WO2018199184A1 - 蒸発源及び成膜装置 - Google Patents

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WO2018199184A1
WO2018199184A1 PCT/JP2018/016861 JP2018016861W WO2018199184A1 WO 2018199184 A1 WO2018199184 A1 WO 2018199184A1 JP 2018016861 W JP2018016861 W JP 2018016861W WO 2018199184 A1 WO2018199184 A1 WO 2018199184A1
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evaporation source
nozzle
opening
nozzles
top surface
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PCT/JP2018/016861
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English (en)
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Inventor
寿充 中村
健児 星川
Original Assignee
株式会社アルバック
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Definitions

  • the present invention relates to an evaporation source that vaporizes a thin film material and releases a vaporized substance, and a film forming apparatus including the evaporation source.
  • a vacuum is applied to heat and vaporize the thin film material and attach a vaporized substance (vapor) of the thin film material to a film formation target such as a glass substrate.
  • a vapor deposition apparatus is used.
  • a linear source in which a plurality of nozzles that discharge a vaporized substance of a thin film material are arranged in a row has been proposed as an evaporation source that can cope with an increase in the size of a film formation target (see, for example, Patent Document 1).
  • Such an evaporation source is provided with a heat shielding member such as a reflector so that radiant heat generated to heat the thin film material is not radiated to the outside of the evaporation source.
  • the linear source type evaporation source is configured by connecting a plurality of nozzles arranged in a row to an evaporation source container that accommodates a thin film material, and has an elongated rectangular parallelepiped shape.
  • the film formation target is disposed opposite to the surface on which the nozzle of the linear evaporation source is disposed, and the vaporized material of the thin film material heated by a heating device such as a heater is discharged from the nozzle and adhered to the film formation target. Film formation is performed.
  • the heat shielding member is disposed between the film formation target and the evaporation container, but no heat shielding member is disposed in the vicinity of the nozzle.
  • the radiant heat from the heater or the evaporation source heated by the heater passes through the vicinity of the nozzle where the heat shielding member is not disposed and is radiated to the outside of the evaporation source, and is applied to the film formation target.
  • the temperature of the film formation target increases.
  • the vaporized material of the thin film material that has reached the film formation target does not move around the film formation target and does not adhere well. There's a problem.
  • the metal mask expands due to radiant heat and a thin film having a desired pattern cannot be obtained.
  • an object of the present invention is to provide an evaporation source capable of reducing the radiant heat radiated from the evaporation source and a film forming apparatus including the evaporation source.
  • an evaporation source includes an evaporation source container, a heating device, a first heat shielding plate, and a second heat shielding plate.
  • the evaporation source container includes a container body having a top surface and containing a thin film material, and an opening that is connected to the container body and protrudes from the top surface in a uniaxial direction to discharge a vaporized substance of the thin film material.
  • the heating device heats the container body.
  • the first heat shield plate is spaced apart from the top surface and is opposed to the first surface.
  • the first opening region is larger than the opening of the nozzle through which the nozzle provided corresponding to each of the plurality of nozzles penetrates.
  • the second heat shielding plate is fixed to each of the plurality of nozzles between the container main body and the first heat shielding plate, and is disposed opposite to the top surface so as to face the first opening region. And a second opening through which the nozzle passes.
  • the second heat shield plate is configured to have an outer shape larger than the first opening region corresponding to the first opening of the first heat shield plate. Therefore, of the radiant heat generated by heating by the heating device, the radiant heat that could not be shielded by the first heat shield plate through the first opening can be reduced by the second heat shield plate. This reduces the radiant heat radiated from the evaporation source. Therefore, heating of the film formation target on which the thin film material is formed by radiant heat from the evaporation source is suppressed, and favorable film formation can be performed. In the case of forming a film through a metal mask, the expansion of the metal mask due to heating can be suppressed, and a high-definition pattern can be formed.
  • the second heat shielding plate may be fixed to the nozzle by point contact. According to such a structure, since the contact area of a nozzle and a 2nd heat shielding board can be made small, the cooling of the nozzle by a 2nd heat shielding board can be suppressed. Thereby, cooling of the vaporization substance of the thin film material which passes through the inside of a nozzle is suppressed, and nozzle clogging can be prevented.
  • the first opening may have a shape having a longitudinal direction in the uniaxial direction. According to such a configuration, even if the position of the nozzle connected to the container body shifts as the container body expands in the uniaxial direction due to the heating of the heating device, the first opening is always provided. It can comprise so that a nozzle may be located in a part.
  • a third heat shield plate having a plurality of third openings having a larger third opening region may be further provided.
  • the first heat shielding plate has an outer shape that surrounds the evaporation source container having a top surface portion having the first opening and a bottom surface portion facing the top surface portion, and the container body has the heating body
  • the container main body may be supported by the bottom surface portion so as to be movable in the uniaxial direction in accordance with an extension amount of the container main body in the uniaxial direction due to thermal expansion of the container main body due to heating of the apparatus.
  • the evaporation source container moves in the uniaxial direction by the movable support portion according to the expansion amount, so that the container main body is not distorted.
  • the amount of vaporized substance released from the evaporation source can be made uniform in the surface.
  • a thin film having a uniform in-plane thickness can be formed.
  • a film formation apparatus includes a housing portion and an evaporation source.
  • the storage unit can store a film formation target.
  • the evaporation source includes a container body having a top surface and containing a thin film material, and is connected to the container body and protrudes from the top surface in a uniaxial direction, and the vaporized substance of the thin film material is disposed on the film formation target.
  • An evaporation source container provided with a plurality of nozzles having openings that emit toward the surface, a heating device that heats the container body, and a face that is spaced apart from the top surface, and is provided corresponding to each of the plurality of nozzles.
  • a first heat shielding plate having a plurality of first openings having a first opening area larger than the opening of the nozzle through which each of the nozzles penetrated, the container body, and the first heat shielding.
  • a plurality of nozzles fixed between each of the plurality of nozzles and spaced apart from the top surface, and having a second opening having a larger outer shape than the first opening region and through which the nozzles pass.
  • a second heat shielding plate having a plurality of first openings having a first opening area larger than the opening of the nozzle through which each of the nozzles penetrated, the container body, and the first heat shielding.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. It is a model top view of the evaporation source provided in the said film-forming apparatus. It is a partial expansion perspective view near the nozzle of the said evaporation source.
  • FIG. 4 is a partially enlarged perspective view of the evaporation source shown in FIG. 3 in the vicinity of the nozzle as viewed from the bottom surface of the water-cooled plate toward the top surface. It is a partial top view which shows the mode before and behind the heating of the nozzle vicinity in the said evaporation source, and sectional drawing corresponding to it.
  • the X-axis and Y-axis directions indicate horizontal directions orthogonal to each other, and the Z-axis direction indicates a height direction orthogonal to these.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the film forming apparatus 1 includes a vacuum chamber 2 as a housing unit, a linear source type evaporation source 3 disposed on the bottom side inside the vacuum chamber 2, and a substrate holder 8 as a holding unit that holds a film formation target.
  • the vacuum chamber 2 accommodates a glass substrate 9 as a film formation target.
  • the substrate holder 8 is disposed on the top surface side inside the vacuum chamber 2.
  • the substrate holder 8 holds a surface (film formation target surface) 9a on which a glass substrate 9 as a film formation target is to be formed facing downward.
  • the linear source type evaporation source 3 has a substantially rectangular parallelepiped outer shape having a longitudinal direction in the X-axis direction.
  • the substrate holder 8 is configured to be movable in a direction (Y-axis direction) orthogonal to the longitudinal direction (X-axis direction) of the evaporation source 3.
  • the evaporation source 3 contains a thin film material (evaporation material) 36, heats and vaporizes the thin film material 36, and releases a vaporized substance (vapor) of the thin film material 36. Details of the evaporation source 3 will be described later.
  • the vacuum exhaust system 7 is connected to the vacuum chamber 2. The evacuation system 7 evacuates the inside of the vacuum chamber 2 to form a vacuum atmosphere suitable for film formation.
  • the vaporized material of the thin film material 36 is released from the evaporation source 3 while moving the glass substrate 9 while being held by the substrate holder 8 while maintaining the vacuum atmosphere in the vacuum chamber 2, and A desired thin film is formed on the glass substrate 9 by attaching a vaporized substance on the film formation target surface 9a.
  • the glass substrate 9 is movable.
  • the position of the glass substrate 9 may be fixed and the evaporation source 3 may be movable in the Y-axis direction.
  • the film may be formed in a state where the glass substrate 9 and the evaporation source 3 are fixed without moving the glass substrate 9 or the evaporation source 3.
  • a glass substrate is described as an example of the film formation target, but the present invention is not limited to this, and a flexible film base material or the like may be used.
  • the temperature measurement sensor 10 is connected to the controller 4 and measures the temperature of an evaporation source case 35 of the evaporation source 3 described later.
  • the film thickness sensor 6 measures the amount of vapor (vaporized material) from the evaporation source 3 and controls the thickness (or film formation rate) of the thin film formed on the glass substrate 9.
  • the film thickness sensor 6 is disposed so as not to prevent the vaporized substance of the thin film material released from the evaporation source 3 from reaching the glass substrate 9.
  • the output of the film thickness sensor 6 is input to the controller 4.
  • the controller 4 Based on the measurement results of the film thickness sensor 6 and the temperature measurement sensor 10, the controller 4 adjusts the amount of power supplied to a heater 34 as a heating device provided in the evaporation source 3 described later, and serves as an evaporation source container.
  • the evaporation source case 35 is brought to a desired temperature and controlled so that the amount of vapor (vaporized material) released or the film formation rate becomes a desired value.
  • FIG. 2 is a schematic top view of the evaporation source 3.
  • FIG. 3 is a partially enlarged perspective view near the nozzle of the evaporation source 3.
  • 4A is a perspective view of the vicinity of the nozzle of the evaporation source 3 in FIG. 3, and is a partially enlarged perspective view seen from the bottom surface 313 to the top surface 310 of the water cooling plate 31 described later.
  • FIG. 4B is a perspective view further enlarging FIG. 4A.
  • an evaporation source 3 that is a linear source type evaporation source includes an evaporation source case 35 as an evaporation source container, a heater 34 as a heating device, and a water-cooled plate 31 as a first heat shielding plate. And a follower reflector 33 as a second heat shielding plate, a reflector 32 as a third heat shielding plate, a fixed support portion 391, and a movable support portion 392.
  • the heater 34 heats the evaporation source case 35.
  • the thin film material 36 accommodated in the evaporation source case 35 is heated by the heater 34 and becomes a vaporized substance of the thin film material 36.
  • the heater 34 is disposed between the evaporation source case 35 and the reflector 32 so as to surround the entire evaporation source case 35.
  • the heater 34 is typically configured by a resistance heating wire, but may be configured by an induction heating coil.
  • the evaporation source case 35 has a container body 351 and a plurality of nozzles 37.
  • the container body 351 has a top surface 352 and accommodates the thin film material 36.
  • the container main body 351 has a rectangular parallelepiped outer shape, and its top surface 352 is a surface parallel to the XY plane.
  • the evaporation source case 35 and the substrate holder 8 are provided so that the top surface 352 and the film formation target surface 9a of the glass substrate 9 are spaced apart from each other in the Z-axis direction.
  • the container body 351 is made of a material having high thermal conductivity such as metal or graphite.
  • the plurality of nozzles 371 to 377 protrude from the top surface 352 of the container main body 351 and are connected to the container main body 351.
  • the plurality of nozzles 371 to 377 are arranged in a line in one axis direction (X-axis direction in the drawing).
  • a nozzle 371, a nozzle 372, a nozzle 373, a nozzle 374, a nozzle 375, a nozzle 376, and a nozzle 377 are arranged in order from left to right.
  • the nozzles 371 to 377 are collectively referred to as a nozzle 37, and will be described using reference numerals 371 to 377 as necessary.
  • the nozzle 37 has an opening (vaporization substance discharge port) 380 that discharges the vaporized substance of the thin film material 36.
  • the vapor of the thin film material 36 generated in the container main body 351 is discharged from the opening 380 into the vacuum chamber 2 outside the evaporation source 3.
  • the plurality of nozzles 371 to 377 are connected to a common container body 351.
  • the nozzle 37 can be made of a material such as tantalum, molybdenum, or carbon.
  • the container body 351 has an elongated rectangular parallelepiped shape having a longitudinal direction in the X-axis direction in which the nozzles 37 are arranged. Further, the nozzle 37 has a cylindrical shape having a substantially circular cross section perpendicular to the Z-axis direction, but the shape of the nozzle 37 is not limited to this.
  • the water cooling plate (first heat shielding plate) 31 has a heat shielding function for performing water cooling.
  • the water cooling plate 31 is provided with a water channel such as a water cooling pipe through which water flows.
  • the water cooling plate 31 is provided to absorb and reduce the radiant heat radiated from the heater 34 and the evaporation source case 35 heated by the heater 34 to the glass substrate 9.
  • the water-cooled plate 31 has a rectangular parallelepiped outer shape having a top surface portion 310, a bottom surface portion 313 and a side surface portion 314 facing the top surface portion 310, and the water-cooled plate 31 constitutes the outer shape of the evaporation source 3.
  • the water cooling plate 31 is disposed so as to surround the evaporation source case 35, the heater 34, the reflector 32, and the follower reflector 33.
  • the top surface portion 310 of the water cooling plate 31 is disposed substantially parallel to the XY plane, and is disposed opposite to the top surface 352 of the container body 351 of the evaporation source case 35.
  • a plurality of first openings 3111 to 3117 are provided in the top surface portion 310 of the water-cooled plate (first heat shielding plate) 31.
  • the first opening 3111 is in the nozzle 371, the first opening 3112 is in the nozzle 372, the first opening 3113 is in the nozzle 373, the first opening 3114 is in the nozzle 374, and the first opening 3115.
  • the first opening 3116 is provided corresponding to the nozzle 376, and the first opening 3117 is provided corresponding to the nozzle 377.
  • the first openings 3111 to 3117 are collectively referred to as a first opening 311 and will be described using the reference numerals 3111 to 3117 as necessary.
  • 1st opening part 311 is provided for every nozzle 37 so that the corresponding nozzle 37 may penetrate.
  • the first opening 311 has a first opening area larger than the opening 380 of the nozzle 37.
  • the nozzle 37 When the nozzle 37 is cooled, the vaporized substance of the thin film material that passes through the nozzle 37 is cooled in the nozzle 37, which may cause the nozzle 37 to be clogged. For this reason, the 1st opening part 311 is provided so that the water cooling plate 31 and the nozzle 37 may not contact so that the nozzle 37 may not clog.
  • the planar shape of the first opening 311 has a longitudinal direction in the X-axis direction, which is the direction in which the plurality of nozzles 37 are arranged.
  • the first opening 311 is substantially oval or oval having a major axis along the X-axis direction and a minor axis along the Y-axis direction, but the shape is not limited to this. For example, it may be rectangular.
  • the container body 351 is heated by the heater 34 during film formation.
  • the position of the nozzle 37 connected to the container body 351 is deviated by several millimeters from the normal temperature along with the thermal expansion in the longitudinal direction (nozzle arrangement direction).
  • the first opening 311 is formed in consideration of the positional deviation amount of the nozzle 37.
  • the first opening 311 is in the longitudinal direction of the container body 351, which is the extension direction, so that the nozzle 37 is positioned in the first opening 311 even if the nozzle 37 is displaced due to thermal expansion. It has a shape having a longitudinal direction.
  • the amount of displacement of the nozzle 37 due to thermal expansion increases from the central portion to the end portion along the longitudinal direction (X-axis direction) of the evaporation source case 35. To go.
  • the position of the nozzle 374 located at the center of the evaporation source case 35 hardly changes even when the evaporation source case 35 expands and expands due to heating.
  • the positions of the nozzles 371 to 373 and 375 to 377 change with the thermal expansion of the evaporation source case 35 due to heating.
  • the nozzles 371 to 373 and 375 to 377 located closest to the both ends of the evaporation source case 35 have the largest change in position, and then the changes in the positions of the nozzles 372 and 376 are largest.
  • the change in the position of the nozzles 373 and 375 is the smallest.
  • the amount of displacement of the nozzle 37 due to heating during film formation varies depending on the position where the nozzle 37 is disposed.
  • the plurality of first openings 311 are formed so that the nozzles 37 are positioned in the first openings 311 even if a positional deviation occurs due to thermal expansion, taking into account the difference in positional deviation due to the arrangement of the nozzles 37. Is done.
  • FIG. 2 is a schematic top view of the evaporation source 3 at normal temperature.
  • the nozzle 374 located at the center of the evaporation source case 35 is located at a substantially central portion of the corresponding first opening 3114.
  • the nozzles 375 to 377 located on the right side in the drawing from the central portion of the evaporation source case 35 are located on the left side in the corresponding first openings 3115 to 3117.
  • the nozzles 371 to 373 located on the left side in the drawing from the central portion of the evaporation source case 35 are located on the right side in the corresponding first openings 3111 to 3113.
  • each of the nozzles 371 to 377 has a corresponding first.
  • the first openings 3111 to 3113 are arranged so as to be positioned at substantially the center of the openings 3111 to 3117.
  • the tip portion of the nozzle 37 and the upper surface 31a of the top surface portion 310 of the water cooling plate (first heat shielding plate) 31 are located on the same XY plane, but are not limited thereto.
  • the nozzle 37 may protrude from the upper surface 31 a through the first opening 311 from the water-cooled plate 31.
  • the reflector (third heat shielding plate) 32 is disposed so as to surround the heater 34 and the evaporation source case 35.
  • the reflector 32 is disposed between the water cooling plate 31 and the heater 34.
  • the top surface portion of the reflector 32 disposed to face the top surface portion 310 of the water-cooled plate 31 is disposed to face the top surface 352 of the container main body 35 so as to be separated from the top surface portion 352 and to be parallel to the XY plane.
  • the reflector 32 is configured by stacking three single reflectors 321, 322, and 323 separated from each other.
  • the reflector 32 is provided to reduce the radiant heat reaching the glass substrate 9 from the heater 34 and the evaporation source case 35 heated by the heater 34.
  • the amount of radiant heat reaching the water-cooled plate 31 can be reduced stepwise.
  • Aluminum, stainless steel, molybdenum, tantalum, or the like can be used for the reflector.
  • the water cooling plate 31 when silver is generated using silver as a thin film material, it is necessary to heat the silver to about 1100 ° C. If only the water cooling plate 31 is used as a heat shielding plate, the water flowing in the water cooling plate 31 boils. Therefore, the water-cooled plate 31 may not be able to exhibit a sufficient cooling function (heat shielding function).
  • the radiation heat from the evaporation source case 35 heated by the heater 34 and the heater 34 is, for example, 900 ° C. by the single reflector 321.
  • the temperature is decreased stepwise, such as 500 ° C. by the single reflector 322 and 300 ° C. by the single reflector 323, and when reaching the water cooling plate 31, the radiant heat is sufficiently reduced.
  • radiant heat can be reduced efficiently.
  • the reflector 32 has a plurality of third openings 324 through which the nozzles 37 provided corresponding to the nozzles 37 pass.
  • the third opening 324 has a third opening region that is larger than the opening 380 of the nozzle 37.
  • the third opening 324 is provided in consideration of the positional deviation amount of the nozzle 37 due to the thermal expansion of the container body 351.
  • the reflector 32 is provided with a third opening 324 so that the reflector 32 and the nozzle 37 do not contact with each other in order to prevent nozzle clogging.
  • the third opening 324 has a substantially elliptical or oval planar shape having a major axis along the X-axis direction and a minor axis along the Y-axis direction.
  • the length a in the longitudinal direction (X-axis direction) of the evaporation source 3 is about 30 cm to 3 m, for example, and the number of nozzles 37 and the evaporation source 3 depend on the size of the film formation target and the film formation pattern.
  • the length a in the longitudinal direction is determined.
  • the major axis c of the first opening 311 provided in the top surface part 310 of the water cooling plate 31 is 20 mm, and the minor axis e is 12 mm.
  • the outer diameter d of the nozzle 37 is 10 mm, and the pitch (the distance between the centers of adjacent nozzles) b of the nozzle 37 is 10 mm to 25 mm.
  • the number and arrangement position of the nozzles 37 can be arbitrarily set.
  • the nozzles 37 may be arranged so that the pitch of the nozzles 37 arranged at the end portion of the evaporation source 3 is dense, so that a uniform film can be formed on the substrate surface.
  • the number of nozzles 37 is set to seven and the nozzles 37 are illustrated and described so that the pitches of the nozzles 37 are equal.
  • the follower reflectors (second heat shielding plates) 331 to 337 are fixed to the nozzles 371 to 377 so as to correspond to the plurality of nozzles 371 to 377, respectively.
  • the tracking reflectors 331 to 337 are provided separately from each other.
  • the follower reflector 331 is the nozzle 371, the follower reflector 332 is the nozzle 372, the follower reflector 333 is the nozzle 373, the follower reflector 334 is the nozzle 374, the follower reflector 335 is the nozzle 375, the follower reflector 335 is the nozzle 375, and the follower reflector.
  • Reference numeral 336 is fixed to the nozzle 376, and the follower reflector 337 is fixed to the nozzle 377.
  • the tracking reflectors 331 to 337 are collectively referred to as the tracking reflector 33, and description will be made using reference numerals 331 to 337 as necessary.
  • the tracking reflector 33 Since the tracking reflector 33 is fixedly disposed on the nozzle 37, even if the position of the nozzle 37 varies due to thermal expansion of the container body 351, the position of the tracking reflector 33 varies following this.
  • the follow-up reflector 33 is disposed between the top surface portion 310 and the reflector 32 of the water-cooled plate 31 in the Z-axis direction and spaced apart from the top surface portion 310 and the reflector 32.
  • the tracking reflector 33 is disposed opposite to the top surface 352 so as to be opposed to the top surface 352.
  • the follower reflector 33 has a larger outer shape than the first opening region of the first opening 311 of the water-cooled plate 31.
  • the follower reflector 33 has a substantially rectangular plate shape whose horizontal length parallel to the X-axis direction is 40 mm and whose vertical length parallel to the Y-axis direction is 25 mm.
  • the plurality of follower reflectors 331 to 337 are arranged apart from each other on the same XY plane.
  • the distance between the adjacent follower reflectors 33 is 5 mm, for example.
  • the distance between the adjacent follower reflectors 33 is such that the adjacent follower reflectors do not come into contact with each other even if the position of the follower reflector 33 fluctuates following the position of the nozzle 37 due to the thermal expansion of the container body 351. Is set.
  • a second opening 330 through which the corresponding nozzle 37 penetrates is provided at a substantially central portion of the tracking reflector 33.
  • the second opening 330 has a substantially circular planar shape, and three protruding portions 38 protruding toward the center of the second opening 330 are formed at the opening end.
  • the three protrusions 38 are arranged at equal intervals.
  • the protruding portion 38 has an acute angle portion 38a, and the follower reflector 33 is fixedly disposed on the nozzle 37 by supporting the nozzle 37 at three points by the three acute angle portions 38a.
  • the follower reflector 33 is fixed to the nozzle 37 with three-point support, but the number of support points is not limited to three.
  • the same cylindrical nozzle 37 is taken as an example regardless of which XY plane the cross section cut in the direction perpendicular to the Z-axis direction is.
  • the present invention is not limited to this.
  • the outer shape in which the cross-sectional shape that is continuously cut in the direction perpendicular to the Z-axis direction in the Z-axis direction becomes larger may be a cylindrical shape having a tapered shape. Then, by forming the nozzle 37 having an outer shape such that the opening 380 for releasing the vaporized substance of the thin film material 36 to the outside of the evaporation source 3 is smaller than the opening on the side connected to the container body 351.
  • the tracking reflector 33 When assembling the second opening 330 of the tracking reflector 33 through the nozzle 37, the tracking reflector 33 can be easily positioned in the Z-axis direction.
  • the nozzle is attached so that its longitudinal direction is perpendicular to the top surface of the evaporation source case.
  • the nozzle may be attached obliquely to the top surface at an angle.
  • the first of the water-cooled plate 31 is projected.
  • the opening region (first opening 311) and the third opening region (third opening 324) of the reflector 32 substantially overlap each other.
  • the 1st opening part 311 and the 3rd opening part 324 are formed so that the nozzle 37 may be located inside the 1st opening area
  • the water-cooled plate 31, the reflector 32, and the follower reflector 33 are arranged so that the first opening region and the third opening region that overlap each other are positioned in the projection region of the rectangular outer shape of the follower reflector 33. .
  • the positional relationship that the first opening region and the third opening region are located within the projected region of the outer shape of the follower reflector 33 is such that the position of the nozzle 37 fluctuates due to thermal expansion of the container body 351 due to heating during film formation.
  • the tracking reflector 33 is arranged so as to be maintained even in the case.
  • the evaporation source case 35 is supported by the fixed support portion 391 and the movable support portion 392 on the bottom surface portion 313 of the cuboid water cooling plate 31.
  • the water-cooled plate has a rectangular parallelepiped shape, but the shape is not limited to this.
  • the film formation target in this embodiment, the glass substrate
  • the film is surrounded by the film formation target 9 and the heater 34. What is necessary is just to become a shape by which at least a water-cooling board is arrange
  • the fixed support portion 391 has a shape having a longitudinal direction in the Y-axis direction.
  • the fixed support portion 391 is disposed in the center of the evaporation source case 35 between the bottom surface of the evaporation source case 35 and the bottom surface portion 313 of the water cooling plate 31.
  • a part of the bottom surface of the evaporation source case 35 is installed and fixed to the bottom surface portion 313 of the water cooling plate 31 by the fixed support portion 391.
  • the fixed support portion 391 is disposed in the central portion of the evaporation source case 35 where displacement due to expansion hardly occurs even if thermal expansion of the container main body 351 occurs due to heating during film formation.
  • the movable support portion 392 is disposed between the bottom surface of the evaporation source case 35 and the bottom surface portion 313 of the water cooling plate 31.
  • the movable support portions 392 are arranged opposite to each other in the vicinity of both end portions in the longitudinal direction of the evaporation source case 35 with the fixed support portion 391 as a boundary.
  • the movable support portion 392 is installed and fixed on the bottom surface of the evaporation source case 35 and is configured to be movable on the bottom surface portion 313 of the water cooling plate 31.
  • the movable support portion 392 is provided so as to be movable in the X-axis direction according to the amount of expansion in the X-axis direction of the container body 351 due to the thermal expansion of the container body 351 due to the heating of the heater 34.
  • a pipe roller having a major axis direction in the Y-axis direction can be used as the movable support portion 392.
  • the pipe roller can be rotatably installed on the bottom surface of the evaporation source case 35, and the pipe roller can be configured to move along the X-axis direction on the bottom surface portion 313 of the water cooling plate 31.
  • the evaporation source case 35 is supported on the bottom surface portion 313 of the water-cooled plate 31 via the fixed support portion 391 and the movable support portion 392.
  • the fixed support portion 391 and the movable support portion 392 are provided with their heights adjusted so that the evaporation source case 35 is held horizontally.
  • the movable support portion 392 becomes X in accordance with the expansion. Since the container slides in the axial direction, the container body 351 is not distorted.
  • the evaporation source case 35 when the bottom surface of the evaporation source case 35 is installed and fixed so that the evaporation source case 35 does not move due to thermal expansion during heating, the evaporation source case is distorted by the amount of expansion due to thermal expansion. As a result, the smoothness of the inner bottom surface of the evaporation source case is lost, the evaporation of the thin film material becomes non-uniform in the surface, and the film thickness of the formed thin film varies.
  • the evaporation source case 35 is supported by the water-cooled plate 31 by the fixed support portion 391 and the movable support portion 392, even if the container main body 351 is extended by thermal expansion, it is in accordance with the extension amount. Since the evaporation source case 35 is configured to be movable in the X-axis direction by the movable support portion 392, the evaporation source case 35 is not distorted. Therefore, a thin film having a uniform in-plane thickness can be formed.
  • the movable support portion 392 is installed and fixed to the evaporation source case 35 so that the movable support portion 392 can move on the inner bottom surface portion of the rectangular water cooling plate 31. It is not limited to.
  • the movable support portion 392 may be installed and fixed on the bottom surface portion 313 of the water cooling plate 31 without being installed and fixed on the evaporation source case 35, and the evaporation source case 35 may be supported by the movable support portion 392.
  • the container main body 351 expands due to thermal expansion, the expansion of the container main body 351 is not hindered by the rotation of the movable support portion 392, and the evaporation source case 35 is not distorted.
  • a thin film having a thickness can be formed.
  • FIGS. 5 and 7 correspond to partially enlarged views of the vicinity of the nozzle 37 surrounded by a dotted line A in FIG.
  • FIG. 5 is a partial view of the evaporation source 3 according to the present embodiment in which the tracking reflector 33 is provided.
  • FIG. 5 is a partially enlarged top view showing a state before and after heating near the nozzle of the evaporation source 3 and a cross-sectional view corresponding thereto.
  • FIG. 7A and 7B are partial views of the evaporation source 203 according to the comparative example in which the tracking reflector 33 is not provided.
  • FIG. 7A is a partially enlarged top view showing a state before and after heating in the vicinity of the nozzle, and a cross-sectional view corresponding thereto.
  • FIG. 7B shows the state of radiant heat B radiated from the evaporation source during heating. 7, the same code
  • nozzles 375 and 376 are positioned on the left side of the respective first elliptical openings 3115 and 3116, respectively.
  • the container main body 351 expands in the longitudinal direction due to heating during film formation and expands in the longitudinal direction, and the positions of the nozzles 375 and 376 fluctuate accordingly, the central portions of the first openings 3115 and 3116 respectively.
  • Nozzles 375 and 376 are located respectively.
  • the radiant heat B from the heater 34 and the evaporation source case 35 heated by the heater 34 is provided in the first opening 311 and the reflector 32 provided in the top surface portion 310 of the water cooling plate 31.
  • the third opening 324 which is radiated out of the evaporation source 203.
  • the radiant heat B radiated out of the evaporation source 203 reaches the glass substrate 9 and heats the glass substrate 9.
  • the vaporized material of the thin film material that has reached the glass substrate 9 does not move around the glass substrate 9 and does not adhere properly, and re-evaporates to form a film properly. Absent.
  • the metal mask expands due to radiant heat, resulting in a displacement of the film formation pattern.
  • the positional deviation of the film formation pattern is large in display characteristics when the glass substrate 9 is a substrate constituting a display device, for example. It will have an effect.
  • the follow reflector 33 can change its position following the change of the position of the nozzle 37 due to heating during film formation.
  • the evaporation device 35 expands due to heating during film formation and the position of the nozzle 37 fluctuates, when the water cooling plate 31, the reflector 32, and the follower reflector 33 are projected onto the top surface 352, the first opening region Since the third opening region is configured to be located within the projected region of the outer shape of the follower reflector 33, the follower reflector 33 can reduce the radiant heat in the same manner as when thermal expansion has not occurred.
  • the follower reflector 33 is provided separately for each nozzle 37. Therefore, the movement of the nozzle 37 is not hindered.
  • the radiant heat from the evaporation source case 35 heated by the heater 34 and the heater 34 toward the glass substrate 9 can be shielded or reduced.
  • the heating of the glass substrate 9 is suppressed, the vaporized substance of the thin film material 36 can be adhered on the glass substrate 9, and film formation can be performed efficiently.
  • highly accurate pattern deposition can be performed.
  • the nozzle 37 discharges vapor (vaporized material) of the thin film material.
  • vapor vaporized material
  • the follower reflector 33 having a heat shielding function to follow the movement of the nozzle 37 is fixed to the nozzle 37, it is desirable that the nozzle 37 is not cooled as much as possible.
  • the follower reflector 33 is disposed on the nozzle 37. It is configured to be fixed by point contact. By fixing by making point contact in this way, the contact area between the nozzle 37 and the follower reflector 33 can be reduced, thereby inhibiting the heat conduction from the nozzle 37 to the follower reflector 33, and by the follower reflector 33. Cooling of the nozzle 37 can be suppressed.
  • the tracking reflector 33 is desirably formed of a material having a low emissivity, for example, 0.1 or less.
  • a material having a low emissivity for example, 0.1 or less.
  • the tracking reflector 33 with a material having a low thermal conductivity, for example, 10 w / m ⁇ k or less, and cooling of the nozzle 37 can be further suppressed.
  • a metal having a low emissivity such as an alloy
  • inorganic substances such as Al 2 O 3 (alumina), BN (boron nitride), PBN (Pyrolytic Boron Nitride, boron nitride produced by low pressure thermal decomposition CVD (Chemical Vapor deposition)), SiO 2 (silicon dioxide), inorganic A fiber heat insulating material etc. can be used.
  • PBN with an emissivity of 0.4 or Inconel (registered trademark) with an emissivity of 0.15 was used. Further, in order to reduce the emissivity, the surface roughness of the surface of the follower reflector 33 may be reduced to a mirror state.
  • the amount of radiant heat can be reduced as compared with the case where the follower reflector 33 is not provided. Therefore, the radiant heat radiated from the evaporation source 3 can be reduced.
  • the follower reflector 33 is provided for each nozzle 37, and the follower reflector 33 follows the change in the position of the nozzle 37. Therefore, the evaporation source case 35 expands during film formation and the amount of positional deviation of each nozzle 37 differs. Even if the position fluctuates, the follow-up reflector 33 can reduce the amount of radiant heat without changing from that before thermal expansion.
  • the tracking reflector 33 is fixed to the nozzle 37 by point contact, and the contact area between the tracking reflector 33 and the nozzle 37 is reduced to suppress the cooling of the nozzle 37.
  • the invention is not limited to this.
  • a ring-shaped gap member having a low thermal conductivity may be provided between the follower reflector 33 and the nozzle 37 to suppress the cooling of the nozzle 37.
  • FIG. 6 is a partially enlarged view in the vicinity of the nozzle of the evaporation source 103 according to the second embodiment.
  • FIG. 6A is a partially enlarged perspective view of the evaporation source 103 in the vicinity of the nozzle of the evaporation source 103 as seen from the upper oblique direction.
  • FIG. 6B is a partial enlarged cross-sectional view of the evaporation source 103.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the first embodiment differs from the second embodiment in that the shape of the opening of the tracking reflector is different, and in the second embodiment, a gap member is provided.
  • the second heat is separated from the top surface portion 310 and the reflector 32 between the top surface portion 310 and the reflector 32 of the water cooling plate 31 along the Z-axis direction.
  • a follower reflector 1033 is provided as a shielding plate. Further, a ring-shaped gap member 1038 is provided between the follower reflector 1033 and the nozzle 37. Also in the second embodiment, the tracking reflector 1033 is individually arranged for each nozzle 37 as in the first embodiment.
  • the follower reflector 1033 has a rectangular outer shape like the follower reflector 33 in the first embodiment.
  • the tracking reflector 1033 has a second opening 1330 at a substantially central portion thereof.
  • the second opening 1330 has a substantially circular shape on the XY plane.
  • the outer shape of the nozzle 37 is located within the projection area of the second opening 1330, and the second shape and the second shape of the nozzle 37 are the same.
  • the opening 1330 overlaps concentrically.
  • a ring-shaped gap member 1038 is positioned so as to fill the gap between the outer shape of the nozzle 37 and the second opening 1330.
  • the tracking reflector 1033 is fixedly disposed on the nozzle 37 via the gap member 1038. As the tracking reflector 1033 is fixed to the nozzle 37 in this way, the position of the tracking reflector 1033 also changes following the change in the position of the nozzle 37. By providing the follower reflector 1033, the amount of radiant heat from the water cooling plate 31 and the reflector 32 to the glass substrate 9 from the heater 34 and the evaporation source case 35 heated by the heater 34 can be reduced.
  • the tracking reflector 1033 is desirably formed of a material having a low emissivity, and the same material as the tracking reflector 33 described in the first embodiment can be used.
  • a material having a low thermal conductivity for the gap member 1038.
  • a material having a thermal conductivity of 30 w / m ⁇ k or less is preferably used.
  • a specific material alumina, silicon nitride, zirconia, or the like can be used.
  • the cooling of the nozzle 37 by the tracking reflector 1033 can be suppressed, and the selection range of the material used for the tracking reflector 1033 can be expanded.
  • a gap member made of a material having low thermal conductivity is provided between the protrusion 38 and the nozzle 37. It is good also as a structure.
  • the follower reflector 33 supports the nozzle 37 at three points and is fixed to the nozzle 37, and supports the point 37 to suppress the cooling of the nozzle 37, but is not limited thereto.
  • the size of the second opening provided in the follower reflector and the outer shape of the nozzle 37 are made substantially equal, and the nozzle 37 is passed through the second opening provided in the follower reflector so that the follower reflector and the nozzle 37 are second.
  • the follower reflector may be fixed to the nozzle 37 by making contact with the side surface of the opening.
  • the tracking reflector in order to shield the radiant heat and suppress the cooling of the nozzle 37 by the tracking reflector, has a low thermal conductivity, for example, 30 w / m ⁇ k or less, and further has an emissivity.
  • PBN having an emissivity of 0.4
  • Inconel registered trademark having an emissivity of 0.15 can be used.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to the formation of an organic film such as a color filter.
  • one follower reflector is provided in the nozzle which has one opening part (vaporization substance discharge port), it is not limited to this.
  • one follower reflector may be provided for one nozzle having a plurality of openings (vaporizer discharge ports) arranged side by side.
  • one tracking reflector can be provided for one nozzle having four openings arranged side by side.
  • the nozzle having a plurality of openings includes a form of a nozzle group in which a plurality of nozzles 37 each having one opening 380 having the structure shown in the above embodiment are grouped.

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Abstract

蒸発源は、蒸発源容器と加熱装置と第１の熱遮蔽板と第２の熱遮蔽板とを具備する。蒸発源容器は、天面を有し薄膜材料を収容する容器本体と、容器本体と連結し天面から突出して一軸方向に配置され、薄膜材料の気化物質を放出する開口部を有する複数のノズルとを備える。加熱装置は容器本体を加熱する。第１の熱遮蔽板は、天面と離間して対向配置され、複数のノズル毎に対応して設けられた記ノズルが貫通するノズルの開口部よりも大きい第１の開口領域を有する複数の第１の開口部を備える。第２の熱遮蔽板は、容器本体と第１の熱遮蔽板との間に複数のノズル各々に固定されて天面と離間して対向配置され、第１の開口領域よりも大きい外形を有しノズルが貫通する第２の開口部を有する。

Description

蒸発源及び成膜装置
　本発明は、薄膜材料を気化させ気化物質を放出する蒸発源及びこれを備えた成膜装置に関する。
　例えば有機ＥＬ表示装置といった電子デバイス等に用いられる薄膜の成膜には、薄膜材料を加熱して気化させ、その薄膜材料の気化物質（蒸気）をガラス基板等の成膜対象物に付着させる真空蒸着装置が用いられている。近年、成膜対象物の大型化に対応可能な蒸発源として、薄膜材料の気化物質を放出するノズルが複数一列に配置されたリニアソースが提案されている（例えば特許文献１参照）。このような蒸発源には、薄膜材料を加熱するために発生する輻射熱が蒸発源の外部へ放射されないようにリフレクタといった熱遮蔽部材が設けられている。
　リニアソース型の蒸発源は、薄膜材料を収容する蒸発源容器に複数のノズルが一列に配置されて接続されて構成され、細長い直方体形状を有する。成膜対象物はリニア蒸発源のノズルが配置される面に対向配置され、ヒータ等の加熱装置により加熱されてなる薄膜材料の気化物質をノズルから放出させ、成膜対象物に付着させることにより成膜が行われる。熱遮蔽部材は、成膜対象物と蒸発容器との間に配置されるが、ノズル付近には熱遮蔽部材は配置されていない。
特開２０１２－１４６６５８号公報
　上記のような構成の蒸発源においては、ヒータやヒータによって加熱された蒸発源からの輻射熱が、熱遮蔽部材が配置されないノズル付近を通って、蒸発源の外に放射され、成膜対象物に到達し、成膜対象物の温度が高くなってしまう。成膜対象物の温度が高いと、成膜対象物に到達した薄膜材料の気化物質が成膜対象物上を動き回りうまく付着せず、また、再蒸発をして成膜がうまく行われないという問題がある。また、成膜対象物上にメタルマスクを介して薄膜を成膜する場合では、メタルマスクが輻射熱により膨張し、所望のパターンの薄膜が得られないという問題がある。特にメタルマスクを用いて高精細パターンの薄膜を形成する場合には、このメタルマスクの膨張による成膜パターンの位置ずれにより、例えば成膜対象物が表示装置を構成する基板である場合には、表示特性に大きな影響を及ぼしてしまう。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、蒸発源から放射される輻射熱を減少させることができる蒸発源及びこれを備えた成膜装置を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る蒸発源は、蒸発源容器と、加熱装置と、第１の熱遮蔽板と、第２の熱遮蔽板とを具備する。
　上記蒸発源容器は、天面を有し薄膜材料を収容する容器本体と、上記容器本体と連結し上記天面から突出して一軸方向に配置され、上記薄膜材料の気化物質を放出する開口部を有する複数のノズルとを備える。
　上記加熱装置は、上記容器本体を加熱する。
　上記第１の熱遮蔽板は、上記天面と離間して対向配置され、複数の上記ノズル毎に対応して設けられた上記ノズルが貫通する上記ノズルの開口部よりも大きい第１の開口領域を有する複数の第１の開口部を備える。
　上記第２の熱遮蔽板は、上記容器本体と上記第１の熱遮蔽板との間に複数の上記ノズル各々に固定されて上記天面と離間して対向配置され、上記第１の開口領域よりも大きい外形を有し上記ノズルが貫通する第２の開口部を有する。
　本発明のこのような構成によれば、第２の熱遮蔽板は第１の熱遮蔽板の第１の開口部に対応して第１の開口領域よりも大きい外形を有するように構成されるので、加熱装置による加熱で生じる輻射熱のうち第１の開口部を通って第１の熱遮蔽板により遮蔽できなかった輻射熱を第２の熱遮蔽板により減少させることができる。これにより蒸発源から放射される輻射熱が減少される。したがって、薄膜材料が成膜される成膜対象物の、蒸発源からの輻射熱による加熱が抑制され、良好な成膜を行うことができる。また、メタルマスクを介して成膜する場合においては、メタルマスクの加熱による膨張を抑制することができ、高精細パターンの成膜が可能となる。
　上記第２の熱遮蔽板は、上記ノズルに点接触で固定されてもよい。
　このような構成によれば、ノズルと第２の熱遮蔽板との接触面積を小さくすることができるので、第２の熱遮蔽板によるノズルの冷却を抑制することができる。これにより、ノズル内を通過する薄膜材料の気化物質の冷却が抑制されノズル詰まりを防止することができる。
　上記第１の開口部は、上記一軸方向に長手方向を有する形状であってもよい。
　このような構成によれば、加熱装置の加熱により容器本体が膨張し、容器本体が一軸方向に伸張するのに伴って容器本体に連結するノズルの位置ずれが生じても、常に第１の開口部内にノズルが位置するように構成することができる。
　上記蒸発源容器と上記第２の熱遮蔽板との間に上記天面と対向して配置され、複数の上記ノズル毎に対応して設けられた各上記ノズルが貫通する上記ノズルの開口部よりも大きい第３の開口領域を有する複数の第３の開口部を備える第３の熱遮蔽板を
　更に具備してもよい。
　このように、第３の熱遮蔽板を設けることにより、効率よく輻射熱を減少させることができる。
　上記第１の熱遮蔽板は、上記第１の開口部を有する天面部と上記天面部と対向する底面部を有する上記蒸発源容器を取り囲む形状の外形を有し、上記容器本体は、上記加熱装置の加熱による上記容器本体の熱膨張による上記容器本体の上記一軸方向における伸張量に応じて上記一軸方向に移動可能に上記底面部に支持されてもよい。
　このような構成によれば、熱膨張により容器本体が伸張しても、この伸張量に応じて可動支持部により蒸発源容器が一軸方向に移動するので、容器本体に歪みが生じない。これにより蒸発源から放出される薄膜材料の気化物質の放出量を面内均一にすることができる。このような蒸発源を用いた成膜では、面内均一の膜厚の薄膜が成膜可能となる。
　本発明の一形態に係る成膜装置は、収容部と、蒸発源を具備する。
　上記収容部は、成膜対象物を収容可能である。
　上記蒸発源は、天面を有し薄膜材料を収容する容器本体と、上記容器本体と連結し上記天面から突出して一軸方向に配置され、上記薄膜材料の気化物質を上記成膜対象物に向かって放出する開口部を有する複数のノズルとを備える蒸発源容器と、上記容器本体を加熱する加熱装置と、上記天面と離間して対向配置され、複数の上記ノズル毎に対応して設けられた各上記ノズルが貫通する上記ノズルの開口部よりも大きい第１の開口領域を有する複数の第１の開口部を備える第１の熱遮蔽板と、上記容器本体と上記第１の熱遮蔽板との間に複数の上記ノズル各々に固定されて上記天面と離間して対向配置され、上記第１の開口領域よりも大きい外形を有し上記ノズルが貫通する第２の開口部を有する第２の熱遮蔽板とを備える。
　以上述べたように、本発明によれば、蒸発源から放射される輻射熱を減少させることができる蒸発源及び成膜装置を得ることができる。
本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の模式断面図である。 上記成膜装置に設けられる蒸発源の模式上面図である。 上記蒸発源のノズル付近の部分拡大斜視図である。 図３に示す上記蒸発源の、水冷板の底面部から天面部にむかう方向からみたノズル付近の部分拡大斜視図である。 上記蒸発源におけるノズル付近の加熱前後の様子を示す部分上面図及びそれに対応する断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る蒸発源のノズル付近の部分拡大斜視図及び部分拡大断面図である。 従来の蒸発源におけるノズル付近の加熱前後の様子を示す部分上面図及びそれに対応する断面図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお各図においてＸ軸およびＹ軸方向は相互に直交する水平方向を示し、Ｚ軸方向はこれらに直交する高さ方向を示している。
（第１の実施形態）
［成膜装置の構成］
　図１は、本発明の一実施形態に係る成膜装置の模式断面図である。
　成膜装置１は、収容部としての真空槽２と、真空槽２の内部の底面側に配置されたリニアソース型の蒸発源３と、成膜対象物を保持する保持部としての基板ホルダ８と、真空排気系７と、膜厚センサ６と、温度測定センサ１０と、コントローラ４と、電源５を具備する。
　真空槽２は、成膜対象物としてのガラス基板９を収容する。
　基板ホルダ８は、真空槽２の内部の天面側に配置される。基板ホルダ８は成膜対象物としてのガラス基板９を成膜すべき面（成膜対象面）９ａを下方に向けて保持する。リニアソース型の蒸発源３は、Ｘ軸方向に長手方向を有する略直方体形状の外形を有する。基板ホルダ８は、蒸発源３の長手方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）に移動可能に構成される。
　蒸発源３は、薄膜材料（蒸発材料）３６を収容し、該薄膜材料３６を加熱して気化させ、薄膜材料３６の気化物質（蒸気）を放出する。蒸発源３の詳細については後述する。
　真空排気系７は真空槽２に接続される。真空排気系７は、真空槽２の内部を真空排気し、成膜に適した真空雰囲気を形成する。
　成膜装置１では、真空槽２の真空雰囲気を維持し、ガラス基板９を基板ホルダ８により保持した状態で移動させながら、蒸発源３から薄膜材料３６の気化物質を放出させ、ガラス基板９の成膜対象面９ａ上に気化物質を付着させてガラス基板９上に所望の薄膜を成膜する。
　尚、本実施形態では、ガラス基板９を移動可能な構成としたが、ガラス基板９の位置を固定し、蒸発源３をＹ軸方向に移動可能に構成してもよい。また、ガラス基板９又は蒸発源３を移動させることなく、ガラス基板９及び蒸発源３を固定した状態で成膜してもよい。また、本実施形態では成膜対象物としてガラス基板を例にあげて説明するが、これに限定されず、可撓性のフィルム基材などが用いられてもよい。
　温度測定センサ１０は、コントローラ４に接続され、後述する蒸発源３の蒸発源ケース３５の温度を測定する。
　膜厚センサ６は、蒸発源３からの蒸気（気化物質）の量を測定し、ガラス基板９上に成膜される薄膜の厚さ（あるいは成膜レート）を制御する。膜厚センサ６は、蒸発源３から放出される薄膜材料の気化物質がガラス基板９に到達するのを妨げないように配置される。膜厚センサ６の出力はコントローラ４へ入力される。
　コントローラ４は、膜厚センサ６及び温度測定センサ１０の測定結果に基づいて、後述する蒸発源３に設けられる加熱装置としてのヒータ３４に供給される電力の量を調整し、蒸発源容器としての蒸発源ケース３５を所望の温度にし、放出される蒸気（気化物質）の量あるいは成膜レートが所望の値となるように制御する。
　次に蒸発源３について説明する。
［蒸発源の構成］
　図１～図４を用いて蒸発源３について説明する。
　図２は蒸発源３の模式上面図である。図３は蒸発源３のノズル付近の部分拡大斜視図である。図４Ａは、図３における蒸発源３のノズル付近の斜視図であり、後述する水冷板３１の底面部３１３から天面部３１０にむかう方向からみた部分拡大斜視図である。図４Ｂは図４Ａを更に拡大した斜視図である。
　図１に示すように、リニアソース型の蒸発源である蒸発源３は、蒸発源容器としての蒸発源ケース３５と、加熱装置としてのヒータ３４と、第１の熱遮蔽板としての水冷板３１と、第２の熱遮蔽板としての追従リフレクタ３３と、第３の熱遮蔽板としてのリフレクタ３２と、固定支持部３９１と、可動支持部３９２を有する。
　ヒータ３４は蒸発源ケース３５を加熱する。蒸発源ケース３５内に収容される薄膜材料３６は、ヒータ３４により加熱されて薄膜材料３６の気化物質となる。ヒータ３４は、蒸発源ケース３５全体を取り囲むように、蒸発源ケース３５とリフレクタ３２との間に配置される。ヒータ３４は、典型的には、抵抗加熱線で構成されるが、誘導加熱コイルで構成されてもよい。
　蒸発源ケース３５は、容器本体３５１と複数のノズル３７とを有する。
　容器本体３５１は、天面３５２を有し、薄膜材料３６を収容する。容器本体３５１は直方体の外形を有し、その天面３５２はＸＹ平面と平行な面である。天面３５２とガラス基板９の成膜対象面９ａとが離間してＺ軸方向に対向配置されるように、蒸発源ケース３５及び基板ホルダ８は設けられる。容器本体３５１は、金属、グラファイト等の熱導電性の高い材料からなる。
　複数のノズル３７１～３７７は、容器本体３５１の天面３５２から突出して容器本体３５１と連結して配置される。複数のノズル３７１～３７７は、一軸方向（図面Ｘ軸方向）に一列配置される。図２上、左から右に向かって順にノズル３７１、ノズル３７２、ノズル３７３、ノズル３７４、ノズル３７５、ノズル３７６、ノズル３７７が配置される。ノズル３７１～３７７を一括してノズル３７と称し、必要に応じて３７１～３７７の符号を用いて説明する。
　ノズル３７は、薄膜材料３６の気化物質を放出する開口部（気化物質放出口）３８０を有する。容器本体３５１内で生成された薄膜材料３６の蒸気は開口部３８０から蒸発源３の外部となる真空槽２内へ放出される。
　複数のノズル３７１～３７７は共通の容器本体３５１に連結される。ノズル３７には、タンタル、モリブデン、カーボンといった材料を用いることができる。容器本体３５１は、ノズル３７が配列されるＸ軸方向に長手方向を持つ細長い直方体形状を有する。また、ノズル３７はＺ軸方向に垂直な断面が略円形を有する円筒状を有しているが、ノズル３７の形状はこれに限定されない。
　水冷板（第１の熱遮蔽板）３１は水冷冷却を行う熱遮蔽機能を有するものである。水冷板３１は、内部に水が流れる水冷管等の水路が設けられている。水冷板３１は、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からガラス基板９に放射される輻射熱を吸収し減少させるために設けられている。
　水冷板３１は、天面部３１０と該天面部３１０と対向する底面部３１３と側面部３１４を有する直方体形状の外形を有し、水冷板３１が蒸発源３の外形を構成する。水冷板３１は、蒸発源ケース３５、ヒータ３４、リフレクタ３２及び追従リフレクタ３３を取り囲むように配置される。水冷板３１の天面部３１０は、ＸＹ平面と略平行に配置され、蒸発源ケース３５の容器本体３５１の天面３５２と離間して対向配置される。
　水冷板（第１の熱遮蔽板）３１の天面部３１０には、複数の第１の開口部３１１１～３１１７が設けられている。第１の開口部３１１１はノズル３７１に、第１の開口部３１１２はノズル３７２に、第１の開口部３１１３はノズル３７３に、第１の開口部３１１４はノズル３７４に、第１の開口部３１１５はノズル３７５に、第１の開口部３１１６はノズル３７６に、第１の開口部３１１７はノズル３７７に、それぞれ対応して設けられる。以下、第１の開口部３１１１～３１１７を一括して第１の開口部３１１と称し、必要に応じて３１１１～３１１７の符号を用いて説明する。
　第１の開口部３１１は対応するノズル３７が貫通するように、ノズル３７毎に設けられる。第１の開口部３１１はノズル３７の開口部３８０よりも大きい第１の開口領域を有する。
　ノズル３７が冷却されるとノズル３７内を通過する薄膜材料の気化物質がノズル３７内で冷却され、それが要因となってノズル３７が詰まってしまう場合がある。このため、ノズル３７が詰まらないように、水冷板３１とノズル３７とが接触しないように第１の開口部３１１は設けられる。
　第１の開口部３１１の平面形状は、複数のノズル３７が配列される方向であるＸ軸方向に長手方向を有する。本実施形態においては、第１の開口部３１１は、Ｘ軸方向に沿った長軸とＹ軸方向に沿った短軸を有する略楕円又は長円形状であるが、形状はこれに限定されず、例えば矩形状であってもよい。
　複数のノズル３７が一軸方向に共通の容器本体３５１に配置される構造を有する、細長い直方体形状を有するリニアソース型の蒸発源３では、成膜時のヒータ３４による加熱により、容器本体３５１がその長手方向（ノズルの配列方向）に熱膨張して伸張し、これに伴い容器本体３５１に連結するノズル３７の位置が常温の時から数ｍｍずれる場合がある。第１の開口部３１１は、このノズル３７の位置ずれ量を加味して形成される。すなわち、熱膨張によりノズル３７の位置ずれが生じても第１の開口部３１１内にノズル３７が位置するように、第１の開口部３１１は、伸張方向である容器本体３５１の長手方向に、長手方向を有する形状を有している。
　また、加熱により膨張する容器本体３５１では、その中央部から、蒸発源ケース３５の長手方向（Ｘ軸方向）に沿って、端部にいくほど熱膨張に伴うノズル３７の位置ずれ量が大きくなっていく。
　具体的には、蒸発源ケース３５の中央部に位置するノズル３７４は、加熱によって蒸発源ケース３５が熱膨張し伸張しても、加熱前の時と位置がほとんど変化しない。これに対し、ノズル３７１～３７３及び３７５～３７７は加熱による蒸発源ケース３５の熱膨張に伴って位置が変化する。これらのノズル３７１～３７３及び３７５～３７７のうち、蒸発源ケース３５の両端部に最も近く位置するノズル３７１及び３７７が最も位置の変化が大きく、その次にノズル３７２及び３７６の位置の変化が大きく、ノズル３７３及び３７５の位置の変化が最も小さくなる。
　このように、ノズル３７が配置される位置によって成膜時の加熱によるノズル３７の位置ずれ量は異なる。複数の第１の開口部３１１は、ノズル３７の配置による位置ずれ量の違いを加味して、熱膨張によって位置ずれが生じてもノズル３７が第１の開口部３１１内に位置するように形成される。
　図２は常温時における蒸発源３の模式上面図である。図２に示すように、成膜前の蒸発源３では、蒸発源ケース３５の中央に位置するノズル３７４は、対応する第１の開口部３１１４の略中央部に位置する。一方、蒸発源ケース３５の中央部から図上右側に位置するノズル３７５～３７７は、対応する第１の開口部３１１５～３１１７内の左寄りに位置する。他方、蒸発源ケース３５の中央部から図上左側に位置するノズル３７１～３７３は、対応する第１の開口部３１１１～３１１３内の右寄りに位置する。
　成膜時、蒸発源容器３が加熱され、蒸発源ケース３５が熱膨張して伸張し、これに伴いノズル３７の位置の変化が生じた際、各ノズル３７１～３７７は、対応する第１の開口部３１１１～３１１７の略中央部に位置するように、第１の開口部３１１１～３１１３は配置される。
　本実施形態においては、ノズル３７の先端部と、水冷板（第１の熱遮蔽板）３１の天面部３１０の上面３１ａとは、同一ＸＹ平面上に位置するが、これに限定されない。例えば、ノズル３７は水冷板３１から第１の開口部３１１を通って上面３１ａから突出してもよい。
　リフレクタ（第３の熱遮蔽板）３２は、ヒータ３４及び蒸発源ケース３５を取り囲むように配置される。リフレクタ３２は水冷板３１とヒータ３４との間に配置される。水冷板３１の天面部３１０と対向配置されるリフレクタ３２の天面部分は、容器本体３５の天面３５２と離間して対向配置され、ＸＹ平面と平行に配置される。
　リフレクタ３２は、３枚の単体リフレクタ３２１、３２２、３２３が互いに離間して積層されて構成される。リフレクタ３２は、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からガラス基板９に到達する輻射熱を減少させるために設けられる。複数枚の単体リフレクタ３２１～３２３を設けることにより、水冷板３１に到達する輻射熱の熱量を段階的に減少させることができる。リフレクタにはアルミニウム、ステンレス、モリブデン、タンタル等を用いることができる。
　例えば、薄膜材料として銀を用いて銀の蒸気を生成する場合、銀を１１００℃程度に加熱する必要があり、水冷板３１のみを熱遮蔽板として用いると水冷板３１内を流れる水が沸騰してしまい、水冷板３１は十分な冷却機能（熱遮蔽機能）を発揮することができない場合がある。
　これに対し、水冷板３１と蒸発源ケース３５との間にリフレクタ３２を配置することにより、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からの輻射熱は、例えば単体リフレクタ３２１により９００℃、単体リフレクタ３２２により５００℃、単体リフレクタ３２３により３００℃というように段階的に減少され、水冷板３１に到達するときには、輻射熱は十分減少される。このように複数の熱遮蔽手段を用いることにより効率的に輻射熱を減少させることができる。
　リフレクタ３２は、ノズル３７毎に対応して設けられたノズル３７が貫通する複数の第３の開口部３２４を有する。第３の開口部３２４は、ノズル３７の開口部３８０よりも大きい第３の開口領域を有する。第３の開口部３２４は、水冷板３１の第１の開口部３１１と同様に、容器本体３５１の熱膨張によるノズル３７の位置ずれ量が加味されて設けられる。水冷板３１と同様に、リフレクタ３２は、ノズル詰まりを防止するために、リフレクタ３２とノズル３７とが接触しないように第３の開口部３２４は設けられる。第３の開口部３２４は、Ｘ軸方向に沿った長軸とＹ軸方向に沿った短軸を有する略楕円又は長円形の平面形状を有する。
　図２に示すように、蒸発源３の長手方向（Ｘ軸方向）の長さａは、例えば３０ｃｍ～３ｍほどあり、成膜対象物の大きさや成膜パターンによってノズル３７の数及び蒸発源３の長手方向の長さａが決定する。
　水冷板３１の天面部３１０に設けられる第１の開口部３１１の長径ｃは２０ｍｍ、短径ｅは１２ｍｍである。ノズル３７の外径ｄは１０ｍｍであり、ノズル３７のピッチ（隣り合うノズルの中心間距離）ｂは１０ｍｍ～２５ｍｍである。
　ノズル３７の数及び配置位置は任意に設定可能である。例えばノズル３７は、蒸発源３の端部に配置されるノズル３７のピッチが密となるように配置してもよく、これにより基板面内で均一な膜を成膜することができる。尚、本実施形態においては、便宜上、ノズル３７の数を７つとし、ノズル３７のピッチが均等となるように図示を行い説明している。
　図１～図４に示すように、追従リフレクタ（第２の熱遮蔽板）３３１～３３７は、複数のノズル３７１～３７７にそれぞれ対応してノズル３７１～３７７に固定されて配置される。追従リフレクタ３３１～３３７は、互いに分離して個別に設けられる。
　追従リフレクタ３３１はノズル３７１に、追従リフレクタ３３２はノズル３７２に、追従リフレクタ３３３はノズル３７３に、追従リフレクタ３３４はノズル３７４に、追従リフレクタ３３５はノズル３７５に、追従リフレクタ３３５はノズル３７５に、追従リフレクタ３３６はノズル３７６に、追従リフレクタ３３７はノズル３７７に固定される。
　以下、追従リフレクタ３３１～３３７を一括して追従リフレクタ３３と称し、必要に応じて３３１～３３７の符号を用いて説明する。
　追従リフレクタ３３はノズル３７に固定配置されているので、容器本体３５１の熱膨張によりノズル３７の位置が変動しても、これに追従して追従リフレクタ３３の位置は変動する。
　追従リフレクタ３３は、Ｚ軸方向において水冷板３１の天面部３１０とリフレクタ３２との間に、天面部３１０及びリフレクタ３２それぞれと離間して配置される。追従リフレクタ３３は、天面３５２と離間して対向配置される。
　追従リフレクタ３３は、水冷板３１の第１の開口部３１１の第１の開口領域よりも大きい外形を有する。追従リフレクタ３３は、Ｘ軸方向に平行する横の長さが４０ｍｍ、Ｙ軸方向に平行する縦の長さが２５ｍｍの略矩形の板状を有する。複数の追従リフレクタ３３１～３３７は同一のＸＹ平面上で互いに離間して配置される。隣り合う追従リフレクタ３３間の距離は例えば５ｍｍである。容器本体３５１の熱膨張によりノズル３７の位置が変動し、これに追従して追従リフレクタ３３の位置が変動しても、隣り合う追従リフレクタ同士が接触しないように、隣り合う追従リフレクタ３３間距離は設定される。
　追従リフレクタ３３の略中央部には、対応するノズル３７が貫通する第２の開口部３３０が設けられている。第２の開口部３３０は略円形の平面形状を有し、その開口端には、第２の開口部３３０の中心に向かって突出した３つの突出部３８が形成されている。３つの突出部３８は、互いに均等な間隔で配置される。
　突出部３８は鋭角部３８ａを有し、３つの鋭角部３８ａにより３点でノズル３７を支持することにより、ノズル３７に追従リフレクタ３３が固定配置される。尚、本実施形態では３点支持で追従リフレクタ３３をノズル３７に固定したが、支持点は３つに限定されない。
　本実施形態においては、Ｚ軸方向に垂直な方向で切断した断面がどのＸＹ平面で切断しても同じ円筒形状のノズル３７を例にあげたが、これに限定されない。
　例えば、Ｚ軸方向に連続的にＺ軸方向に垂直な方向で切断した断面形状が大きくなっていく外形がテーパ形状を有する筒型にしてもよい。そして、薄膜材料３６の気化物質を蒸発源３の外部に放出する開口部３８０が、容器本体３５１に連結する側の開口部よりも小さくなるような外形がテーパ形状を有するノズル３７とすることにより、追従リフレクタ３３の第２の開口部３３０にノズル３７を通して組み立てる際、追従リフレクタ３３のＺ軸方向の位置決めが容易となる。
　また、本実施形態においては、ノズルを蒸発源ケースの天面に対してその長手方向が垂直となるように取り付けているが、角度をつけて天面に対して斜めに取り付けてもよい。
　水冷板（第１の熱遮蔽板）３１、追従リフレクタ（第２の熱遮蔽板）３３、リフレクタ（第３の熱遮蔽板）３２を天面３５２に投影したとき、水冷板３１の第１の開口領域（第１の開口部３１１）とリフレクタ３２の第３の開口領域（第３の開口部３２４）とは互いにほぼ重なりあう。そして、第１の開口領域と第３の開口領域の内部に、ノズル３７が位置するよう、第１の開口部３１１及び第３の開口部３２４は形成される。
　更に、追従リフレクタ３３の矩形状の外形の投影領域内に、互いに重なりあう第１の開口領域及び第３の開口領域が位置するように、水冷板３１、リフレクタ３２及び追従リフレクタ３３は配置される。この追従リフレクタ３３の外形の投影領域内に第１の開口領域及び第３の開口領域が位置するという配置関係は、成膜時の加熱による容器本体３５１の熱膨張によりノズル３７の位置が変動した場合においても維持されるよう追従リフレクタ３３は配置される。
　蒸発源ケース３５は、直方体形状の水冷板３１の底面部３１３に、固定支持部３９１及び可動支持部３９２によって支持される。尚、本実施形態においては直方体形状の水冷板としたが、形状はこれに限定されない。ヒータ３４及びヒータ３４により加熱される蒸発源ケース３５からの輻射熱の成膜対象物（本実施形態においてはガラス基板）９への到達を遮蔽するために、成膜対象物９とヒータ３４により囲まれた蒸発源ケース３５との間に、少なくとも水冷板が配置される形状となればよい。
　固定支持部３９１はＹ軸方向に長手方向を有する形状を有する。固定支持部３９１は、蒸発源ケース３５の底面と水冷板３１の底面部３１３との間に、蒸発源ケース３５の中央部に配置される。固定支持部３９１により、蒸発源ケース３５の底面の一部は、水冷板３１の底面部３１３に設置固定される。このように、固定支持部３９１は、成膜時の加熱による容器本体３５１の熱膨張が生じても伸張による位置ずれがほとんど生じない蒸発源ケース３５の中央部に配置される。
　可動支持部３９２は、蒸発源ケース３５の底面と水冷板３１の底面部３１３との間に配置される。可動支持部３９２は、固定支持部３９１を境にして蒸発源ケース３５の長手方向における両端部付近にそれぞれ対向配置される。
　可動支持部３９２は、蒸発源ケース３５の底面に設置固定され、水冷板３１の底面部３１３上を可動可能に構成される。可動支持部３９２は、ヒータ３４の加熱による容器本体３５１の熱膨張による容器本体３５１のＸ軸方向における伸張量に応じてＸ軸方向に移動可能に設けられる。例えば可動支持部３９２としてＹ軸方向に長軸方向を有するパイプローラを用いることができる。回転可能にパイプローラを蒸発源ケース３５の底面に設置固定させ、パイプローラが水冷板３１の底面部３１３上でＸ軸方向に沿って移動可能となるように構成することができる。
　このように、蒸発源ケース３５は、固定支持部３９１及び可動支持部３９２を介して水冷板３１の底面部３１３に支持される。固定支持部３９１及び可動支持部３９２は、蒸発源ケース３５が水平に保持されるように、それぞれの高さが調整されて設けられる。
　このように、固定支持部３９１及び可動支持部３９２を設けることにより、成膜時の加熱による容器本体３５１の熱膨張により容器本体３５１が伸張しても、伸張に伴って可動支持部３９２がＸ軸方向にスライドするため、容器本体３５１に歪みが生じることがない。
　ここで、蒸発源ケース３５が加熱時の熱膨張によって移動が生じないように、蒸発源ケース３５の底面を設置固定させた場合、熱膨張により伸張した分、蒸発源ケースに歪みが生じる。これにより、蒸発源ケースの内底面の平滑性が失われ、薄膜材料の蒸発が面内で不均一となり、成膜される薄膜の膜厚のばらつきが生じてしまう。
　これに対し、本実施形態においては、固定支持部３９１及び可動支持部３９２によって蒸発源ケース３５を水冷板３１で支持するため、熱膨張により容器本体３５１が伸張しても、この伸張量に応じて可動支持部３９２により蒸発源ケース３５がＸ軸方向に移動可能に構成されているので、蒸発源ケース３５に歪みが生じない。従って、面内均一の膜厚の薄膜が成膜可能となる。
　尚、本実施形態においては、可動支持部３９２を蒸発源ケース３５に設置固定し、直方体形状の水冷板３１の内底面部上を可動支持部３９２が移動可能となるように構成したが、これに限定されない。例えば、可動支持部３９２を、蒸発源ケース３５に設置固定せず、水冷板３１の底面部３１３に設置固定し、可動支持部３９２により蒸発源ケース３５を支持する構成としてもよい。この場合、熱膨張により容器本体３５１が伸張しても、可動支持部３９２が回転することによって容器本体３５１の伸張が妨げられることがなく、蒸発源ケース３５に歪みが生じず、面内均一の膜厚の薄膜が成膜可能となる。
　以上のように、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱される蒸発源ケース３５からの輻射熱のうち、水冷板３１（第１の熱遮蔽板）及びリフレクタ（第３の熱遮蔽板）３２により遮蔽できない輻射熱を、追従リフレクタ３３を設けることにより減少させることができる。
　図５及び図７を用いて、追従リフレクタ３３の有無による効果の違いを説明する。
　図５及び図７は、図２の点線Ａで囲まれたノズル３７付近の部分拡大図に相当する。
　図５は、追従リフレクタ３３が設けられている本実施形態に係る蒸発源３の部分図である。図５は、蒸発源３のノズル付近の加熱前後の様子を示す部分拡大上面図、及び、それに対応する断面図である。
　図７Ａ及び図７Ｂは、追従リフレクタ３３が設けられていない比較例に係る蒸発源２０３の部分図である。図７Ａは、ノズル付近の加熱前後の様子を示す部分拡大上面図、及び、それに対応する断面図である。図７Ｂは、加熱時の蒸発源から放射される輻射熱Ｂの様子を示す。図７において、本実施形態に係る蒸発源３と同様の構成については同様の符号を付している。
　図７Ａに示すように、成膜前の加熱前では、略楕円形の第１の開口部３１１５及び３１１６それぞれの内部の左寄りにノズル３７５及び３７６がそれぞれ位置する。これに対し、成膜時の加熱によって容器本体３５１が熱膨張しその長手方向に伸張し、これに伴ってノズル３７５及び３７６の位置が変動すると、第１の開口部３１１５及び３１１６それぞれの中央部にノズル３７５及び３７６がそれぞれ位置する。
　図７Ｂに示すように、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からの輻射熱Ｂは、水冷板３１の天面部３１０に設けられている第１の開口部３１１及びリフレクタ３２に設けられている第３の開口部３２４を通って、蒸発源２０３の外へ放射される。蒸発源２０３の外へ放射された輻射熱Ｂは、ガラス基板９に到達し、ガラス基板９を加熱する。
　ガラス基板９が加熱され、基板温度が高くなると、ガラス基板９に到達した薄膜材料の気化物質がガラス基板９上を動き回り適切に付着せず、また再蒸発をして成膜が適切に行われない。
　また、成膜対象物上にメタルマスクを介して薄膜を成膜する場合では、メタルマスクが輻射熱により膨張し、成膜パターンの位置ずれが生じる。特に高精細パターンの薄膜を成膜する場合には、この成膜パターンの位置ずれは、例えばガラス基板９が表示装置を構成する基板である場合には、表示装置としたときに表示特性に大きな影響を及ぼしてしまう。
　これに対し、本実施形態においては、図５に示すように、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からガラス基板９へ向かう輻射熱のうち、水冷板３１及びリフレクタ３２により遮蔽できない輻射熱を、第１の開口部３１１及び第３の開口部３２４に対応して設けられた追従リフレクタ３３により減少させることができる。
　追従リフレクタ３３は、成膜時の加熱によるノズル３７の位置の変動に追従して位置が変動可能となっている。これにより、成膜時の加熱により蒸発装置３５が膨張しノズル３７の位置が変動しても、水冷板３１、リフレクタ３２及び追従リフレクタ３３を天面３５２に投影したとき、第１の開口領域と第３の開口領域は、追従リフレクタ３３の外形の投影領域内に位置するように構成されているので、熱膨張が生じていないときと同様に追従リフレクタ３３により輻射熱を減少させることができる。
　更に、加熱により蒸発源ケース３５が膨張し、ノズル３７毎に位置ずれ量が異なってノズル３７の位置が変化しても、追従リフレクタ３３は、ノズル３７毎に互いに分離して個別に設けられているので、ノズル３７の動きが妨げられることがない。
　このように、追従リフレクタ３３を設けることによりヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からガラス基板９へ向かう輻射熱を遮蔽し又は減少させることができる。これにより、ガラス基板９の加熱が抑制され、ガラス基板９上に薄膜材料３６の気化物質を付着させることができ、成膜を効率よく行うことができる。また、ガラス基板９上にメタルマスクを用いて薄膜パターンを形成する場合においては、輻射熱によるメタルマスクの膨張を抑制することができるので、高精度のパターン成膜が可能となる。
　ここで、ノズル３７は薄膜材料の蒸気（気化物質）を放出するものである。ノズル３７が冷却されてノズル３７内を通過する薄膜材料の蒸気がノズル３７内で冷却されて液化するとノズル詰まりが生じ、所望の薄膜を得ることができなくなってしまう。従って、ノズル３７の動きに追従する熱遮蔽機能を有する追従リフレクタ３３をノズル３７に固定して設ける場合、ノズル３７を極力冷却しない構成とすることが望ましい。
　本実施形態においては、ヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からガラス基板９へ向かう輻射熱を減少させつつ、ノズル３７を極力冷却しないようにするために、追従リフレクタ３３はノズル３７に点接触で固定されるように構成している。このように点接触させて固定することにより、ノズル３７と追従リフレクタ３３との接触面積を少なくすることができ、これによりノズル３７から追従リフレクタ３３への熱伝導を阻害して、追従リフレクタ３３によるノズル３７の冷却を抑制することができる。
　追従リフレクタ３３は、放射率が低い、例えば０．１以下の材料で形成することが望ましい。追従リフレクタ３３の放射率を低くすることにより輻射による熱伝導が低くなり、ガラス基板９に到達する輻射熱の熱量を減少させることができる。また、ガラス基板９にメタルマスクを用いて薄膜パターンを形成する場合においては、輻射熱によるメタルマスクの膨張を抑制することができ、メタル膨張によるパターニングずれの発生を抑制することができる。尚、追従リフレクタ３３を放射率が低い材料で形成する他、放射率が低い材料で表面をコーティングした追従リフレクタ３３としてもよい。
　更に、追従リフレクタ３３を、熱伝導率が低い、例えば１０ｗ／m・ｋ以下の材料で形成することが望ましく、ノズル３７の冷却を更に抑制することができる。
　熱伝導率が低く、放射率が低い、本実施形態の追従リフレクタ３３に好ましい材料としては、タンタル、モリブデン、タングステン、ニッケル、コバルト、ステンレス、インコネル（登録商標。クロム、鉄、ケイ素等を含むニッケル合金。）等の放射率が低い金属を用いることができる。また、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＰＢＮ（Pyrolytic Boron Nitride、減圧熱分解ＣＶＤ（Chemical Vapor deposition）で製造される窒化ホウ素）、ＳｉＯ２(二酸化ケイ素)等の無機物、無機繊維系断熱材などを用いることができる。本実施形態においては、放射率が０．４のＰＢＮ又は放射率が０．１５のインコネル（登録商標）を用いた。また、放射率を低くするために、追従リフレクタ３３の表面の表面粗さを小さくし鏡面状態にしてもよい。
　以上のように、本実施形態においては、追従リフレクタ３３を設けることにより、追従リフレクタ３３を設けない場合と比較して、輻射熱の熱量を減少させることができる。したがって、蒸発源３から放射される輻射熱を減少させることができる。
　更に、追従リフレクタ３３はノズル３７毎に個別に設けられ、追従リフレクタ３３はノズル３７の位置の変動に追従するので、成膜時に蒸発源ケース３５が膨張し各ノズル３７の位置ずれ量が異なってその位置が変動しても、熱膨張前と変わらずに追従リフレクタ３３により輻射熱の熱量を減少させることができる。
（第２の実施形態）
　上記の実施形態において、追従リフレクタ３３は点接触でノズル３７に固定され、追従リフレクタ３３とノズル３７との接触面積を小さくしてノズル３７の冷却を抑制していたが、これに限定されない。例えば、追従リフレクタ３３とノズル３７との間にリング状の熱伝導率の低い間隙部材を設けてノズル３７の冷却を抑制する構成としてもよい。
　図６は第２の実施形態に係る蒸発源１０３のノズル付近における部分拡大図である。図６Ａは蒸発源１０３のノズル付近の蒸発源１０３を上斜めの方向からみた部分拡大斜視図である。図６Ｂは蒸発源１０３の部分拡大断面図である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。第１の実施形態と第２の実施形態とは、追従リフレクタの開口部の形状が異なる点、第２の実施形態では間隙部材が設けられている点で相違する。
　図６Ｂに示すように、蒸発源１０３では、Ｚ軸方向に沿って、水冷板３１の天面部３１０とリフレクタ３２との間に、天面部３１０及びリフレクタ３２とそれぞれ離間して、第２の熱遮蔽板としての追従リフレクタ１０３３が設けられている。更に、追従リフレクタ１０３３とノズル３７との間にはリング状の間隙部材１０３８が設けられている。第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、ノズル３７毎に追従リフレクタ１０３３は個別に配置される。
　追従リフレクタ１０３３は、第１の実施形態における追従リフレクタ３３と同様に矩形状の外形を有する。追従リフレクタ１０３３は、その略中央部に第２の開口部１３３０を有する。第２の開口部１３３０はＸＹ平面上における形状が略円形を有する。ノズル３７、追従リフレクタ１０３３、及び、リング状の間隙部材１０３８をＸＹ平面に投影したとき、ノズル３７の外形は、第２の開口部１３３０の投影領域内に位置し、ノズル３７の外形と第２の開口部１３３０は同心円状に重なる。更に、投影図において、ノズル３７の外形と第２の開口部１３３０との間隙を埋めるようにリング状の間隙部材１０３８が位置する。
　追従リフレクタ１０３３は、間隙部材１０３８を介してノズル３７に固定配置される。このように追従リフレクタ１０３３がノズル３７に固定されることにより、ノズル３７の位置の変動に追従して追従リフレクタ１０３３も位置が変動する。そして、追従リフレクタ１０３３を設けることにより、水冷板３１及びリフレクタ３２では遮蔽しきれないヒータ３４及びヒータ３４により加熱された蒸発源ケース３５からガラス基板９に向かう輻射熱の熱量を減少させることができる。
　追従リフレクタ１０３３は、放射率が低い材料で形成することが望ましく、第１の実施形態で記載した追従リフレクタ３３と同様の材料を用いることができる。
　間隙部材１０３８には熱伝導率が低い材料を用いることが望ましく、例えば熱伝導率が３０ｗ／m・ｋ以下の材料を用いるのが好ましい。具体的な材料としては、アルミナ、窒化ケイ素、ジルコニアなどを用いることができる。
　熱伝導率が低い材料を間隙部材１０３８に用いることにより、追従リフレクタ１０３３によるノズル３７の冷却を抑制することができ、また、追従リフレクタ１０３３に用いる材料の選択範囲を広げることができる。
　尚、第１の実施形態で示した、突起部３８により追従リフレクタ３３をノズル３７に固定する構造に加え、突起部３８とノズル３７との間に熱伝導率が低い材料からなる間隙部材を設ける構造としてもよい。
（第３の実施形態）
　第１の実施形態において、追従リフレクタ３３は、３点でノズル３７を支持しノズル３７に固定され、点で支持することによりノズル３７の冷却を抑制していたが、これに限定されない。
　例えば、追従リフレクタに設けられる第２の開口部の大きさとノズル３７との外形をほぼ同等とし、追従リフレクタに設けられる第２の開口部にノズル３７を貫通させ追従リフレクタとノズル３７とを第２の開口部の側面で接触させ、追従リフレクタをノズル３７に固定させてもよい。このような構造では、輻射熱を遮蔽し、かつ、追従リフレクタによるノズル３７の冷却を抑制するために、追従リフレクタを、熱伝導率が低い、例えば３０ｗ／m・ｋ以下で、更に、放射率が低い、例えば０．１以下材料を用いて形成することが望ましく、例えば放射率が０．４のＰＢＮ又は放射率が０．１５のインコネル（登録商標）を用いることができる。
（変形例）
　上記実施形態においては、薄膜材料として銀を例に挙げて説明したが、これに限定されず、カラーフィルタ等の有機膜の成膜にも本発明を適用できる。
　また、上述の実施形態においては、１つの開口部（気化物質放出口）を有するノズルに、１つの追従リフレクタを設けているが、これに限定されない。例えば連続して並んで配置される複数の開口部（気化物質放出口）を有するノズル１つに対して、１つの追従リフレクタを設けるようにしてもよい。例えば、連続して並んで配置される４つの開口部を有するノズル１つに対して１つの追従リフレクタを設けることができる。ここで、複数の開口部を有するノズルは、上記実施形態で示した構造である１つの開口部３８０を有するノズル３７を複数ひとまとめにしたノズル群の形態も含む。
　１…成膜装置
　２…真空槽（収容部）
　３、１０３…蒸発源
　９…ガラス基板（成膜対象物）
　３１…水冷板（第１の熱遮蔽板）
　３２…リフレクタ（第３の熱遮蔽板）
　３３、１０３３…追従リフレクタ（第２の熱遮蔽板）
　３４…ヒータ（加熱装置）
　３５…蒸発源ケース（蒸発源容器）
　３６…薄膜材料
　３７…ノズル
　３８…突起部
　３１０…水冷板の天面部
　３１１…第１の開口部
　３２４…第３の開口部
　３５１…容器本体
　３５２…天面
　３８０…ノズルの開口部
　３９１…固定支持部
　３９２…可動支持部

Claims (6)

  1. 　天面を有し薄膜材料を収容する容器本体と、前記容器本体と連結し前記天面から突出して一軸方向に配置され、前記薄膜材料の気化物質を放出する開口部を有する複数のノズルとを備える蒸発源容器と、
    　前記容器本体を加熱する加熱装置と、
    　前記天面と離間して対向配置され、複数の前記ノズル毎に対応して設けられた各前記ノズルが貫通する前記ノズルの開口部よりも大きい第１の開口領域を有する複数の第１の開口部を備える第１の熱遮蔽板と、
    　前記容器本体と前記第１の熱遮蔽板との間に複数の前記ノズル各々に固定されて前記天面と離間して対向配置され、前記第１の開口領域よりも大きい外形を有し前記ノズルが貫通する第２の開口部を有する第２の熱遮蔽板と
    　を具備する蒸発源。
  2. 　請求項１に記載の蒸発源であって、
    　前記第２の熱遮蔽板は、前記ノズルに点接触で固定される
    　蒸発源。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載の蒸発源であって、
    　前記第１の開口部は、前記一軸方向に長手方向を有する形状である
    　蒸発源。
  4. 　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の蒸発源であって、
    　前記蒸発源容器と前記第２の熱遮蔽板との間に前記天面と対向して配置され、複数の前記ノズル毎に対応して設けられた各前記ノズルが貫通する前記ノズルの開口部よりも大きい第３の開口領域を有する複数の第３の開口部を備える第３の熱遮蔽板を
    　更に具備する蒸発源。
  5. 　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の蒸発源であって、
    　前記第１の熱遮蔽板は、前記第１の開口部を有する天面部と前記天面部と対向する底面部を有する前記蒸発源容器を取り囲む形状の外形を有し、
    　前記容器本体は、前記加熱装置の加熱による前記容器本体の熱膨張による前記容器本体の前記一軸方向における伸張量に応じて前記一軸方向に移動可能に前記底面部に支持される
    　蒸発源。
  6. 　成膜対象物を収容可能な収容部と、
    　天面を有し薄膜材料を収容する容器本体と、前記容器本体と連結し前記天面から突出して一軸方向に配置され、前記薄膜材料の気化物質を前記成膜対象物に向かって放出する開口部を有する複数のノズルとを備える蒸発源容器と、前記容器本体を加熱する加熱装置と、前記天面と離間して対向配置され、複数の前記ノズル毎に対応して設けられた各前記ノズルが貫通する前記ノズルの開口部よりも大きい第１の開口領域を有する複数の第１の開口部を備える第１の熱遮蔽板と、前記容器本体と前記第１の熱遮蔽板との間に複数の前記ノズル各々に固定されて前記天面と離間して対向配置され、前記第１の開口領域よりも大きい外形を有し前記ノズルが貫通する第２の開口部を有する第２の熱遮蔽板とを備える蒸発源
    　を具備する成膜装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109652773A (zh) * 2019-02-25 2019-04-19 京东方科技集团股份有限公司 一种防着组件以及蒸镀设备
CN110499492A (zh) * 2019-09-19 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及其蒸镀方法
JP2020132985A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 株式会社アルバック 真空処理装置及び真空処理方法
CN113227436A (zh) * 2018-12-21 2021-08-06 应用材料公司 气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法
KR102680671B1 (ko) * 2018-12-21 2024-07-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기상 증착 장치 및 진공 챔버에서 기판을 코팅하기 위한 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115522167A (zh) * 2022-09-22 2022-12-27 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀源设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005054270A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Lg Electron Inc 有機電界発光層の蒸着源
JP2012184486A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 蒸発源および蒸着装置
JP2012207263A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着方法および蒸着装置
JP2014047382A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Canon Tokki Corp 蒸発源

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009034916A1 (ja) * 2007-09-10 2009-03-19 Ulvac, Inc. 蒸気放出装置、有機薄膜蒸着装置及び有機薄膜蒸着方法
WO2009060739A1 (ja) * 2007-11-05 2009-05-14 Ulvac, Inc. 蒸着源、有機ｅｌ素子の製造装置
JP5244723B2 (ja) * 2009-07-10 2013-07-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP5520871B2 (ja) * 2011-03-31 2014-06-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 蒸着装置
CN103080366B (zh) * 2011-06-29 2014-12-24 松下电器产业株式会社 加热装置、真空加热方法和薄膜制造方法
JP2013211138A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Hitachi High-Technologies Corp 蒸発源、及びそれを用いた真空蒸着装置
JP2013211137A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Samsung Display Co Ltd 真空蒸着方法及びその装置
JP2014072005A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 蒸発源、真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置製造方法
JP2015067847A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社日立ハイテクファインシステムズ 真空蒸着装置
KR102386658B1 (ko) * 2015-08-03 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 증착원
JP6595568B2 (ja) * 2017-12-12 2019-10-23 キヤノントッキ株式会社 蒸発源装置及び蒸着装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005054270A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Lg Electron Inc 有機電界発光層の蒸着源
JP2012184486A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 蒸発源および蒸着装置
JP2012207263A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着方法および蒸着装置
JP2014047382A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Canon Tokki Corp 蒸発源

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113227436A (zh) * 2018-12-21 2021-08-06 应用材料公司 气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法
JP2022513996A (ja) * 2018-12-21 2022-02-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 真空チャンバ内で基板をコーティングするための気相堆積装置及び方法
JP7309882B2 (ja) 2018-12-21 2023-07-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 真空チャンバ内で基板をコーティングするための気相堆積装置及び方法
KR102680671B1 (ko) * 2018-12-21 2024-07-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기상 증착 장치 및 진공 챔버에서 기판을 코팅하기 위한 방법
CN109652773A (zh) * 2019-02-25 2019-04-19 京东方科技集团股份有限公司 一种防着组件以及蒸镀设备
JP2020132985A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 株式会社アルバック 真空処理装置及び真空処理方法
CN109652773B (zh) * 2019-02-25 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种防着组件以及蒸镀设备
CN110499492A (zh) * 2019-09-19 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及其蒸镀方法

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