JPH0174276U - - Google Patents
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- JPH0174276U JPH0174276U JP1987167521U JP16752187U JPH0174276U JP H0174276 U JPH0174276 U JP H0174276U JP 1987167521 U JP1987167521 U JP 1987167521U JP 16752187 U JP16752187 U JP 16752187U JP H0174276 U JPH0174276 U JP H0174276U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- grows
- crystals
- chamber
- crystal growth
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の第1の実施例を示す縦断面図
、第2図は本考案の第2の実施例を示す縦断面図
である。 1……成長室、2……分子線セル、3……分子
線セルロツク室、4……クルーシブル(るつぼ)
、5……セルヒーター、6……セル用熱電対、7
……ソース(蒸発源材料)、8……ゲートバルブ
、9……ゲートバルブ(排気用)、10……基板
、11……メインシヤツター、12……基板加熱
ヒーター用熱電対、13……基板加熱ヒーター、
14……基板ホルダー、15……セルシヤツター
。
、第2図は本考案の第2の実施例を示す縦断面図
である。 1……成長室、2……分子線セル、3……分子
線セルロツク室、4……クルーシブル(るつぼ)
、5……セルヒーター、6……セル用熱電対、7
……ソース(蒸発源材料)、8……ゲートバルブ
、9……ゲートバルブ(排気用)、10……基板
、11……メインシヤツター、12……基板加熱
ヒーター用熱電対、13……基板加熱ヒーター、
14……基板ホルダー、15……セルシヤツター
。
Claims (1)
- 超高真空中で目的とする金属を溶融させ、分子
線状の結晶成長を行う分子線結晶成長装置におい
て、基板への結晶成長を行う成長室から独立した
ロツク室内に分子線セル蒸発源を設置し、該ロツ
ク室をゲートバルブを介して前記成長室に連通さ
せたことを特徴とする分子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987167521U JPH0174276U (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987167521U JPH0174276U (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0174276U true JPH0174276U (ja) | 1989-05-19 |
Family
ID=31455894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987167521U Pending JPH0174276U (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0174276U (ja) |
-
1987
- 1987-10-31 JP JP1987167521U patent/JPH0174276U/ja active Pending
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