JPH0558775A - 分子線エピタキシヤル装置 - Google Patents
分子線エピタキシヤル装置Info
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- JPH0558775A JPH0558775A JP22156991A JP22156991A JPH0558775A JP H0558775 A JPH0558775 A JP H0558775A JP 22156991 A JP22156991 A JP 22156991A JP 22156991 A JP22156991 A JP 22156991A JP H0558775 A JPH0558775 A JP H0558775A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビーム蒸発器を備えた縦型分子線エピタ
キシャル装置に関し、所定開口を有し、かつ冷却された
シールド板に付着した蒸着物のフレークの落下を防止す
ることのできる分子線エピタキシャル装置を提供する。 【構成】 電子ビーム蒸発器と、該電子ビーム蒸発器の
上方に設けられかつ基板に向かう分子線を通す所定開口
を有する冷却されたシールド板とを備えた縦型分子線エ
ピタキシャル装置において、シールド板１５が、その内
部に冷媒を通すようになっているステンレス製の冷却板
１６と、該冷却板の電子ビーム蒸発器側に隙間のあるよ
うに取付けられた高融点金属の薄板１８とからなるよう
に構成する。さらに、シールド板２１が、ステンレス製
の冷却板１６と、該冷却板の電子ビーム蒸発器側の表面
に形成されかつ室温以下でも蒸着物と密着性の良い金属
コーティング層２２とからなるように構成することもで
きる。
キシャル装置に関し、所定開口を有し、かつ冷却された
シールド板に付着した蒸着物のフレークの落下を防止す
ることのできる分子線エピタキシャル装置を提供する。 【構成】 電子ビーム蒸発器と、該電子ビーム蒸発器の
上方に設けられかつ基板に向かう分子線を通す所定開口
を有する冷却されたシールド板とを備えた縦型分子線エ
ピタキシャル装置において、シールド板１５が、その内
部に冷媒を通すようになっているステンレス製の冷却板
１６と、該冷却板の電子ビーム蒸発器側に隙間のあるよ
うに取付けられた高融点金属の薄板１８とからなるよう
に構成する。さらに、シールド板２１が、ステンレス製
の冷却板１６と、該冷却板の電子ビーム蒸発器側の表面
に形成されかつ室温以下でも蒸着物と密着性の良い金属
コーティング層２２とからなるように構成することもで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分子線エピタキシャル
装置、より詳しくは、電子ビーム蒸発器を備えた縦型分
子線エピタキシャル装置に関する。本発明にかかる分子
線エピタキシャル装置は、特に、シリコン／ゲルマニウ
ム系のエピタキシャル成長に適している。
装置、より詳しくは、電子ビーム蒸発器を備えた縦型分
子線エピタキシャル装置に関する。本発明にかかる分子
線エピタキシャル装置は、特に、シリコン／ゲルマニウ
ム系のエピタキシャル成長に適している。
【０００２】近年、シリコン半導体基板に形成される集
積回路装置（ＩＣ）の高速化、高集積化の技術はますま
す進歩している。しかしながら、能動素子の特性を規定
することになる電子や正孔の移動度などの物理量はシリ
コン結晶のエネルギーバンド構造により定まるものであ
るから、シリコンだけを用いるのではＩＣ特性向上に限
界がある。
積回路装置（ＩＣ）の高速化、高集積化の技術はますま
す進歩している。しかしながら、能動素子の特性を規定
することになる電子や正孔の移動度などの物理量はシリ
コン結晶のエネルギーバンド構造により定まるものであ
るから、シリコンだけを用いるのではＩＣ特性向上に限
界がある。
【０００３】そこで、より高性能の半導体素子を得る方
法の一つとして、ＧａＡｓのような高移動度の半導体材
料を用いたＨＥＭＴやＨＢＴが開発されている。一方、
現在の成熟したデバイスプロセスとの整合性から、シリ
コンを主体してより高性能の半導体素子を得ることが望
まれている。この場合も、種々の異種材料とのヘテロ接
合を利用して高速・高性能素子を構成することが提案さ
れ、開発が進められている。このヘテロ接合を形成する
相手材料には、ゲルマニウムのような半導体材料や金属
シリサイド（ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド
など）があり、最近は特にゲルマニウムを含んだシリコ
ン／ゲルマニウム系の素子（例えば、ヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタ）の開発が積極的に進められている。
法の一つとして、ＧａＡｓのような高移動度の半導体材
料を用いたＨＥＭＴやＨＢＴが開発されている。一方、
現在の成熟したデバイスプロセスとの整合性から、シリ
コンを主体してより高性能の半導体素子を得ることが望
まれている。この場合も、種々の異種材料とのヘテロ接
合を利用して高速・高性能素子を構成することが提案さ
れ、開発が進められている。このヘテロ接合を形成する
相手材料には、ゲルマニウムのような半導体材料や金属
シリサイド（ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド
など）があり、最近は特にゲルマニウムを含んだシリコ
ン／ゲルマニウム系の素子（例えば、ヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタ）の開発が積極的に進められている。
【０００４】
【従来の技術】分子線エピタキシャル法はヘテロ構造素
子を作製するのに適した薄膜成長方法ではあるが、クヌ
ードセン・セルを用いて成長できるＧａＡｓなどの化合
物半導体の場合と異なって、シリコンの蒸気圧は低いた
めに、ルツボを１５００〜１７００℃に加熱する必要が
ある。このために、通常電子ビームで加熱する電子ビー
ム蒸発器が用いられる。
子を作製するのに適した薄膜成長方法ではあるが、クヌ
ードセン・セルを用いて成長できるＧａＡｓなどの化合
物半導体の場合と異なって、シリコンの蒸気圧は低いた
めに、ルツボを１５００〜１７００℃に加熱する必要が
ある。このために、通常電子ビームで加熱する電子ビー
ム蒸発器が用いられる。
【０００５】電子ビーム蒸発器は、水冷された銅製のハ
ースの中に溶融金属が保持されるために、高温部からの
放出ガスが少なく、超真空中での高融点金属の蒸発源と
して望ましいものである。一方、浅いハースの中に蒸着
材料（シリコン、ゲルマニウム）を入れるため、基板を
蒸発器のほぼ上方に配置する縦型の装置構成とする必要
がある。従来用いられている縦型分子線エピタキシャル
装置は、図１に示すように、真空ポンプにつながった成
長室１およびロードロック機構を備えた基板搬入室２か
らなる。成長室１内にシリコン用電子ビーム蒸発器３、
ゲルマニウム用電子ビーム蒸発器４、これらを覆う水冷
（または液体窒素冷却）のシュラウド５が配置され、こ
れらの上方に基板６が配置されている。このシュラウド
５は蒸着物の分子線７および８を基板６に向けて通過さ
せる開口９および１０を有し、そして、少なくとも蒸発
器４、５の上部を覆う構造となっている。このように覆
うのは、（ａ）電子ビーム蒸発器４、５の溶融シリコン
および溶融ゲルマニウムの温度が極めて高いので、その
輻射熱で成長室１の壁面を不必要に加熱するのを防ぐた
め、および（ｂ）基板６以外の壁面などにシリコンおよ
びゲルマニウムが付着するのを防ぐためである。
ースの中に溶融金属が保持されるために、高温部からの
放出ガスが少なく、超真空中での高融点金属の蒸発源と
して望ましいものである。一方、浅いハースの中に蒸着
材料（シリコン、ゲルマニウム）を入れるため、基板を
蒸発器のほぼ上方に配置する縦型の装置構成とする必要
がある。従来用いられている縦型分子線エピタキシャル
装置は、図１に示すように、真空ポンプにつながった成
長室１およびロードロック機構を備えた基板搬入室２か
らなる。成長室１内にシリコン用電子ビーム蒸発器３、
ゲルマニウム用電子ビーム蒸発器４、これらを覆う水冷
（または液体窒素冷却）のシュラウド５が配置され、こ
れらの上方に基板６が配置されている。このシュラウド
５は蒸着物の分子線７および８を基板６に向けて通過さ
せる開口９および１０を有し、そして、少なくとも蒸発
器４、５の上部を覆う構造となっている。このように覆
うのは、（ａ）電子ビーム蒸発器４、５の溶融シリコン
および溶融ゲルマニウムの温度が極めて高いので、その
輻射熱で成長室１の壁面を不必要に加熱するのを防ぐた
め、および（ｂ）基板６以外の壁面などにシリコンおよ
びゲルマニウムが付着するのを防ぐためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】通常、分子線エピタキ
シャル装置などの超真空チャンバー（成長室）は放出ガ
スが少ないこと、加工性が良いこと、溶接し易いことな
どの理由で、ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３１６などのステン
レス鋼で作製される。それでも、これらステンレス鋼は
約６０℃以上に加熱されると放出ガスが多くなり、エピ
タキシャル成長した膜の膜質に悪影響を及ぼす。さら
に、室温ないし液体窒素温度などの低温でシリコン（ま
たはゲルマニウム）はステンレス鋼に微粒子状に付着す
るため、フレークとなって剥離し、ハースに落ちやすく
なる。最近の分子線エピタキシャル装置は、図１のよう
に、基板搬送のためにロードロック機構を備えている
が、蒸着材料の装填などの際には、成長室３を大気開放
する必要がある。その際、反応室の壁面に付着した微粒
子状シリコン（ゲルマニウム）は非常にポーラスである
ため、この大気開放で大量のガス（酸素、窒素、水素、
水分など）を吸収して、一層剥離し易くなる。
シャル装置などの超真空チャンバー（成長室）は放出ガ
スが少ないこと、加工性が良いこと、溶接し易いことな
どの理由で、ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３１６などのステン
レス鋼で作製される。それでも、これらステンレス鋼は
約６０℃以上に加熱されると放出ガスが多くなり、エピ
タキシャル成長した膜の膜質に悪影響を及ぼす。さら
に、室温ないし液体窒素温度などの低温でシリコン（ま
たはゲルマニウム）はステンレス鋼に微粒子状に付着す
るため、フレークとなって剥離し、ハースに落ちやすく
なる。最近の分子線エピタキシャル装置は、図１のよう
に、基板搬送のためにロードロック機構を備えている
が、蒸着材料の装填などの際には、成長室３を大気開放
する必要がある。その際、反応室の壁面に付着した微粒
子状シリコン（ゲルマニウム）は非常にポーラスである
ため、この大気開放で大量のガス（酸素、窒素、水素、
水分など）を吸収して、一層剥離し易くなる。
【０００７】また、電子ビーム蒸発器の高電圧印加部に
剥離したフレークが落ちると、しばしば放電を引き起こ
し、安定な蒸着（エピタキシャル成長）を妨げる。この
ように、フレーク発生の問題は電子ビーム蒸着器を備え
た分子線エピタキシャル装置の最大の欠点となってい
る。これらのことから、電子ビーム蒸着器の上方に設け
られたシュラウド（シールド板）は高純度化に有効であ
るが、図１からも明らかなように、このシールド板にも
大量のシリコン（ゲルマニウム）が付着し、これからフ
レークが剥離落下する。
剥離したフレークが落ちると、しばしば放電を引き起こ
し、安定な蒸着（エピタキシャル成長）を妨げる。この
ように、フレーク発生の問題は電子ビーム蒸着器を備え
た分子線エピタキシャル装置の最大の欠点となってい
る。これらのことから、電子ビーム蒸着器の上方に設け
られたシュラウド（シールド板）は高純度化に有効であ
るが、図１からも明らかなように、このシールド板にも
大量のシリコン（ゲルマニウム）が付着し、これからフ
レークが剥離落下する。
【０００８】本発明の目的は、シールド板に付着した蒸
着物のフレーク落下を防止することのできる電子ビーム
蒸着器を備えた分子線エピタキシャル装置を提供するこ
とである。
着物のフレーク落下を防止することのできる電子ビーム
蒸着器を備えた分子線エピタキシャル装置を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、電子ビー
ム蒸発器と、該電子ビーム蒸発器の上方に設けられかつ
基板に向かう分子線を通す所定開口を有する冷却された
シールド板とを備えた縦型分子線エピタキシャル装置に
おいて、シールド板が、その内部に冷媒を通すようにな
っているステンレス製の冷却板と、該冷却板の電子ビー
ム蒸発器側に隙間のあるよう取付けられた高融点金属の
薄板とからなることを特徴とする分子線エピタキシャル
装置によって達成される。
ム蒸発器と、該電子ビーム蒸発器の上方に設けられかつ
基板に向かう分子線を通す所定開口を有する冷却された
シールド板とを備えた縦型分子線エピタキシャル装置に
おいて、シールド板が、その内部に冷媒を通すようにな
っているステンレス製の冷却板と、該冷却板の電子ビー
ム蒸発器側に隙間のあるよう取付けられた高融点金属の
薄板とからなることを特徴とする分子線エピタキシャル
装置によって達成される。
【００１０】また、シールド板が、その内部に冷媒を通
すようになっているステンレス製の冷却板と、該冷却板
の電子ビーム蒸発器側の表面に形成されかつ室温以下で
も蒸着物と密着性の良い金属コーティング層とからなる
ことを特徴とする分子線エピタキシャル装置によっても
達成される。薄板の高融点金属はタンタル、モリブデン
またはタングステン、であることは好ましく、さらに冷
却板と薄板との間に絶縁物取付け具を用いることも好ま
しい。
すようになっているステンレス製の冷却板と、該冷却板
の電子ビーム蒸発器側の表面に形成されかつ室温以下で
も蒸着物と密着性の良い金属コーティング層とからなる
ことを特徴とする分子線エピタキシャル装置によっても
達成される。薄板の高融点金属はタンタル、モリブデン
またはタングステン、であることは好ましく、さらに冷
却板と薄板との間に絶縁物取付け具を用いることも好ま
しい。
【００１１】
【作用】本発明者は、一定量のシリコンを蒸発させ蒸着
した後に、成長室（真空チャンバー）を大気開放し、成
長室の各部品および壁面に付着したシリコンの状態が大
きく異なることを経験的に見出した。即ち、被付着材
（部材）の材質および温度によって、シリコンは微粒子
状にも、比較的緻密な膜状にも付着する。ゲルマニウム
も同様である。放出ガスの少ないモリブデン、タンタ
ル、タングステン薄板を冷却板から離して取り付けてお
くと、その薄板は電子ビーム加熱された蒸着物からの輻
射熱で３００℃以上に加熱される。一般に、シリコンは
３００℃以上の金属には密着性良くかつ比較的緻密な膜
状に付着するので、フレークとして剥離するのを防止す
ることができる。この高融点金属の薄板を冷却板に取り
付けるために、これらの間に絶縁物（アルミナ、ＰＢＮ
など）の取り付け具を用いるのが好ましい。
した後に、成長室（真空チャンバー）を大気開放し、成
長室の各部品および壁面に付着したシリコンの状態が大
きく異なることを経験的に見出した。即ち、被付着材
（部材）の材質および温度によって、シリコンは微粒子
状にも、比較的緻密な膜状にも付着する。ゲルマニウム
も同様である。放出ガスの少ないモリブデン、タンタ
ル、タングステン薄板を冷却板から離して取り付けてお
くと、その薄板は電子ビーム加熱された蒸着物からの輻
射熱で３００℃以上に加熱される。一般に、シリコンは
３００℃以上の金属には密着性良くかつ比較的緻密な膜
状に付着するので、フレークとして剥離するのを防止す
ることができる。この高融点金属の薄板を冷却板に取り
付けるために、これらの間に絶縁物（アルミナ、ＰＢＮ
など）の取り付け具を用いるのが好ましい。
【００１２】一方、シリコンは室温以下の温度でもアル
ミニウム、銅、などに対しては密着性が良い。しかし、
これらの材料は高温に加熱されると、放出ガスが多くな
るために、冷却板に直接接触して冷却された状態になる
ようにコーティング層として形成することになる。この
ようにしてアルミニウム、銅などの金属コーティング層
にシリコンを密着性良く付着させて、剥離するのを防止
する。
ミニウム、銅、などに対しては密着性が良い。しかし、
これらの材料は高温に加熱されると、放出ガスが多くな
るために、冷却板に直接接触して冷却された状態になる
ようにコーティング層として形成することになる。この
ようにしてアルミニウム、銅などの金属コーティング層
にシリコンを密着性良く付着させて、剥離するのを防止
する。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例によって本発明を詳細に説明する。例１ 図２は、本発明の第１実施例における分子線エピタキシ
ャル装置の電子ビーム蒸発器、その上部のシールド板お
よび基板の概略断面図である。
様例によって本発明を詳細に説明する。例１ 図２は、本発明の第１実施例における分子線エピタキシ
ャル装置の電子ビーム蒸発器、その上部のシールド板お
よび基板の概略断面図である。
【００１４】分子線エピタキシャル装置の基本構成は従
来と同じであり、電子ビーム蒸着器１１も従来のもので
あり、シリコン（またはゲルマニウム）の蒸着原料１２
を加熱溶解して、分子線１３を真空状態の成長室１（図
１）に発生させる。なお、分子線１３は基板１４のみに
当たるように図示してあるが、もっと広範に広がってい
る。本発明にしたがって、シールド板１５が、ステンレ
ス鋼製の冷却板（図１でのシュラウドに相当するもの）
１６と、高融点金属の薄板１７とからなり、絶縁物取り
付け具１８を利用して薄板１７が冷却板１６に着脱可能
に取り付けられている。そして、冷却板１６および薄板
１７には分子線１３を通す所定の開口１９が設けられて
いる。要するに、従来のシュラウドに薄板１７を付加し
たわけである。
来と同じであり、電子ビーム蒸着器１１も従来のもので
あり、シリコン（またはゲルマニウム）の蒸着原料１２
を加熱溶解して、分子線１３を真空状態の成長室１（図
１）に発生させる。なお、分子線１３は基板１４のみに
当たるように図示してあるが、もっと広範に広がってい
る。本発明にしたがって、シールド板１５が、ステンレ
ス鋼製の冷却板（図１でのシュラウドに相当するもの）
１６と、高融点金属の薄板１７とからなり、絶縁物取り
付け具１８を利用して薄板１７が冷却板１６に着脱可能
に取り付けられている。そして、冷却板１６および薄板
１７には分子線１３を通す所定の開口１９が設けられて
いる。要するに、従来のシュラウドに薄板１７を付加し
たわけである。
【００１５】例えば、タンタル（Ｔａ）の薄板１７をＰ
ＢＮ製円筒スペーサの取り付け具１８で冷却板１６にネ
ジ止めする。シリコンのエピタキシャル成長中に、この
薄板１７は、電子ビーム蒸発器１１で１６００℃に加熱
されたシリコンソース１２からの輻射熱によって、約４
００℃に加熱される。そして、この薄板１７に付着した
シリコンは密着性が良く、約３０ccのシリコンを消費し
ても蒸発器１１のハースにフレークはほとんど落下しな
かった。
ＢＮ製円筒スペーサの取り付け具１８で冷却板１６にネ
ジ止めする。シリコンのエピタキシャル成長中に、この
薄板１７は、電子ビーム蒸発器１１で１６００℃に加熱
されたシリコンソース１２からの輻射熱によって、約４
００℃に加熱される。そして、この薄板１７に付着した
シリコンは密着性が良く、約３０ccのシリコンを消費し
ても蒸発器１１のハースにフレークはほとんど落下しな
かった。
【００１６】この場合には、成長室の大気開放の際に
は、高融点金属薄板を取り外して洗浄することができる
簡便さがある。例２ 図３は、本発明の第２実施例における分子線エピタキシ
ャル装置の電子ビーム蒸発器、その上部のシールド板お
よび基板の概略断面図である。
は、高融点金属薄板を取り外して洗浄することができる
簡便さがある。例２ 図３は、本発明の第２実施例における分子線エピタキシ
ャル装置の電子ビーム蒸発器、その上部のシールド板お
よび基板の概略断面図である。
【００１７】この場合も、分子線エピタキシャル装置の
基本構成は従来と同じであり、電子ビーム蒸着器１１も
従来のものであり、シリコン（またはゲルマニウム）の
蒸着原料１２を加熱溶解して、分子線１３を真空状態の
成長室１（図１）に発生させる。本発明にしたがって、
シールド板２１が、ステンレス鋼製の冷却板（図１での
シュラウドに相当するもの）１６と、この冷却板に直接
に被覆した金属コーティング層２２とからなる。そし
て、冷却板１６および層２２には分子線１３を通す所定
の開口２３が設けられている。要するに、従来のシュラ
ウドに金属コーティング膜を被覆したわけである。
基本構成は従来と同じであり、電子ビーム蒸着器１１も
従来のものであり、シリコン（またはゲルマニウム）の
蒸着原料１２を加熱溶解して、分子線１３を真空状態の
成長室１（図１）に発生させる。本発明にしたがって、
シールド板２１が、ステンレス鋼製の冷却板（図１での
シュラウドに相当するもの）１６と、この冷却板に直接
に被覆した金属コーティング層２２とからなる。そし
て、冷却板１６および層２２には分子線１３を通す所定
の開口２３が設けられている。要するに、従来のシュラ
ウドに金属コーティング膜を被覆したわけである。
【００１８】例えば、ステンレス鋼製の冷却板１６の表
面にスパッタリング法によってアルミニウム層２２を被
覆する。アルミニウム層２２は熱伝導が良いので、冷却
板１６によって効率的に冷却され、シリコンのエピタキ
シャル成長でのシリコンソース１２からの輻射熱によっ
て加熱されることはない。そして、このアルミニウム層
２２に付着したシリコンも密着性が良く、約３０ccのシ
リコンを消費しても蒸発器１１のハースにフレークはほ
とんど落下しなかった。また、低温状態のあるので、ア
ルミニウム層２２からの放出ガスはほとんど認められな
かった。
面にスパッタリング法によってアルミニウム層２２を被
覆する。アルミニウム層２２は熱伝導が良いので、冷却
板１６によって効率的に冷却され、シリコンのエピタキ
シャル成長でのシリコンソース１２からの輻射熱によっ
て加熱されることはない。そして、このアルミニウム層
２２に付着したシリコンも密着性が良く、約３０ccのシ
リコンを消費しても蒸発器１１のハースにフレークはほ
とんど落下しなかった。また、低温状態のあるので、ア
ルミニウム層２２からの放出ガスはほとんど認められな
かった。
【００１９】尚、金属コーティング膜として、アルミニ
ウムに代えて銅を用いても同様の効果を得ることができ
る。
ウムに代えて銅を用いても同様の効果を得ることができ
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る分子
線エピタキシャル装置によれば、分子線の流れを規定す
る開口を有するシールド板は付着する蒸発物（シリコ
ン、ゲルマニウム）を密着性良く捕獲することができ
て、剥離してフレークとして落下するのを防止する。こ
れによって、縦型分子線エピタキシャル成長による膜質
を向上させることができる。さらに、蒸着物質としてシ
リコンおよびゲルマニウムを上述したように例示した
が、それ以外の材料にも適用できる。
線エピタキシャル装置によれば、分子線の流れを規定す
る開口を有するシールド板は付着する蒸発物（シリコ
ン、ゲルマニウム）を密着性良く捕獲することができ
て、剥離してフレークとして落下するのを防止する。こ
れによって、縦型分子線エピタキシャル成長による膜質
を向上させることができる。さらに、蒸着物質としてシ
リコンおよびゲルマニウムを上述したように例示した
が、それ以外の材料にも適用できる。
【図１】従来の分子線エピタキシャル装置の概略断面図
である。
である。
【図２】本発明の第１実施例にかかる分子線エピタキシ
ャル装置の要部概略断面図である。
ャル装置の要部概略断面図である。
【図３】本発明の第２実施例にかかる分子線エピタキシ
ャル装置の要部概略断面図である。
ャル装置の要部概略断面図である。
１…成長室 ３、４…電子ビーム蒸発器 ５…シュラウド ６…基板 ７、８…分子線 １１…電子ビーム蒸発器 １２…蒸着物 １３…分子線 １４…基板 １５、２１…シールド板 １６…冷却板 １７…高融点金属の薄板 １８…絶縁物取り付け具 １９、２３…開口 ２２…コーティング層
Claims (5)
- 【請求項１】 電子ビーム蒸発器と、該電子ビーム蒸発
器の上方に設けられかつ基板に向かう分子線を通す所定
開口を有する冷却されたシールド板とを備えた縦型分子
線エピタキシャル装置において、前記シールド板（１
５）の前記電子ビーム蒸発器側に隙間のあるように高融
点金属の薄板（１７）が取付けられていることを特徴と
する分子線エピタキシャル装置。 - 【請求項２】 前記薄板（１７）の高融点金属がタンタ
ル、モリブデンまたはタングステン、であることを特徴
とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記冷却板（１６）と前記薄板（１７）
との間に絶縁物取り付け具（１８）を用いることを特徴
とする請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 電子ビーム蒸発器と、該電子ビーム蒸発
器の上方に設けられかつ基板に向かう分子線を通す所定
開口を有する冷却されたシールド板とを備えた縦型分子
線エピタキシャル装置において、前記シールド板（２
１）の前記電子ビーム蒸発器側の表面に、室温以下にて
蒸着物と密着性の良い金属コーティング層（２２）が形
成されていることを特徴とする分子線エピタキシャル装
置。 - 【請求項５】 前記金属コーティング層（２２）がアル
ミニウムまたは銅であることを特徴とする請求項４記載
の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22156991A JPH0558775A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 分子線エピタキシヤル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22156991A JPH0558775A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 分子線エピタキシヤル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558775A true JPH0558775A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16768791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22156991A Withdrawn JPH0558775A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 分子線エピタキシヤル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0558775A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214744A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 排ガス浄化用触媒 |
| JPH08296183A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Munetaka:Kk | ワイヤー |
| US5686377A (en) * | 1995-01-17 | 1997-11-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Catalyst for purifying exhaust gases |
| JP2007036157A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置、及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| CN113710833A (zh) * | 2019-04-22 | 2021-11-26 | 杜鹏 | 直接蒸发泵至冷板的分子束外延系统 |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP22156991A patent/JPH0558775A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214744A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 排ガス浄化用触媒 |
| US5686377A (en) * | 1995-01-17 | 1997-11-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Catalyst for purifying exhaust gases |
| JPH08296183A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Munetaka:Kk | ワイヤー |
| JP2007036157A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置、及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| CN113710833A (zh) * | 2019-04-22 | 2021-11-26 | 杜鹏 | 直接蒸发泵至冷板的分子束外延系统 |
| CN113710833B (zh) * | 2019-04-22 | 2023-04-28 | 杜鹏 | 直接蒸发泵至冷板的分子束外延系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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