JP2014072005A - 蒸発源、真空蒸着装置及び有機el表示装置製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、熱輻射を低減し、省電力化できる蒸発源を用いて、大型基板に対応し、アルミニウム材料を主とした金属薄膜を高速成膜し、連続成膜することが可能な蒸発源、真空蒸着装置及び有機EL表示装置製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、セラミック製のルツボを用いる蒸発源において、ツバ部を挟むように熱反射部材を設けたことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断する。この結果、少ない電力で効果的な坩堝の加熱ができ、また、ツバ部の温度上昇を防止し這い上がりを防止できる。
【選択図】図3
【解決手段】本発明は、セラミック製のルツボを用いる蒸発源において、ツバ部を挟むように熱反射部材を設けたことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断する。この結果、少ない電力で効果的な坩堝の加熱ができ、また、ツバ部の温度上昇を防止し這い上がりを防止できる。
【選択図】図3
Description
本発明は、蒸発源、真空蒸着装置及び有機EL表示装置製造方法に係り、特に大型の基板上に有機EL表示装置を形成するために有効な蒸発源、真空蒸着装置及び有機EL表示装置製造方法に関する。
有機EL表示装置や照明装置に用いられる有機EL素子は、有機材料からなる有機層を上下から陽極と陰極の一対の電極で挟み込んだ構造で、電極に電圧を印加することにより陽極側から正孔が陰極側から電子がそれぞれ有機層に注入され、それらが再結合することにより発光する仕組みになっている。
この有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む多層膜が積層された構造になっている。この有機層を形成する材料として高分子材料と低分子材料を用いたものがある。このうち低分子材料を用いる場合には、真空蒸着装置を用いて有機薄膜を形成する。
有機ELデバイスの特性は有機層の膜厚の影響を大きく受ける。一方、有機薄膜を形成する基板は年々大形化してきている。したがって、真空蒸着装置を用いる場合、大型の基板上に形成される有機薄膜や電極用金属薄膜の膜厚を高精度に制御し、かつ長時間連続稼動できるようにする必要がある。電極用金属薄膜は大型化に伴い、低抵抗化が必要となり、特に表示装置用の有機層の上部の電極材料(蒸着材料)としてはアルミニウムや銀、マグネシウム材料がもっとも有力視されている。
真空蒸着で基板に薄膜を連続させて形成するための蒸発源として、特許文献1にはルツボから飛散した原料が回り込んでヒータ等に付着するのを防止し、また、ルツボ内壁を伝わって原料の這い上がり現象によるトラブルを防止できる蒸発源が開示されている。
特許文献1には、ヒートシールドを配置し、原料の這い上がりや回り込みの現象によるヒータ等への付着によるトラブルを低減できる蒸発源が開示されている。しかし、基板側への熱輻射対策やヒータ電力の省電力化に対しては考慮されていない。
本発明の目的は、熱輻射を低減し、省電力化できる蒸発源を用いて、大型基板に対応し、アルミニウム材料を主とした金属薄膜を高速成膜し、連続成膜することが可能な蒸発源、真空蒸着装置及び有機EL表示装置製造方法を提供することにある。
本発明は、上記目的を解決するために、少なくとも下記の特徴を有する。
本発明の蒸発源は、蒸発材料を収納するルツボと、該ルツボに収容された蒸発材料の蒸気を放出するためのルツボ出口と、該ルツボ出口の少なくとも一部を囲むように設けられた熱反射部材と、該ルツボの外側壁を囲むように設けたヒータと、を備えたことを特徴とする。
また、前記熱反射部材のうち、ヒータ側に設けられた熱反射部材は、その一部がルツボ本体と該ヒータの間に位置するように設けてもよい。
さらに、前記ルツボ出口に前記熱反射部材への材料付着を防止するためのノズルを備えてもよい。
さらに、前記ルツボ出口に前記熱反射部材への材料付着を防止するためのノズルを備えてもよい。
また、前記ルツボ出口方向にヒータを分割して、個別に温度制御してもよい。
さらに、前記ツバ部がない前記ルツボの前記ツバ部がない箇所を挟むように設けられた前記熱反射部材を備えてもよい。
また、ツバ部の温度を1100℃から1200℃に温度制御してもよい。
さらに、前記ツバ部がない前記ルツボの前記ツバ部がない箇所を挟むように設けられた前記熱反射部材を備えてもよい。
また、ツバ部の温度を1100℃から1200℃に温度制御してもよい。
さらに、本発明の真空蒸着装置は、上記のいずれかに記載の蒸発源を1個以上備え、前記蒸発源によって基板への蒸着量を検出する膜厚モニタと、前記膜厚モニタの検出結果に基づいて、前記蒸発源を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の有機EL表示装置製造方法は、薄膜トランジスタ、有機EL層、及び前記有機EL層を挟む電極層が形成されたTFT基板を封止基板によって封止した有機EL表示装置製造方法であって、薄膜トランジスタが形成されたTFT基板を真空蒸着装置の蒸着室内に配置し、前記TFT基板に対向して、前記有機EL層または電極層を成膜するための蒸着材料を収容した蒸発源を1個以上配設し、前記TFT基板に前記蒸着材料を蒸着することによって、前記有機EL層を形成することを特徴とする。
さらに、上記の有機EL表示装置製造方法において、前記蒸着室内に、前記蒸発源それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給してもよい。
本発明によれば、セラミック製のルツボを用いる蒸発源において、ツバ部を挟むように熱反射部材を設けたことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断することができ、少ない電力で効果的な坩堝の加熱ができる。また、ツバ部の温度上昇を防止でき、這い上がりを防止できる。
本発明は、アルミニウム蒸着で問題となる濡れや這い上がりを防止するため、一体もののセラミック製のルツボ構造を採用し、ルツボの材質をアルミニウム材料と反応しない熱分解性窒化硼素(PBN)とし、当該PBNルツボのツバ部、あるいは、出口部分に熱反射部材を設けることにより、這い上がり、基板温度上昇を防止し、省電力で蒸着するものである。
以下に、実施例及び図面を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
しかし、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるわけではなく、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神に基づいて、本発明を修正若しくは変更できる発明が含まれることは勿論である。
なお、各図の説明において、同一の機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、重複を避けるため、できるだけ説明を省略する。
しかし、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるわけではなく、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神に基づいて、本発明を修正若しくは変更できる発明が含まれることは勿論である。
なお、各図の説明において、同一の機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、重複を避けるため、できるだけ説明を省略する。
図1は、立直した基板に蒸着材料を蒸着する本発明の蒸発源が適用可能な縦型真空蒸着装置の一実施形態を示す図である。図2は、水平に配置された基板に蒸着材料を蒸着する本発明の蒸発源が適用可能な横型真空蒸着装置の一実施形態を示す図である。
両真空蒸着装置は、蒸着室5内に、基板1、蒸発源3、膜厚モニタ7があり、両真空蒸着装置には、例えば、蒸発源3に示すように外部から電源が供給されている。
一方、蒸着室5外には、膜厚を制御するための膜厚制御計8、蒸発源の温度を制御するための蒸発源電源9、膜厚制御計8と蒸発源電源9を連動させて制御し、蒸着データを記録するための制御部である制御用パソコン10がある。
一方、蒸着室5外には、膜厚を制御するための膜厚制御計8、蒸発源の温度を制御するための蒸発源電源9、膜厚制御計8と蒸発源電源9を連動させて制御し、蒸着データを記録するための制御部である制御用パソコン10がある。
図1に示す縦型真空蒸着装置では、基板1と蒸発源列32は相対的に位置を変えることにより、基板全面に成膜できる。本実施形態では、蒸発源3を所望の基板サイズに合わせて、縦に並べて、蒸発源列32を横の一軸だけ移動するだけで、成膜可能である。また、蒸発源3を所望の基板サイズに合わせて、横に並べて、蒸発源列32を上下の一軸だけ移動するだけでも、成膜可能である。なお、蒸発源列32を固定して基板を移動させてもよい。
図2に示す横型真空蒸着装置では、水平基板1に成膜する場合の構成図である。基板1と蒸発源列32は相対的に位置を変えることにより、基板全面に成膜である。本実施形態では、蒸発源列32を固定して、異なった処理室に基板を搬送するインライン方式の例を示す。
図15は、従来例の蒸発源構成を示す断面図である。従来の蒸発源3Jのルツボ32は、ヒータ33で加熱される。蒸着材料4は、たとえば、アルミニウムの場合、1200℃以上に加熱されて、ルツボ出口から蒸気2が出て、基板1へ蒸気2が放出され成膜される。その際、加熱温度はルツボの底付近にある熱電対39でモニタされる。膜厚モニタ7の信号により、成膜速度は制御され、所望の膜厚が形成できる。
以下、本発明の特徴の蒸発源を主体に説明する。
(実施例1)
図3は、本発明の蒸発源の第1の実施例3Aの構成を示す断面図である。蒸発源3Aは、例えば、クヌードセンセル(Kセル)である。このKセルは、セラミック(PBN、アルミナ、カーボン材料、等)を材質とするルツボ32と、当該坩堝を加熱するためのヒータ33、坩堝温度を制御するための熱電対19、蒸着材料4を供給するための材料供給機20と、熱を外部に漏らさないようにするための図示しない熱シールド、及び水冷シールドから構成されている。材料供給機20は、供給時のみ、ルツボ出口に移動して材料を投入することで、蒸着時に材料供給機20へ材料が付着することを防止している。
図3は、本発明の蒸発源の第1の実施例3Aの構成を示す断面図である。蒸発源3Aは、例えば、クヌードセンセル(Kセル)である。このKセルは、セラミック(PBN、アルミナ、カーボン材料、等)を材質とするルツボ32と、当該坩堝を加熱するためのヒータ33、坩堝温度を制御するための熱電対19、蒸着材料4を供給するための材料供給機20と、熱を外部に漏らさないようにするための図示しない熱シールド、及び水冷シールドから構成されている。材料供給機20は、供給時のみ、ルツボ出口に移動して材料を投入することで、蒸着時に材料供給機20へ材料が付着することを防止している。
蒸発源3Aは、蒸着材料4であるアルミニウム材料の這い上がりを防止し、熱輻射低減、省電力化の目的を達成するために、一部が蒸気を放出するために開口され、ルツボ32のツバ部34を挟むように熱反射部材11、12を設けている。ツバ部34を挟むように熱反射部材11、12を設けたことにより、ツバ部34に沿って流出する熱を効果的に遮断することができ、少ない電力で効果的なルツボの加熱ができる。また、ヒータからの熱輻射は熱反射部材11で反射され、ツバ部34の温度上昇を防止し、基板温度上昇を低減でき、冷えたツバ部で蒸着材料の這い上がりを防止できる。
図4は、実施例1の変形例である蒸発源3AHの構成を示す断面図である。蒸発源3AHの蒸発源3Aと異なる点は、熱反射部材11、12を複数個(図では2個)入れた点である。その他の点は、蒸発源3AHは蒸発源3Aと同じである。熱反射部材11、12を複数個入れることで、さらに熱輻射を低減でき、省電力化、這い上がり防止効果を増加させることができた。
(実施例2)
図5は、本発明の蒸発源の第2の実施例3Bの構成を示す断面図である。
図5は、本発明の蒸発源の第2の実施例3Bの構成を示す断面図である。
実施例1では、熱輻射を低減させるため、蒸気2が出る方向に、即ちルツボ32のツバ部34を挟むように熱反射部材11、12を設置している。本実施例では、這い上がり防止効果をさらに促進させるために、ヒータ33側に設けられた熱反射部材11とは、別にツバ部34でないルツボ本体32aとヒータ33の間に位置するように熱反射部材13を設けて、ツバ部34やルツボ32の出口付近への熱輻射を低減した。熱反射部材11と13は一体ものでもかまない。その場合は、熱反射部材の一部がルツボ本体32aとヒータ33の間に位置するように配置すれば、同じ効果が得られる。また、図4で効果を説明したように、熱反射部材11、12、13は2個以上重ねて配設してもかまわない。
図6は、実施例2の変形例である蒸発源3BHの構成を示す断面図である。蒸発源3BHの蒸発源3Bと異なる点は、蒸発源3周辺の蒸着室5内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ33の熱が蒸発源3BHの外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材14、15を設けた点である。本実施例では、熱反射部材14、15は一重で説明したが、2個以上重ねて、断熱効果を向上させるとさらに省電力化、ルツボ温度の安定化を実現できる。
(実施例3)
図7は、本発明の蒸発源の第3の実施例3Cの構成を示す断面図である。
図7は、本発明の蒸発源の第3の実施例3Cの構成を示す断面図である。
実施例1および実施例2では、熱反射部材12は、ルツボ32の出口から蒸気2にさらされるため、蒸着材料が熱反射部材12に付着してトラブルとなる場合がある。本実施例では、上記材料付着の問題を解決するため、ルツボ32の出口に、ノズル16を設置して、熱反射部材12を蒸気2にさらさないようにした。ノズル16は蒸着材料が付着しても問題ないセラミック材質にしている。たとえば、蒸着材料がアルミニウムの場合は、破損を防ぐため、ルツボと同じPBN材質にしている。窒化アルミニウムや窒化ボロンコンポジット材などの別種のセラミック材料でも可能である。
図8は、実施例3の変形例である蒸発源3CHの構成を示す断面図である。蒸発源3CHの蒸発源3Cと異なる点は、蒸発源3周辺の蒸着室5内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ33の熱が外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材14、15を設けた点である。本実施例では、熱反射部材14、15は一重で説明したが、2個以上重ねて、断熱効果を向上させるとさらに省電力化でき、ルツボ温度の安定化を実現できる。
(実施例4)
図9は、本発明の蒸発源の第4の実施例3Dの構成を示す断面図である。
図9は、本発明の蒸発源の第4の実施例3Dの構成を示す断面図である。
実施例1から実施例3では、ヒータ33は1個で、ルツボ32外壁を覆うように設けた。本実施例では、ルツボ32の底や出口等部分ごとに温度制御するために、図9に示すようにヒータ前36、ヒータ後37に分割して設置した。本実施例では、ルツボの温度を分割してそれぞれ所望の温度に制御することにより、這い上がりや蒸着材料の付着を防止できた。なお、35は前ヒータ36、後ヒータ37の保持部材である。
図10は、実施例4の変形例である蒸発源3DHの構成を示す断面図である。蒸発源3DHの蒸発源3Dと異なる点は、蒸発源3周辺の蒸着室5内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ33の熱が外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材14、15を設けた点である。本変形例では、熱反射部材14、15を3重に設けたが、1個でも、あるいは、それ以上でも断熱効果が向上でき、省電力化、ルツボ温度の安定化を実現できる。
(実施例5)
図11は、本発明の蒸発源の第5の実施例3Eの構成を示す断面図である。
図11は、本発明の蒸発源の第5の実施例3Eの構成を示す断面図である。
実施例1から実施例4では、ルツボ32のツバ部34を熱反射部材11、12、13で覆うことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断することができ、少ない電力で効果的なルツボの加熱ができた。また、ヒータからの熱輻射は熱反射部材11で反射され、ツバ部34の温度上昇を防止でき、冷えたツバ部34で蒸着材料の這い上がりを防止できた。
本実施例では、ツバなし310のルツボ38場合においても、熱反射部材11、12、13を設けることにより、基板温度上昇、および、蒸着材料の這い上がりを防止できた。
図12は、実施例5の変形例である蒸発源3EHの構成を示す断面図である。蒸発源3EHの蒸発源3Dと異なる点は、図6に示す蒸発源3BHと同様に、蒸発源周辺の蒸着室5内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ33の熱が外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材14、15を設けた場合の断面図である。本発明では、熱反射部材14、15は一重で説明したが、2個以上重ねて、断熱効果を向上させるとさらに省電力化でき、ルツボ温度の安定化を実現できた。
(実施例6)
図13は、アルミニウムAl,銀Ag、マグネシウムMgの温度Tと蒸気圧Pとの関係である蒸気圧曲線を示す。
実施例1から実施例5では、ツバ部34の温度は測定していないが、本実施例では図13に示す蒸気圧曲線から、成膜に必要な蒸気圧、たとえば、アルミニウム蒸着材料の場合、数Pa(パスカル)〜数10Pa(パスカル)を得るためには、蒸着材料の温度を1300℃〜1400℃にする必要がある。また、這い上がりは、ツバ部の温度が1200℃以上になると顕著に発生することがわかっている。ただし、ツバ部の温度が1000℃以下になると、ツバ部の冷却により、蒸気2が付着して、ルツボ壁に付着してしまうことが実験的にわかっている。そのため、ツバ部3−4の温度を1100℃から1200℃の間で温度制御することにより、アルミニウムの這い上がりを防止しながら、成膜が可能であった。
図13は、アルミニウムAl,銀Ag、マグネシウムMgの温度Tと蒸気圧Pとの関係である蒸気圧曲線を示す。
実施例1から実施例5では、ツバ部34の温度は測定していないが、本実施例では図13に示す蒸気圧曲線から、成膜に必要な蒸気圧、たとえば、アルミニウム蒸着材料の場合、数Pa(パスカル)〜数10Pa(パスカル)を得るためには、蒸着材料の温度を1300℃〜1400℃にする必要がある。また、這い上がりは、ツバ部の温度が1200℃以上になると顕著に発生することがわかっている。ただし、ツバ部の温度が1000℃以下になると、ツバ部の冷却により、蒸気2が付着して、ルツボ壁に付着してしまうことが実験的にわかっている。そのため、ツバ部3−4の温度を1100℃から1200℃の間で温度制御することにより、アルミニウムの這い上がりを防止しながら、成膜が可能であった。
(実施例7)
実施例1から実施例6では蒸発源構成を説明したが、本実施例では、実施例1から実施例6で用いた蒸発源を図1又は図2に示す、縦型真空蒸着装置又は横型真空蒸着装置に設置し、所望の成膜を実現できる真空蒸着装置を実現することができた。図1、図2では、蒸発源を複数個設置する例であった。しかし、1個の蒸発源でも基板に成膜することにより、大型の基板でも膜厚を均一に成膜することができた。
実施例1から実施例6では蒸発源構成を説明したが、本実施例では、実施例1から実施例6で用いた蒸発源を図1又は図2に示す、縦型真空蒸着装置又は横型真空蒸着装置に設置し、所望の成膜を実現できる真空蒸着装置を実現することができた。図1、図2では、蒸発源を複数個設置する例であった。しかし、1個の蒸発源でも基板に成膜することにより、大型の基板でも膜厚を均一に成膜することができた。
(実施例8)
図14は、有機EL表示装置生産工程の一例を示した工程図である。実施例1〜実施例7では、この生産工程の金属蒸着の工程のみを主に説明した。
図14の工程図では、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板とは別々に形成され、封止工程/シール硬化工程の封止工程において組み合わされる。
図14は、有機EL表示装置生産工程の一例を示した工程図である。実施例1〜実施例7では、この生産工程の金属蒸着の工程のみを主に説明した。
図14の工程図では、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板とは別々に形成され、封止工程/シール硬化工程の封止工程において組み合わされる。
図14のTFT基板の製造工程において、ウェット洗浄された基板に対してドライ洗浄を行う。ドライ洗浄は、紫外線照射による洗浄を含む場合もある。
ドライ洗浄されたTFT基板に先ず、TFTが形成される。TFTの上にパッシベーション膜および平坦化膜が形成され、その上に有機EL層の下部電極が形成される。下部電極はTFTのドレイン電極と接続している。下部電極をアノードとする場合は、例えば、ITO(lndium Tinoxide)膜が使用される。
ドライ洗浄されたTFT基板に先ず、TFTが形成される。TFTの上にパッシベーション膜および平坦化膜が形成され、その上に有機EL層の下部電極が形成される。下部電極はTFTのドレイン電極と接続している。下部電極をアノードとする場合は、例えば、ITO(lndium Tinoxide)膜が使用される。
次に、下部電極の上に有機EL層が形成される(有機蒸着)。有機EL層は複数の層から構成される。下部電極がアノードの場合には、下から、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層である。このような有機EL層は蒸着によって形成され、その上に上部電極層が形成される。上部電極層は、実施例1〜実施例7で述べたような真空蒸着装置あるいは有機EL表示装置製造方法によって形成する。
有機EL層の上には、各画素共通に、ベタ膜で上部電極が実施例1乃至5のいずれかの蒸発源で形成される(金属蒸着)。有機EL表示装置がトップエミッションの場合は、上部電極にはIZO(登録商標、In2O3−ZnO)等の透明電極が使用され、有機EL表示装置がボトムエミッションの場合は、アルミニウム等の金属膜が使用される。
図14の封止基板投入工程において、ウェット洗浄およびドライ洗浄を行った封止基板に対してデシカント(乾燥剤)が配置される。有機EL層は、水分があると劣化するので、内部の水分を除去するためにデシカントが使用される。デシカントには種々な材料を用いることができるが、有機EL表示装置がトップエミッションかボトムエミッションかによってデシカントの配置方法が異なる。
有機EL層の上には、各画素共通に、ベタ膜で上部電極が実施例1乃至5のいずれかの蒸発源で形成される(金属蒸着)。有機EL表示装置がトップエミッションの場合は、上部電極にはIZO(登録商標、In2O3−ZnO)等の透明電極が使用され、有機EL表示装置がボトムエミッションの場合は、アルミニウム等の金属膜が使用される。
図14の封止基板投入工程において、ウェット洗浄およびドライ洗浄を行った封止基板に対してデシカント(乾燥剤)が配置される。有機EL層は、水分があると劣化するので、内部の水分を除去するためにデシカントが使用される。デシカントには種々な材料を用いることができるが、有機EL表示装置がトップエミッションかボトムエミッションかによってデシカントの配置方法が異なる。
このように、別々に製造されたTFT基板と封止基板は、封止工程において、組み合わされる。TFT基板と封止基板を封止するためのシール材は、封止基板に形成される。封止基板とTFT基板を組み合わせた後、シール部に紫外線を照射して、シール部を硬化させ、封止を完了させる。
このようにして形成された有機EL表示装置に対して点灯検査を行う。点灯検査において、黒点、白点等の欠陥が生じている場合でも欠陥修正可能なものは修正を行い、有機EL表示装置が完成する。
本発明により、複数の層によって形成される有機EL層を異物による汚染を抑え、かつ、短いタクト時間で形成することができるので、有機EL表示装置の製造コストを低下させ、歩留まりを向上させることができる。さらに、有機EL層の各層の成分を正確に制御することができるので、特性の再現性が高く、かつ、信頼性の高い有機EL表示装置を製造することができる。
(実施例9)
本実施例では図示はしていないが、実施例7の有機EL表示装置製造方法において、
前記蒸着室5内に、複数設けられた前記蒸発源3それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給することで、蒸着装置の稼働時間を延ばすことができる。
本実施例では図示はしていないが、実施例7の有機EL表示装置製造方法において、
前記蒸着室5内に、複数設けられた前記蒸発源3それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給することで、蒸着装置の稼働時間を延ばすことができる。
1:基板 2:蒸気
3、3A乃至3E、3AH乃至3EH:蒸発源
32:ルツボ 33a:ルツボ本体
33:ヒータ 34:ツバ部
35:ヒータの保持部材 36:前ヒータ
37:後ヒータ 38ルツボ
39:熱電対 310:ツバなし
5:蒸着室 7:膜厚モニタ
8:膜厚制御計 9:蒸発源電源
10:制御用パソコン 11乃至15:熱反射部材、
3、3A乃至3E、3AH乃至3EH:蒸発源
32:ルツボ 33a:ルツボ本体
33:ヒータ 34:ツバ部
35:ヒータの保持部材 36:前ヒータ
37:後ヒータ 38ルツボ
39:熱電対 310:ツバなし
5:蒸着室 7:膜厚モニタ
8:膜厚制御計 9:蒸発源電源
10:制御用パソコン 11乃至15:熱反射部材、
Claims (9)
- 蒸発材料を収納するルツボと、
該ルツボに収容された蒸発材料の蒸気を放出するためのルツボ出口と、
該ルツボ出口の少なくとも一部を囲むように設けられた熱反射部材と、
該ルツボの外側壁を囲むように設けたヒータと、
を備えたことを特徴とする蒸発源。 - 請求項1記載の蒸発源において、
前記熱反射部材のうち、ヒータ側に設けられた熱反射部材は、その一部がルツボ本体と該ヒータの間に位置するように設けられていることを特徴とする蒸発源。 - 請求項1または請求項2に記載の蒸発源において、
前記ルツボ出口に前記熱反射部材への材料付着を防止するためのノズルを備えたことを特徴とする蒸発源。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の蒸発源において、
前記ヒータを前記ルツボ出口方向に分割して、個別に温度制御することを特徴とする蒸発源。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の蒸発源において、
前記ルツボ出口の少なくとも一部を囲むように設けられたツバ部を備え、
前記熱反射部材は該ツバ部を挟むように設けられていることを特徴とする蒸発源。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の蒸発源において、
前記ツバ部の温度を1100℃から1200℃に温度制御したことを特徴とする蒸発源。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の1個以上の蒸発源と、
前記蒸発源によって基板への蒸着量を検出する膜厚モニタと、
前記膜厚モニタの検出結果に基づいて、前記蒸発源を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする真空蒸着装置。 - 薄膜トランジスタ、有機EL層、及び前記有機EL層を挟む電極層が形成されたTFT基板を封止基板によって封止した有機EL表示装置製造方法であって、
薄膜トランジスタが形成されたTFT基板を真空蒸着装置の蒸着室内に配置し、前記TFT基板に対向して、前記有機EL層または電極層を成膜するための蒸着材料を収容した請求項1乃至6のいずれかに記載の蒸発源を1個以上配設し、前記TFT基板に前記蒸着材料を蒸着することによって、前記有機EL層を形成することを特徴とする有機EL表示装置製造方法。 - 請求項8記載の有機EL表示装置製造方法において、前記蒸着室内に、前記蒸発源それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給することを特徴とする有機EL表示装置製造方法。
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