TW200904999A - Evaporation crucible and evaporation apparatus with adapted evaporation characteristic - Google Patents

Description

200904999 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係有關於薄膜形成設備及用於設 用以形成薄膜的坩堝。具體地說，係有關於用於蒸發 或金屬的坩堝。明確而言，本發明係有關於一種蒸鍍 及一種蒸鍍設備。 【先前技術】 為了在一基材上塗佈材料薄膜，可使用一蒸發器 例而言，可利用蒸發器來施加具有金屬薄膜的塗層， 如可提供大型面板顯示器之電容器或網狀結構上的 層。明確地說，就大型面板顯示器而言，在一塗佈製 可以垂直設置一基材（可為大型且相對較薄的玻璃平4 並以一垂直蒸發器來塗佈之。 特別就垂直式蒸發而言，通常是以一垂直喷嘴管 供欲沉積在·基材上的材料蒸氣來源，該喷嘴管界定一 的垂直延伸來源以塗佈一實際上垂直設置的基材。 所提供的線性來源因此具有高複雜度，並且製造 修所費不貲。此外，該垂直延伸的噴嘴管提供朝向該 的實質熱輻射。 此外，由於欲蒸發的材料可在坩堝的不同區域内 並且可能溶解一部分的坩堝，過去建議用於蒸鍍坩堝 同溫度區域的穩定度可能不足，因而使溫度客製化 (temperature customization)減弱。 【發明内容】 備内 合金 坩堝 。舉 其例 保護 程中 來提 線性 和維 基材 遷移 之不 效果 5 200904999 鑑於上述，本發明提供一種如申請專利範圍獨立項 1 和3項所述之蒸鍍坩堝，以及如申請專利範圍第1 9項所述 之蒸鍍設備。

根據一實施例，提供一種蒸鍍坩堝。該蒸鍍坩堝包含： 一導電主體以及一蓋；該主體擁有一第一電性連接部和一 第二電性連接部，用以施加一加熱電流通過該主體，該主 體包含一腔室以提供一熔化-蒸發區，該腔室包含一腔室底 部以及一腔室壁，其中該蓋與該腔室形成一圍封件 (enclosure)。該蒸鍍掛禍更包含：一饋送開口用以饋送一 材料，以及一分配孔以提供該圍封件之蒸氣出口。 根據另一實施例，提供一種蒸鍍坩堝。該蒸鍍坩堝包 含：一導電主體，其具有一第一電性連接部和一第二電性 連接部，以施加一加熱電流通過該主體，該主體包含一腔 室以提供一熔化-蒸發區，該腔室包含一腔室底部以及一腔 室壁。該蒸鍍坩堝更包含：一第一加熱部分及一第二加熱 部分，其毗鄰該腔室且分別介於該腔室和該第一電性連接 部及第二電性連接部之間；以及一饋送開口 ，用以饋送一 材料。 根據又一實施例，提供包含至少一蒸鍍坩堝的蒸鍍設 備。該蒸鍍坩堝包含：一導電主體以及一蓋；該主體擁有 一第一電性連接部和一第二電性連接部用以施加一加熱電 流通過該主體，該主體包含一腔室以提供一熔化-蒸發區， 該腔室包含一腔室底部以及一腔室壁，其中該蓋與該腔室 形成一圍封件。該蒸鍍坩堝更包含：一用以饋送材料的饋 6 200904999 送開口 ，以及一分配孔以提供該圍封件之蒸氣出口。 可與上述實施例併用之其他優點、特徵、態樣和細節 可從附屬項、發明說明内容及圖式中獲得。

實施例也揭露了用來執行所揭示方法的設備，並且包 含執行所述方法步驟之設備部件。這些方法步驟可利用硬 體零組件、由適當軟體程式化的電腦、前述兩者的任意組 合或以任何其他方法來執行。此外，實施例也揭示操作或 製造所述設備的方法。其包含用來執行該設備功能或製造 該設備部件的方法步驟。 【實施方式】 不限制本發明範圍，在以下所述的鋁主要用來說明沉 積在基材上的材料。本發明也涵蓋該些欲進行蒸發且例如 用來進行基材塗佈的金屬、合金或其他材料。此外，在不 限制本發明範圍的情況下，基材通常指常用於顯示器技術 (例如TFT顯示器）的玻璃基材。本發明實施例可應用在其 他基材的薄膜蒸氣沉積及應用於其他技術上。 在如下對於圖式之描述中，相同元件符號表示相同部 件。通常，僅描述個別實施例中的相異處。 第1A圖示出一蒸鍍坩堝100之主體120。該主體120 包含一第一電性連接部162和一第二電性連接部164。在 兩個電性連接部之間提供一腔室1 3 0。根據一實施例，該 腔室1 3 0是盆狀，並且可以是例如具有實質上呈圓柱形且 包含腔室壁1 32。 該腔室更包含一腔室底部（未示出）。此外，可在腔室 7 200904999 1 3 0和該等電性連接部之間提供不同的主體區1 2 2和1 2 4， 而可透過該等主體區域提供電流以加熱該蒸鍍坩堝。 該等區域經過塑形以控制電流，從而控制該蒸鍍坩堝 1 0 0之主體1 2 0的熱產生，以下將參照第2 Α至2 D圖做更 詳細描述。

加熱該蒸鍍坩堝1 〇 〇將欲沉積之材料熔化並蒸發。可 藉由提供與該第一電性連接部 162及該第二電性連接部 1 6 4連接的功率源（未示出）來執行該加熱動作。因此，藉 由流經該坩堝1 0 0之主體1 2 0的電流執行加熱。通常，在 截面積較小的區域中，該主體的電阻會增加。因此，加熱 功率可根據公式P = RI2來計算，其中P是功率，R是電阻 而I是電流。由於電阻和截面積之間的比例關係，截面積 較小的區域中溫度會升高。因此，可能控制該坩堝不同區 域的電阻，而在不同區域提供期望的溫度。例如，該腔室 1 3 0内的熔化-蒸發區之溫度可介在7 0 0 °c至1 6 0 0 °c或1 3 0 0 °C至1 6 0 0 °C的範圍内。 根據進一步實施例，更可藉著改變該蒸鍍坩堝主體 1 2 0的材料組成來控制蒸鍍坩堝1 0 0之不同區域的電阻。 一般而言，根據文中所述實施例，該坩堝的材料應是 導電的、可耐受用來熔化及蒸發該等材料的高溫，並且應 能分別财受液態材料或該材料的蒸氣。例如，液態銘是高 活性的，並且可能爲該用來熔化鋁的坩堝帶來顯著的損 害。據此，材料通常可使用選自金屬硼化物（metallic boride)、金屬氮化物（metallic nitride)、金屬碳化物 200904999 (metallic carbide)、非金屬蝴化物、非金屬氮化物、非金 屬碳化物、氮化物、删化物、石墨及其組合物所構成的群 組中，例如二棚化鈦（T i B 2)、二棚化鈦和氮化铭（A1N)的組 合物、二删化鈦和氮化糊（B N)的組合物，或二棚化鈦、氮 化蝴和氮化銘的組合物。 可用這些材料的電阻率差異可進一步調整該坩堝内的 熱產生。因此，可取決於各自區域内所預期產生的熱，來 選擇該主體不同區域内的材料組成，以具有相應的電阻率。 第1A和1B圖中，該腔室130擁有用來饋送欲蒸發之 材料線的開口 1 3 4，該開口 1 3 4設置在腔室壁中。根據一 實施例，該開口 1 3 4設置在該主體1 2 0的一軸上，該轴實 質上垂直於由該第一電性連接部162和該第二電性連接部 1 6 4之位置所界定的該主體軸2。根據另一實施例，用來饋 送材料線進入該腔室1 3 0的開口 1 3 4也可設置在由該第一 電性連接部和該第二電性連接部之位置所界定的軸2鄰近 處或設置在軸2上（見，例如第4A和4B圖）。

根據將文中所述之任何實施例組合得出進一步實施 例，可利用材料線的形式來饋送材料。可額外或是取代地， 可用顆粒或類似形式將材料饋入該蒸鍍坩堝。 根據更進一步之實施例（未示出），用來饋送欲蒸發且 沉積在基材上之材料線的開口 3 1 4也可設置在該蓋1 5 0 内。在第1B圖中示出該蓋150以及該腔室130提供一具 有熔化-蒸發區的圍封件。 根據文中所述實施例，使該熔化-蒸發區密閉至最高程 9 200904999 度。因此，可使從非期望方向（例如饋送該材料之開口的方 向）離開該腔室的蒸氣量減至最小。 做為一範例，該腔室1 3 0之熔化-蒸發區的溫度高於欲 沉積之材料的蒸發溫度。但是，用來饋該材料的材料線在 該熔化-蒸發區的一小部分内造成溫度的局部降低。根據進 一步之實施例，該溫度高於蒸發溫度至少 2 0 0 °C ，例如高 於蒸發溫度2 0 0 °C至9 0 0 °C，或6 0 0 °C至8 7 0°C。例如，就 鋁而言，該溫度可高於900 °C或高於1150 °C。

通常，該溫度的下限取決於欲沉積之材料的熔化溫度 和腔室壓力。通常，該溫度的上限可由該蒸鍍坩堝的溫度 穩定性來產生。 如第1A圖所示，根據文中所述實施例，腔室1 3 0的 腔室壁1 3 2可具有分配孔1 7 0，該材料蒸氣可透過分配孔 1 7 0沿一界定的蒸發方向離開該圍封件。 薄膜的蒸氣沉積可例如應用在有機發光二極體 (OLED)、其他顯示裝置（例如TFT)或普遍用於玻璃基材或 箔片上的薄膜塗佈。做為一範例，薄金屬膜可用於顯示器 應用中以控制顯示器的個別像素。 通常，就提供用於垂直設置基材之蒸氣沉積的應用而 言，可使用具有喷嘴管的線性蒸發器單元，其可改變長型 坩堝之蒸發區所發散的蒸氣方向。因此，可沿水平方向運 送該垂直設置的基材通過該線性蒸鍍設備以進行該基材的 薄膜塗佈。但是，沿著水平蒸發軸改變該材料蒸氣方向的 喷嘴管以及常用的坩堝是複雜且難以保養的。由於鑑於微 10

200904999 粒污染和基材彎曲而希望採用垂直的基材設置方式，但 希望具有可用於垂直蒸發應用的簡化蒸發源。文中所述 蒸鍍坩堝實施例可做為垂直蒸鍍設備的點來源。 又一範例，文中所述實施例可用來塗佈顯示器技術 此類技術中的基材。因此，基材尺寸可如下。典型的玻 基材以及塗佈區域可有約0.7毫米x3 70毫米x470毫米 尺寸。然而，下一世代的基材可有約1 1 0 0毫米X 1 3 0 0毫 或更大的尺寸。例如，文中所述應用通常涉及大型基材 因此，大型基材可能有500毫米或更大的高度及長度。 為玻璃基材時，通常可以是680毫米x880毫米、1100 米X 1 3 0 0毫米或更大。典型的大型彈性基材，例如箔片 可擁有至少500毫米的寬度。 根據參照第1 A和1 B圖所述之實施例，一蓋1 5 0提 於該腔室130上。因此，可提供包含一熔化-蒸發區域 圍封件。透過開口 1 3 4將欲蒸發的材料（例如鋁）供應至 腔室内，並且接觸該腔室内的加熱表面。根據一實施例 該材料可提供在該腔室底部。 在該腔室内溶化該材料，並且在進一步加熱後於該 化-蒸發區内蒸發。該材料蒸氣透過分配孔1 7 0離開該 室，且之後可沉積在一基材上。該分配孔包含一蒸發軸 其係由位在該圍封件中的該開口或孔的方向所界定出。 如，若在盆狀腔室的側壁上提供一水平孔，該孔界定出 分配孔，即提供一水平的蒸發軸。 根據更進一步實施例，其可與文中的其他實施例 又 的 或 璃 的 米 〇 若 毫 供 的 該 溶 腔 » 例 該 合 11 200904999 併，分配孔可具有沿著該蒸發軸且2至1 0毫米的通道長 度。根據更進一步實施例，該孔的直徑在3至2 0毫米的範 圍内。 如上所述，該腔室可以是盆狀。根據進一步實施例， 該腔室在沿著軸2以及與其垂直之軸上具有實質相同的尺 寸，及/或者在沿該腔室底部的兩個垂直方向上具有相同尺 寸，根據更進一步實施例，尺寸可介在2 0毫米至1 5 0毫米 或典型的3 0毫米至5 0毫米的範圍内。根據另一實施例， () 高度可介在20毫米至50毫米或典型25毫米至40毫米的 範圍内。根據更進一步實施例，該腔室係圓形或摘圓形圓 柱。此形狀可提供改善的穩定度及/或體積-表面比例。 根據文中所述實施例，應將該熔化-蒸發區理解為欲蒸 發之材料在其内熔化且蒸發的區域。因此，可提供在該腔 室内擁有相似壓力條件的單獨腔室系統。額外或取代地， 根據文中所述實施例，可省略用來在該腔室内分隔熔化區 和蒸發區的其他分隔設備。據此，可避免極薄液態材料膜 ^ 的遷移問題或由於部分蒸鍍坩堝熔化造成客製化溫度輪廓

(J 隨時間變異的問題。 根據文中所述實施例，該熔化蒸發區的熔化區域（例如 一表面）係在該蒸發區域内。 該蒸發區域内的熔化區域可例如被理解為在該熔化-蒸發區之蒸發區域内具有降低氣壓的區域，例如在1 0 %或 20%範圍内。 做為另一範例，該蒸發區域内的熔化區域可理解為在 12

200904999 該主要蒸發區域内具有該熔化區域（例如，一表面），也 是說，例如至少5 0 %或7 5 %的蒸發在其中執行的區域。 因此，具有一擋板（一種用來控制飛濺的面板）或類 物之可能性不影響該熔化-蒸發區的功能。 該蒸鍍坩堝100包含一主體120及一蓋150。若是 用饋送線1 02連續饋送欲沉積之材料來提供該材料，例 鋁，可維持材料平衡而使該系統内的材料量實質上固定 因此，進入該系統内的材料量係由該饋送線1 0 2的直徑 及饋送速度提供。為了達到平衡，從該蒸鍍坩堝1 〇 〇蒸 的材料量以及饋入該系統内的材料量應該相仿。 如第1A和1B圖所示，一蓋150提供在該腔室壁1 的上部上。根據一實施例，可提供該蓋1 5 0而使該蓋位 該腔室壁132内側部分（inner portion)且位於該腔室130 央。根據進一步實施例，該蓋1 5 0可因此具有在該腔室1 的上邊緣上往外延伸的蓋子，或者可設置在該腔室壁的 凹槽内。根據更進一步實施例，該蓋1 5 0可藉著該腔室 1 3 2的外側部分（〇 u t e r ρ 〇 r t i ο η)而設置於該腔室1 3 0中央 根據一實施例，該蓋1 5 0可由非導電材料製成。因说 其可包含氮化硼或諸如此類者。非導電蓋則藉由毗鄰的 體部分來被動加熱。 依據該主體1 2 0的腔室1 3 0和加熱部分1 2 4的尺 (例如第2 Α至2D圖），該蓋1 5 0可被充分加熱而使得幾 沒有任何蒸氣冷凝在該蓋上。因此，可避免液態材料在 腔室的接觸區内以及該蓋上的遷移。此外，充分加熱的 就 似 利 如 〇 以 發 32 於 中 30 壁 主 寸 乎 該 蓋 13

200904999 1 5 0連同該分配孔1 7 0提供一熔化-蒸發區而使該 主要受到該分配孔影響。蒸氣經由該孔離開該腔 料蒸氣幾乎經過該蓋。該蓋1 5 0容許複數個蒸鑛 垂直設置的配置方式，因此可實現複數個點來源 直蒸鍍設備。 根據在此所述實施例，一蒸鍍坩堝之主體的 計成具有數種不同剖面，如第2A-2D圖所示。第 出該電性連接部1 6 2或1 6 4區域内的剖面。該剖1 圖中以截面 Α-Α表示。第2Β圖示出第1Α圖之 的剖面。該區域1 2 2處的截面積可與該電性連接 的截面積相似。但是，剖面1 2 2從水平的平坦形 垂直形狀。因此，根據另一實施例，可在該腔室 兩側提供一剖面形狀轉化部分做為該主體的一部 面形狀轉化部分係具有一修飾剖面 cross-section)的中間導電區。因此，通過該主體 熱電流被轉化，而使該電流實質上在該主體的整 Ϊ流動，因此在該腔室13 0處流動。根據另一實施 面形狀轉化部分的剖面形狀可以是該腔室高度的 或90%。做為一範例，就文中所述的實施例而言 的剖面形狀轉化區可設置在該主體之電性連接部 之加熱部分或該主體的腔室之間，加熱部分將描 此外，根據又一實施例，該剖面形狀轉化部分及 電性連接部至該剖面形狀轉化部分的轉變處可以 積（cross-section area conserving) ° 蒸發材料 室。該材 坩堝1 0 0 單元的垂 形狀可設 2 A圖示 &在第1 A 截面B-B 部162處 狀轉換為 的一側或 分。該剖 (modified 1 2 0的加 個高度上 例，一剖 至少80% ，該主體 和該主體 述於下。 /或從該 保留截面 14 200904999 主要沿著整個腔室高度進行腔室1 3 0的加熱動作可降 低溫度梯度，而溫度梯度可能造成該蒸鍍坩堝的破裂。此 外，位在該腔室頂部上的蓋可被加熱至與該腔室本身實質 相同的溫度。因此，可避免液態材料的冷凝和造成遷移。

第2 C圖示出在部分1 2 4處的剖面。該部分1 2 4係一 加熱部分，其設置在該電性連接部和該腔室之間。該加熱 部分毗鄰該腔室。如第2 C圖所示，可藉由將該主體之加 熱區的截面積及/或電阻率縮小約5 %至2 0 %來提供該加熱 部分1 24。根據又一實施例，可藉由冷卻該電性連接部區 域，使該加熱部分的溫度比該電性連接部要高。因此，該 電性連接部提供一散熱件（heat sink)，鑑於例如蒸锻設備 的冷卻連接元件（cooled connecting elements)。該蒸鍍設備 的連接元件可以是例如夾鉗單元。據此，依據至該散熱件 的距離，可將該加熱部分之較高溫度區設置在該該腔室的 鄰近處。根據又另一實施例，可藉由在該電性連接部 1 6 2 處具有一散熱件並且稍微縮小截面積來提供該加熱部分 1 2 4。第2 C圖所示之剖面也具有垂直的延長部分以使由第 2 B圖之剖面所提供的電流繼續朝向該主體的腔室。因此， 根據不同實施例：該主體之加熱部分1 2 4可設置在該腔室 的一側或兩側上、毗鄰該腔室且位於該腔室以及各個電性 連接部之間。可額外或選擇性地，例如藉由調整截面積及/ 或材料電阻率而使該加熱部分的電阻高於該電性連接部的 電阻。 包含該腔室壁132以及該腔室底部133之該腔室130 15

200904999 的剖面在第2 D圖中示出。第2 D圖示出饋送欲蒸發材 開口以及一分配孔1 7 0。該腔室的載面積與該加熱部分 的剖面相仿或稍小一些。例如，該腔室的戴面積及/或 率可比第2C圖所示之加熱部分124的截面積及/或電 要小0 %至2 0 %。藉由在該腔室兩側提供加熱部分，可 該腔室和該熔化-蒸發區較佳的加熱對稱性。 相較於僅局部加熱該腔室而言，位於兩側並鄰接 室的加熱部分提供改善的對稱加熱。當與相鄰之加熱 124内的熱產生相比，藉由在該規模不大的腔室内提 產生可在該腔室内產生更均勻的溫度，從而在該熔化-區内產生更均勻的溫度。 此外，根據文中所述之進一步實施例，該電性連 162、區域122和區域124三者合起來的長度介在80 至2 2 0毫米的範圍内。因此，可提供從該電性連接部 對較冷區域至在該腔室内及鄰近該腔室之相對較高溫 轉變。 根據可與文中所述之任何實施例合併的不同實施 可藉由該主體的突出物將該電性連接部設置在該主體 因此，該突出物可接觸該蒸鍍設備的接觸元件。此外 蒸鍍設備之接觸元件可以被冷卻。一般而言，提供該 接觸以施加加熱電流通過該主體。因此可由該蒸鍍設 功率源來施加該電流。 在第3圖示出又一蒸鍍坩堝300，其也可做為垂 鍍設備的點來源。該坩堝3 0 0包含一第一電性連接部 料的 124 電阻 阻率 提供 該腔 部分 供熱 蒸發 接部 毫米 之相 區之 例， 處。 ，該 電性 備的 直蒸 1 62 16 50 50

200904999 及一第二電性連接部1 6 4。該主體1 2 0之腔室係被該蓋1 覆蓋住。在一腔室壁132内，提供一用來引進材料線以 送欲蒸發材料的開口。在該開口内，提供一軸襯3 3 0以 過該軸襯將該材料線插入該腔室内。 根據一實施例，其可與該軸襯併用或者可分開提供 該腔室壁1 3 2内的開口相對於該腔室壁而傾斜。因此， 材料線可以朝該腔室底部插入。根據更進一步實施例， 在該腔室壁内的開口提供去角的邊緣（chamfered edge)。 第4A和4B圖所示，也可在該主體鄰近該腔室的部分中 供一開口 4 3 0。因此，可在該軸2上或接近軸2的該腔 壁内提供一開口 。根據又一實施例（未示出），用來引進 饋送線的開口可設置在蓋中。 第4A圖示出坩堝400的主體120。用來饋送欲蒸發 料之材料線可提供在軸2上或接近軸2處。該主體1 2 0 含腔室130，腔室130具有一腔室壁132以及一腔室底 133。如第4A圖所示者，在該腔室130的一側壁132中 供一分配孔1 7 0。根據更一實施例，也可在第4圖所示 配置中提供參照第3圖所述的軸襯。 根據文中所述實施例，設置在該腔室1 3 0之側壁内 分配孔1 7 0提供具有一指向性蒸發軸的蒸氣孔。該分配 包含一蒸發軸，其係由該圍封件中的開口或孔的方向所 定出。例如，若在一盆狀腔室的側壁中提供一水平孔， 孔界定該分配孔，即提供一水平的蒸發軸。 因此，蒸發分佈（evaporation distribution)係由該分 饋 透 該 可 如 提 室 該 材 包 部 提 的 的 孔 界 該 配 17 200904999

孔提供。該蒸發分佈可由該腔室内的孔或開口界定。據此， 該分佈可由該分配孔的形狀、直徑以及長度來調整。例如， 該側壁厚度可界定該分配孔沿著其指向性蒸發軸的長度。 根據不同實施例，該分配孔的形狀可以是圓形、卵形、橢 圓形、有角形、圓柱、狹缝狀或以他種方式形成。根據又 另一可併用的實施例，該蒸發軸的方向相對於該腔室壁表 面可以是水平或傾斜的。進一步，可能額外或選用性地使 該孔的邊緣去角。根據更進一步的實施例，例如第5圖所 示者，可提供一蒸鍍坩堝500，其具有第一分配孔571及 第二分配孔5 7 2。在第5圖中，該等分配孔具有細長的卵 形造型以及具有垂直的延伸軸。如第5圖所示，擁有該第 一電性連接部162和該第二電性連接部164之主體120的 腔室可覆蓋以一蓋5 5 0，蓋5 5 0藉著該腔室壁1 3 2的外側 部分而置於中央。 根據更進一步的實施例，其可與文中的其他實施例合 併，可沿著該蒸發軸提供分配孔約2至10毫米的通道長 度。根據更進一步的實施例，該孔的直徑在3至2 0毫米的 範圍内。 第6圖示出具有複數個垂直設置之蒸鍍坩堝1 0 0的蒸 鍍設備的部件。做為一例示實施例，一種利用文中所述之 蒸鍍坩堝來形成薄膜的方法可藉由使用完全置於 1 (Γ2至 1 (Γ6毫巴之真空環境中的設備來執行之。因此，該薄膜可 蒸氣沉積在一基材或一載體箔片上，而不會有來自周圍環 境的微粒污染。 18 200904999 根據文中所述實施例，一種蒸發材料的方法包含：提 供具有一熔化-蒸發區的腔室，以及插入欲在該熔化-蒸發 區内蒸發的固態材料。

在第6圖中，四個蒸鍍坩堝1 0 0以一個位在另一個上 方的方式垂直設置。例如由於在該蒸鍍坩堝上設有蓋子， 故此種垂直設置是可能的。在第6圖所提供的侧視圖中， 可看到該電性連接部1 6 2、該主體的部分1 2 2以及該腔室 壁1 3 2的一部分。將用來饋送欲蒸發材料的材料線1 02插 入該腔室内以熔化並蒸發該材料線。 通常，該蒸鍍坩堝1 〇 0係經設置，而使個別坩堝的蒸 氣分佈範圍部分重疊，因此在基材1 〇上提供實質均勻的蒸 氣沉積。根據一實施例，該分配孔的形狀可最佳化以利於 相鄰蒸鍍坩堝之組合蒸氣分佈範圍。如第6圖所示，可在 用於材料膜之具有多個點來源的垂直蒸鍍設備中設置多個 根據文中所述實施例所做的蒸鍍坩堝。 第 7圖示出可利用根據文中所述實施例之蒸鍍坩堝 4 0 0來做成的另一蒸鍍設備。由此，欲在一垂直設置的基 材1 0上蒸氣沉積一材料膜。因此，在該蒸鍍設備的下半部 分内設置蒸鍍坩堝400。第7圖示出用來饋送欲在該蒸鍍 坩堝内蒸發的材料之材料線1 02。在該腔室1 3 0内，該材 料在該熔化-蒸發區内熔化並且蒸發。該材料蒸氣可在該腔 室頂部處離開該腔室並通過該喷嘴管 710内的隔離元件 (insulation element)720。該噴嘴管 710 包含複數個開口 7 1 2，並沿著水平軸改變該材料蒸氣的方向使其朝向該基材 19

200904999 1 0。該喷嘴管7 1 0可由高熔點材料製成，例如鈦、鈮 或包含這些材料之一的合金，並且可以該領域中所習 技術來製造。據此，如文中所述之蒸鍍坩堝的各種實 可用在具有噴嘴管的線性蒸鍍設備。因此，根據文中 實施例所做的改良熔化-加熱腔室可用於現行的系統中 雖然前述内容係針對本發明之多個實施例，但可 背離本發明基本範圍下設計出本發明的其他及進一步 例，並且本發明範圍係由後附申請專利範圍決定。 【圖式簡單說明】 上述内容將描述一部分上文所指出以及其他更詳 態樣，並且部分態樣繪示於該等附圖示中以供參考。I 第1 Α圖示出根據文中所述實施例之具有盆形腔 蒸鍍坩堝之主體的簡要圖； 第1B圖示出包含一蓋之第1A圖蒸鍍坩堝的又一 圖， 第2A至2D圖示出根據文中所述實施例之蒸鍍坩 主體剖面圖； 第3圖示出根據文中所述實施例之包含一主體及 送軸襯之另一蒸鍍坩堝的簡要圖； 第4A圖示出根據文中所述實施例之包含該主體 饋送開口之再一蒸鍍坩堝的簡要側視圖； 第4B圖示出第4A圖之蒸鍍坩堝的簡要上視圖； 第5圖示出根據文中所述實施例之包含一主體、 以及數個蒸氣分配孔的蒸鍍坩堝簡要圖； 、鎢 知的 施例 所述 〇 在不 實施 細的 中： 室的 簡要 竭的 一饋 及一 一蓋 20 200904999 第6圖示出根據文中所述實施例之用來蒸氣沉積薄膜 在一基材上之蒸鍍設備部件的簡要圖；以及 第7圖示出根據文中所述實施例之又一蒸鍍設備之部 件的簡要圖。 【主要元件符號說明】 2 軸

Ci 10 0、 300、 400、 500 坩堝 1 02 饋送線 120 主體 122、 124 主體區 130 腔室 132 腔室壁 133 腔室底部 134、 430 、 712 開口 150、 550 蓋 162 第一電性連接部 164 第二電性連接部 170 分配孔 330 軸襯 571 第一分配孔 572 第二分配孔 710 噴嘴管 720 隔離元件 21

Claims (1)

1. 200904999 十、申請專利範圍： 1_ 一種蒸鍍坩堝（100、300、400、500)，其包含·· 一導電主體（120)及一蓋（150、550); 該主體具有一第一電性連接部（1 6 2)和一第二電性連 接部（1 6 4)以施加一加熱電流通過該主體，該主體包含一腔 室（1 30)以提供一熔化-蒸發區，該腔室包含一腔室底部與 一腔室壁，其中該蓋與該腔室形成一圍封件； f, 一饋送開口（1 34、430)，用以饋送一材料；以及 一分配孔（1 7 0、5 7 1、5 7 2 )，提供該圍封件之蒸氣出口。 2. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍坩堝，更包含： 一第一加熱部分及一第二加熱部分（1 2 4 )，其毗鄰該腔 室且分別介於該腔室和該第一電性連接部以及該第二電性 連接部之間，其中該等加熱部分的電阻高於該等電性連接 部（162、164)的電阻。 〇 3. —種蒸鍍坩堝（100、300、400、500)，其包含： 一導電主體（120)，其具有一第一電性連接部（162)和 一第二電性連接部（1 6 4)用以施加一加熱電流通過該主 體，該主體包含一腔室（1 3 0)以提供一熔化-蒸發區，該腔 室包含一腔室底部和一腔室壁； 一第一加熱部分及一第二加熱部分（1 2 4 )，其毗鄰該腔 室且分別介於該腔室和該第一電性連接部以及該第二電性 22 200904999 連接部（1 6 4)之間；以及 一饋送開口（134 ; 430)，用以饋送一材料。 4.如申請專利範圍第3項所述之蒸鍍坩堝，更包含： 一蓋（150、55 0)，其與該腔室（13 0)形成一圍封件 及 一分配孔（1 7 0、5 7 1、5 7 2 )，提供該圍封件之蒸氣出 5 .如前述申請專利範圍任一項所述之蒸鍍坩堝，其中 一電性連接部（162)和該第二電性連接部（164)提供該 坩堝的轴，並且其中該腔室沿著該軸以及與該軸垂直 寸實質相仿。 6.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸 堝，其中該腔室為鍋狀。 ；以 口 〇 該第 蒸鍍 的尺 鍍坩

   7.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸 堝，其中該腔室（13 0)實質上是圓柱狀。 8.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸 堝，其中該分配孔（1 70、5 7 1、5 72)穿通一腔室壁部分 9.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸 镀坩 鍍坩 鍍坩 23 200904999 堝，其中該饋送開口（ 1 3 4、4 3 0)穿通一腔室壁部分。 1 0.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該等加熱部分（1 2 4)的截面積小於該等電性連接部 的截面積。 1 1 .如申請專利範圍第1和4項任一項所述之蒸鍍坩堝， 其中該第一電性連接部（162)和該第二電性連接部（164)提 供該蒸鍍坩堝的一軸，並且相對於該軸而言，該分配孔設 置在一偏離該軸的腔室壁部分處。 12.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該第一電性連接部和該第二電性連接部提供該蒸 鍍坩堝的一軸，並且相對於該軸而言，該饋送開口（430) 設置在一位於該軸上的腔室壁部分處。 1 3 .如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該第一電性連接部和該第二電性連接部提供該蒸 鍍坩堝的一軸，並且相對於該軸而言，該饋送開口（134) 設置在一偏離該軸的腔室壁部分處。 1 4.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該主體（120)包含至少一材料，其選自於由：金屬 24 200904999 硼化物、金屬氮化物、金屬碳化物、非金屬硼化物、非金 屬氮化物、非金屬碳化物、氮化物、蝴化物、石墨及其組 合物所構成的群組中。 1 5 .如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該分配孔具有一蒸發軸，且其中該蒸發軸實質上 是水平的。 1 6.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該分配孔具有一蒸發軸，且其中該分配孔沿著該 蒸發軸的長度為2毫米至10毫米。 1 7.如前述申請專利範圍第1至4項任一項所述之蒸鍍坩 堝，其中該分配孔的直徑至少2毫米。

   1 8.如申請專利範圍第1至2項或第4項任一項所述之蒸 鍍坩堝，其中該蓋（150、55 0)包含一非導電材料。 1 9. 一種蒸鍍設備，其包含： 至少一個如前述申請專利範圍任一項所述之蒸鐘掛渦 (100 、 300 、 400 、 500) c 2 0.如申請專利範圍第1 9項所述之蒸鍍設備，包含： 25 200904999 至少五個如前述申請專利範圍任一項所述之蒸鑛i# 堝。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項所述之蒸鍍設備，其中該至少 五個蒸鍍坩堝為垂直排列。