JPH02204391A - 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 - Google Patents
分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH02204391A JPH02204391A JP2385189A JP2385189A JPH02204391A JP H02204391 A JPH02204391 A JP H02204391A JP 2385189 A JP2385189 A JP 2385189A JP 2385189 A JP2385189 A JP 2385189A JP H02204391 A JPH02204391 A JP H02204391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- region
- molecular beam
- temp
- beam source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＆２業上の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシャル成長における分子線源用
るつぼに関する。
るつぼに関する。
従来の分子線源用るつぼは、高橋清編著「分子線エピタ
キシー技術」 （工業調査会）ｐ、、６７〜６８に論じ
られているように、ＢＮ（Ｑ化ボロン）製であった。
キシー技術」 （工業調査会）ｐ、、６７〜６８に論じ
られているように、ＢＮ（Ｑ化ボロン）製であった。
上記従来技術では、るつぼ内の温度分布は外部ヒータの
形状で決定され、所望の温度分布を得るにはヒータ形状
を根本的に変えなければならないという問題があった。
形状で決定され、所望の温度分布を得るにはヒータ形状
を根本的に変えなければならないという問題があった。
本発明は、ヒータ形状が同一であっても、るつぼ内の温
度分布を制御できるようにすることを目的としている。
度分布を制御できるようにすることを目的としている。
また、特願昭５９−１５５２３７のように、ヒータを２
つ以上のゾーンに分けて加熱することにより開口部付近
の高温化したり低温化したりする制御は原理的に０１能
であるが、各ゾーンのヒータの温度をモニタする熱電対
を追加する必要があり、そのために真空フランジに２組
、４個のフィードスルーを追加する必要がある。これは
幾何学的に取付けが極めて困難である。さらに小型の分
子線源をゾーン分割して熱的に制御すると、ゾーン間で
の熱的干渉が大きく、制御そのものが困難であるという
問題があった。
つ以上のゾーンに分けて加熱することにより開口部付近
の高温化したり低温化したりする制御は原理的に０１能
であるが、各ゾーンのヒータの温度をモニタする熱電対
を追加する必要があり、そのために真空フランジに２組
、４個のフィードスルーを追加する必要がある。これは
幾何学的に取付けが極めて困難である。さらに小型の分
子線源をゾーン分割して熱的に制御すると、ゾーン間で
の熱的干渉が大きく、制御そのものが困難であるという
問題があった。
本発明においては、上記目的を達成するためにＢＮ等か
らなるるつぼ本件の一部にヒータ線からの赤外線を吸収
し易い材料（例えばカーボンなど）を塗布する。これに
よりその領域の温度を塗布しない領域に比べ高くするこ
とができる。また塗布面積と塗布厚を変えることにより
、るつぼ内の温度分布を制御することができる。
らなるるつぼ本件の一部にヒータ線からの赤外線を吸収
し易い材料（例えばカーボンなど）を塗布する。これに
よりその領域の温度を塗布しない領域に比べ高くするこ
とができる。また塗布面積と塗布厚を変えることにより
、るつぼ内の温度分布を制御することができる。
またＢＮるつぼの一部に赤外線反射率の高い金属膜を塗
布するか、金属板で一部分を覆って他の領域に比べて温
度が低くすることができる。
布するか、金属板で一部分を覆って他の領域に比べて温
度が低くすることができる。
（実施例１）
第１図はＰＢＮるつぼ１の開口部から１／３の高さの領
域の外周部にカーボン２を１１００ｎコテイングしたも
のである。このるつぼを市販の分子線ヒータ中に設置し
底部が１０００℃になるように加熱した場合の内部温度
分布を第２図に示す。
域の外周部にカーボン２を１１００ｎコテイングしたも
のである。このるつぼを市販の分子線ヒータ中に設置し
底部が１０００℃になるように加熱した場合の内部温度
分布を第２図に示す。
カーボンコーティングしたものは、コーティングしない
従来例のるつぼに比べ、開口部付近の温度が約２００℃
上昇した。このるつぼをＧａの分子線源に用いたところ
、従来例では開口部付近にＧａの液滴が形成され、 Ｇ
ａ Ａ ｓをエピタキシャル成長させた場合に表面欠
陥の原因になっていたが、実施例では上記Ｇａの液層が
全く形成されず、エピタキシャル成長膜の表面欠陥密度
も約２桁低減された。
従来例のるつぼに比べ、開口部付近の温度が約２００℃
上昇した。このるつぼをＧａの分子線源に用いたところ
、従来例では開口部付近にＧａの液滴が形成され、 Ｇ
ａ Ａ ｓをエピタキシャル成長させた場合に表面欠
陥の原因になっていたが、実施例では上記Ｇａの液層が
全く形成されず、エピタキシャル成長膜の表面欠陥密度
も約２桁低減された。
（実施例２）
第３図はＰＢＮるつぼ３の開口部から１／３の高さの領
域の外周部にＯ，ＯＳ■厚のＴａ板でできた円筒４をか
ぶせたものである。このるつぼを市販の分子線ヒータ中
に設置し、底部が１０００℃になるように加熱した場合
の内部温度分布を第４図に示す、Ｔａ円筒を用いない、
従来例に比べ、本実施例のるつぼでは開口部付近の温度
が約１００℃降下した。このるつぼをＡＱの分子線源に
用いたところ１通常の場合問題となる開口部付近へのＡ
Ｑ触液のはい上りがみられず、分子線源の寿命が従来の
２倍以上、Ａ２分子線強度の安定度が従来の３倍（±１
％以下）の分子線源が得られた。
域の外周部にＯ，ＯＳ■厚のＴａ板でできた円筒４をか
ぶせたものである。このるつぼを市販の分子線ヒータ中
に設置し、底部が１０００℃になるように加熱した場合
の内部温度分布を第４図に示す、Ｔａ円筒を用いない、
従来例に比べ、本実施例のるつぼでは開口部付近の温度
が約１００℃降下した。このるつぼをＡＱの分子線源に
用いたところ１通常の場合問題となる開口部付近へのＡ
Ｑ触液のはい上りがみられず、分子線源の寿命が従来の
２倍以上、Ａ２分子線強度の安定度が従来の３倍（±１
％以下）の分子線源が得られた。
［発明の効果〕
本発明によれば１分子線源のヒータ構造を変えることな
く、赤外線吸収効率の高い材料をるつぼの所望部への塗
布又は赤外線反射もしくは遮蔽物をるつぼ外周の所定部
に設置し、その領域の大きさ、領域に幾つかに分割した
場合その密度や間隔、また、その材料の厚さ等の組合わ
せによりるつぼ内温度分布を自在に制御することができ
る。
く、赤外線吸収効率の高い材料をるつぼの所望部への塗
布又は赤外線反射もしくは遮蔽物をるつぼ外周の所定部
に設置し、その領域の大きさ、領域に幾つかに分割した
場合その密度や間隔、また、その材料の厚さ等の組合わ
せによりるつぼ内温度分布を自在に制御することができ
る。
第１図は本発明の一実施例のカーボンコートるつぼの縦
断面、第２図は従来例及びカーボンコートした実施例の
るつぼ内の温度分布図、第３図は本発明の一実施例のＴ
ａ円円筒心つぼの縦断面図、第４図は従来例の通常るつ
ぼ及び実施例による″ｒａ円筒付るつぼ内の温度分布図
である。 １・・・ＰＢＮるつぼ、２・・・カーホン膜、３・・・
ＰＢＮるつぼ、４・・・Ｔａ円筒。 第 ！ 口 第 困 第 底力・らの 了巨商窪（２７１列）
断面、第２図は従来例及びカーボンコートした実施例の
るつぼ内の温度分布図、第３図は本発明の一実施例のＴ
ａ円円筒心つぼの縦断面図、第４図は従来例の通常るつ
ぼ及び実施例による″ｒａ円筒付るつぼ内の温度分布図
である。 １・・・ＰＢＮるつぼ、２・・・カーホン膜、３・・・
ＰＢＮるつぼ、４・・・Ｔａ円筒。 第 ！ 口 第 困 第 底力・らの 了巨商窪（２７１列）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一部分にカーボンなどの赤外線吸収率の高い膜を塗
布したことを特徴とする分子線源用るつぼ。 ２、開口部からるつぼ全長の１／５以上１／２以下の外
周部にカーボンを塗布したことを特徴とするＧａ及びＩ
ｎ用分子線源用るつぼ。 ３、底部からるつぼ全長の１／１０以上２／３以下の外
周部にカーボンを塗布したことを特徴とするＡｌ用分子
線源用るつぼ。 ４、一部分に金属膜などの赤外線反射率の高い膜を塗布
したことを特徴とする分子線源用るつぼ。 ５、るつぼとヒータとの間の一部分に赤外線反射率の高
い熱しやへい板を設けたことを特徴とする分子線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023851A JP2771215B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023851A JP2771215B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02204391A true JPH02204391A (ja) | 1990-08-14 |
| JP2771215B2 JP2771215B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12121924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1023851A Expired - Fee Related JP2771215B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771215B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322067U (ja) * | 1989-07-07 | 1991-03-06 | ||
| US5253266A (en) * | 1992-07-20 | 1993-10-12 | Intevac, Inc. | MBE effusion source with asymmetrical heaters |
| EP0842913A1 (en) * | 1996-11-18 | 1998-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pyrolytic boron nitride container and manufacture thereof |
| JP2014072005A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸発源、真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置製造方法 |
| JP2020093975A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-18 | 昭和電工株式会社 | 結晶成長装置及び坩堝 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108517A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | 分子線源 |
| JPS63297293A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Hitachi Ltd | 結晶成長法 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1023851A patent/JP2771215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108517A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | 分子線源 |
| JPS63297293A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Hitachi Ltd | 結晶成長法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322067U (ja) * | 1989-07-07 | 1991-03-06 | ||
| US5253266A (en) * | 1992-07-20 | 1993-10-12 | Intevac, Inc. | MBE effusion source with asymmetrical heaters |
| EP0842913A1 (en) * | 1996-11-18 | 1998-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pyrolytic boron nitride container and manufacture thereof |
| JP2014072005A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸発源、真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置製造方法 |
| JP2020093975A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-18 | 昭和電工株式会社 | 結晶成長装置及び坩堝 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771215B2 (ja) | 1998-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000264795A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH02204391A (ja) | 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 | |
| JPS61137314A (ja) | 半導体結晶成長装置 | |
| JPS5936927A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP3923228B2 (ja) | 基板保持機構およびそれを用いた化合物半導体の製造方法 | |
| JP3323522B2 (ja) | 分子線セル | |
| JPH0360114A (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPH0619569Y2 (ja) | 分子線セルのｐｂｎるつぼ | |
| JPH07116591B2 (ja) | 不透明薄膜の製造方法 | |
| JPH072617Y2 (ja) | Ｐｂｎルツボの均一加熱機構 | |
| JPH02132665U (ja) | ||
| JPH0774433B2 (ja) | 薄膜成長用蒸着装置 | |
| JPS62279624A (ja) | 分子線エピタキシ用基板ホルダ | |
| JP2850642B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置の水銀カドミウムテルル薄膜用基板ホルダー | |
| JPH097948A (ja) | 分子線の生成方法および分子線セル | |
| JPH02124794A (ja) | 分子線源 | |
| JPS6298610A (ja) | 結晶成長用基板加熱機構 | |
| JPH03116027U (ja) | ||
| JPH0473285B2 (ja) | ||
| JPH017727Y2 (ja) | ||
| JPS5935878B2 (ja) | 半導体単結晶育成法 | |
| JPS63122211A (ja) | 分子線発生装置 | |
| JPH0436459A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS5943871A (ja) | 蒸発材料収容器 | |
| JPH04119987A (ja) | 液相エピタキシャル成長ボート |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |