JPH0238923Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0238923Y2 JPH0238923Y2 JP12329883U JP12329883U JPH0238923Y2 JP H0238923 Y2 JPH0238923 Y2 JP H0238923Y2 JP 12329883 U JP12329883 U JP 12329883U JP 12329883 U JP12329883 U JP 12329883U JP H0238923 Y2 JPH0238923 Y2 JP H0238923Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- heating device
- crucibles
- vacuum chamber
- shaft
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体基板等に薄膜を形成するに使用
される真空蒸着装置のるつぼ交換装置に関する。
される真空蒸着装置のるつぼ交換装置に関する。
従来この種蒸着装置は真空室内に蒸発材料を収
容したるつぼとこれを加熱して該材料を溶解させ
る加熱装置とを設けるを一般とするが、これに使
用されるるつぼはるつぼの組成分や含有不純物が
蒸発して基板等に混入することを防止すべく近時
Al、Al合金材料等の蒸着にはパイロチツクボロ
ンナイトライド（PBN）により製作したるつぼ
が用いられるようになつた。而してこのPBN製
るつぼは高温にさらされると比較的短時間で割れ
始めるので長時間連続して蒸着作業を行なえない
不都合がある。
容したるつぼとこれを加熱して該材料を溶解させ
る加熱装置とを設けるを一般とするが、これに使
用されるるつぼはるつぼの組成分や含有不純物が
蒸発して基板等に混入することを防止すべく近時
Al、Al合金材料等の蒸着にはパイロチツクボロ
ンナイトライド（PBN）により製作したるつぼ
が用いられるようになつた。而してこのPBN製
るつぼは高温にさらされると比較的短時間で割れ
始めるので長時間連続して蒸着作業を行なえない
不都合がある。
本考案はこうした不都合を解消することをその
目的としたもので、真空室１内に蒸発材料を収容
したるつぼ２とこれを加熱して該材料を溶解させ
る加熱装置３とを設ける式のものに於て、複数個
のるつぼ２を備え且つこれを順次加熱装置３に収
容する旋回並びに昇降自在のテーブル４を設けて
成る。
目的としたもので、真空室１内に蒸発材料を収容
したるつぼ２とこれを加熱して該材料を溶解させ
る加熱装置３とを設ける式のものに於て、複数個
のるつぼ２を備え且つこれを順次加熱装置３に収
容する旋回並びに昇降自在のテーブル４を設けて
成る。
第１図はその１例を示すもので、これに於ては
加熱装置３を誘導加熱式のもので構成し、その側
方に真空室１を内外に挿通して２重軸５を設け、
その外軸５ａにるつぼ２をそのフランジ２ａで支
えて収容する収容孔６を形成した石英板製のテー
ブル４を取付けると共にその中軸５ｂに円形の防
塵板７を取付けした。該外軸５ａの端部を回転軸
受８を介してパルスモータ９に連結すると共に該
中軸５ｂの端部を継手１０を介してシリンダ１１
に連結し、さらに該継手１０に案内杆１２で案内
されたモータ９のベースを取付け、該中軸５ａが
シリンダ１１で押されたとき外軸５ａ及びモータ
９もこれと共に押されるようにした。１３は２重
軸５の挿通に伴う気密を維持する真空シール、１
４は加熱装置３の側方に設けたるつぼ脱ガスヒー
タ、１５は加熱装置３の上方の防塵板７に形成し
た切欠部である。該テーブル４に第３図示のよう
に受台１６を介して筒状のシールド１７を設け、
その内部に夫々るつぼ２を収容する構成とするこ
とも可能であり、この場合加熱装置３の下方には
受台１６及びシールド１７が出没し得る開孔１８
を形成し、該テーブル４は単軸１９によりモータ
９及びシリンダ１１に連結される。
加熱装置３を誘導加熱式のもので構成し、その側
方に真空室１を内外に挿通して２重軸５を設け、
その外軸５ａにるつぼ２をそのフランジ２ａで支
えて収容する収容孔６を形成した石英板製のテー
ブル４を取付けると共にその中軸５ｂに円形の防
塵板７を取付けした。該外軸５ａの端部を回転軸
受８を介してパルスモータ９に連結すると共に該
中軸５ｂの端部を継手１０を介してシリンダ１１
に連結し、さらに該継手１０に案内杆１２で案内
されたモータ９のベースを取付け、該中軸５ａが
シリンダ１１で押されたとき外軸５ａ及びモータ
９もこれと共に押されるようにした。１３は２重
軸５の挿通に伴う気密を維持する真空シール、１
４は加熱装置３の側方に設けたるつぼ脱ガスヒー
タ、１５は加熱装置３の上方の防塵板７に形成し
た切欠部である。該テーブル４に第３図示のよう
に受台１６を介して筒状のシールド１７を設け、
その内部に夫々るつぼ２を収容する構成とするこ
とも可能であり、この場合加熱装置３の下方には
受台１６及びシールド１７が出没し得る開孔１８
を形成し、該テーブル４は単軸１９によりモータ
９及びシリンダ１１に連結される。
本考案装置の作動を第１図及び第２図示のもの
につき説明するに、テーブル４の各収容孔６の蒸
発材料を入れたるつぼ２を収め、その１つを加熱
装置３に収めて加熱すると溶解した蒸発材料が防
塵板７の切欠部１５を介して真空室１内に蒸発
し、上方に設けられた基板等に薄膜状に付着す
る。加熱装置３のるつぼ２内の蒸発材料が大部分
蒸発すると中軸５ｂに連結したシリンダ１１が伸
びてテーブル４及び防塵板７が持ち上げられ続い
て外軸５ａに連結したパルスモータ９が回転して
次のるつぼ２が加熱装置３上に来るようにテーブ
ル４が回転する。このあと該シリンダ１１が縮み
該次のるつぼ２を加熱装置３内に収容して蒸発材
料の蒸発が続けられる。テーブル４の間歇的な回
転の途中でるつぼ２はるつぼ脱ガスヒータ１４に
一旦収められ、脱ガス処理が施される。
につき説明するに、テーブル４の各収容孔６の蒸
発材料を入れたるつぼ２を収め、その１つを加熱
装置３に収めて加熱すると溶解した蒸発材料が防
塵板７の切欠部１５を介して真空室１内に蒸発
し、上方に設けられた基板等に薄膜状に付着す
る。加熱装置３のるつぼ２内の蒸発材料が大部分
蒸発すると中軸５ｂに連結したシリンダ１１が伸
びてテーブル４及び防塵板７が持ち上げられ続い
て外軸５ａに連結したパルスモータ９が回転して
次のるつぼ２が加熱装置３上に来るようにテーブ
ル４が回転する。このあと該シリンダ１１が縮み
該次のるつぼ２を加熱装置３内に収容して蒸発材
料の蒸発が続けられる。テーブル４の間歇的な回
転の途中でるつぼ２はるつぼ脱ガスヒータ１４に
一旦収められ、脱ガス処理が施される。
このように本考案によるときはテーブル４に複
数個のるつぼ２を設け、これの昇降旋回を行なつ
て交代で加熱装置３にるつぼ２を収容するように
したのでるつぼ２の破損或は蒸発材料の減少時に
迅速にるつぼ２の交換を行なえ、こわれ易い
PBNのるつぼを使用した場合であつても長時間
の蒸着作業を能率良く行なえる等の効果がある。
数個のるつぼ２を設け、これの昇降旋回を行なつ
て交代で加熱装置３にるつぼ２を収容するように
したのでるつぼ２の破損或は蒸発材料の減少時に
迅速にるつぼ２の交換を行なえ、こわれ易い
PBNのるつぼを使用した場合であつても長時間
の蒸着作業を能率良く行なえる等の効果がある。
第１図は本考案装置の１例の平面図、第２図は
その−線截断側面図、第３図はその変形例の
截断側面図である。 １……真空室、２……るつぼ、３……加熱装
置、４……テーブル。
その−線截断側面図、第３図はその変形例の
截断側面図である。 １……真空室、２……るつぼ、３……加熱装
置、４……テーブル。
Claims (1)
- 真空室１内に蒸発材料を収容したるつぼ２とこ
れを加熱して該材料を溶解させる加熱装置３とを
設ける式のものに於て、複数個のるつぼ２を備え
且つこれを順次加熱装置３に収容する旋回並びに
昇降自在のテーブル４を設けて成る真空蒸着装置
に於けるるつぼ交換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12329883U JPS6032361U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 真空蒸着装置に於けるるつぼ交換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12329883U JPS6032361U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 真空蒸着装置に於けるるつぼ交換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032361U JPS6032361U (ja) | 1985-03-05 |
| JPH0238923Y2 true JPH0238923Y2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=30281506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12329883U Granted JPS6032361U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 真空蒸着装置に於けるるつぼ交換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032361U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097730A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置および製造装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI277363B (en) * | 2002-08-30 | 2007-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer |
| KR100671673B1 (ko) | 2005-03-09 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다중 진공증착장치 및 제어방법 |
| JP2012246534A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Nec Corp | 蒸着装置 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP12329883U patent/JPS6032361U/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097730A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置および製造装置 |
| JP4494126B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置および製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6032361U (ja) | 1985-03-05 |
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