乃充滿於前述蒸發容器之內部空間，並通過前述貫通孔，而釋放於前述蒸發容器之外部空間的蒸鍍源。
本發明乃蒸鍍源，其中，前述蓋部主體乃位置於由前述加熱裝置所圍繞的空間之蒸鍍源。
本發明乃蒸鍍源，其中，前述蓋構件係具有連接於前述蓋部主體之懸吊部，前述懸吊部乃載置於前述蒸發容器 之開口的緣部分，前述蓋部主體乃經由前述懸吊部，懸掛於前述蒸發容器之內部空間的蒸鍍源。
本發明係一種有機電激發光元件之製造裝置，屬於於基板表面，形成有機薄膜而製造有機電激發光元件的有機電激發光元件之製造裝置，其中，具有真空槽，和配置於前述真空槽內之蒸鍍源，前述蒸鍍源係具有環狀的加熱裝置，和插入於前述加熱裝置，配置有有機材料之蒸發容器，當前述加熱裝置發熱時，前述有機材料則加以加熱，從前述蒸發容器，呈放出前述有機材料的蒸氣地加以構成，前述蒸發容器係由銅，銅．鈹合金，Ti或Ta之任一種金屬材料所成，側壁與底壁乃加以形成為0.3mm以上0.7mm以下的厚度，較前述蒸發容器之前述加熱裝置之下端為下方之部分乃未被前述加熱裝置被覆，於前述蒸發容器中，在較前述加熱裝置之下端為低之位置，配置有前述有機材料之有機電激發光元件之製造裝置。
本發明乃有機電激發光元件之製造裝置，其中，對於前述加熱裝置，係配置有水冷護罩，前述加熱裝置之外周側面與前述水冷護罩之內周側面乃呈對面地加以構成之有機電激發光元件之製造裝置。
本發明乃有機電激發光元件之製造裝置，其中，前述水冷護罩的上端之高度乃較前述蒸發容器的開口高度為低，前述水冷護罩之下端高度乃與前述加熱裝置之下端之高度相同，或其以下者的有機電激發光元件之製造裝置。
本發明乃有機電激發光元件之製造裝置，其中，具有 被覆前述蒸發容器之內部空間之蓋構件，前述蓋構件乃具有蓋部主體，和形成於前述蓋部主體之貫通孔，前述蓋部主體乃配置於前述蒸發容器內部之前述蒸發容器的開口與底面之間，在前述蒸發容器內，從前述有機材料釋放蒸氣時，該蒸氣乃充滿於前述蒸發容器之內部空間，並通過前述貫通孔，而釋放於前述蒸發容器之外部空間的有機電激發光元件之製造裝置。
本發明乃有機電激發光元件之製造裝置，其中，前述蓋部主體乃位置於由前述加熱裝置所圍繞的空間之有機電激發光元件之製造裝置。
本發明乃有機電激發光元件之製造裝置，其中，前述蓋構件係具有連接於前述蓋部主體之懸吊部，前述懸吊部乃載置於前述蒸發容器之開口的緣部分，前述蓋部主體乃經由前述懸吊部，懸掛於前述蒸發容器之內部空間的有機電激發光元件之製造裝置。
因蒸發容器的熱回應性高，故可縮短從加熱開始置蒸氣釋放的啟動時間。因可正確地進行有機材料之溫度控制，故可未分解有機材料而使其蒸發者。對於在停止加熱裝置時，蒸氣釋放則在短時間停止。因為於貫通孔析出有機材料，蒸氣釋放速度則安定。因未於蒸發容器滲入有機材料，故可有效利用高價之有機材料。
圖1之符號1乃顯示本發明之一例的有機電激發光元件之製造裝置(真空蒸鍍裝置)。真空蒸鍍裝置1乃具有真空槽2。對於真空槽2之內部之下方係配置有蒸鍍源3，於其上方係配置有基板支架4。蒸鍍源3係如圖2所示，具有蒸發容器9，和加熱裝置10，和水冷護罩13。
加熱裝置10係為環狀，具有將高熱傳導率之物質形成為環狀之均熱體17。均熱體17係在真空槽2內，將其中心軸線作為略垂直而加以配置。
蒸發容器9係在將開口35朝上方(真空槽2的頂側)之狀態，插入於均熱體17的環內，均熱體17乃加以環裝於蒸發容器9之外周側面。
對於均熱體17的內部，係設置有均熱體17與卷繞於同心之加熱線18，蒸發容器9係由加熱線18所加以卷繞。
均熱體17的垂直方向(高度方向)的長度乃作為較蒸發容器9之垂直方向的長度(高度)為短。對於蒸發容器9之上端(開口35之周圍)，係為了補強而形成有突緣36(開口35之緣部分)，均熱體17的上端係與突緣36接觸，將突緣36載置於均熱體17。隨之，蒸發容器9係在底面部分從加熱裝置10加以突出的狀態，懸掛於加熱裝置10。即，較蒸發容器9之均熱體17的下端為下方之部分係在均熱體17係未被被覆而漏出於真空槽2之內部環境。
對於真空槽2之外部係配置有加熱電源7，加熱線18係連接於其加熱電源7。經由加熱電源7而通電至加熱線18，當加熱線18發熱時，蒸發容器9之外周側面之中，面對於均熱體17之部分乃經由來自均熱體17的熱傳到所加熱而升溫。
蒸發容器9乃經由銅薄板，或銅．鈹合金薄板之加工所形成，底面與側壁乃做為0.3mm以上0.7mm以下。蒸發容器9係因厚度薄之故，坩堝的重量輕，熱容量小，而升溫速度或降溫速度快，對於溫度控制之情況，追隨性高。
對於蒸發容器9之內部，至較均熱體17的下端為低位置，配置有粉體的有機材料21，蒸發容器9之中的有機材料21之上端與均熱體17之下端之間部分乃均對於均熱體17及有機材料21未接觸之無接觸部分14，從均熱體17，經由熱傳導而將蒸發容器9的上部進行加熱時，將無接觸部分14，從上方至下方傳導熱而加熱有機材料21。
隨之，蒸發容器9側面的熱之上流側之上部係因較熱的下流側之下部溫度變高之故，將配置有蒸發容器9之有機材料21，將溫至接近蒸發溫度，亦可將溫度容易下降之蒸發容器9之開口35之部分的溫度，維持於蒸發溫度以上者。
對於露出於蒸發容器9之內部空間的底面與內周面(露出面27)，係形成有反應防止膜41。反應防止膜41係例如將鎳，鎳鈀合金，白金，鎳，銠，鈀等做為主成分， 以電鍍法加以形成。
有機材料21係未與銅接觸而與反應防止膜41接觸，呈作為即使將有機材料21升溫至蒸發溫度以上，亦未與銅反應者。
水冷護罩13係為環狀，與蒸發容器9及均熱體17以同心，圍繞均熱體17之外周加以配置。水冷護罩13乃與均熱體17係作為非接觸，從均熱體17的外周側面所放射的熱線乃經由水冷護罩13所遮蔽，呈位加熱真空槽2之壁面。
水冷護罩13之垂直方向的長度乃作為較均熱體17之垂直方向的長度為短，水冷護罩13的下端係與均熱體17之下端相同高度，配置於較其下方，水冷護罩13之上端係位置於較均熱體17之上端為下方。
隨之，均熱體17之外周面的下部係與水冷護罩13面對，上部係未與水冷護罩13面對，而當將冷卻水通水至水冷護罩13時，與均熱體17之水冷護罩13面對的部份係經由水冷護罩13所冷卻，但未與均熱體17之上部的水冷護罩13對面之部分係未被冷卻。
由此，通電至加熱線18而使其發熱，以均熱體17使蒸發容器9升溫時，即使通水至水冷護罩13，蒸發容器9之開口35的部份之溫度係未下降，此部份的溫度乃作為在有機材料21之蒸發溫度以下。
對於蒸發容器9之開口35，係配置有蓋構件(坩堝蓋)12。
蓋構件12係具有板狀的蓋部主體33，和安裝於蓋部主體33之環狀的懸吊部(懸掛構件)32。懸吊部32係載置於蒸發容器9之開口35的緣(突緣36)，蓋部主體33係經由懸吊部32而懸掛於蒸發容器9之內部空間。
懸吊部32係無間隙地緊密於蒸發容器9之開口35周圍，蒸發容器9之開口35係由蓋構件12所被覆。隨之，在從蒸發容器9內之有機材料21釋放蒸氣時，蒸發容器9之內部空間係由有機材料21的蒸氣均一地充滿。
對於蓋構件12係形成有複數之貫通孔31。在此，蓋構件31貫通孔31係形成於蓋部主體33。蓋部主體33係在蒸發容器9之底面與開口35，配置於由均熱體17所圍繞之空間。隨之，蓋構件12乃呈貫通孔31配置於均熱體17之間地加以安裝。
如上述，蒸發容器9之開口35係由蓋構件12所被覆，蒸發容器9之內部空間係只由貫通孔31而連接於蒸發容器9之外部空間，充滿於蒸發容器9內部之有機材料21的蒸氣係通過貫通孔31而均一地釋放於真空槽2的內部。
以下，說明於基板表面，形成有機薄膜而製造有機電激發光元件之工程。對於真空槽2係連接有真空排氣系統6，使真空排氣系統6動作，將真空槽2內作為真空環境，在維持真空環境同時，將基板2d輸入至真空槽2內，安裝於基板支撐架4。圖1係顯示安裝基板20於基板支撐架4之狀態。
蒸發容器9係在真空槽2內，經由支撐棒11而垂直地加以支撐，對於蒸發容器9之底面，係安裝有配置於支撐棒11之內部的溫度感測器16。溫度感測器16係連接於配置於真空槽2之外部的控制裝置8。
圖2中之符號25乃配置於蒸發容器9之底面之水冷護罩，作為呈未加熱真空槽2之底壁。
蒸發容器9之溫度係經由溫度感測器16所檢測出，經由控制裝置8加以溫度測定地所構成。
於水冷護罩13，25，將冷卻水通水，經由控制裝置8與溫度感測器16，測定蒸發容器9之溫度的同時，通電至加熱裝置而使其發熱，將蒸發容器9內之有機材料21，升溫至蒸發溫度以上之溫度。
對於控制裝置8係設定為有機材料21之蒸發溫度以上之溫度，較分解溫度為低之溫度之加熱溫度，經由控制裝置8而控制對於加熱裝置10之通電量，蒸發容器9之溫度係維持為加熱溫度。
蒸發容器9之底面與側面係較由碳石墨所形成之蒸發容器的厚度為薄，對於均熱體17的周圍係未配置反射板，而均熱體17的側面係露出於真空槽2之內部。因此，加熱裝置10與蒸發容器9之熱容量係成為較配置有反射板時為小。
因此，經由控制裝置8而增減流動於加熱裝置10之電流時，蒸發容器9之溫度係迅速升降，蒸發容器9之溫度係維持為所設定之加熱溫度。其結果，有機材料21係 維持為蒸發溫度以尚未達分解溫度之溫度之故，可未加熱至分解溫度而釋放蒸氣者。
另外，如上述，對於從有機材料21釋放蒸氣時，蒸發容器9之開口35的部份係作為在蒸發溫度以下。如上述，形成有貫通孔31之蓋部主體33係因位置於均熱體17之間，蓋構件12亦成為蒸發溫度以上之溫度，故有機材料21之蒸氣係未析出於蒸發容器9之開口35的部份或蓋構件12，而蓋構件12之貫通孔31的直徑亦無變化。
從蓋構件12之貫通孔31釋放至真空槽2內之有機材料21的蒸氣係到達至面對於蒸發容器9之開口35的基板20表面，於其基板20表面，成長有機薄膜。
有機薄膜在形成為特定膜後之後，停止對於加熱線18之通電時，因加熱裝置10與蒸發容器9之熱容量為小，故蒸發容器9係迅速降溫，從蒸發容器9之蒸氣釋放係在短時間停止。
形成有有機薄膜之基板20係輸出於真空槽2之外部，將未成膜之基板20，輸入至真空槽內，與上述同樣作為進行有機薄膜的形成。
以上，係對於作為水冷護罩13，25之冷媒而使用水(冷卻水)之情況已做過說明，但本發明並不限定於此，而亦可使用有機溶劑或海龍等其他冷媒者。
蒸發容器9的形狀與尺寸並無加以特別限定，但敘述一例時，有有底的圓筒形狀，圓筒之刊口35乃直径25mm以上65mm以下、圓筒的高度乃100mm以上250mm以下 。為了保持蒸發容器9的強度，於開口35的周圍，將緣部分(突緣36)留成帽緣狀者為佳。
蒸發容器9與蓋構件12之材質係在熱傳導度與比熱的點，期望為無氧銅(C1020)。但，因無氧銅係為柔軟，故蒸發容器9或蓋構件12的強度為弱，在處理上必須注意。
在提昇蒸發容器9及蓋構件12之使用方便的情況，及製作大的蒸發容器9，大的蓋構件12之情況，亦可使用TPC銅(C1100)，磷脫氧銅(C1201)，或鈹銅(C1700)等。此等銅合金係較無氧銅差，具有比較近的比熱與熱傳導度。另外，在使用上述以外之銅合金的情況，與石墨做比較時，因為有利而無問題。主要，在本申請發明中，作為發容器9與蓋構件12的主成分係銅為最佳。然而，對於銅以外，亦可使用將Ta或Ti等其他金屬做為主成分之發容器9或蓋構件12者。
反應防止膜41係可使用上述之各種金屬，但當考慮費用效果時，鎳與鈀之任一方或含有雙方之構成為最佳。
石墨或不銹鋼製之蒸發容器係熱容量為32.95J/K~34.64J/K、熱傳導率乃16.3W/m．K(不銹鋼製)、104W/m．K(石墨)。對此，本申請專利之蒸發容器9係熱容量為8.40J/K、熱傳導率乃401W/m．K，比較於以往的蒸發容器，了解到熱反應性為高者。
蓋構件12亦與蒸發容器9同樣地，經由銅薄板，或銅．鈹合金薄板之加工所形成，至少薄化蓋部主體33之 厚度(0.3mm以上0.7mm以下)。如薄化蓋構件12之厚度，蒸鍍源3全體的重量則變輕。另外，因蓋構件12的熱容量為小之故，升溫速度或降溫速度快，對於溫度控制之情況，追隨性高。
1‧‧‧真空蒸鍍裝置(有機電激發光元件之製造裝置)
3‧‧‧蒸鍍源
9‧‧‧蒸發容器
10‧‧‧加熱裝置
21‧‧‧有機材料
[圖1]說明真空蒸鍍裝置之一例的剖面圖。
[圖2]說明本發明之蒸鍍源之一例的剖面圖。
2‧‧‧真空槽
3‧‧‧蒸鍍源
7‧‧‧加熱電源
8‧‧‧控制裝置
9‧‧‧蒸發容器
10‧‧‧加熱裝置
11‧‧‧支撐棒
12‧‧‧蓋構件
13，25‧‧‧水冷護罩
14‧‧‧無接觸部分
16‧‧‧溫度感測器
17‧‧‧均熱體
18‧‧‧加熱線
21‧‧‧有機材料
27‧‧‧露出面
31‧‧‧貫通孔
32‧‧‧懸吊部(懸掛構件)
33‧‧‧蓋部主體
35‧‧‧開口
36‧‧‧突緣
41‧‧‧反應防止膜

Claims (10)

  1. 一種蒸鍍源，具有環狀的加熱裝置，和插入於前述加熱裝置，配置有有機材料之蒸發容器，當前述加熱裝置發熱時，前述有機材料則加以加熱，從前述蒸發容器，呈放出前述有機材料的蒸氣地加以構成之蒸鍍源，其特徵乃前述蒸發容器係由銅，銅．鈹合金，Ti或Ta之任一種金屬材料所成，側壁與底壁乃加以形成為0.3mm以上0.7mm以下的厚度，較前述蒸發容器之前述加熱裝置之下端為下方之部分乃未被前述加熱裝置被覆，對於前述加熱裝置之周圍，係配置有水冷護罩，前述加熱裝置之外周側面與前述水冷護罩之內周側面乃呈對面地加以構成，前述水冷護罩係與前述加熱裝置非接觸，前述水冷護罩的上端之高度乃較前述蒸發容器的開口高度為低，前述水冷護罩之下端高度乃配置於與前述加熱裝置之下端之高度相同，或其下方，前述加熱裝置之鉛直方向之長度係較前述蒸發容器之鉛直方向之長度為短，前述蒸發容器係底面部分為從前述加熱裝置突出，前述蒸發容器中，在較前述加熱裝置之下端為低之位置，配置有前述有機材料。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之蒸鍍源，其中，具有被覆前述蒸發容器之內部空間之蓋構件，前述蓋構件乃具有蓋部主體，和形成於前述蓋部主體 之貫通孔，前述蓋部主體乃配置於前述蒸發容器內部之前述蒸發容器的開口與底面之間，在前述蒸發容器內，從前述有機材料釋放蒸氣時，該蒸氣乃充滿於前述蒸發容器之內部空間，並通過前述貫通孔，而釋放於前述蒸發容器之外部空間者。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之蒸鍍源，其中，前述蓋部主體乃位置於由前述加熱裝置所圍繞的空間者。
  4. 如申請專利範圍第2項記載之蒸鍍源，其中，前述蓋構件係具有連接於前述蓋部主體之懸吊部，前述懸吊部乃載置於前述蒸發容器之開口的緣部分，前述蓋部主體乃經由前述懸吊部，懸掛於前述蒸發容器之內部空間者。
  5. 一種有機電激發光元件之製造裝置，屬於於基板表面，形成有機薄膜而製造有機電激發光元件的有機電激發光元件之製造裝置，其特徵乃具有真空槽，和配置於前述真空槽內之蒸鍍源，前述蒸鍍源係具有環狀的加熱裝置，和插入於前述加熱裝置，配置有有機材料之蒸發容器，當前述加熱裝置發熱時，前述有機材料則加以加熱，從前述蒸發容器，呈放出前述有機材料的蒸氣地加以構成， 前述蒸發容器係由銅，銅．鈹合金，Ti或Ta之任一種金屬材料所成，側壁與底壁乃加以形成為0.3mm以上0.7mm以下的厚度，較前述蒸發容器之前述加熱裝置之下端為下方之部分乃未被前述加熱裝置被覆，前述水冷護罩係與前述加熱裝置非接觸，前述水冷護罩的上端之高度乃較前述蒸發容器的開口高度為低，前述水冷護罩之下端高度乃配置於與前述加熱裝置之下端之高度相同，或其下方，前述加熱裝置之鉛直方向之長度係較前述蒸發容器之鉛直方向之長度為短，前述蒸發容器係底面部分為從前述加熱裝置突出於前述蒸發容器中，在較前述加熱裝置之下端為低之位置，配置有前述有機材料。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之有機電激發光元件之製造裝置，其中，對於前述加熱裝置之周圍，係配置有水冷護罩，前述加熱裝置之外周側面與前述水冷護罩之內周側面乃呈對面地加以構成者。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之有機電激發光元件之製造裝置，其中，前述水冷護罩的上端之高度乃較前述蒸發容器的開口高度為低，前述水冷護罩之下端高度乃與前述加熱裝置之下端之高度相同，或其以下者。
  8. 如申請專利範圍第5項記載之有機電激發光元件之製造裝置，其中，具有被覆前述蒸發容器之內部空間之蓋構件，前述蓋構件乃具有蓋部主體，和形成於前述蓋部主體 之貫通孔，前述蓋部主體乃配置於前述蒸發容器內部之前述蒸發容器的開口與底面之間，在前述蒸發容器內，從前述有機材料釋放蒸氣時，該蒸氣乃充滿於前述蒸發容器之內部空間，並通過前述貫通孔，而釋放於前述蒸發容器之外部空間者。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之有機電激發光元件之製造裝置，其中，前述蓋部主體乃位置於由前述加熱裝置所圍繞的空間者。
  10. 如申請專利範圍第8項記載之有機電激發光元件之製造裝置，其中，前述蓋構件係具有連接於前述蓋部主體之懸吊部，前述懸吊部乃載置於前述蒸發容器之開口的緣部分，前述蓋部主體乃經由前述懸吊部，懸掛於前述蒸發容器之內部空間者。
TW097142510A 2007-11-05 2008-11-04 蒸鍍源、有機電激發光元件之製造裝置 TWI409350B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007287111 2007-11-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200932931A TW200932931A (en) 2009-08-01
TWI409350B true TWI409350B (zh) 2013-09-21

Family

ID=40625635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097142510A TWI409350B (zh) 2007-11-05 2008-11-04 蒸鍍源、有機電激發光元件之製造裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100269755A1 (zh)
JP (1) JP5150641B2 (zh)
KR (1) KR101181680B1 (zh)
CN (1) CN101849032B (zh)
DE (1) DE112008002971T5 (zh)
TW (1) TWI409350B (zh)
WO (1) WO2009060739A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102312199B (zh) * 2010-06-30 2013-10-02 上方能源技术(杭州)有限公司 一种扫描镀膜装置及扫描镀膜组件
JP5535016B2 (ja) * 2010-09-13 2014-07-02 日立造船株式会社 真空蒸着装置
KR101218262B1 (ko) * 2010-12-01 2013-01-03 (주)알파플러스 증발원 장치
CN104540975A (zh) 2012-08-13 2015-04-22 株式会社钟化 真空蒸镀装置以及有机el装置的制造方法
JP6223675B2 (ja) * 2012-11-29 2017-11-01 株式会社オプトラン 真空蒸着源及びそれを用いた真空蒸着方法
CN104178750A (zh) * 2013-05-21 2014-12-03 常州碳维纳米科技有限公司 一种悬挂式加热系统
JP6512543B2 (ja) * 2015-02-28 2019-05-15 ケニックス株式会社 蒸着セル、薄膜作製装置および薄膜作製方法
KR102334408B1 (ko) 2015-04-10 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
KR102495561B1 (ko) * 2015-11-20 2023-02-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 제조용 도가니 및 그 세정 방법
CN106929802B (zh) * 2015-12-31 2021-06-04 中国建材国际工程集团有限公司 用于加热坩埚的加热器设备和用于蒸发或升华材料的系统
WO2018199184A1 (ja) * 2017-04-26 2018-11-01 株式会社アルバック 蒸発源及び成膜装置
JP7376426B2 (ja) * 2020-05-22 2023-11-08 株式会社アルバック 真空蒸着装置用の蒸着源
CN112359323B (zh) * 2020-10-28 2021-07-23 广西贝驰汽车科技有限公司 一种金属薄板表面处理用连续式真空镀膜装置
KR102506553B1 (ko) * 2020-12-30 2023-03-07 주식회사 에스에프에이 증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN115679267B (zh) * 2022-11-15 2024-09-24 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种新型oled蒸镀点源
WO2024201548A1 (ja) * 2023-03-24 2024-10-03 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 蒸着装置、表示装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
JP2005060757A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Ulvac Japan Ltd 成膜装置、及び成膜方法
JP2006009134A (ja) * 2003-07-31 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP2007046100A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp 蒸着装置、および表示装置の製造システム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5031229A (en) * 1989-09-13 1991-07-09 Chow Loren A Deposition heaters
US5253266A (en) * 1992-07-20 1993-10-12 Intevac, Inc. MBE effusion source with asymmetrical heaters
US6053981A (en) * 1998-09-15 2000-04-25 Coherent, Inc. Effusion cell and method of use in molecular beam epitaxy
US6562405B2 (en) * 2001-09-14 2003-05-13 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
KR100889758B1 (ko) * 2002-09-03 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기박막 형성장치의 가열용기
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP2004259634A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法、及びその有機ｅｌパネルの製造方法で用いられる有機層製膜装置
JP2005029895A (ja) * 2003-07-04 2005-02-03 Agfa Gevaert Nv 蒸着装置
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
JP4494126B2 (ja) 2003-08-15 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置および製造装置
CN100441733C (zh) * 2004-03-30 2008-12-10 株式会社延原表 蒸镀工序用喷嘴蒸发源
US20050229856A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Malik Roger J Means and method for a liquid metal evaporation source with integral level sensor and external reservoir
KR100671673B1 (ko) * 2005-03-09 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 다중 진공증착장치 및 제어방법
US20070178225A1 (en) * 2005-12-14 2007-08-02 Keiji Takanosu Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
JP2006009134A (ja) * 2003-07-31 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP2005060757A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Ulvac Japan Ltd 成膜装置、及び成膜方法
JP2007046100A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp 蒸着装置、および表示装置の製造システム

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009060739A1 (ja) 2011-03-24
US20100269755A1 (en) 2010-10-28
CN101849032B (zh) 2013-05-01
DE112008002971T5 (de) 2010-09-23
WO2009060739A1 (ja) 2009-05-14
KR101181680B1 (ko) 2012-09-19
TW200932931A (en) 2009-08-01
CN101849032A (zh) 2010-09-29
JP5150641B2 (ja) 2013-02-20
KR20100063131A (ko) 2010-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI409350B (zh) 蒸鍍源、有機電激發光元件之製造裝置
CN103643206B (zh) 真空蒸镀源及使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法
JP4444906B2 (ja) 加熱容器とそれを備えた蒸着装置
CN105603365B (zh) 真空蒸镀加热装置
JP2013211138A (ja) 蒸発源、及びそれを用いた真空蒸着装置
CA2066573A1 (en) Deposition heaters
JP4090039B2 (ja) 蒸着装置における蒸発源
EP1354979A1 (en) Method and device for producing organic el elements
CN111748773A (zh) 一种蒸发源和蒸镀装置
TWI298523B (en) Method of forming sputtering layer
TWI253876B (en) Evaporation device
JP2016030839A (ja) 蒸着装置および蒸発源
KR20090015324A (ko) 금속성 박막 증착용 선형 하향식 고온 증발원
KR100685838B1 (ko) 증발장치
JP5132959B2 (ja) 真空処理装置
JP3758253B2 (ja) リチウム用蒸着源
JP2014181387A (ja) 蒸発源及びその蒸発源を用いた真空蒸着装置
JP2010229444A (ja) 坩堝
JP4902123B2 (ja) 有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置
JP2005307354A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及び装置
RU2354745C1 (ru) Испаритель для металлов или сплавов
JPH09111441A (ja) Ｍｇ蒸発方法
KR102221146B1 (ko) 이퓨전 셀
JP7526157B2 (ja) 蒸着源及び蒸着装置
KR100700497B1 (ko) 증착장치