JPS60152670A - 高周波誘導加熱蒸発源 - Google Patents
高周波誘導加熱蒸発源Info
- Publication number
- JPS60152670A JPS60152670A JP731184A JP731184A JPS60152670A JP S60152670 A JPS60152670 A JP S60152670A JP 731184 A JP731184 A JP 731184A JP 731184 A JP731184 A JP 731184A JP S60152670 A JPS60152670 A JP S60152670A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- metal
- vapor
- heat
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ルツデの周囲に設けた加熱用コイルに高周波
電流（例えば４１−５〜！ ＯＫＨｚ ）を供給して、
ルツゼ内の蒸発材に誘導電流を流れさせ、それによる抵
抗損失熱で蒸発材を加熱、蒸発するようにした高周波誘
導加熱蒸発源に関するものである。
電流（例えば４１−５〜！ ＯＫＨｚ ）を供給して、
ルツゼ内の蒸発材に誘導電流を流れさせ、それによる抵
抗損失熱で蒸発材を加熱、蒸発するようにした高周波誘
導加熱蒸発源に関するものである。
高周波誘導加熱蒸発源においては、ルツゼ内の蒸発材の
温度を、充分な蒸発速度の得られる程度まで高めるため
、ルツゼからの熱放射を防ぐ必要がある。このため一般
にはルツゼを高品質アルミナ（ＡｔｚＯｓ）や多孔質セ
ラミック等の熱シールＰ部材内に挿入している。しかし
これらの材料から成る熱シールド部材を用いた場合、こ
れらの材料に含有されるＮ ａ”、 Ｋ＋等の可動イオ
ンが数ｉｏｏ℃程度で拡散して出てきて蒸発して形成さ
れた膜中に混入するという問題がある。このような可動
イオンの蒸着膜中への混入の問題は特に集積回路用の金
属または金属化合物の蒸発源として用いる場合には重大
である。特にＮａ＋によるものは例えばｋｌの蒸着膜中
にｌＯ１！１ケ／ｄ にも達することが観察されている
。一般に高品質アルミナでもＮａの含有量は数／ ００
ｐ、ｐ、 ｍ８以上であシ、−男手導体集積回路の製
造において要求される蒸着膜中のＮａ＋汚染責は１０１
°ケ／ｄ以下である。このような要求レベルを満たすた
めには熱シールド部材中のＮａ含有量を／ Ｏｐ、 ｐ
、ｍ、以下のオーダーにする必要がある。そこで半導体
集積回路の製造の場合のように特に可動イオンの蒸着膜
中への混入を嫌う場合にこのような物質の含装置の低い
材料例えば石英（Ｓム０２）で熱シールド部材を構成す
ることを提案してきた。これによシ、蒸着膜中への可動
イオンの混入を所望のレベル以下に抑えることができた
。ところが石英は０．２〜３．０μｍ程度の波長領域で
は光透過率が〜り０％と高いため、ルツボから石英製の
熱シールド部材を通して熱放射が生じ、ルツボ内の蒸発
材の温度が低下し、その結果高い蒸発速度が得られない
ことになる。
温度を、充分な蒸発速度の得られる程度まで高めるため
、ルツゼからの熱放射を防ぐ必要がある。このため一般
にはルツゼを高品質アルミナ（ＡｔｚＯｓ）や多孔質セ
ラミック等の熱シールＰ部材内に挿入している。しかし
これらの材料から成る熱シールド部材を用いた場合、こ
れらの材料に含有されるＮ ａ”、 Ｋ＋等の可動イオ
ンが数ｉｏｏ℃程度で拡散して出てきて蒸発して形成さ
れた膜中に混入するという問題がある。このような可動
イオンの蒸着膜中への混入の問題は特に集積回路用の金
属または金属化合物の蒸発源として用いる場合には重大
である。特にＮａ＋によるものは例えばｋｌの蒸着膜中
にｌＯ１！１ケ／ｄ にも達することが観察されている
。一般に高品質アルミナでもＮａの含有量は数／ ００
ｐ、ｐ、 ｍ８以上であシ、−男手導体集積回路の製
造において要求される蒸着膜中のＮａ＋汚染責は１０１
°ケ／ｄ以下である。このような要求レベルを満たすた
めには熱シールド部材中のＮａ含有量を／ Ｏｐ、 ｐ
、ｍ、以下のオーダーにする必要がある。そこで半導体
集積回路の製造の場合のように特に可動イオンの蒸着膜
中への混入を嫌う場合にこのような物質の含装置の低い
材料例えば石英（Ｓム０２）で熱シールド部材を構成す
ることを提案してきた。これによシ、蒸着膜中への可動
イオンの混入を所望のレベル以下に抑えることができた
。ところが石英は０．２〜３．０μｍ程度の波長領域で
は光透過率が〜り０％と高いため、ルツボから石英製の
熱シールド部材を通して熱放射が生じ、ルツボ内の蒸発
材の温度が低下し、その結果高い蒸発速度が得られない
ことになる。
本発明は、このような観点から石英のような光透過率の
大きな材料製の熱シールド部材に伴なう上記欠点を解消
することを目的とする。
大きな材料製の熱シールド部材に伴なう上記欠点を解消
することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明によれば、ルツボの
周囲に、高周波電流の供給される加熱用コイルと光透過
率の大きな拐料から成シルツゼからの熱放射を防ぐだめ
の熱シールド部材とを設け、加熱用コイルを付勢するこ
とによりルツボ内の蒸発材に誘導電流を流れさせ、それ
による抵抗損失熱で蒸発材をｔ加熱、蒸発するようにし
た高周波誘導加熱蒸発源において、熱シールド部材の表
面に蒸発材に比べて蒸気圧の極めて低い金属薄膜を形成
したことを特徴とする高周波誘導加熱蒸発源が提供され
る。即ち金属薄膜の厚みをスキンデプス以下に抑えるこ
とで、この薄膜へのＲＦ電力投入を抑え、さらにルツボ
からの熱放射も効果的に下げることを利用している。
周囲に、高周波電流の供給される加熱用コイルと光透過
率の大きな拐料から成シルツゼからの熱放射を防ぐだめ
の熱シールド部材とを設け、加熱用コイルを付勢するこ
とによりルツボ内の蒸発材に誘導電流を流れさせ、それ
による抵抗損失熱で蒸発材をｔ加熱、蒸発するようにし
た高周波誘導加熱蒸発源において、熱シールド部材の表
面に蒸発材に比べて蒸気圧の極めて低い金属薄膜を形成
したことを特徴とする高周波誘導加熱蒸発源が提供され
る。即ち金属薄膜の厚みをスキンデプス以下に抑えるこ
とで、この薄膜へのＲＦ電力投入を抑え、さらにルツボ
からの熱放射も効果的に下げることを利用している。
本発明においては、金属薄膜の形成は、蒸着、スパッタ
リングのようなＰＶＤ等を利用して行なわれ得る。
リングのようなＰＶＤ等を利用して行なわれ得る。
まだ本発明においては、石英のような光透過率の大きい
材料から成るルツボを使用する場合にはルツボの外表面
に金属薄膜が形成され得る。
材料から成るルツボを使用する場合にはルツボの外表面
に金属薄膜が形成され得る。
以下、本発明を、添附図面を参照して説明する。
図面には本発明による高周波誘導加熱蒸発源の一実施例
を示し、ｌは高品質のＰ Ｂ Ｎ （Ｐｙｒｏｔｙ −
Ｎｃ Ｂｏｒｏ＋Ｉ Ｎ１ｔｒｉｄｅ） から成るルツ
ボで、支持台λ上の受け部材３上に設けた例えば石英の
ような光透過率の大きい材料から成る熱シールトゲ内に
挿入される。ルツボｌの周囲には図示してない高周波電
源に接続される加熱用コイルｊが配列され、この加熱用
コイルｊには冷却媒体が流れる構造となっている。また
ルツ、ｄ／と加熱用コイルよとの間および加熱コイル≠
の外周囲にはＡｔ２０３ や８ｉ０１等の材料から成る
二つの円筒状部材６，７が支持台コ上に植立している。
を示し、ｌは高品質のＰ Ｂ Ｎ （Ｐｙｒｏｔｙ −
Ｎｃ Ｂｏｒｏ＋Ｉ Ｎ１ｔｒｉｄｅ） から成るルツ
ボで、支持台λ上の受け部材３上に設けた例えば石英の
ような光透過率の大きい材料から成る熱シールトゲ内に
挿入される。ルツボｌの周囲には図示してない高周波電
源に接続される加熱用コイルｊが配列され、この加熱用
コイルｊには冷却媒体が流れる構造となっている。また
ルツ、ｄ／と加熱用コイルよとの間および加熱コイル≠
の外周囲にはＡｔ２０３ や８ｉ０１等の材料から成る
二つの円筒状部材６，７が支持台コ上に植立している。
これらの円筒状部材Ａ、７は加熱用コイルｊのケーシン
グを成し、熱シールドとして作用すると共に加熱用コイ
ルｊへの蒸発物の付着を防止する。ケーシング部材６゜
７の上端には同様な材料から成る環状蓋部材ｒが着脱可
能に取付けられる。
グを成し、熱シールドとして作用すると共に加熱用コイ
ルｊへの蒸発物の付着を防止する。ケーシング部材６゜
７の上端には同様な材料から成る環状蓋部材ｒが着脱可
能に取付けられる。
熱シールド部材≠の表面には符号りで示すようにルツボ
／内の蒸発材に比べて蒸気圧の低い金属薄膜が蒸着、ス
ノぐツタリングのよりなＰＶＤ等によって形成されてい
る。
／内の蒸発材に比べて蒸気圧の低い金属薄膜が蒸着、ス
ノぐツタリングのよりなＰＶＤ等によって形成されてい
る。
なお、ルツボ／自体を、ＰＢＮの代りに石英等の光透過
率の高い材料で構成した場合には、ルツボの外表面に同
様な金属薄膜が形成され得る。
率の高い材料で構成した場合には、ルツボの外表面に同
様な金属薄膜が形成され得る。
また熱シールド弘を設ける代如にコイルよのケーシング
を石英等の光透過率の高い材料で構成した場合にはこの
ケーシングのルッｙｐ／に相対する側壁に金属薄膜を形
成してもよい。
を石英等の光透過率の高い材料で構成した場合にはこの
ケーシングのルッｙｐ／に相対する側壁に金属薄膜を形
成してもよい。
本発明に従って外表面に例えばＭＯの薄膜を蒸着した石
英製の熱シールド部材を備えた高周波誘導加熱蒸発源を
用いてＡｔを蒸発させた場合、熱シールド部材に何もコ
ーディングしてない場合に比べて同一投入電力に対して
５〜１０倍のＡｔ蒸発速度が期待できる。
英製の熱シールド部材を備えた高周波誘導加熱蒸発源を
用いてＡｔを蒸発させた場合、熱シールド部材に何もコ
ーディングしてない場合に比べて同一投入電力に対して
５〜１０倍のＡｔ蒸発速度が期待できる。
以上説明してきたように、本発明によれば、光透過率の
大きい材料を熱シールド部材またはルツボに使用した場
合に、その壁面を通しての熱放射を抑えて使用すること
ができるので、高い蒸発速度を得ることができる。
大きい材料を熱シールド部材またはルツボに使用した場
合に、その壁面を通しての熱放射を抑えて使用すること
ができるので、高い蒸発速度を得ることができる。
図面は本発明による高周波誘導加熱蒸発源の一実施例を
示す概略断面図である。 図中、ｌニルツボ、２＝支持台、３：受は部材、μ：熱
シール￥、！ ： 加熱用コイル、ｊ、７二円筒状部材
、ざ：蓋部材、り：金属薄膜、り：熱シールＰ部材
示す概略断面図である。 図中、ｌニルツボ、２＝支持台、３：受は部材、μ：熱
シール￥、！ ： 加熱用コイル、ｊ、７二円筒状部材
、ざ：蓋部材、り：金属薄膜、り：熱シールＰ部材
Claims (1)
- ルツ２の周囲に、高周波電流の供給される加熱用コイル
および光透過率の大きな材料から成シルツヂからの熱放
射を防ぐための熱シールド部材を設け、加熱用コイルを
付勢することによシルツゼ内の蒸発材に誘導電流を流れ
させ、それによる抵抗損失熱で蒸発材を加熱、蒸発する
ようにした高周波誘導加熱蒸発源において、熱シールド
部材の表面に蒸発材に比べて蒸気圧の低い金属薄膜を形
成したことを特徴とする高周波誘導加熱蒸発源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP731184A JPS60152670A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 高周波誘導加熱蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP731184A JPS60152670A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 高周波誘導加熱蒸発源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152670A true JPS60152670A (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=11662454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP731184A Pending JPS60152670A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 高周波誘導加熱蒸発源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152670A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0892733A (ja) * | 1994-05-13 | 1996-04-09 | Soc Ital Vetro (Siv) Spa | 金属酸化物薄層の付着方法及び付着装置 |
| JP2006225699A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ulvac Japan Ltd | 有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置 |
| JP2013123651A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Takagi Reiki Kk | 廃液処理装置及び廃液処理装置の製造方法 |
| EP3124648A1 (de) | 2015-07-31 | 2017-02-01 | Hilberg & Partner GmbH | Induktionsverdampfer, verdampfersystem sowie verdampfungsverfahren für die beschichtung eines bandförmigen substrats |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123368A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-28 | Sekisui Chem Co Ltd | Crucible for evaporation source |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP731184A patent/JPS60152670A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123368A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-28 | Sekisui Chem Co Ltd | Crucible for evaporation source |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0892733A (ja) * | 1994-05-13 | 1996-04-09 | Soc Ital Vetro (Siv) Spa | 金属酸化物薄層の付着方法及び付着装置 |
| JP2006225699A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ulvac Japan Ltd | 有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置 |
| JP2013123651A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Takagi Reiki Kk | 廃液処理装置及び廃液処理装置の製造方法 |
| EP3124648A1 (de) | 2015-07-31 | 2017-02-01 | Hilberg & Partner GmbH | Induktionsverdampfer, verdampfersystem sowie verdampfungsverfahren für die beschichtung eines bandförmigen substrats |
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