JPH0174276U - - Google Patents

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JPH0174276U
JPH0174276U JP1987167521U JP16752187U JPH0174276U JP H0174276 U JPH0174276 U JP H0174276U JP 1987167521 U JP1987167521 U JP 1987167521U JP 16752187 U JP16752187 U JP 16752187U JP H0174276 U JPH0174276 U JP H0174276U
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JP
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molecular beam
grows
crystals
chamber
crystal growth
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JP1987167521U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例を示す縦断面図
、第2図は本考案の第2の実施例を示す縦断面図
である。 1……成長室、2……分子線セル、3……分子
線セルロツク室、4……クルーシブル(るつぼ)
、5……セルヒーター、6……セル用熱電対、7
……ソース(蒸発源材料)、8……ゲートバルブ
、9……ゲートバルブ(排気用)、10……基板
、11……メインシヤツター、12……基板加熱
ヒーター用熱電対、13……基板加熱ヒーター、
14……基板ホルダー、15……セルシヤツター

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 超高真空中で目的とする金属を溶融させ、分子
    線状の結晶成長を行う分子線結晶成長装置におい
    て、基板への結晶成長を行う成長室から独立した
    ロツク室内に分子線セル蒸発源を設置し、該ロツ
    ク室をゲートバルブを介して前記成長室に連通さ
    せたことを特徴とする分子線結晶成長装置。
JP1987167521U 1987-10-31 1987-10-31 Pending JPH0174276U (ja)

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JPH0174276U true JPH0174276U (ja) 1989-05-19

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