JPH11172424A - ガリウム化合物の製造方法 - Google Patents
ガリウム化合物の製造方法Info
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- JPH11172424A JPH11172424A JP34266297A JP34266297A JPH11172424A JP H11172424 A JPH11172424 A JP H11172424A JP 34266297 A JP34266297 A JP 34266297A JP 34266297 A JP34266297 A JP 34266297A JP H11172424 A JPH11172424 A JP H11172424A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットにガリウムを使用し、スパッタ法
でガリウム化合物膜、特に窒化ガリウム膜を製造するこ
とができる方法を提供すること。 【解決手段】 ２９℃以下に冷却したガリウムをターゲ
ットに用いることを特徴とするスパッタ法によるガリウ
ム化合物の製造方法。
でガリウム化合物膜、特に窒化ガリウム膜を製造するこ
とができる方法を提供すること。 【解決手段】 ２９℃以下に冷却したガリウムをターゲ
ットに用いることを特徴とするスパッタ法によるガリウ
ム化合物の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子として注
目されているガリウム化合物、特に窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）薄膜 をスパッタ法で製造する方法に関する。
目されているガリウム化合物、特に窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）薄膜 をスパッタ法で製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光素子を目的とした窒化ガリウ
ム薄膜の製造は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、イ
オンプレーティング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）法等で行なわれてきた。これらの方法は、エピタ
キシャル膜が得られ、現在主流となっている方法であ
る。しかしながら、ＭＢＥ法やＩＢＥ法は製造装置が非
常に高価で操作も難しく、さらに成膜速度が極端に遅く
量産性に乏しい。ＭＯＣＶＤ法は、成膜速度は改善され
量産性には優れているが、有機金属を気化して使用する
ため、有毒、引火性等の安全面に十分な対策が必要であ
る。また、使用後のガスの処理も必要である。そのため
製造装置本体に加え、ガス処理等の特殊な付帯施設が不
可欠で有り、それらを含めると結果的に高価な製造装置
となる。
ム薄膜の製造は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、イ
オンプレーティング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）法等で行なわれてきた。これらの方法は、エピタ
キシャル膜が得られ、現在主流となっている方法であ
る。しかしながら、ＭＢＥ法やＩＢＥ法は製造装置が非
常に高価で操作も難しく、さらに成膜速度が極端に遅く
量産性に乏しい。ＭＯＣＶＤ法は、成膜速度は改善され
量産性には優れているが、有機金属を気化して使用する
ため、有毒、引火性等の安全面に十分な対策が必要であ
る。また、使用後のガスの処理も必要である。そのため
製造装置本体に加え、ガス処理等の特殊な付帯施設が不
可欠で有り、それらを含めると結果的に高価な製造装置
となる。
【０００３】このように、ＭＢＥ法、ＩＢＥ法、ＭＯＣ
ＶＤ法の場合、総合的に見ると装置価格、操作性におい
て、手軽に窒化ガリウム膜が得られるとは言いがたい。
ＶＤ法の場合、総合的に見ると装置価格、操作性におい
て、手軽に窒化ガリウム膜が得られるとは言いがたい。
【０００４】一方、スパッタ法は上記各方法に比べ操作
性、コスト、安全面で優れているが、スパッタ法で窒化
ガリウムを製造しようとした場合、ガリウムが室温で液
体であるため、ターゲットにガリウムを用いた反応性ス
パッタ法は極めて困難なものとなる。ターゲットに窒化
ガリウムを用いた方法は検討されたが、良質の膜は得ら
れていない。
性、コスト、安全面で優れているが、スパッタ法で窒化
ガリウムを製造しようとした場合、ガリウムが室温で液
体であるため、ターゲットにガリウムを用いた反応性ス
パッタ法は極めて困難なものとなる。ターゲットに窒化
ガリウムを用いた方法は検討されたが、良質の膜は得ら
れていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はターゲットに
ガリウムを使用し、スパッタ法でガリウム化合物膜、特
に窒化ガリウム膜を製造することができる方法を提供す
ることを目的とする。
ガリウムを使用し、スパッタ法でガリウム化合物膜、特
に窒化ガリウム膜を製造することができる方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は２９℃
以下に冷却したガリウムをターゲットに用いることを特
徴とするスパッタ法によるガリウム化合物の製造方法に
関する。
以下に冷却したガリウムをターゲットに用いることを特
徴とするスパッタ法によるガリウム化合物の製造方法に
関する。
【０００７】ガリウムは２９℃以下に冷却すると固体と
なる。本発明においては、ガリウムが固体状態を維持で
きる環境を作り、その状況下でガリウムをターゲットと
してスパッタリングを行なう。そのため、ガリウムター
ゲットの製作は、スパッタリング装置内でターゲットと
しての固体形状を維持できるのであれば、その製作は特
に限定されるものではないが、例えば以下の方法が簡便
かつ有用である。
なる。本発明においては、ガリウムが固体状態を維持で
きる環境を作り、その状況下でガリウムをターゲットと
してスパッタリングを行なう。そのため、ガリウムター
ゲットの製作は、スパッタリング装置内でターゲットと
しての固体形状を維持できるのであれば、その製作は特
に限定されるものではないが、例えば以下の方法が簡便
かつ有用である。
【０００８】バッキングプレート上に固定された容器に
液体ガリウムまたは固体ガリウムを入れ、固体ガリウム
の場合は一旦液体状にした後で、ガリウムを２９℃以下
に冷却して固体化する。
液体ガリウムまたは固体ガリウムを入れ、固体ガリウム
の場合は一旦液体状にした後で、ガリウムを２９℃以下
に冷却して固体化する。
【０００９】バッキングプレートとしては銅等の金属、
その他、ＳＵＳ３０４等の材料で構成されるプレートが
使用できる。
その他、ＳＵＳ３０４等の材料で構成されるプレートが
使用できる。
【００１０】バッキングプレートに固定される容器は、
深さが一定であればその形状はどのようなものでもよ
く、ガリウムと反応性のない材料で構成されていること
が好ましい。このようなものとして例えば、石英、Ｂ
Ｎ、酸化ベリリウム、アルミナ等の非導電性材料、カー
ボン等の導電性材料等で熱伝導の良い材料が好ましく挙
げられ、それに含まれる不純物が少ないものほど好まし
い。このような材料で構成されている容器を使用するこ
とにより純度の高いガリウム化合物の薄膜を製造するこ
とができる。また、容器の底（バッキングプレートに固
定されている面）の厚さは、その厚さがあまり厚いと冷
却効果が低下するので、１〜３ｍｍ程度の厚みの底の容
器を使用することが好ましい。
深さが一定であればその形状はどのようなものでもよ
く、ガリウムと反応性のない材料で構成されていること
が好ましい。このようなものとして例えば、石英、Ｂ
Ｎ、酸化ベリリウム、アルミナ等の非導電性材料、カー
ボン等の導電性材料等で熱伝導の良い材料が好ましく挙
げられ、それに含まれる不純物が少ないものほど好まし
い。このような材料で構成されている容器を使用するこ
とにより純度の高いガリウム化合物の薄膜を製造するこ
とができる。また、容器の底（バッキングプレートに固
定されている面）の厚さは、その厚さがあまり厚いと冷
却効果が低下するので、１〜３ｍｍ程度の厚みの底の容
器を使用することが好ましい。
【００１１】バッキングプレートと容器を固定する材料
は、導電性材料、例えばインジウム、導電性接着剤を用
いる。このように導電性材料を使用してバッキングプレ
ートと容器を固定するのは容器をバッキングプレートの
一体の電極とするためである。
は、導電性材料、例えばインジウム、導電性接着剤を用
いる。このように導電性材料を使用してバッキングプレ
ートと容器を固定するのは容器をバッキングプレートの
一体の電極とするためである。
【００１２】より具体的には、例えばバッキングプレー
トにあらかじめ導電性接着剤またはインジウムでシャー
レ（石英，ＢＮ，アルミナ，酸化ベリリウム製等）を接
着しておき、シャーレにガリウム を入れて３０℃以上
１５０℃以下に加熱して、ガリウムを液体状態にして、
ガリウムをシャーレに馴染ませる。３０℃未満では、ガ
リウムが溶けず、１５０℃以上（正確には１５６．１７
℃）ではインジウムが溶けてしまい、シャーレがバッキ
ングプレートから剥がれてしまう。
トにあらかじめ導電性接着剤またはインジウムでシャー
レ（石英，ＢＮ，アルミナ，酸化ベリリウム製等）を接
着しておき、シャーレにガリウム を入れて３０℃以上
１５０℃以下に加熱して、ガリウムを液体状態にして、
ガリウムをシャーレに馴染ませる。３０℃未満では、ガ
リウムが溶けず、１５０℃以上（正確には１５６．１７
℃）ではインジウムが溶けてしまい、シャーレがバッキ
ングプレートから剥がれてしまう。
【００１３】また、導電性接着剤も大体１５０℃辺りが
接着限界温度である。その後、２９℃以下に冷却してガ
リウムターゲットを得る。
接着限界温度である。その後、２９℃以下に冷却してガ
リウムターゲットを得る。
【００１４】このターゲットを２９℃、好ましくは２０
℃以下に冷却しながら、マグネトロンスパッタ法または
ヘリコンスパッタ法またはイオンビームスパッタ法また
はレーザビームスパッタ法等のスパッタ法に供すること
によりガリウム化合物の薄膜を製造することができる。
ターゲットをスパッタ装置内で２９℃以下に維持するに
は、例えばターゲットがおかれるカソード電極を循環冷
却系で冷やすことにより、間接的にターゲットの冷却を
維持してもよいし、また上部が開いた冷蔵庫タイプの冷
却槽を真空槽内に別に設け、その冷却槽の内部でターゲ
ットが冷却される構成としてもよい。
℃以下に冷却しながら、マグネトロンスパッタ法または
ヘリコンスパッタ法またはイオンビームスパッタ法また
はレーザビームスパッタ法等のスパッタ法に供すること
によりガリウム化合物の薄膜を製造することができる。
ターゲットをスパッタ装置内で２９℃以下に維持するに
は、例えばターゲットがおかれるカソード電極を循環冷
却系で冷やすことにより、間接的にターゲットの冷却を
維持してもよいし、また上部が開いた冷蔵庫タイプの冷
却槽を真空槽内に別に設け、その冷却槽の内部でターゲ
ットが冷却される構成としてもよい。
【００１５】その他の、スパッタリングの方法自体は従
来と同様に行えばよい。スパッタガスには通常アルゴン
が用いられるが、窒化ガリウム薄膜を得るために窒素を
加えた混合ガスでスパッタする。あるいは、窒素のみで
スパッタしてもよい。この時、基板近傍を窒素プラズマ
雰囲気とするとより効果的である。また、たとえばアル
ミニウムやインジウムを窒化ガリウム成膜時に同時に、
別途蒸発源より蒸発させれば、窒化ガリウム化合物薄膜
を得ることができる。
来と同様に行えばよい。スパッタガスには通常アルゴン
が用いられるが、窒化ガリウム薄膜を得るために窒素を
加えた混合ガスでスパッタする。あるいは、窒素のみで
スパッタしてもよい。この時、基板近傍を窒素プラズマ
雰囲気とするとより効果的である。また、たとえばアル
ミニウムやインジウムを窒化ガリウム成膜時に同時に、
別途蒸発源より蒸発させれば、窒化ガリウム化合物薄膜
を得ることができる。
【００１６】また、強固な密着性や結晶性の向上を求め
るならば、成膜時の基板温度を２５０℃〜７９０℃，好
ましくは３５０〜７００℃とするとよい。窒化ガリウム
の昇華点は、８００℃であるため、成膜時の基板温度が
７９０℃以上では、膜が形成されなくなる。
るならば、成膜時の基板温度を２５０℃〜７９０℃，好
ましくは３５０〜７００℃とするとよい。窒化ガリウム
の昇華点は、８００℃であるため、成膜時の基板温度が
７９０℃以上では、膜が形成されなくなる。
【００１７】さらに、膜中の残留酸素の除去が必要で有
れば、水素または水素プラズマ雰囲気で還元反応処理を
行なうことで改善される。この処理方法は、成膜後、真
空槽内を水素または水素プラズマで満たし、基板温度を
２００〜５００℃程度にして１０分〜１時間程度、成膜
後の窒化ガリウム薄膜をさらしてやればよい。また、成
膜前にこの処理や逆スパッタを行って基板をクリーニン
グしてもよいし、成膜中に若干の水素を混合させて成膜
と同時にクリーニングしてもよい。
れば、水素または水素プラズマ雰囲気で還元反応処理を
行なうことで改善される。この処理方法は、成膜後、真
空槽内を水素または水素プラズマで満たし、基板温度を
２００〜５００℃程度にして１０分〜１時間程度、成膜
後の窒化ガリウム薄膜をさらしてやればよい。また、成
膜前にこの処理や逆スパッタを行って基板をクリーニン
グしてもよいし、成膜中に若干の水素を混合させて成膜
と同時にクリーニングしてもよい。
【００１８】本発明では、基本的には従来と同様にスパ
ッタ法を適用できるため、製造装置は比較的安価で操作
も易しい。さらに、使用後のガス処理等の付帯施設は、
一般的なものでよく、取扱も安全である。
ッタ法を適用できるため、製造装置は比較的安価で操作
も易しい。さらに、使用後のガス処理等の付帯施設は、
一般的なものでよく、取扱も安全である。
【００１９】
【実施例】実施例１ スパッタに用いるガリウムターゲットを以下のようにし
て製作した。まず、固定材料２としてインジウムを使用
しバッキングプレート（銅製）１にシャーレ（石英製）
３を接着した。ガリウム４を入れ５０℃に加熱し液体状
でガリウムをシャーレに馴染ませた。その後１０℃に冷
却してガリウムターゲットを得た（図１）。
て製作した。まず、固定材料２としてインジウムを使用
しバッキングプレート（銅製）１にシャーレ（石英製）
３を接着した。ガリウム４を入れ５０℃に加熱し液体状
でガリウムをシャーレに馴染ませた。その後１０℃に冷
却してガリウムターゲットを得た（図１）。
【００２０】このターゲットを図２の構成のＲＦマグネ
トロンスパッタ装置内に取り付けた。図２のマグネトロ
ンスパッタ装置は、真空槽５、真空槽５を排気系と繋ぐ
排気管６、真空槽５下部に設け られたマグネトロンカ
ソード７、マグネトロンカソード７を冷却するための循
環冷却系９、マグネトロンカソード７と対抗して設けら
れた基板ホルダー８、基板ホルダー８を加熱するための
加熱ヒーター１０、真空槽５内にガスを導入するための
ガス導入管１１からなり、マグネトロンカソード７は高
周波電源１２に接続されている。この装置の特徴は独立
した冷却系に冷凍液を循環させて、マグネトロンカソー
ドを強制的に冷却する点で、この方法によりターゲット
本体を２９℃以下に保っていることである。
トロンスパッタ装置内に取り付けた。図２のマグネトロ
ンスパッタ装置は、真空槽５、真空槽５を排気系と繋ぐ
排気管６、真空槽５下部に設け られたマグネトロンカ
ソード７、マグネトロンカソード７を冷却するための循
環冷却系９、マグネトロンカソード７と対抗して設けら
れた基板ホルダー８、基板ホルダー８を加熱するための
加熱ヒーター１０、真空槽５内にガスを導入するための
ガス導入管１１からなり、マグネトロンカソード７は高
周波電源１２に接続されている。この装置の特徴は独立
した冷却系に冷凍液を循環させて、マグネトロンカソー
ドを強制的に冷却する点で、この方法によりターゲット
本体を２９℃以下に保っていることである。
【００２１】ターゲット１３はマグネトロンカソード７
上に設置し、循環冷却系９内に冷却液を循環しながら、
ターゲット部分を−５℃に冷却し、以下の成膜条件で成
膜を行った。 成膜真空度 ：５×１０-3Ｔｏｒｒ スパッタガス ：アルゴン，４×１０-4Ｔｏｒｒ 反応ガス ：窒素，２×１０-4Ｔｏｒｒ 基板温度 ：３５０℃ 基板 ：シリコン 放電電力 ：ＲＦ１３．５６ＭＨｚ，３００Ｗ 成膜レート ：１００Å／ｍｉｎ 膜厚 ：３０００Å
上に設置し、循環冷却系９内に冷却液を循環しながら、
ターゲット部分を−５℃に冷却し、以下の成膜条件で成
膜を行った。 成膜真空度 ：５×１０-3Ｔｏｒｒ スパッタガス ：アルゴン，４×１０-4Ｔｏｒｒ 反応ガス ：窒素，２×１０-4Ｔｏｒｒ 基板温度 ：３５０℃ 基板 ：シリコン 放電電力 ：ＲＦ１３．５６ＭＨｚ，３００Ｗ 成膜レート ：１００Å／ｍｉｎ 膜厚 ：３０００Å
【００２２】得られた薄膜をオージェ分析したところ、
膜中に酸素が１０．５％（atomic％、以下同様）含まれ
た窒化ガリウム薄膜であった。
膜中に酸素が１０．５％（atomic％、以下同様）含まれ
た窒化ガリウム薄膜であった。
【００２３】この薄膜を再度スパッタ装置に入れ、基板
温度４００℃、５×１０-2Ｔｏｒｒの条件下、水素プラ
ズマで３０分処理を行なった。オージェ分析を行なった
ところ、膜中の酸素は２％以下に除去されており、良好
な窒化ガリウム薄膜が得られた。
温度４００℃、５×１０-2Ｔｏｒｒの条件下、水素プラ
ズマで３０分処理を行なった。オージェ分析を行なった
ところ、膜中の酸素は２％以下に除去されており、良好
な窒化ガリウム薄膜が得られた。
【００２４】実施例２ スパッタに用いるガリウムターゲットを以下のようにし
て製作した。まず、固定材料２として導電性接着剤（フ
ルウチ化学製：ドータイト）を使用しバッキングプレー
ト（ＳＵＳ３０４製）１にシャーレ（カーボン製）３を
接着した。
て製作した。まず、固定材料２として導電性接着剤（フ
ルウチ化学製：ドータイト）を使用しバッキングプレー
ト（ＳＵＳ３０４製）１にシャーレ（カーボン製）３を
接着した。
【００２５】シャーレにガリウムを入れて８５℃に加熱
し、液体状態でガリウムをシャーレに馴染ませた。その
後２０℃に冷却してガリウムターゲットを得た（図
１）。
し、液体状態でガリウムをシャーレに馴染ませた。その
後２０℃に冷却してガリウムターゲットを得た（図
１）。
【００２６】このターゲットを図３の構成のヘリコンス
パッタ装置内に取り付けた。図３のヘリコンスパッタ装
置は、真空槽５、真空槽５を排気系と繋ぐ排気管６、真
空槽５下部に設けられたヘリコンカソード１５、マグネ
トロンカソード１６を冷却するための循環冷却系９、ヘ
リコンカソード１６と対抗して設けられた基板ホルダー
８、基板ホルダー８を加熱するための加熱ヒーター１
０、真空槽５内にガスを導入するためのガス導入管１１
からなり、マグネトロンカソード１６は高周波電源１２
に、コイル状電極１７は高周波電源１８に接続されてい
る。ここで、ヘリコンカソード((株)ＵＬＶＡＣ)１５と
は、カソード内に設けられたマグネトロンカソード１６
と、カソード内で該マグネトロンカソード１６の上に設
けられたコイル状電極１７とよりなる。この装置の特徴
は実施例１と同じマグネトロンカソード部の冷却方法で
ある。
パッタ装置内に取り付けた。図３のヘリコンスパッタ装
置は、真空槽５、真空槽５を排気系と繋ぐ排気管６、真
空槽５下部に設けられたヘリコンカソード１５、マグネ
トロンカソード１６を冷却するための循環冷却系９、ヘ
リコンカソード１６と対抗して設けられた基板ホルダー
８、基板ホルダー８を加熱するための加熱ヒーター１
０、真空槽５内にガスを導入するためのガス導入管１１
からなり、マグネトロンカソード１６は高周波電源１２
に、コイル状電極１７は高周波電源１８に接続されてい
る。ここで、ヘリコンカソード((株)ＵＬＶＡＣ)１５と
は、カソード内に設けられたマグネトロンカソード１６
と、カソード内で該マグネトロンカソード１６の上に設
けられたコイル状電極１７とよりなる。この装置の特徴
は実施例１と同じマグネトロンカソード部の冷却方法で
ある。
【００２７】ターゲット１３はヘリコンカソード１６上
に設置し、循環冷却系９内に冷却液を循環しながら、タ
ーゲット部分を−１０℃に冷却し、以下の成膜条件で成
膜を行った。 成膜真空度 ：５×１０-4Ｔｏｒｒ スパッタガス ：アルゴン，４×１０-4Ｔｏｒｒ 反応ガス ：窒素，１×１０-4Ｔｏｒｒ 基板温度 ：６００℃ 基板 ：シリコン 放電電力 ：ＲＦ１３．５６ＭＨｚ，カソード１６：１００Ｗ コイル１７：５０Ｗ 成膜レート ：２５Å／ｍｉｎ 膜厚 ：３０００Å
に設置し、循環冷却系９内に冷却液を循環しながら、タ
ーゲット部分を−１０℃に冷却し、以下の成膜条件で成
膜を行った。 成膜真空度 ：５×１０-4Ｔｏｒｒ スパッタガス ：アルゴン，４×１０-4Ｔｏｒｒ 反応ガス ：窒素，１×１０-4Ｔｏｒｒ 基板温度 ：６００℃ 基板 ：シリコン 放電電力 ：ＲＦ１３．５６ＭＨｚ，カソード１６：１００Ｗ コイル１７：５０Ｗ 成膜レート ：２５Å／ｍｉｎ 膜厚 ：３０００Å
【００２８】得られた薄膜をオージェ分析したところ、
膜中の酸素は検出されず良好な窒化ガリウム薄膜であっ
た。また、Ｘ線回折法でこの薄膜の結晶性を調べたとこ
ろ（００１）配向のエピタキシャル薄膜であった。
膜中の酸素は検出されず良好な窒化ガリウム薄膜であっ
た。また、Ｘ線回折法でこの薄膜の結晶性を調べたとこ
ろ（００１）配向のエピタキシャル薄膜であった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、スパッタ法
によりガリウム化合物、特に窒化ガリウム薄膜が容易に
得られる。
によりガリウム化合物、特に窒化ガリウム薄膜が容易に
得られる。
【図１】 ガリウムターゲットの概略断面図。
【図２】 マグネトロンスパッタ装置の概略構成図。
【図３】 ヘリコンスパッタ装置の概略構成図。
１：バッキングプレート、２：固定材料、３：シャー
レ、４：ガリウム 、５：真空槽、６：マグネトロンカ
ソード、８：基板ホルダー、９：循環冷却系、１０：加
熱ヒーター、１１：ガス導入管、１２：高周波電源、１
３：ターゲット、１５：ヘリコンカソード室、１６：マ
グネトロンカソード、１７：コイル状電極、１８：高周
波電源
レ、４：ガリウム 、５：真空槽、６：マグネトロンカ
ソード、８：基板ホルダー、９：循環冷却系、１０：加
熱ヒーター、１１：ガス導入管、１２：高周波電源、１
３：ターゲット、１５：ヘリコンカソード室、１６：マ
グネトロンカソード、１７：コイル状電極、１８：高周
波電源
Claims (6)
- 【請求項１】 ２９℃以下に冷却したガリウムをターゲ
ットに用いることを特徴とするスパッタ法によるガリウ
ム化合物の製造方法。 - 【請求項２】 スパッタ法が、マグネトロンスパッタ
法、ヘリコンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ま
たはレーザビームスパッタ法である請求項１に記載のガ
リウム化合物の製造方法。 - 【請求項３】 ２９℃以下に冷却したガリウムをターゲ
ットに用い、少なくとも窒素で該ターゲットのスパッタ
リングを行なうことを特徴とする窒化ガリウム薄膜の製
造方法。 - 【請求項４】 基板温度を、２５０〜７９０℃に調整し
てある請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項５】 スパッタリングが、マグネトロンスパッ
タ法、ヘリコンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、
またはレーザビームスパッタ法によることを特徴とする
請求項３または４に記載の製造方法。 - 【請求項６】 窒化ガリウム薄膜形成後、さらに、水素
または水素プラズマ雰囲気処理を行なうことを特徴とす
る請求項３〜５いずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34266297A JPH11172424A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | ガリウム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34266297A JPH11172424A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | ガリウム化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172424A true JPH11172424A (ja) | 1999-06-29 |
Family
ID=18355523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34266297A Pending JPH11172424A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | ガリウム化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11172424A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001131740A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Applied Materials Inc | 成膜方法及びスパッタリング装置 |
| WO2008047900A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Showa Denko K.K. | Appareil de pulvérisation formant un film et plaque de support pour cet appareil |
| JP2008159958A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
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