JPH02132665U - - Google Patents
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- JPH02132665U JPH02132665U JP4037089U JP4037089U JPH02132665U JP H02132665 U JPH02132665 U JP H02132665U JP 4037089 U JP4037089 U JP 4037089U JP 4037089 U JP4037089 U JP 4037089U JP H02132665 U JPH02132665 U JP H02132665U
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- JP
- Japan
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- crucible
- cell
- molecular beam
- beam epitaxy
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- Prior art date
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- Pending
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- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図はこの発明の一実施例を示すＧａ用セル
の概略構成図、第２図は従来のＧａ用セルの概略
構成図である。 図において、１は放熱防止筒、２はるつぼ、３
はＧａ、４は加熱用ヒータ、５は熱電対、６はシ
ヤツタ、７は保温材、１０はＧａ用セルである。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。
の概略構成図、第２図は従来のＧａ用セルの概略
構成図である。 図において、１は放熱防止筒、２はるつぼ、３
はＧａ、４は加熱用ヒータ、５は熱電対、６はシ
ヤツタ、７は保温材、１０はＧａ用セルである。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。
Claims (1)
- 放熱防止筒内に設置されたるつぼを加熱し、前
記るつぼ内の底部から蒸発源を蒸発させて基板上
に結晶成長させる分子線エピタキシー用セルにお
いて、前記るつぼの先端出口付近の温度を他の部
分より高温に保つため、前記るつぼの先端開口部
の周囲を保温材で覆つたことを特徴とする分子線
エピタキシー用セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037089U JPH02132665U (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037089U JPH02132665U (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132665U true JPH02132665U (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=31550101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037089U Pending JPH02132665U (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132665U (ja) |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP4037089U patent/JPH02132665U/ja active Pending
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