JP2008231573A - 気化るつぼ、および気化特徴を適合した気化装置 - Google Patents

気化るつぼ、および気化特徴を適合した気化装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008231573A
JP2008231573A JP2008056825A JP2008056825A JP2008231573A JP 2008231573 A JP2008231573 A JP 2008231573A JP 2008056825 A JP2008056825 A JP 2008056825A JP 2008056825 A JP2008056825 A JP 2008056825A JP 2008231573 A JP2008231573 A JP 2008231573A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
crucible
vaporization
electrical connection
vaporizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008056825A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Aulbach
オールバッハ ホルガー
Helmut Grimm
グリム エルムート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2008231573A publication Critical patent/JP2008231573A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source

Abstract

【課題】垂直気化の場合にも、安定して材料が気化するるつぼを提供する。
【解決手段】気化るつぼ100は、電気伝導性本体120およびカバー150を含み、上記本体は、上記本体に加熱電流を付加するための第1電気接続部162と第2電気接続部164を有し、上記本体は、溶解/気化範囲を提供するチャンバを含み、上記チャンバはチャンバ底部とチャンバ壁を含み、上記カバーは上記チャンバと共に囲いを形成し、上記気化るつぼはさらに、材料を供給するための供給開口と、上記囲いの蒸気出口を提供するディストリビュータオリフィス170とを含むことを特徴とする。
【選択図】図1B

Description

[0001]一般的に、本発明は薄膜形成装置と、薄膜形成装置に使用するるつぼとに関する。具体的には、合金または金属を気化するためのるつぼに関する。明確には、気化るつぼおよび気化装置に関する。
発明の背景
[0002]基板上の材料の薄膜をコーティングするために気化装置を使用することが可能である。例えば、気化装置を用いて、大型パネルディスプレイのキャパシタやウェブ上の保護層を提供する金属膜によるコーティングを付加することができる。具体的には、大型パネルディスプレイの場合には、大型で比較的薄いガラス板として提供できる基板をコーティング処理の最中に垂直に位置決めし、垂直気化装置でコーティングすることができる。
[0003]具体的に垂直気化の場合には、基板上に堆積させる材料の蒸気源に垂直ノズルパイプが普通に提供されているが、この垂直ノズルパイプは、垂直に整列した基板をコーティングするための直線形に垂直に延びた源を画成する。
発明の概要
[0004]これにより提供される直線源は非常に複雑であるため、製造と維持が高額になってしまう。これに加え、垂直に延びたノズルパイプが、基板に向けて実質的な熱放射を提供する。
[0005]これに加えて、気化する材料がるつぼの様々な範囲内で移動して、るつぼの各部分を溶かしてしまう可能性があり、これにより温度カスタマイゼーションが劣化することで、気化るつぼとして提示された各温度範囲の安定性が不十分となってしまう可能性がある。
[0006]上述を斟酌し、本発明は、独立請求項1、3による気化るつぼと、請求項19による気化装置とを提供する。
[0007]一実施形態によれば、気化るつぼが提供される。この気化るつぼは、電気伝導性本体およびカバーを含み、本体は、本体に加熱電流を付加するための第1電気接続部と第2電気接続部と、溶解/気化範囲を提供するチャンバとを含み、チャンバはチャンバ底部とチャンバ壁を含み、カバーはチャンバと共に囲いを形成し、気化るつぼはさらに、材料を供給するための供給開口と、囲いの蒸気出口を提供するディストリビュータオリフィスとを含む。
[0008]別の実施形態によれば、気化るつぼが提供される。この気化るつぼは、本体に加熱電流を付加するための第1電気接続部と第2電気接続部を有する電気伝導性本体を含み、本体は、溶解/気化範囲を提供するチャンバを含み、チャンバはチャンバ底部とチャンバ壁を含んでおり、チャンバに隣接して、チャンバと第1および第2電気接続部の間にそれぞれ提供された第1および第2加熱部分、材料を供給するための供給開口をさらに含む。
[0009]更なる実施形態によれば、少なくとも1個の気化るつぼを含んだ気化装置が提供される。気化るつぼは、電気伝導性本体とカバーを含み、本体は、本体を介して加熱電流を付加するための第1電気接続部と第2電気接続部と、溶解/気化範囲を提供するチャンバとを含み、チャンバはチャンバ底部とチャンバ壁を含んでおり、カバーはチャンバと共に囲いを形成する。気化るつぼはさらに、材料を供給するための供給開口と、囲いの蒸気出口を提供するディストリビュータオリフィスを含む。
[0010]上記実施形態と組み合わせることができる更なる利点、特徴、態様、詳細は、従属請求項、詳細な説明、図面から明白となる。
[0011]実施形態は、開示された方法を実施するための、また、説明の各方法ステップを実行する装置部品を含んだ装置に向けられている。これらの方法ステップは、ハードウェア構成部品、適切なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータの方法、またこれら2つの方法の任意の組み合わせ、あるいはこれ以外の任意の方式によって実行される。さらに、実施形態は、説明の装置の動作方法または製造方法に向けられている。この方法は、装置の機能、または装置の製造部品の機能を実行する方法ステップを含む。
[0012]本発明の上述の態様、およびこれ以外のより詳細な態様は、以下に説明され、図面を参照して部分的に図示される。
図面の詳細な説明
[0022]以降の説明において、「アルミニウム」とは基板上に堆積させる材料として、本出願の範囲を限定することなく主に記述される。本発明は、例えば基板のコーティングに使用する金属、合金、これ以外の気化される材料にも向けられる。さらに「基板」とは、典型的には、例えばTFTディスプレイのようなディスプレイ技術に多く使用されるガラス基板を、本発明の範囲を限定することなく意味する。本発明の実施形態はこれ以外の基板への薄膜気相堆積や、これ以外の技術に適用することができる。
[0023]以降の図面の記述において、同じ参照符号は同じ構成部品を表している。一般的には、それぞれの実施形態に関連した違いのみについて記述している。
[0024]図1Aは、気化るつぼ100の本体120を示す。本体120は、第1電気接続部162と第2電気接続部164を含む。この2個の電気接続部の間にチャンバ130が提供されている。一実施形態によればチャンバ130はポット型であるが、例えば、チャンバ壁132を含んだ実質的な円筒形状であってもよい。
[0025]チャンバはさらにチャンバ底部(図示せず)を含む。さらに、チャンバ130と電気接続部の間に異なる本体領域122、124を提供し、これらの間に気化るつぼを加熱するための電流を提供することができる。
[0026]この領域については図2A〜図2Dを参照してより詳細に記述しているが、電流の流れ、さらには気化るつぼ100の本体120の熱生成を制御する形状になっている。
[0027]気化るつぼ100を加熱して、堆積する材料を溶解および気化させる。この加熱は、第1電気接続部162、第2電気接続部164に接続した電源(図示せず)を提供することで実施できる。これにより、るつぼ100の本体120を流れる電流から熱が伝達される。一般的に、断面範囲の小さい領域内では本体の抵抗が増加する。これにより、熱電力は方程式P=R Iに従って計算でき、ここでPは電力、Rは抵抗、Iは電流である。抵抗と断面範囲の間の比率により、断面範囲の小さい領域内で温度が上昇する。これにより、るつぼの異なる範囲の抵抗を制御することができ、異なる範囲に望ましい温度を提供できる。例えば、チャンバ130内の溶解/気化範囲の温度は700〜1600℃、または1300〜1600℃であってもよい。
[0028]更なる実施形態によれば、気化装置るつぼ本体120の材料の組成を変更することで、気化装置るつぼ100の異なる範囲の抵抗をさらに制御することができる。
[0029]一般的に、本明細書で記述されている実施形態によれば、るつぼの材料は伝導性で、材料の溶解および気化に使用する温度に対して温度抵抗を有し、液体材料または材料蒸気のそれぞれに対して抵抗性を有していなければならない。例えば、液体アルミニウムは非常に反応性が高いため、アルミニウムを溶解するためのるつぼを著しく損傷してしまう可能性がある。これに従い、典型的には、金属ホウ化物、金属窒化物、金属炭化物、非金属ホウ化物、非金属窒化物、非金属炭化物、窒化物、ホウ化物、黒鉛、およびこの組み合わせで構成されたグループより選択した材料を使用することができる(例えば、TiB、TiBとAINの組み合わせ、TiBとBNの組み合わせ、またはTiB、BN、AINの組み合わせ)。
[0030]材料の電気抵抗性における差を、るつぼ内での熱の生成にさらに適合することができる。これにより、本体の各領域内における材料組成を、各領域内に望ましい熱生成に応じて、関連する抵抗性を有するように選択することができる。
[0031]図1A、図1Bでは、チャンバ130は、気化させる材料のワイヤを供給するための開口130を有する。開口130はチャンバ壁に提供されている。一実施形態によれば、開口130は、第1電気接続部162と第2電気接続部164の位置によって画成される本体の軸2に対して実質的に垂直な本体120の軸上に提供されている。別の実施形態によれば、チャンバ130内にワイヤを供給する開口130は、第1電気接続部と第2電気接続部の位置によって画成された軸2の付近、またはこの軸2上に提供することも可能である(図4A、図4B参照)。
[0032]本明細書で記述された実施形態の任意の組み合わせによって生み出される更なる実施形態によれば、材料の供給はワイヤによって提供できる。これに加え、または代替的には、ペレットなどによって材料を気化るつぼ内に供給することができる。
[0033]また更なる実施形態(図示せず)によれば、気化させ、基板上に堆積させる材料のワイヤを供給する開口134を、カバー150に提供することもできる。図1Bに示されているカバー150と、チャンバ130は、溶解/気化範囲を設けた囲いを提供する。
[0034]本明細書で記述されている実施形態によれば、溶解/気化範囲は最大限に閉鎖される。このため、チャンバから望ましくない方向(例えば、材料を供給する開口の方向)へ漏れる蒸気を極少量にすることができる。
[0035]一例として、チャンバ130の溶解/加熱範囲内の温度は、堆積させる材料の気化温度よりも高い。しかし、材料を供給するためにワイヤを提供することで、溶解/気化範囲の小規模な部分の温度が局所的に低下する。更なる実施形態によれば、この温度は気化温度よりも少なくとも200℃高く、例えば、気化温度よりも200〜900℃、または600〜870℃高い。例えば、アルミニウムの場合には、この温度は900℃よりも高く、または1150℃よりも高くてもよい。
[0036]典型的には、この温度の下限は、堆積させる材料の溶解温度とチャンバ圧によって異なる。また典型的には、この温度の上限は、気化るつぼの温度安定性によって得られる。
[0037]図1Aに示すように、本明細書で記述されている実施形態によれば、チャンバ130のチャンバ壁132は、材料蒸気が画成された気化方向で囲いから出るためのディストリビュータオリフィス170を有する。
[0038]薄膜の気相堆積を、例えば、有機発光ダイオード(OLED)、別のディスプレイデバイス(例えばTFT)、あるいは一般的にガラス基板やホイル上の薄膜コーティングに適用することができる。この一例として、ディスプレイの各画素を制御するために、ディスプレイアプリケーションに金属薄膜を提供するというものがある。
[0039]典型的には、垂直に配置した基板に気相堆積を提供する用途の場合、細長いるつぼの気化範囲から発せられた蒸気の方向を変更するためのノズルパイプを設けた直線気化装置ユニットを使用することができる。これにより、垂直配列した基板を、直線気化装置を超えて、基板の薄膜コーティングの水平方向に移送できるようになる。しかし、材料蒸気を水平気化軸に沿って方向転換するためのノズルパイプと、共通使用されるるつぼは複雑であり、維持が困難である。粒子汚染と基板の屈曲をという点から垂直基板配列が望ましいため、垂直気化用途のための簡素な気化源を有することが望ましい。本明細書で説明されている気化るつぼの実施形態は、垂直気化装置の点源として使用できる。
[0040]更なる例として、本明細書で説明されている実施形態を、ディスプレイ技術などの基板コーティングに利用することができる。そのため、基板のサイズは次のとおりになる;典型的なガラス基板、およびこれに従ったコーティング範囲の寸法は約0.7×370×470mmであってもよい。しかし、次世代の基板の寸法は約1100×1300mmまたはこれ以上にすることができる。例えば、本明細書で説明されている用途は、典型的には大型の基板を意味している。そのため、大型基板の高さおよび長さは500mmまたはこれ以上であってもよい。ガラス基板の場合では、典型的には680×880mm、1100×1300mm、またはこれ以上であってもよい。ホイルのような典型的な柔軟な大型基板の場合には、少なくとも500mmの幅を有することができる。
[0041]図1A、図1Bに対して説明された実施形態によれば、チャンバ130上にはカバー150が提供されている。これにより、溶解/気化範囲を含んだ囲いが提供される。気化させる材料、例えばアルミニウムは、開口130からチャンバ内に提供され、チャンバ内の加熱された表面と接触する。一実施形態によれば、材料はチャンバの底部において提供することができる。
[0042]材料はチャンバ内で溶解し、溶解/気化範囲内でさらに加熱されることで気化する。この材料蒸気はディストリビュータオリフィス170を介してチャンバから出て、その後基板上に堆積される。ディストリビュータオリフィスは、囲いの開口または内径の方向によって画成された気化軸を含む。例えば、ポット型チャンバの壁に水平内径が提供されている場合には(内径はディストリビュータオリフィスを画成する)、水平気化軸が提供される。
[0043]本明細書で説明の別の実施形態と組み合わせられる更なる実施形態によれば、ディストリビュータオリフィスは、気化軸に沿った2〜10mmのチャネル長さにて提供することができる。更なる実施形態によれば、口の直径は3〜20mmの範囲内である。
[0044]上述したように、チャンバはポット型であってもよい。更なる実施形態によれば、チャンバは、軸2と、これに対して垂直な軸とに沿って実質的に同寸法を有していてもよく、寸法は、また更なる実施形態によれば20〜150mmの範囲内、または典型的には30〜50mmの範囲内であってもよい。別の実施形態によれば、高さは20〜50mm、または典型的には25〜40mmの範囲内であってもよい。また更なる実施形態によれば、チャンバは円形または楕円形のシリンダである。この形状により、安定性、および/または容量/表面比率が向上する。
[0045]本明細書で説明されている実施形態によれば、溶解/気化範囲は、気化される材料が内部で溶解および気化される範囲として理解されるべきである。そのため、チャンバ内に複数の類似した圧力条件を設けた1個のチャンバシステムを提供できる。これに加えて、または代替的に、本明細書で説明の実施形態によるチャンバ内で溶解範囲と気化範囲を分離させるためのこれ以外の分離手段を省略することができる。それに応じて、気化るつぼが部分的に溶解するという点からは、極薄液状膜の移動の問題や、時間によって変化するカスタマイズ温度指標の問題が防止できる。
[0046]本明細書で説明している実施形態によれば、溶解気化範囲の溶解ゾーン(例えば表面)は気化ゾーン内に含まれる。
[0047]気化ゾーン内の溶解ゾーンは、例えば溶解/気化範囲内における気化ゾーンの、ガス圧を例えば10〜20%低下させたガス圧領域として理解されよう。
[0048]別例として、気化ゾーン内の溶解ゾーンとは、主要気化ゾーン内の溶解ゾーン(例えば表面)、即ち、例えば内部において少なくとも50〜75%の気化が実施されるゾーンとして理解されよう。
[0049]これにより、スプラッシュ板、スプラッシングを制御するためのフェースプレートなどの実現性によって溶解気化範囲の機能が影響を受けることはない。
[0050]蒸気るつぼ100は、本体120とカバー150を含んでいる。例えばアルミニウムのような材料を、堆積させる材料を供給ワイヤ102によって連続供給することで平衡が維持されるので、システム内の材料の量を実質的に一定に維持することができる。そのため、システム内に挿入する材料の量は、供給ワイヤ102の直径と供給速度によって提供される。平衡を提供するために、気化るつぼ100から気化させる材料の量と、システムに供給する材料の量は類似している必要がある。
[0051]図1A、図1Bに示すように、チャンバ壁132の上方部分にカバー150が提供されている。一実施形態によれば、カバー150は、これがチャンバ壁132の内部においてチャンバ130に対して中心決めされるように提供することができる。更なる実施形態によれば、カバー150はチャンバ130の上方縁上に外方へ延びた蓋を有する、あるいは、カバー150をチャンバ壁の凹部内に提供することができる。また更なる実施形態によれば、カバー150を、チャンバ壁132の外部により、チャンバ130に対して中心決めすることができる。
[0052]一実施形態によれば、カバー150は非伝導性材料で作成することができる。そのため、カバーはBNなどを含んでいてもよい。非伝導性のカバーは、これと隣接した本体の部分によって受動的に加熱される。
[0053]チャンバ130のサイズと本体120の加熱部分124に関連して(例えば、図2A〜図2Dを参照)、カバー150を、蒸気の凝縮が殆どなくなるように十分加熱することができる。これにより、チャンバとカバーの接触領域における液体材料の移動を防止できる。さらに、十分に加熱したカバー152とディストリビュータオリフィス170とによって溶解/気化範囲が提供されることで、気化した材料が主にディストリビュータオリフィスによって影響を受けるようになる。蒸気はディストリビュータオリフィスを介してチャンバから出る。カバーが設けられていても材料蒸気には殆ど影響がない。カバー150により複数の気化るつぼ100を垂直に配列できるようになるため、数個の点源を含んだ垂直気化装置の実現が可能となる。
[0054]本明細書で説明している実施形態によれば、気化るつぼの本体を、図2A〜図2Dに示す異なる断面を有する形状に設計することができる。図2Aは、電気接続部162または164の範囲の断面を示す。この断面図は、図1中の区間A−Aを表したものである。図2Bは、図1A中の区間B−Bの断面を表している。領域122における断面範囲は、電気接続部162における断面範囲と類似していてもよい。しかし、断面122は、水平平面形状から垂直形状に転換されている。そのため、別の実施形態によれば、断面形状が転換された部分は、チャンバの片側または両側上の本体の一部分として提供されていてもよい。この断面形状転換部分は、断面が変形した中間電導範囲である。これにより、本体120を通る加熱電流の流れが、実質的に本体の全高さ、したがってチャンバ130の全高さにかけて流れるように転換される。別の実施形態によれば、断面形状転換部分の断面形状は、チャンバ高さの少なくとも80〜90%であってもよい。一例によれば、本明細書で説明している実施形態の場合、本体の断面形状転換範囲は、本体の電気接続部と、以下で示すように本体の加熱部分との間、あるいは本体のチャンバとの間に提供することができる。これに加えて、また更なる実施形態によれば、断面形状転換部分および/または電気接続部から断面形状転換部分への変位は断面範囲保存であってもよい。
[0055]チャンバ130の、主にこれの全高さに沿った加熱の温度勾配が低下することにより、気化るつぼがひび割れする。さらに、チャンバの頂部に提供されたカバーを、チャンバ自体と実質的に同じ温度に加熱することができる。これにより、液体材料の凝縮の発生と移動の発生を防止できる。
[0056]図2Cは部分124の断面図である。この部分124は、電気接続部とチャンバの間に提供された加熱部分である。この加熱部分はチャンバに隣接している。図2Cに示すように、加熱部分124は、本体のこの領域の断面範囲および/または抵抗性を約5〜20%減少させることによって提供できる。更なる実施形態によれば、電気接続部の範囲を冷却することにより、加熱部分を電気接続部よりも高い温度にて提供することができる。これにより、電気接続部が、例えば気化装置の冷却された接続素子に関連したヒートシンクを提供する。この気化装置の接続素子は、例えばクランプユニットであってもよい。したがって、加熱部分の高温領域は、ヒートシンクまでの距離に関連してチャンバに隣接して提供することが可能である。さらに別の実施形態によれば、加熱部分124は、ヒートシンクを電気接続部162に設けることと、若干減少させた断面範囲とによって提供される。図2Cに示す断面図はまた、図2Bの断面によって提供された電流の流れを本体のチャンバへと継続させるための垂直の細長い部分を有する。そのため、複数の異なる実施形態によれば、本体の加熱部分124をチャンバの片側または両側に提供する、チャンバに隣接させて提供する、また、チャンバと電気接続部の各1個との間に設置することができる。これに加えて、あるいは代替的に、例えば断面範囲および/または材料抵抗性により、加熱部分の抵抗性を電気接続部の抵抗性よりも高くすることが可能である。
[0057]図2Dに、チャンバ壁132とチャンバ底部133を含んだチャンバ130の断面図を示す。図2Dは、気化させる材料を供給するための開口と、ディストリビュータオリフィス170とを図示している。チャンバの断面範囲は加熱部分124の断面と類似する、またはこれよりも若干小さい。例えば、チャンバの断面範囲および/または抵抗性は、図2Cに示した加熱部分124の断面範囲および/または抵抗性よりも0〜20%小さくてもよい。加熱部分をチャンバの両側に提供することにより、チャンバと溶解/気化範囲のより優れた加熱対称性を提供できる。
[0058]チャンバの両側の加熱部分およびチャンバに隣接した加熱部分は、チャンバの局所のみの加熱よりも向上した対称的な加熱を提供する。チャンバ内で、隣接する加熱部分124での熱生成と比較して狭い範囲へ熱生成を提供することにより、チャンバ内、さらに溶解/気化範囲内でより均等な温度が得られるようになる。
[0059]これに加えて、本明細書で説明している更なる実施形態によれば、電気接続部162、領域122、領域124を合わせた長さは80〜220mmとなる。これにより、電気接続部における比較的低温の領域から、チャンバ内、およびチャンバと隣接した比較的高温の領域への変位が提供される。
[0060]本明細書で説明の任意の実施形態と組み合わせられる複数の異なる実施形態によれば、電気接続部を、主要本体の突起として本体に提供できる。そのため、この突起を、気化装置の接触要素によって接触されるように形成することができる。これに加えて、気化装置の接触要素を冷却できる。一般的に、電気接触部は本体に加熱電流を印加するために提供される。そのため電流は気化装置の電源により印加される。
[0061]図3に、垂直気化装置の点源としても使用できる更なる気化るつぼ300を示す。るつぼ300は、第1電気接続部162と第2電気接続部164を含む。本体120のチャンバは、カバー150でカバーされる。チャンバ壁132には、気化させる材料を供給するためにワイヤを導入する開口が提供されている。この開口内にはブッシング330が提供されており、このブッシングを介してチャンバ内にワイヤを挿入する。
[0062]ブッシングと組み合わせられる、または別々に提供できる一実施形態によれば、チャンバ壁132の開口はチャンバ壁に対して傾斜している。これにより、ワイヤをチャンバの底部へと挿入できるようになる。また更なる実施形態によれば、チャンバ壁の開口には面取りした縁が設けられている。図4A、図4Bに示すように、開口430はまた、チャンバに隣接した本体の一部に提供することも可能である。これにより、軸2、またはこれの付近に位置するチャンバ壁の開口が提供される。さらに別の実施形態(図示せず)によれば、供給ワイヤを導入するための開口をカバーに提供することもできる。
[0063]図4Aは、るつぼ400の本体120を示す。気化させる材料を供給するための材料ワイヤは、軸2に、またはこれの付近に提供できる。本体120は、チャンバ壁132とチャンバ底部133を有するチャンバ130を含む。図4Aに表すように、ディストリビュータオリフィス170はチャンバ130の壁132に提供されている。更なる実施形態によれば、図4に示す配列には、図3に関連して説明したブッシングを提供することもできる。
[0064]本明細書で説明している実施形態によれば、チャンバ130の壁のディストリビュータオリフィス170は、方向性気化軸を設けた蒸気口を提供する。ディストリビュータオリフィスは、囲いの開口または内径の方向によって画成された気化軸を含む。例えば、ポット型のチャンバの壁に水平な内径が提供されている場合には(内径はディストリビュータオリフィスを画成する)水平な気化軸を提供する。
[0065]これにより、ディストリビュータオリフィスによって気化分配が提供される。気化の分配は、チャンバの内径または開口によって画成することができる。したがって、この分配には、ディストリビュータオリフィスの形状、直径、長さを適合させることができる。例えば、壁の厚さは、ディストリビュータオリフィスの方向性気化軸に沿った長さを画成できる。複数の異なる実施形態によれば、ディストリビュータオリフィスの形状は丸、長円形、楕円形、角張った形状、円筒形、切れ目形状であってもよく、またはこれ以外の形状で形成できる。これと組み合わせられるさらに別の実施形態によれば、気化軸の方向は水平であるか、またはチャンバ壁表面に対して傾斜していてもよい。さらにこれに加えて、あるいは代替的に、内径の縁を面取りすることができる。また更なる実施形態によれば、例えば図5に示すように、気化るつぼ500に第1ディストリビュータオリフィス571と第2ディストリビュータオリフィス572を設けることができる。図5では、ディストリビュータオリフィスは、垂直な細長軸を設けた細長い楕円形をしている。図5に示すように、第1電気接続部と第2電気接続部164を有する本体120のチャンバを、チャンバ壁132の外部によって中心決めされたカバー550でカバーすることができる。
[0066]本明細書で説明した別の実施形態と組み合わせられるまた更なる実施形態によれば、ディストリビュータオリフィスには、気化軸に沿った2〜10mmのチャネル長さを設けることができる。
[0067]図6に、複数の垂直に配列された気化るつぼ100を有する気化装置の構成を示す。模範的な実施形態として、本明細書で説明した気化るつぼを設けた薄膜を形成する方法は、10−2−10−6mbarの真空気圧で全体を設置した装置を使用して実施することができる。これにより、周囲雰囲気からの粒子で汚染することなく、基板またはキャリアホイル上に薄膜を蒸気堆積させることができる。
[0068]本明細書で説明されている実施形態によれば、材料の気化方法は、チャンバに溶解/気化範囲を提供するステップと、気化させる固体材料を溶解/気化範囲内に挿入するステップとを含んでいる。
[0069]図6では、4個の気化るつぼ100が上下に重なり合って垂直に配列されている。これは、例えば気化るつぼ上に提供されたカバーによって配列ができるものである。図6に提供された側面図では、電気接続部162、本体の一部分122、チャンバ壁132の一部分を見ることができる。気化させる材料を供給するワイヤ102は、ワイヤ材料を溶解および気化させるチャンバの内部に挿入される。
[0070]典型的には、気化るつぼ100を、個々のるつぼの蒸気分配が重なり合うことで、基板10上に実質的に均等な蒸気堆積が提供されるように配列する。一実施形態によれば、ディストリビュータオリフィスの形状は、近隣する気化るつぼの蒸気分配を組み合わせて最適化することができる。図6に示すように、材料紙用の数個の点源を設けた垂直な気化装置に、本明細書で説明した実施形態による気化るつぼを設けることができる。
[0071]図7に、本明細書で説明された実施形態による気化るつぼ400によって実現できる更なる気化装置を示す。これによって、垂直に配列した基板10上に材料膜を蒸気堆積させる。こうすることで、気化るつぼ400が気化装置の下方部分に提供される。図7は、気化させる材料を気化るつぼ内に供給する材料ワイヤ102を示す。チャンバ130内で、材料が溶解/気化範囲において溶解および気化される。材料蒸気はチャンバの頂部からチャンバを離れ、ノズルパイプ710の絶縁要素720を通過することができる。ノズルパイプ710は複数の開口712を含み、材料蒸気を基板10の方へ水平軸に沿って方向転換させる。ノズルパイプ710は、チタン、ニオビウム、タングステン、またはこれらの材料の一つを含む合金のような高溶解材料で作成でき、当技術分野で普通に知られているとおりに製造できる。これにより、本明細書で説明された気化るつぼの複数の異なる実施形態は、ノズルパイプを設けた直線気化装置に使用できる。そのため、本明細書で説明された実施形態による向上した溶解/加熱チャンバは既存のシステムにも提供可能である。
[0072]前述の説明は本発明の実施形態に向けられているが、本発明のこれ以外および更なる実施形態の考案が、本発明の基本範囲から逸脱しない範囲内で可能であり、この範囲は請求項によって定義される。
本明細書で説明された実施形態によるポット型チャンバを含む気化るつぼの本体の略図を示す。 図1Aの気化るつぼの更なる略図を示しており、さらにカバーを含んでいる。 本明細書で説明された実施形態による気化るつぼの本体の断面図を示す。 本明細書で説明された実施形態による気化るつぼの本体の断面図を示す。 本明細書で説明された実施形態による気化るつぼの本体の断面図を示す。 本明細書で説明された実施形態による気化るつぼの本体の断面図を示す。 本明細書で説明された本発明の実施形態による本体と供給ブッシングを含んだ更なる気化るつぼの略図を示す。 本明細書で説明された実施形態による本体と供給開口を含んだまた更なる気化るつぼの略側面図である。 図4Aに示した気化るつぼの略平面図を示す。 本明細書で説明された実施形態による本体、カバー、数個の蒸気ディストリビュータオリフィスを含んだ気化るつぼの略図を示す。 本明細書で説明された実施形態による、薄膜を基板上に蒸気堆積させる気化装置の構成部品の略図を示す。 本明細書で説明された実施形態による更なる気化装置の構成部品の略図を示す。
参照符号の説明
10…基板、100…気化るつぼ、102…供給ワイヤ、120…本体、122、124…本体領域、130…チャンバ、132…チャンバ壁、133…チャンバ底部、150…カバー、162…第1電気接続部、164…第2電気接続部、170…ディストリビュータオリフィス、400…るつぼ、430…開口、500…気化るつぼ、710…ノズルパイプ、712…開口

Claims (21)

  1. 気化るつぼ(100、300、400、500)であって、
    電気伝導性本体(120)およびカバー(150、550)と、
    前記本体であって、前記本体に加熱電流を付加するための第1電気接続部(162)と第2電気接続部(164)を有し、前記本体が、溶解/気化範囲を提供するチャンバ(130)を備え、前記チャンバがチャンバ底部とチャンバ壁を備え、前記カバーが前記チャンバと共に囲いを形成する、前記本体と、
    前記気化るつぼがさらに、材料を供給するための供給開口(134、430)と、
    前記囲いの蒸気出口を提供するディストリビュータオリフィス(170、571、572)と、を備える、気化るつぼ。
  2. 前記チャンバに隣接して、また前記チャンバと前記第1および第2電気接続部の間にそれぞれ提供された第1加熱部分および第2加熱部分(124)をさらに備え、前記加熱部分が電気接続部(162、164)よりも抵抗性が高い、請求項1に記載の気化るつぼ。
  3. 気化るつぼであって、
    本体に加熱電流を付加するための第1電気接続部(162)と第2電気接続部(164)を有する電気伝導性本体(120)であって、前記本体が、溶解/気化範囲を提供するチャンバ(130)を備え、前記チャンバがチャンバ底部とチャンバ壁を備える、前記電気伝導性本体と、
    前記チャンバに隣接して、前記チャンバと前記第1および第2電気接続部(164)の間にそれぞれ提供された第1加熱部分および第2加熱部分(124)と、
    材料を供給するための供給開口(134、430)と、
    をさらに備える、前記気化るつぼ。
  4. さらに、前記チャンバ(130)と共に囲いを形成するカバー(150、550)と、
    前記囲いの蒸気出口を提供するディストリビュータオリフィス(170、571、572)と、を備える、請求項3に記載の気化るつぼ。
  5. 前記第1電気接続部(162)と前記第2電気接続部(164)が気化るつぼの軸を提供し、前記軸に沿った前記チャンバの寸法と、前記軸に対して垂直な前記チャンバの寸法とが実質的に類似している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の気化るつぼ。
  6. 前記チャンバがポット型である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の気化るつぼ。
  7. 前記チャンバ(130)が実質的に円筒形である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の気化るつぼ。
  8. 前記ディストリビュータオリフィス(170、571、572)がチャンバ壁部分を通って備えられている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の気化るつぼ。
  9. 前記供給開口(134、430)がチャンバ壁部分を通って提供されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の気化るつぼ。
  10. 前記加熱部分(124)の断面範囲が前記電気接続部の断面範囲よりも小さい、請求項1〜9のいずれか一項に記載の気化るつぼ。
  11. 前記第1電気接続部(162)と前記第2電気接続部(164)が気化るつぼの軸を提供し、前記ディストリビュータオリフィスが、前記軸からはずれたチャンバ壁部分に備えられている、請求項1〜4のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  12. 前記第1電気接続部と第2電気接続部が前記気化るつぼの軸を提供し、前記供給開口(430)が前記軸上の、チャンバ壁部分に備えられている、請求項1〜11のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  13. 前記第1電気接続部と第2電気接続部が前記気化るつぼの軸を提供し、前記供給開口(134)が、前記軸からはずれたチャンバ壁部分に備えられている、請求項1〜12のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  14. 前記本体(120)が、金属ホウ化物、金属窒化物、金属炭化物、非金属ホウ化物、非金属窒化物、非金属炭化物、窒化物、ホウ化物、黒鉛、及びこれらの組み合わせで構成されたグループより選択した少なくとも1つの材料を含む、請求項1〜13のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  15. 前記ディストリビュータオリフィスが気化軸を有し、前記気化軸が実質的に水平である、請求項1〜14のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  16. 前記ディストリビュータオリフィスが蒸気軸を有し、前記ディストリビュータオリフィスが前記気化装置軸に沿った2〜10mmの長さを有する、請求項1〜15のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  17. 前記ディストリビュータオリフィスの直径が少なくとも2mmである、請求項1〜16のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  18. 前記カバー(150、550)が非電導性材料を備える、請求項1〜2、または4〜17のいずれ一項に記載の気化るつぼ。
  19. 気化装置であって、
    請求項1〜18のいずれ一項による少なくとも1個の気化るつぼ(100、300、400、500)を備える、気化装置。
  20. 前出の請求項のいずれか一項による少なくとも5個の気化るつぼを備える、請求項19に記載の気化装置。
  21. 前記少なくとも5個の気化るつぼが垂直に配列されている、請求項20に記載の気化装置。
JP2008056825A 2007-03-08 2008-03-06 気化るつぼ、および気化特徴を適合した気化装置 Withdrawn JP2008231573A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89376607P 2007-03-08 2007-03-08
EP07004794A EP1967606A1 (en) 2007-03-08 2007-03-08 Evaporation crucible and evaporation apparatus with adapted evaporation characteristic

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008231573A true JP2008231573A (ja) 2008-10-02

Family

ID=38336568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008056825A Withdrawn JP2008231573A (ja) 2007-03-08 2008-03-06 気化るつぼ、および気化特徴を適合した気化装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090196584A9 (ja)
EP (1) EP1967606A1 (ja)
JP (1) JP2008231573A (ja)
KR (1) KR20080082484A (ja)
CN (1) CN101265567A (ja)
TW (1) TW200904999A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016525631A (ja) * 2013-07-11 2016-08-25 サエス・ゲッターズ・エッセ・ピ・ア 改良された金属蒸気ディスペンサー

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI477623B (zh) * 2010-08-24 2015-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 坩堝及具有該坩堝的蒸鍍設備
KR20120061394A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증발원 및 유기물 증착 방법
JP2012214834A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置および有機el表示装置の製造方法
TW201337013A (zh) * 2012-03-12 2013-09-16 Hitachi High Tech Corp 蒸發源裝置及真空蒸鍍裝置及有機el顯示裝置之製造方法
KR101233460B1 (ko) * 2012-07-21 2013-02-18 주식회사 야스 직접 가열 방식을 적용한 선형 증착원
SG10201608496UA (en) * 2016-10-11 2018-05-30 Au Optronics Corp Crucible
CN107400859B (zh) * 2017-08-17 2019-08-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸发源
US10801101B2 (en) 2017-08-17 2020-10-13 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Vapor evaporation source
CN110218977B (zh) * 2019-07-03 2021-04-27 Tcl华星光电技术有限公司 蒸镀装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3746502A (en) * 1971-12-20 1973-07-17 Xerox Corp Evaporation crucible
US4112290A (en) * 1976-10-27 1978-09-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Evaporation vessel for use in vacuum evaporation
DE2821130C2 (de) * 1978-05-13 1985-12-12 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verdampfertiegel mit Zuführung des Verdampfungsmaterials in Form von Stangen durch den Tiegelboden
JPS55141564A (en) * 1979-04-17 1980-11-05 Fujitsu Ltd Crucible for vapour coating
US5182567A (en) * 1990-10-12 1993-01-26 Custom Metallizing Services, Inc. Retrofittable vapor source for vacuum metallizing utilizing spatter reduction means
US5481086A (en) * 1994-08-09 1996-01-02 Dynamic Systems Inc. High temperature deformable crucible for use with self-resistively heated specimens
US5596673A (en) * 1994-11-18 1997-01-21 Xerox Corporation Evaporation crucible assembly
US5820681A (en) * 1995-05-03 1998-10-13 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
DE19843818A1 (de) * 1998-09-24 2000-03-30 Leybold Systems Gmbh Bedampfungsvorrichtung für Vakuum-Bedampfungsanlagen
DE19846602A1 (de) * 1998-10-09 2000-04-13 Leybold Systems Gmbh Verdampfer für Aluminium oder ein anderes hochschmelzendes Metall
EP1041169B1 (de) * 1999-03-29 2007-09-26 ANTEC Solar Energy AG Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
JP3485104B2 (ja) * 2001-04-24 2004-01-13 日新電機株式会社 イオン源用オーブン
US20030026601A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules
JP2004353084A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP4312555B2 (ja) * 2003-09-18 2009-08-12 富士フイルム株式会社 真空蒸着用ルツボおよび蛍光体シート製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016525631A (ja) * 2013-07-11 2016-08-25 サエス・ゲッターズ・エッセ・ピ・ア 改良された金属蒸気ディスペンサー

Also Published As

Publication number Publication date
EP1967606A1 (en) 2008-09-10
TW200904999A (en) 2009-02-01
US20080226271A1 (en) 2008-09-18
CN101265567A (zh) 2008-09-17
KR20080082484A (ko) 2008-09-11
US20090196584A9 (en) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008231573A (ja) 気化るつぼ、および気化特徴を適合した気化装置
CN108474102B (zh) 用于材料沉积源布置的分配组件的喷嘴、材料沉积源布置、真空沉积系统和用于沉积材料的方法
US20080173241A1 (en) Vapor deposition sources and methods
US20080216749A1 (en) Evaporation tube and evaporation apparatus with adapted evaporation characteristic
KR20070118917A (ko) 증발원
US8012260B2 (en) Apparatus and method for coating an areal substrate
EP2020454B1 (en) Evaporation apparatus with inclined crucible
EP3077567B1 (en) Depositing arrangement, deposition apparatus and methods of operation thereof
US20070028629A1 (en) Evaporator arrangement for the coating of substrates
JP2009030169A (ja) 整形されたるつぼ及びこのるつぼを有する蒸発装置
EP1967604A1 (en) Evaporation crucible and evaporation apparatus with directional evaporation
CN206109530U (zh) 用于将工艺气体供应到蒸发器源中的气体注入器单元
CN111455322B (zh) 坩埚装置、蒸镀装置
KR101772621B1 (ko) 하향식 증발기 및 하향식 증발 증착 장치
ES2235178T3 (es) Procedimiento y aparato para revestir un substrato.
JPWO2021049146A1 (ja) 蒸着源及び真空処理装置
TW202035741A (zh) 用以蒸發一材料之蒸發設備及使用蒸發裝置蒸發材料之方法
JP5127372B2 (ja) 蒸着装置
JP2023002533A (ja) 堆積源を冷却する方法、堆積源を冷却するためのチャンバ、及び、堆積システム
US20230279536A1 (en) Vapor deposition source for vacuum vapor deposition apparatus
JP2009057614A5 (ja)
KR100795905B1 (ko) 유기 박막 증착 장치
KR20050090843A (ko) 선형 증착물질 가열장치
KR20080079787A (ko) 유기 박막 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090114