JPS5912015B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5912015B2 JPS5912015B2 JP55040442A JP4044280A JPS5912015B2 JP S5912015 B2 JPS5912015 B2 JP S5912015B2 JP 55040442 A JP55040442 A JP 55040442A JP 4044280 A JP4044280 A JP 4044280A JP S5912015 B2 JPS5912015 B2 JP S5912015B2
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- Japan
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- beo
- axis
- substrate
- semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3731—Ceramic materials or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、バイポーラ構造、ＭＯＳ構造、Ｉ″Ｌ構造、
あるいは太陽電池等、どんな半導体にも適用することが
出来る放熱構造を有する半導体装置に関するものである
。
あるいは太陽電池等、どんな半導体にも適用することが
出来る放熱構造を有する半導体装置に関するものである
。
半導体装置と放熱板を電気的に絶縁する必要のある場合
には、その間に、マイラシート、絶縁ワッシャ等の電気
的絶縁体を介在させねばならない。
には、その間に、マイラシート、絶縁ワッシャ等の電気
的絶縁体を介在させねばならない。
しかし、この種電気的絶縁体は熱伝導特性が悪く、熱放
散特性をある程度犠牲にしなければならないという問題
点がある。一方、熱伝導率の高い絶縁材料として、酸化
ベリリウム（ＢｅＯ）が知られており、このＢｅＯの蒸
着膜を半導体素子の保護膜として用いるべくＢｅＯ薄膜
の形成方法が特公昭５０−３９４３７号公報により提案
された。しかしながら、通常の蒸着法では、結晶性の良
い５ＢｅＯ薄膜の形成は困難であつて、ＢｅＯの結晶性
を利用して放熱特性の改善を図つた半導体装置は未だな
い。本発明は、このＢｅ０被膜をｃ軸配向性を持つて蒸
着形成させることにより、該ＢｅＯ被膜のも１０つ、熱
伝導特性を利用して放熱効果を更に向上させたものであ
る。
散特性をある程度犠牲にしなければならないという問題
点がある。一方、熱伝導率の高い絶縁材料として、酸化
ベリリウム（ＢｅＯ）が知られており、このＢｅＯの蒸
着膜を半導体素子の保護膜として用いるべくＢｅＯ薄膜
の形成方法が特公昭５０−３９４３７号公報により提案
された。しかしながら、通常の蒸着法では、結晶性の良
い５ＢｅＯ薄膜の形成は困難であつて、ＢｅＯの結晶性
を利用して放熱特性の改善を図つた半導体装置は未だな
い。本発明は、このＢｅ０被膜をｃ軸配向性を持つて蒸
着形成させることにより、該ＢｅＯ被膜のも１０つ、熱
伝導特性を利用して放熱効果を更に向上させたものであ
る。
ここでＢｅＯの結晶は、六方晶形の結晶形をとり、この
六方晶の長軸、すなわちｃ軸が同じ方向を向いて成長し
ている状態をｃ軸配向という。
六方晶の長軸、すなわちｃ軸が同じ方向を向いて成長し
ている状態をｃ軸配向という。
こ１５の場合、六方晶のａ軸についても同方向に配向す
れば、単結晶となるが、本発明の場合、基板は必ずしも
単結晶成長の条件を具えていないので、それは期待でき
ない。また、熱伝導性の見地からも、ｃ軸方向が問題と
なる。ク０ したがつて本発明では、Ｂｅ０皮膜のａ軸
方向については特に問題とせず、ｃ軸方向に配向させた
Ｂｅ０結晶皮膜を用いることを特徴とするものである。
れば、単結晶となるが、本発明の場合、基板は必ずしも
単結晶成長の条件を具えていないので、それは期待でき
ない。また、熱伝導性の見地からも、ｃ軸方向が問題と
なる。ク０ したがつて本発明では、Ｂｅ０皮膜のａ軸
方向については特に問題とせず、ｃ軸方向に配向させた
Ｂｅ０結晶皮膜を用いることを特徴とするものである。
また、Ｂｅ０皮膜を形成すべき基板側が多結晶２５やア
モルファスであつても、後述するような特定の条件下で
被着する場合には、Ｂｅ０皮膜は、ｃ軸配向する性質を
もつており、結晶は、ｃ軸が被着面に対してほぼ垂直方
向に配向して成長する。
モルファスであつても、後述するような特定の条件下で
被着する場合には、Ｂｅ０皮膜は、ｃ軸配向する性質を
もつており、結晶は、ｃ軸が被着面に対してほぼ垂直方
向に配向して成長する。
次に、ｃ軸方向に配向されたＢｅ０被膜の蒸着３０形成
方法の例を、第１図を参照して説明する。第１図に示さ
れる蒸着装置は、全体として真空容器内に封入されてい
る。しかして、０．５Ｔｎｍ〜２．０−程度の１個又は
複数個のノズル２２を有する密閉形のるつぼ２１内に、
３５フレーク状あるいはペレット状とした金属Ｂｅを充
填して加熱装置２４により加熱する。
方法の例を、第１図を参照して説明する。第１図に示さ
れる蒸着装置は、全体として真空容器内に封入されてい
る。しかして、０．５Ｔｎｍ〜２．０−程度の１個又は
複数個のノズル２２を有する密閉形のるつぼ２１内に、
３５フレーク状あるいはペレット状とした金属Ｂｅを充
填して加熱装置２４により加熱する。
他方、酸素供給用パイプ３５を介して、そのノズル３６
から真空容器内に酸素３６ａを供給し、真空容器内の圧
力を１０−６Ｔ０ｒｒ〜１０−３程度に保つ。
から真空容器内に酸素３６ａを供給し、真空容器内の圧
力を１０−６Ｔ０ｒｒ〜１０−３程度に保つ。
ここで、上記るつぼ２１内の金属Ｂｅの蒸気２３ａは、
るつぼ２１の内外の圧力差により、ノズル２２よりるつ
ぼ２１外へ蒸気流２３ｂとなつて噴出するが、該噴出時
の断熱膨脹に基づく過冷却現象により、蒸気状のＢｅ原
子や分子がフアゾデルワースカで緩く結合してクラスタ
となる。
るつぼ２１の内外の圧力差により、ノズル２２よりるつ
ぼ２１外へ蒸気流２３ｂとなつて噴出するが、該噴出時
の断熱膨脹に基づく過冷却現象により、蒸気状のＢｅ原
子や分子がフアゾデルワースカで緩く結合してクラスタ
となる。
このＢｅの蒸気流２３ｂは、イオン化室２６に入り、加
熱されたフイラメント２８から放出された電子が、この
フイラメント２８と網状の陽極２？との間に印加された
１００〜１０００Ｖ程度の電圧により加速されて、上記
蒸気流２３ｂに射突し、その一部をイオン化する。この
一部がイオン化されたＢｅの蒸気流２３ｂは、その通路
にある酸素と混合し、加速電極３７により加速されて、
ホルダ３１に保持される被着基板１方向に進み、シヤツ
タ３３が開放されているとマスク４０の開□を通して被
看基板１の表面に射突し、ここに、ｃ軸配向性を持つＢ
ｅＯ被膜４１が形成される。尚第１図において、２５は
熱遮・、い板、２９は遮・＼い板である。しかして、上
記金属Ｂｅの蒸気流２３ｂは、密閉形るつぼ２１のノズ
ル２２から噴出されて、噴出時に得たエネルギーをもつ
て被着基板１に射突する。
熱されたフイラメント２８から放出された電子が、この
フイラメント２８と網状の陽極２？との間に印加された
１００〜１０００Ｖ程度の電圧により加速されて、上記
蒸気流２３ｂに射突し、その一部をイオン化する。この
一部がイオン化されたＢｅの蒸気流２３ｂは、その通路
にある酸素と混合し、加速電極３７により加速されて、
ホルダ３１に保持される被着基板１方向に進み、シヤツ
タ３３が開放されているとマスク４０の開□を通して被
看基板１の表面に射突し、ここに、ｃ軸配向性を持つＢ
ｅＯ被膜４１が形成される。尚第１図において、２５は
熱遮・、い板、２９は遮・＼い板である。しかして、上
記金属Ｂｅの蒸気流２３ｂは、密閉形るつぼ２１のノズ
ル２２から噴出されて、噴出時に得たエネルギーをもつ
て被着基板１に射突する。
この際、蒸気流中に含まれるイオンの効果により、核形
成、核成長が促進され、ｃ軸配向したＢｅＯ結晶被膜が
得られることになる。
成、核成長が促進され、ｃ軸配向したＢｅＯ結晶被膜が
得られることになる。
このＢｅＯ結晶被膜のｃ軸配向性は、イオンの存在が大
きく影響するものであり、通常の真空蒸看法やＣＶＤ（
ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐＯｒＤｅｐＯｓｉｔｉＯｎ）法
、あるいはスパツタリジグ法等により形成したＢｅＯ被
膜では、ｃ軸方向の配向性は生じない。
きく影響するものであり、通常の真空蒸看法やＣＶＤ（
ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐＯｒＤｅｐＯｓｉｔｉＯｎ）法
、あるいはスパツタリジグ法等により形成したＢｅＯ被
膜では、ｃ軸方向の配向性は生じない。
．また、前述したクラスタの生成条件は、るつぼ２１
の加熱温度と周囲真空容器内の圧力によつて定まる。す
なわち、るつぼ２１内の金属Ｂｅの蒸気の圧力をＰ、真
空容器内の圧力をＰ。
の加熱温度と周囲真空容器内の圧力によつて定まる。す
なわち、るつぼ２１内の金属Ｂｅの蒸気の圧力をＰ、真
空容器内の圧力をＰ。
とした場合、ｐ／ ＰＯ≧１０２好ましくはＰ／ＰＯ≧
１０４となるように設定する。例えば、金属Ｂｅの溶融
点が１２８０℃であるので、加熱温度１３００℃で蒸気
圧Ｐは約５×１０−２Ｔ０ｒｒ）１３８０℃でＩＸＩＯ
−１Ｔ０ｒｒとなる。
１０４となるように設定する。例えば、金属Ｂｅの溶融
点が１２８０℃であるので、加熱温度１３００℃で蒸気
圧Ｐは約５×１０−２Ｔ０ｒｒ）１３８０℃でＩＸＩＯ
−１Ｔ０ｒｒとなる。
したがつて、真空容器内の圧力が１０ＨＴ０ｒｒ〜１０
−５Ｔ０ｒｒ程度であれば、前記加熱温度は１３００℃
〜１４００℃程度に設定すればよい。
−５Ｔ０ｒｒ程度であれば、前記加熱温度は１３００℃
〜１４００℃程度に設定すればよい。
また、被看基板１に射突する金属Ｂｅの蒸気流２３ｂは
、イオン化室２６を通過することによつて、その一部が
イオン化されているので、前述したようにこのイオンの
もつ電界によつて結晶成長のための核形成が促進され、
さらにこの形成された核を中心にして原子が集まり島状
領域を形成する、いわゆるコアレツセンスに有効に作用
する。これらの理由により、上述した方法によつて、Ｂ
ｅＯ被膜をｃ軸配向性を持つて蒸看形成させることが出
来る。このＢｅＯ被膜の結晶性のよさは、第２図Ａ，ｂ
及び第３図に示す測定結果により明らかである。
、イオン化室２６を通過することによつて、その一部が
イオン化されているので、前述したようにこのイオンの
もつ電界によつて結晶成長のための核形成が促進され、
さらにこの形成された核を中心にして原子が集まり島状
領域を形成する、いわゆるコアレツセンスに有効に作用
する。これらの理由により、上述した方法によつて、Ｂ
ｅＯ被膜をｃ軸配向性を持つて蒸看形成させることが出
来る。このＢｅＯ被膜の結晶性のよさは、第２図Ａ，ｂ
及び第３図に示す測定結果により明らかである。
第２図ａは、上記ＢｅＯ被膜の結晶性を評価するために
、上記第１図によつて説明した方法によりガラス基板上
にＢｅＯ被膜を被着し、得られたＢｅＯ被膜の走査形電
子顕微鏡写真像を示す。基板としてサフアイアの単結晶
基板を用い、このサフアイア単結晶基板のＣ面、すなわ
ち（０００１）面に、ＢｅＯ被膜を結晶成長させた場合
の反射電子線回折像（ＲＨＥＥＤパターン）を第２図ｂ
に示す。この第２図ｂによればＢｅＯ被膜は、表面抵抗
がきわめて高いために、照射した電子ビームによる帯電
があり、これがＲＨＥＥＤパターンの解像度を丁げてい
るが、明らかに基板のｃ軸にそつて結晶成長しているこ
とがわかる。
、上記第１図によつて説明した方法によりガラス基板上
にＢｅＯ被膜を被着し、得られたＢｅＯ被膜の走査形電
子顕微鏡写真像を示す。基板としてサフアイアの単結晶
基板を用い、このサフアイア単結晶基板のＣ面、すなわ
ち（０００１）面に、ＢｅＯ被膜を結晶成長させた場合
の反射電子線回折像（ＲＨＥＥＤパターン）を第２図ｂ
に示す。この第２図ｂによればＢｅＯ被膜は、表面抵抗
がきわめて高いために、照射した電子ビームによる帯電
があり、これがＲＨＥＥＤパターンの解像度を丁げてい
るが、明らかに基板のｃ軸にそつて結晶成長しているこ
とがわかる。
第３図は、Ｓｉ単結晶基板上に、第１図によつて説明し
た方法により被着したＢｅＯ被膜のＸ線回折パターンを
示している。この第２図及び第３図から明らかなように
、上述した工程を経て得られるＢｅＯ被膜は、六方晶系
結晶に特有の柱状組織がみられ、ｃ軸方向に優先配向し
ていることが明らかである。
た方法により被着したＢｅＯ被膜のＸ線回折パターンを
示している。この第２図及び第３図から明らかなように
、上述した工程を経て得られるＢｅＯ被膜は、六方晶系
結晶に特有の柱状組織がみられ、ｃ軸方向に優先配向し
ていることが明らかである。
ところで、このＢｅＯ被膜は熱伝導特性がすぐれている
が、ｃ軸配向した被膜は、その熱伝導特性に異方性をも
つ。
が、ｃ軸配向した被膜は、その熱伝導特性に異方性をも
つ。
本発明者が上記ＢｅＯ被膜におけるｃ軸方向と平行方向
の熱伝導率Ｋ″Ｐｈと、ｃ軸方向と垂直方向（ａ軸方向
）の熱伝導率Ｋｐｈとを測定した結果、室温でそれぞれ
Ｋ″Ｐｈ二２．６Ｗ／Ｃｍ．ｄｅｇ，Ｋｐｈ二０．６Ｗ
／Ｃｍ．ｄｅｇであり、ｃ軸に沿つての熱伝導率が、ｃ
軸に対して垂直方向の熱伝導率に比べて約４．３倍大き
いことがわかつた。
の熱伝導率Ｋ″Ｐｈと、ｃ軸方向と垂直方向（ａ軸方向
）の熱伝導率Ｋｐｈとを測定した結果、室温でそれぞれ
Ｋ″Ｐｈ二２．６Ｗ／Ｃｍ．ｄｅｇ，Ｋｐｈ二０．６Ｗ
／Ｃｍ．ｄｅｇであり、ｃ軸に沿つての熱伝導率が、ｃ
軸に対して垂直方向の熱伝導率に比べて約４．３倍大き
いことがわかつた。
したが？て、半導体被着基板の放熱方向に沿つてＢｅＯ
被膜がｃ軸配向するように被看すれば、放熱効果を大幅
に向上できる。また、熱伝導率の温度特性がＫ″Ｐｈ，
Ｋｐｈとも温度Ｔ−２に従うことから、ＢｅＯ結晶膜は
フオノン散乱の中心となる格子欠陥が極めて少ないこと
がわかつた。第４図Ａ及びＢは、本発明に係る、ｃ軸配
向性を持つて被着形成されたＢｅＯ被膜を有する放熱構
造が適応された半導体装置の製作手順を示す図である。
被膜がｃ軸配向するように被看すれば、放熱効果を大幅
に向上できる。また、熱伝導率の温度特性がＫ″Ｐｈ，
Ｋｐｈとも温度Ｔ−２に従うことから、ＢｅＯ結晶膜は
フオノン散乱の中心となる格子欠陥が極めて少ないこと
がわかつた。第４図Ａ及びＢは、本発明に係る、ｃ軸配
向性を持つて被着形成されたＢｅＯ被膜を有する放熱構
造が適応された半導体装置の製作手順を示す図である。
第４図Ａに示す手順は、半導体素子があらかじめ作り込
まれている半導体被着基板１に、上述した方法により、
ｃ軸配向性を持つたＢｅＯ被膜４１を形成し、さらに、
そのＢｅＯ被膜４１にヒートシンク５１を接合させたも
のである。
まれている半導体被着基板１に、上述した方法により、
ｃ軸配向性を持つたＢｅＯ被膜４１を形成し、さらに、
そのＢｅＯ被膜４１にヒートシンク５１を接合させたも
のである。
また第４図Ｂに示す手順は、まずヒートシンク６１に上
述したと同様の方法を用いてＢｅＯ被膜４１を被着形成
し、このＢｅＯ被膜４１上に、例えばＳｉを結晶成長さ
せて半導体被着基板１を形成する。
述したと同様の方法を用いてＢｅＯ被膜４１を被着形成
し、このＢｅＯ被膜４１上に、例えばＳｉを結晶成長さ
せて半導体被着基板１を形成する。
上記ＢｅＯ被膜４１は前述したようにｃ軸方向の優先方
位を有するので、そのＢｅＯ被膜４１が形成された基板
６１上にＳｉを蒸着すると、蒸着条件を適当に選ぶこと
により低基板温度で多結晶Ｓｉを成長させることができ
る。このＢｅＯ被膜４１上の結晶成長はエピタキシヤル
によつても行わせることができ、これはサフアイア．オ
ン．シリコン（ＳＯＳ）におけるｃ軸に規制されて結晶
成長させることができるのと同様の作用によるものであ
る。第５図は、上述した方法並びに各手順によつて製作
された半導体装置の実施例の断面における走査形電子顕
微鏡写真像で、半導体層としてのシリコン層とヒートシ
ンクとしてのＡｔ層の間に、ｃ軸配向性を持つて０．６
μｍ（７）ＢｅＯ被膜が形成されている。
位を有するので、そのＢｅＯ被膜４１が形成された基板
６１上にＳｉを蒸着すると、蒸着条件を適当に選ぶこと
により低基板温度で多結晶Ｓｉを成長させることができ
る。このＢｅＯ被膜４１上の結晶成長はエピタキシヤル
によつても行わせることができ、これはサフアイア．オ
ン．シリコン（ＳＯＳ）におけるｃ軸に規制されて結晶
成長させることができるのと同様の作用によるものであ
る。第５図は、上述した方法並びに各手順によつて製作
された半導体装置の実施例の断面における走査形電子顕
微鏡写真像で、半導体層としてのシリコン層とヒートシ
ンクとしてのＡｔ層の間に、ｃ軸配向性を持つて０．６
μｍ（７）ＢｅＯ被膜が形成されている。
しかして、半導体素子が形成されるシリコン層で発生し
た熱が、熱伝導率のきわめて大きな、ＢｅＯ被膜のｃ軸
に沿つてＡｔ層側に伝達され、シリコン層の放熱が行わ
れることになる。
た熱が、熱伝導率のきわめて大きな、ＢｅＯ被膜のｃ軸
に沿つてＡｔ層側に伝達され、シリコン層の放熱が行わ
れることになる。
またＢｅＯはアモルフアス上でもｃ軸優先方位をもつ膜
が得られるものであり、しかもその優先方位の度合いは
製作条件でコントロールできるものである。
が得られるものであり、しかもその優先方位の度合いは
製作条件でコントロールできるものである。
さらにＢｅＯ膜の厚さについても容易にコントロールで
きるので任意の厚さの膜を作ることができ、しかもこの
ＢｅＯ膜自体の電気抵抗は１０１３Ω。ｍときわめて高
いので、薄膜でも十分な絶縁特性が得られるものである
。しかして、本発明による半導体装置によれば、素子部
が形成される半導体層の裏面に、ｃ軸配向性を持つた酸
化ベリリウムの蒸着被膜を直接接触形成させるようにし
たので、該半導体装置は半導体被着基板とその放熱板と
の間における高電気絶縁性を維持した状態ですぐれた放
熱性を持たせることができる。
きるので任意の厚さの膜を作ることができ、しかもこの
ＢｅＯ膜自体の電気抵抗は１０１３Ω。ｍときわめて高
いので、薄膜でも十分な絶縁特性が得られるものである
。しかして、本発明による半導体装置によれば、素子部
が形成される半導体層の裏面に、ｃ軸配向性を持つた酸
化ベリリウムの蒸着被膜を直接接触形成させるようにし
たので、該半導体装置は半導体被着基板とその放熱板と
の間における高電気絶縁性を維持した状態ですぐれた放
熱性を持たせることができる。
その放熱効果は、通常の酸化ベリリウム蒸着被膜を用い
る場合に比し、４倍程度向上する。更に、ｃ軸配向した
ＢｅＯ被膜上に、半導体層をエピタキシヤル成長させれ
ば、多結晶半導体層、あるいは、成長条件を制御するこ
とによつて単結晶半導体層が形成でき、素子部を作り込
める半導体層が得られる。
る場合に比し、４倍程度向上する。更に、ｃ軸配向した
ＢｅＯ被膜上に、半導体層をエピタキシヤル成長させれ
ば、多結晶半導体層、あるいは、成長条件を制御するこ
とによつて単結晶半導体層が形成でき、素子部を作り込
める半導体層が得られる。
第１図は、本発明に係るｃ軸配向性を持つた酸化ベリリ
ウム被膜を製造する装置の概略構成図、第２図Ａ，ｂは
、同酸化ベリリウム被膜の走査電子顕微鏡写真を示す図
、第３図は、同酸化ベリリウム被膜のＸ線回折パターン
を示す図、第４図Ａ，Ｂは、本発明に係る半導体装置の
製作手順を示す図、第５図は、本発明に係る半導体装置
の断面における走査形電子顕微鏡写真を示す図である。 １ ・・・・・・半導体層としての半導体被着基板、４
１・・・・・・酸化ベリリウム被膜、５１，６１・・・
・・化一トシンク。
ウム被膜を製造する装置の概略構成図、第２図Ａ，ｂは
、同酸化ベリリウム被膜の走査電子顕微鏡写真を示す図
、第３図は、同酸化ベリリウム被膜のＸ線回折パターン
を示す図、第４図Ａ，Ｂは、本発明に係る半導体装置の
製作手順を示す図、第５図は、本発明に係る半導体装置
の断面における走査形電子顕微鏡写真を示す図である。 １ ・・・・・・半導体層としての半導体被着基板、４
１・・・・・・酸化ベリリウム被膜、５１，６１・・・
・・化一トシンク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素子部が形成される半導体層又は該半導体層で発生
した熱を取り去るヒートシンクのいずれか一方の接触面
にＣ軸配向性を持つて酸化ベリリウム被膜が形成されて
いることを特徴とする半導体装置。 ２ ヒートシンクの表面にｃ軸配向性を持つて酸化ベリ
リウム被膜が形成され、この酸化ベリリウム被膜の上に
エピタキシャル成長により半導体層が形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55040442A JPS5912015B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 半導体装置 |
| DE3110604A DE3110604C2 (de) | 1980-03-31 | 1981-03-18 | Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55040442A JPS5912015B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21099783A Division JPS606091B2 (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137662A JPS56137662A (en) | 1981-10-27 |
| JPS5912015B2 true JPS5912015B2 (ja) | 1984-03-19 |
Family
ID=12580752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55040442A Expired JPS5912015B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912015B2 (ja) |
| DE (1) | DE3110604C2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074511A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成装置 |
| US4998160A (en) * | 1989-01-23 | 1991-03-05 | Motorola, Inc. | Substrate power supply contact for power integrated circuits |
| JPH03257953A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-18 | Nobuo Mikoshiba | 半導体素子 |
| CN108891365B (zh) * | 2018-06-22 | 2020-05-01 | 浙江航芯科技有限公司 | 汽车用智能座舱系统及使用该系统的汽车 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039437A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-11 | ||
| JPS5093895A (ja) * | 1972-05-12 | 1975-07-26 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3025437A (en) * | 1960-02-05 | 1962-03-13 | Lear Inc | Semiconductor heat sink and electrical insulator |
| US3287243A (en) * | 1965-03-29 | 1966-11-22 | Bell Telephone Labor Inc | Deposition of insulating films by cathode sputtering in an rf-supported discharge |
| DE2628367C2 (de) * | 1975-06-27 | 1983-08-25 | Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP55040442A patent/JPS5912015B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-03-18 DE DE3110604A patent/DE3110604C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093895A (ja) * | 1972-05-12 | 1975-07-26 | ||
| JPS5039437A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3110604A1 (de) | 1982-02-04 |
| DE3110604C2 (de) | 1986-11-13 |
| JPS56137662A (en) | 1981-10-27 |
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