CN101265567A - 蒸发坩埚和具有合适的蒸发特性的蒸发设备 - Google Patents

蒸发坩埚和具有合适的蒸发特性的蒸发设备 Download PDF

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CN101265567A CNA2008100065477A CN200810006547A CN101265567A CN 101265567 A CN101265567 A CN 101265567A CN A2008100065477 A CNA2008100065477 A CN A2008100065477A CN 200810006547 A CN200810006547 A CN 200810006547A CN 101265567 A CN101265567 A CN 101265567A
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Abstract

本发明描述了一种蒸发坩锅。所述蒸发坩锅(100;300;400;500)包括:导电主体(120)和盖(150;500);所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接(162)和第二电连接(164),所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔(130),所述腔包括腔底和腔壁,其中所述盖与所述腔形成封闭空间;进料开口(134;430),用于进料材料;以及分配孔(170;571;572),提供所述封闭空间的蒸汽出口。

Description

蒸发坩锅和具有合适的蒸发特性的蒸发设备
技术领域
本发明一般地涉及薄膜形成设备和在该设备中用于薄膜形成的坩锅。具体地,本发明涉及用于蒸发合金或金属的坩锅。特别地,本发明涉及蒸发坩锅和蒸发设备。
背景技术
蒸发器可以用于衬底上的材料薄膜涂层。例如,利用金属膜的涂层(其例如提供大面板显示器的电容器或提供薄片上的保护层)可以利用蒸发器来施加。具体地,对于大面板显示器,可以以大的并且相对很薄的玻璃板来提供的衬底可以被垂直放置在涂层工艺中,并且用垂直蒸发器来进行涂层。
具体地对于垂直蒸发来说,将被沉积在衬底上的材料蒸汽的源通常设置有垂直喷嘴管,其定义了用于涂层垂直排列的衬底的线性垂直延伸的源。
由此提供的线性源具有高的复杂性,并且制造和维护很昂贵。此外,垂直延伸的喷嘴管提供朝向衬底的显著热辐射。
此外,已经被建议用于蒸发坩锅的不同温度区域的稳定性可能不足,因为将被蒸发的材料可能在坩锅的各个区域中迁移,还可能溶解坩锅的不同部分,从而温度定制可能被劣化。
发明内容
根据上述情况,本发明提供了根据本发明的第一方面和第二方面的蒸发坩锅,以及根据第三面的蒸发设备。
根据本发明第一方面的一个实施例,提供了一种蒸发坩锅。所述蒸发坩锅包括:导电主体和盖;所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接和第二电连接,所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔,所述腔包括腔底和腔壁,其中所述盖与所述腔形成封闭空间。所述蒸发坩锅还包括:进料开口,用于进料材料;以及分配孔,提供所述封闭空间的蒸汽出口。
根据本发明第二方面的一个实施例,提供了一种蒸发坩锅。所述蒸发坩锅包括:导电主体,其具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接和第二电连接,所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔,所述腔包括腔底和腔壁。所述蒸发坩锅还包括:第一和第二加热部分,其紧邻腔设置,并且被分别设置在所述腔和所述第一电连接之间和所述腔和所述第二电连接之间;以及进料开口(134;430),用于进料材料。
根据本发明第三方面的一个实施例,提供一种包括至少一个蒸发坩锅的蒸发设备。所述蒸发坩锅包括:导电主体和盖;所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接和第二电连接,所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔,所述腔包括腔底和腔壁,其中所述盖与所述腔形成封闭空间。所述蒸发坩锅还包括:进料开口,用于进料材料;以及分配孔,提供所述封闭空间的蒸汽出口。
根据从属权利要求、说明书和附图,可以清楚了解可以与上述实施例结合的进一步的优点、特征、方面以及细节。
实施例还涉及用于完成所公开的方法的并且包括用于执行所述方法步骤的设备部件的设备。这些方法步骤可以通过硬件构件、由适当的软件编程的计算机、通过上述两种方式的任意组合或任何其它方式来执行。此外,实施例还涉及所述设备的操作方法或所述设备的制造方法。其包括用于实现设备的功能的方法步骤或制造设备的部件的方法步骤。
附图说明
本发明的上述和其它更具体的方面中的一部分将在下面的描述中进行描述,参考附图进行局部说明。
图1A示出了根据本文所述的实施例的包括罐形腔的蒸发坩锅的主体的示意图;
图1B示出了包括盖的图1A的蒸发坩锅的又一示意图;
图2A到图2D示出了根据本文所述的实施例的蒸发坩锅的主体的横截面;
图3示出了根据本文所述的实施例的包括主体和进料套管的又一蒸发坩锅的示意图;
图4A示出了根据本文所述的实施例的包括主体和进料开口的还又一蒸发坩锅的示意性侧视图;
图4B示出了图4A所示的蒸发坩锅的示意性俯视图;
图5示出了根据本文所述的实施例的包括主体、盖和若干蒸汽分配孔的蒸发坩锅的示意图;
图6示出了根据本文所述的实施例的用于在衬底上进行薄膜气相沉积的蒸发设备的构件的示意图;以及
图7示出了根据本文所述的实施例的又一蒸发设备的构件的示意图。
具体实施方式
在下文中,铝将被主要描述作为被沉积在衬底上的材料,但是这不是限制本申请的范围。本发明还涉及将被蒸发并例如用于衬底的涂层的金属、合金或其它材料。此外,衬底一般是指如通常用于显示技术(例如TFT显示器)的玻璃基材,但是这不是限制本发明的范围。本发明的实施例可以应用于在其它衬底上进行的和用于其它技术的薄膜气相沉积。
在下面对附图的描述中,相同的标号指代相同的构件。一般来说,针对各个实施例,仅仅描述其差异。
图1A示出了蒸发坩锅100的主体120。主体120包括第一电连接162和第二电连接164。在两个电连接之间设置腔130。根据一个实施例,腔130是罐形的,并且例如可以具有包括腔壁132的基本圆筒形状。
腔还包括腔底(没有示出)。此外,不同的主体区域122和124可以被设置在腔130和电连接之间,通过其提供用于加热蒸发坩锅的电流。
将针对图2A到2D进行更详细描述的区域被形成一定形状以控制电流流动从而控制蒸发坩锅100的主体120的生热。
待沉积的材料通过加热蒸发坩锅100而被熔融和蒸发。加热可以通过设置连接到第一电连接162和第二电连接164的电源(没有示出)来完成。由此,通过流经坩锅100的主体120的电流来完成加热。通常,在具有较小横截面积的区域中,主体的电阻增大。由此,加热功率可以根据方程P=R·I2来计算,其中P是功率,R是电阻,I是电流。由于电阻和横截面积的比例关系,在具有较少横截面积的区域中温度升高。因此,可以控制坩锅的不同区域的电阻,从而在不同的区域中提供所期望的温度。例如,腔130中的熔融蒸发区域中的温度可以在700℃到1600℃或1300℃到1600℃的范围内。
根据其它实施例,蒸发坩锅100的不同区域的电阻可以通过改变蒸发坩锅100的材料组成而被进一步控制。
通常,根据本文所述的实施例,坩锅的材料应该是导电的,耐受用于熔融和蒸发待沉积材料的温度,并且应该耐受液体材料或材料蒸汽。例如,液体铝具有高度反应性,并且可以对用于熔融铝的坩锅施加显著的损坏。根据此,通常,可以使用选自由金属硼化物、金属氮化物、金属碳化物、非金属硼化物、非金属氮化物、非金属碳化物、氮化物、硼化物、石墨及其组合组成的组的材料(例如,TiB2,TiB2和AlN的组合,TiB2和BN的组合或TiB2、BN和AlN的组合)。
这些材料的电阻率的差异可以被用于进一步调节坩锅中的生热。由此,可以根据各个区域中所期望的生热,选择主体的不同区域中的材料组成,以使其具有相应的电阻率。
在图1A和1B中,腔130具有开口130,用于进料待沉积的材料的线。开口130设置在腔壁中。根据一个实施例,开口130被设置在主体120的基本垂直于主体的轴线2的轴线上,所述主体的轴线2由第一电连接162和第二电连接164的位置限定。根据另一个实施例,用于将线进料到腔130中的开口130也可以被靠近由第一电连接162和第二电连接164的位置限定的轴线2设置,或者设置在轴线2上(参见例如图4A和图4B)。
根据可以通过与本文所述的实施例中的任何一个组合得到的其它实施例,材料的进料可以由线来提供。此外或或者,材料可以通过粒料等被进料到蒸发坩锅中。
根据还有的实施例(没有示出),用于进料待蒸发并沉积在衬底上的材料的线的开口134也可以被设置盖150中。在图1B中示出的盖150和腔130提供具有熔融蒸发区域的封闭空间。
根据本文所述的实施例,熔融蒸发区域在最大程度上被封闭。因此,沿不期望的方向(例如,沿用于进料材料的开口的方向)离开腔的蒸汽的量可以被最小化。
作为示例,腔130的熔融加热区域中的温度高于待沉积的材料的蒸发温度。但是,提供来进料材料的线导致熔融蒸发区域的小部分中的温度的局部降低。根据其它实施例,温度为蒸发温度以上至少200℃,例如为蒸发温度以上200℃到900℃或者600℃到870℃。例如,对于铝,温度可以为高于900℃或高于1150℃。
通常,温度的下限依赖于待沉积的材料的熔融温度和腔压。通常,温度的上限可以由蒸发坩锅的温度稳定性来给定。
如图1A所示,根据本文所述的实施例,腔130的腔壁132可以具有分配孔170,通过所述分配孔170,材料蒸汽可以以限定的蒸发方向离开封闭空间。
薄膜气相沉积可以例如应用于有机发光二极管(OLED)、其它的显示器件(例如TFT)或一般用于薄膜衬底或薄片上的薄膜涂层。作为示例,薄金属膜被提供用于显示应用,以控制显示器的单个像素。
通常,对于针对垂直布置的衬底提供气相沉积的应用,可以使用具有喷嘴管的线性蒸发单元,所述喷嘴管重新定向由狭长的坩锅的蒸发区域发出的蒸汽。由此,垂直布置的衬底可以沿水平方向被传输通过线性蒸发设备,以进行衬底的薄膜涂层。但是,用于沿水平蒸发轴重新定向材料蒸汽的喷嘴管和常用的坩锅很复杂,并且难以维护。因为考虑到粒子污染和衬底的弯曲,垂直衬底布置是所期望的,所以优选的是具有简化的蒸发源,用于垂直蒸发应用。在本文所描述的蒸发坩埚的实施例可以被用作用于垂直蒸发设备的点源。
作为又一示例,本文所述的实施例可以被用于显示器技术等用衬底的涂层。由此,衬底尺寸可以如下。典型的玻璃衬底并且由此涂层面积的尺寸可以为约0.7mm×370mm×1300mm或更大。但是,下一代沉积可以具有约1100mm×1300mm或更多的尺寸。例如,本文所述的应用通常是指大的衬底。由此,大的衬底可以具有500mm或更大的高度和长度。在玻璃衬底的情况下,这通常可以为680mm×880mm、1100mm×1300mm或更大。典型的大的柔性衬底,例如薄片,可以具有至少500mm的宽度。
根据本文针对图1A和1B所述的实施例,盖150被设置在腔130上。由此,提供了包括熔融蒸发区域在内的封闭空间。待蒸发的材料(例如铝)通过开口130提供在腔中,并且接触腔内的加热表面。根据一个实施例,材料可以被设置在腔的底部。
在腔内,材料被熔融,并且在进一步加热时在熔融蒸发区域中蒸发。材料蒸汽通过分配孔170离开腔,并且可以此后被沉积在衬底上。分配孔包括蒸发轴线,所述轴线由封闭空间中的开口或钻孔的方向定义。例如,如果水平钻孔被设置在罐形腔的壁中(所述钻孔定义分配孔),则提供水平蒸发轴线。
根据可以与本文的其它实施例结合的又一实施例,分配孔可以具有沿蒸发轴线的2-10mm的通道长度。根据又一实施例,孔的直径为3到20mm的范围内。
如上所述,腔可以是罐形的。根据其它实施例,腔沿轴线2的和沿垂直于其的轴线的尺寸基本相同,和/或沿腔的底部的沿两个垂直方向的尺寸相同,根据又一实施例,尺寸可以处于20mm到150mm或典型地30mm到50mm的范围内。根据另一个实施例,高度可以处于20mm到50mm或典型地25mm到40mm的范围内。根据还有一个实施例,腔是圆柱形的或椭圆柱形的。此形状可以提供提高的稳定性和/或体积表面积比。
根据本文所述的实施例,熔融蒸发区域被理解为待蒸发的材料在其中被熔融和蒸发的区域。由此,可以提供在腔内具有相似压力条件的单腔系统。此外或或者,根据本文所述的实施例,用于分离腔内的熔融区域和蒸发区域的其它分离装置可以被省略。因此,可以防止非常薄的液体材料膜的迁移带来的问题或考虑到蒸发坩埚的多个部分的溶解而及时变化定制温度分布曲线带来的问题。
根据本文所述的实施例,熔融蒸发区域的熔融区(例如表面)处于蒸发区内。
蒸发区内的熔融区可以例如被理解为在熔融蒸发区域中在蒸发区内具有气体压力减小(例如处于10%或20%的范围内)的区域。
作为另一个示例,蒸发区内的熔融区可以被理解为在主蒸发区(即,例如其中进行至少50%或75%的蒸发的区)内具有熔融区(例如表面)。
由此,用于控制飞溅等的挡溅板、面板的可能性不会影响熔融蒸发区域的功能。
蒸发坩埚100包括主体120和盖150。如果通过利用进料线102连续进料待沉积的材料来提供材料,例如铝,这可以维持平衡,使得系统中的材料量基本恒定。由此,由进料线102的直径和进料速度来提供插入系统中的材料的量。为了提供平衡,从蒸发坩埚100蒸发的材料的量和系统中进料的材料的量应该相似。
如图1A和1B所示,盖150被设置在腔壁132的上部。根据一个实施例,可以设置盖150,使得盖相对于腔处于中心并处于腔壁132的内部。根据其它实施例,盖150从而可以向外延伸到腔130的上边缘的凸缘,或者盖150可以被设置在腔壁的凹槽中。根据又一实施例,盖150可以相对于腔130处于中心并靠近腔壁132的外部。
根据一个实施例,盖150可以由非导体材料制成。由此,其可以包含BN等。非导体盖由主体的邻近部分被动加热。
鉴于腔130和主体120的加热部分124的尺寸(参见例如图2A到图2D),盖150可以被充分加热,使得在盖上几乎没有任何蒸汽冷凝。由此,可以防止液体材料在腔和盖的接触区域中的迁移。此外,经充分加热的盖150与分配孔170一起提供了熔融蒸发区域,使得经蒸发的材料主要由分配孔来影响。蒸汽经由孔离开腔。盖的存在几乎不影响材料蒸汽。盖150允许多个蒸发坩锅100的垂直布置,从而可以实现包括若干点源单元的垂直蒸发设备。
根据本文所述的实施例,蒸发坩锅的主体的形状可以被设计成具有不同的横截面,如图2A到2D所示。图2A示出了电连接162或164的区域中的横截面。该横截面由图1A中的截面A-A所示。图2B示出了图1A中的截面B-B处的横截面。区域122处的横截面积可以与电连接162处的横截面积相似。然而,横截面122已经被从水平扁平形状转化为垂直形状。因此,根据另一个实施例,横截面形状转变部分可以被设置为主体的处于腔的一侧或两侧上的部分。横截面形状转变部分是具有经修改的横截面的中间导电区域。由此,通过主体120的加热电流的电流流动被转变,使得电流基本在主体的(进而腔130的)整个高度上流动,根据另一个实施例,横截面形状转变部分的横截面形状可以为腔高度的至少80%或90%。作为示例,对于本文所述的实施例,主体的横截面形状转变部分可以被设置在主体的电连接和主体的加热部分(其将在下面描述)或主体的腔之间。此外,根据又一实施例,横截面形状转变部分和/或从电连接到横截面形状转变部分的过渡可以是保持横截面积不变的。
腔130的主要沿腔的整个高度的加热减小了可能导致蒸发坩锅开裂的温度梯度。此外,设置在腔的顶部的盖可以被加热到与腔本身基本相同的温度。从而,可以防止冷凝和所得的液体材料导致的迁移。
图2C示出了部分124处的横截面。部分124设置在电连接和腔之间的加热部分。此加热部分紧邻腔。如图2C所示,加热部分124可以通过将主体在此区域中的横截面积和/或电阻减小约5%到20%来提供。根据其它实施例,通过冷却电连接的区域,加热部分可以被设置在较之电连接更高的温度下。由此,根据例如蒸发设备的受冷却的连接元件,电连接设置散热器。蒸发设备的连接元件可以例如是夹具单元。因此,鉴于到散热器的距离,在加热部分处的更高温度区域被紧邻腔设置。根据又一个实施例,可以通过在电连接162处设置散热器以及通过稍微减小横截面积,来设置加热部分124。图2C所示的横截面还具有垂直狭长部,以使得由图2B的横截面朝向主体的腔提供的电流连续。根据不同的实施例,主体的加热部分124可以设置在腔的一侧或两侧上,紧邻腔设置并且位于腔和相应的一个电连接之间。此外或或者,加热部分的电阻例如由于横截面积和/或材料电阻率的原因可以高于电连接。
包括腔壁132和腔底133的腔130的横截面被示于图2D中。图2D示出了用于进料待蒸发的材料的开口和分配孔170。腔的横截面积与加热部分124的横截面相似或稍小。例如,腔的横截面积和/或电阻率比图2C所示的加热部分124的横截面积和/或电阻率小0%到20%。通过在腔的两侧设置加热部分,可以提供更好的腔的和熔融蒸发区域的加热对称性。
较之仅仅局部加热腔,处于腔的两侧并且紧邻腔的加热部分提供了改善的对称加热。通过在腔中提供不比紧邻的加热部分124中的生热更剧烈的生热,使得腔内的(由此熔融蒸发区域内的)温度更均一。
此外,根据本文所述的其它实施例,电连接162、区域122和区域124总共具有80mm到220mm的长度。从而,可以提供从电连接处较冷的区域到腔中和紧邻腔的较高温度区域的过渡。
根据可以与本文所述的任一实施例组合的不同实施例,可以通过主体的突出物来在主体处设置电连接。由此,突出物可以被形成来通过蒸发设备的接触元件接触。此外,蒸发设备的接触元件可以是经冷却的。通常,电接触被设置用于施加通过主体的加热电流。从而,电流由蒸发设备的电源来施加。
图3示出了另一蒸发坩锅300,其也可以被用作用于垂直蒸发设备的点源。坩锅300包括第一电连接162和第二电连接164。主体120的腔由盖150覆盖。在一个腔壁132中,设置了用于引入用于进料待蒸发的材料的线的开口。在开口内设置套管330,以将线通过套管插入腔中。
根据一个可以与套管结合或者可以被单独提供的实施例,腔壁132中的开口相对于腔壁倾斜。由此,线可以被朝向腔的底部插入。根据还有一个实施例,腔壁中的开口设置有倒角边缘。如图4A和4B所示,开口430也可以被设置在主体的紧邻腔的部分中。由此,提供了腔壁中的处于或邻近轴线2的开口。根据又一个实施例(未示出),用于引入进料线的开口可以被设置在盖中。
图4A示出了坩锅400的主体120。可以在轴线2上或靠近轴线2提供用于进料待蒸发的材料的材料线。主体120包括具有腔壁132和腔底133腔130。如图4A所示,分配孔170被设置在腔130的腔壁132中。根据其它实施例,图4所示的布置还可以设置有参考图3所述的套管。
根据本文所述的实施例,设置在腔130的壁中的分配孔170提供具有定向蒸发轴线的蒸汽孔。分配孔包括蒸发轴线,所述蒸发轴线由封闭空间中的开口或钻孔的方向定义。例如,如果水平钻孔被设置罐形腔的壁中(所述钻孔定义分配孔),则提供了水平蒸发轴线。
由此,通过分配孔提供蒸发分配。蒸发的分配可以由腔中的钻孔或开口来限定。因此,分配可以通过分配孔的形状、直径和长度来调节。例如,壁厚度可以限定分配孔沿孔的定向蒸发轴线的长度。根据不同的实施例,分配孔的形状可以是圆形的、卵形的、椭圆形的、有角的、圆柱形的、狭缝形的或者以其它方式形成。根据可以与其结合的又一实施例,蒸发轴线的方向可以是水平的或者是相对于腔壁表面倾斜的。此外,还可以或或者可以使得钻孔的边缘被倒角。根据又一实施例,如例如图5所示,蒸发坩锅500可以具有第一分配孔571和第二分配孔572。在图5中,分配孔具有狭长的卵形形状,其长轴是垂直的。如图5所示,具有第一电连接和第二电连接164的主体120的腔可以由盖550覆盖,所述盖550靠近腔壁132的外部而处于中心。
根据可以与本文的其它实施例结合的又一实施例,分配孔可以具有沿蒸发轴线的2到10mm的通道长度。根据又一实施例,孔的直径在3到20mm的范围内。
图6示出了具有多个垂直布置的蒸发坩锅100的蒸发设备的构件。作为示例性实施例,利用本文所述的蒸发坩锅形成薄膜的方法可以通过使用整体布置在10-2-10-6mbar的真空气氛中的设备来进行。由此,薄膜可以被气相沉积在衬底上或载体薄片上,而不会有来自环境气氛的粒子的污染。
根据本文所述的实施例,蒸发材料的方法包括:提供具有熔融蒸发区域的腔;以及将待蒸发的固体材料插入熔融蒸发区域中。
在图6中,四个坩锅100以一个在另一个上方的方式垂直布置。例如,这可能是考虑到设置在蒸发坩锅上的盖。在图6所提供的侧视图中,可以看到电连接162、主体的部分122和腔壁132的一部分。用于进料待蒸发的材料的线102被插入腔中,以熔融和蒸发该线材料。
通常,蒸发坩锅100被布置成各个坩锅的蒸汽分配交叠,从而提供衬底10上的基本均一的气相沉积。根据一个实施例,针对相邻蒸发坩锅的合并蒸汽分配,来优化分配孔的形状。如图6所示,用于材料涂覆的具有若干点源的垂直蒸发设备可以设置有多个根据本文所述的实施例的蒸发坩锅。
图7示出了可以由根据本文所述的实施例的蒸发坩锅400实现的另一个蒸发设备。由此,材料膜将被气相沉积在垂直布置的基本10上。因此,蒸发坩锅400被设置在蒸发设备的下部。图7示出了用于将待蒸发材料进料到蒸发坩锅中的材料线102。在腔130中,材料在熔融蒸发区域中熔融并被蒸发。材料蒸汽可以在腔顶部离开腔,并且在喷嘴管710中穿过绝缘元件720。喷嘴管710包括多个开口712,并且沿水平轴线朝向衬底10重新定向材料蒸汽。喷嘴管710可以由诸如钛、铌、钨或包括上述材料中的一种的合金的高熔点材料制成,并且可以按本领域公知的技术制造。根据此,如本文所述的蒸发坩锅的不同实施例可以被用于具有喷嘴管的线性蒸发设备。由此,可以为现有的系统提供根据本文所述的实施例的改进的熔融加热腔。
虽然前面所述的涉及本发明的实施例,但是在不偏离本发明的基本范围的情况下,还可以得到本发明的其它和进一步的实施例,并且本发明的范围由所附权利要求确定。

Claims (21)

1.一种蒸发坩锅(100;300;400;500),包括:
导电主体(120)和盖(150;500);
所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接(162)和第二电连接(164),所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔(130),所述腔包括腔底和腔壁,其中所述盖与所述腔形成封闭空间;
进料开口(134;430),用于进料材料;以及
分配孔(170;571;572),提供所述封闭空间的蒸汽出口。
2.如权利要求1所述的蒸发坩锅,还包括:
第一和第二加热部分(124),其紧邻所述腔设置,并且被分别设置在所述腔和所述第一电连接之间和所述腔和所述第二电连接之间,其中所述加热部分的电阻率高于所述电连接(162,164)的电阻率。
3.一种蒸发坩锅,包括:
导电主体(120),其具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接(162)和第二电连接(164),所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔(130),所述腔包括腔底和腔壁;
第一和第二加热部分(124),其紧邻所述腔设置,并且被分别设置在所述腔和所述第一电连接之间和所述腔和所述第二电连接之间;
进料开口(134;430),用于进料材料。
4.如权利要求3所述的蒸发坩锅,还包括:
盖(150;500),其与所述腔(130)形成封闭空间;以及
分配孔(170;571;572),提供所述封闭空间的蒸汽出口。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的蒸发坩锅,其中
所述第一电连接(162)和所述第二电连接(164)提供所述蒸发坩锅的轴线,并且,沿所述轴线的和垂直于所述轴线的腔尺寸基本相似。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的蒸发坩锅,其中
所述腔是罐形的。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的蒸发坩锅,其中
所述腔(130)是基本圆筒形的。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的蒸发坩锅,其中
所述分配孔(170;571;572)穿过腔壁部分设置。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的蒸发坩锅,其中
所述进料开口(134;430)穿过腔壁部分设置。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的蒸发坩锅,其中
所述加热部分(124)的横截面积小于所述电连接的横截面积。
11.如权利要求1-4中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述第一电连接(162)和所述第二电连接(164)提供所述蒸发坩锅的轴线,并且所述分配孔设置在相对于所述轴线偏离轴线的腔壁部分处。
12.如权利要求1-11中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述第一电连接和所述第二电连接提供所述蒸发坩锅的轴线,并且所述进料开口(430)设置在处于所述轴线上的腔壁部分处。
13.如权利要求1-12中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述第一电连接和所述第二电连接提供所述蒸发坩锅的轴线,并且所述进料开口(134)设置在相对于所述轴线偏离轴线的腔壁部分处。
14.如权利要求1-13中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述主体(120)包含至少一种选自由金属硼化物、金属氮化物、金属碳化物、非金属硼化物、非金属氮化物、非金属碳化物、氮化物、硼化物、石墨及其组合组成的组的材料。
15.如权利要求1-14中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述分配孔具有蒸发轴线,所述蒸发轴线是基本水平的。
16.如权利要求1-15中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述分配孔具有蒸发轴线,并且所述分配孔具有2mm-10mm的沿所述蒸发轴线的长度。
17.如权利要求1-16中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述分配孔的直径为至少2mm。
18.如权利要求1-2或4-17中任意一项所述的蒸发坩锅,其中所述盖(150;550)包含非导体材料。
19.一种蒸发设备,包括:
至少一个如权利要求1-18中任意一项所述的蒸发坩锅(100;300;400;500)。
20.如权利要求19所述的蒸发设备,包括:
至少五个如权利要求1-18中任意一项所述的蒸发坩锅。
21.如权利要求20所述的蒸发设备,其中所述至少五个蒸发坩锅是垂直排列的。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107400859A (zh) * 2017-08-17 2017-11-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸发源
US10801101B2 (en) 2017-08-17 2020-10-13 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Vapor evaporation source

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI477623B (zh) * 2010-08-24 2015-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 坩堝及具有該坩堝的蒸鍍設備
KR20120061394A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증발원 및 유기물 증착 방법
JP2012214834A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置および有機el表示装置の製造方法
TW201337013A (zh) * 2012-03-12 2013-09-16 Hitachi High Tech Corp 蒸發源裝置及真空蒸鍍裝置及有機el顯示裝置之製造方法
KR101233460B1 (ko) * 2012-07-21 2013-02-18 주식회사 야스 직접 가열 방식을 적용한 선형 증착원
ITMI20131171A1 (it) * 2013-07-11 2015-01-11 Getters Spa Erogatore migliorato di vapori metallici
SG10201608496UA (en) * 2016-10-11 2018-05-30 Au Optronics Corp Crucible
WO2019201434A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Applied Materials, Inc. Evaporation source for deposition of evaporated material on a substrate, deposition apparatus, method for measuring a vapor pressure of evaporated material, and method for determining an evaporation rate of an evaporated material
CN110218977B (zh) * 2019-07-03 2021-04-27 Tcl华星光电技术有限公司 蒸镀装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3746502A (en) * 1971-12-20 1973-07-17 Xerox Corp Evaporation crucible
US4112290A (en) * 1976-10-27 1978-09-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Evaporation vessel for use in vacuum evaporation
DE2821130C2 (de) * 1978-05-13 1985-12-12 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verdampfertiegel mit Zuführung des Verdampfungsmaterials in Form von Stangen durch den Tiegelboden
JPS55141564A (en) * 1979-04-17 1980-11-05 Fujitsu Ltd Crucible for vapour coating
US5182567A (en) * 1990-10-12 1993-01-26 Custom Metallizing Services, Inc. Retrofittable vapor source for vacuum metallizing utilizing spatter reduction means
US5481086A (en) * 1994-08-09 1996-01-02 Dynamic Systems Inc. High temperature deformable crucible for use with self-resistively heated specimens
US5596673A (en) * 1994-11-18 1997-01-21 Xerox Corporation Evaporation crucible assembly
US5820681A (en) * 1995-05-03 1998-10-13 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
DE19843818A1 (de) * 1998-09-24 2000-03-30 Leybold Systems Gmbh Bedampfungsvorrichtung für Vakuum-Bedampfungsanlagen
DE19846602A1 (de) * 1998-10-09 2000-04-13 Leybold Systems Gmbh Verdampfer für Aluminium oder ein anderes hochschmelzendes Metall
EP1041169B1 (de) * 1999-03-29 2007-09-26 ANTEC Solar Energy AG Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
JP3485104B2 (ja) * 2001-04-24 2004-01-13 日新電機株式会社 イオン源用オーブン
US20030026601A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules
JP2004353084A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP4312555B2 (ja) * 2003-09-18 2009-08-12 富士フイルム株式会社 真空蒸着用ルツボおよび蛍光体シート製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107400859A (zh) * 2017-08-17 2017-11-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸发源
CN107400859B (zh) * 2017-08-17 2019-08-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸发源
US10801101B2 (en) 2017-08-17 2020-10-13 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Vapor evaporation source

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