JPH08239296A - ダイアモンド単結晶膜の製造方法 - Google Patents
ダイアモンド単結晶膜の製造方法Info
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- JPH08239296A JPH08239296A JP4328795A JP4328795A JPH08239296A JP H08239296 A JPH08239296 A JP H08239296A JP 4328795 A JP4328795 A JP 4328795A JP 4328795 A JP4328795 A JP 4328795A JP H08239296 A JPH08239296 A JP H08239296A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的広い基板上に単結晶ダイアモンドの厚
膜を均質に得るための手段の提供。 【構成】 ダイアモンドの結晶構造に近いＳｉＣの単結
晶を基板としてエピタキシャル成長を利用するもので、
単結晶成長のための被膜として結晶化容易なアモルファ
ス炭素膜を用い、これに、ダイアモンド単結晶化に必要
なエネルギーを与える。さらに、得られたダイアモンド
単結晶膜上、に炭素含有ガスを導入してダイアモンド単
結晶膜をエピタキシャル成長させて厚膜のダイアモンド
単結晶膜とする。基板としてダイアモンドの結晶構造に
近いＳｉＣの単結晶を基板と結晶化容易なアモルファス
炭素膜を用いるので、エピタキシャル成長に必要な要素
である基板の格子点並みの数の核発生を実現でき、ま
た、核の成長方位を制御できる。
膜を均質に得るための手段の提供。 【構成】 ダイアモンドの結晶構造に近いＳｉＣの単結
晶を基板としてエピタキシャル成長を利用するもので、
単結晶成長のための被膜として結晶化容易なアモルファ
ス炭素膜を用い、これに、ダイアモンド単結晶化に必要
なエネルギーを与える。さらに、得られたダイアモンド
単結晶膜上、に炭素含有ガスを導入してダイアモンド単
結晶膜をエピタキシャル成長させて厚膜のダイアモンド
単結晶膜とする。基板としてダイアモンドの結晶構造に
近いＳｉＣの単結晶を基板と結晶化容易なアモルファス
炭素膜を用いるので、エピタキシャル成長に必要な要素
である基板の格子点並みの数の核発生を実現でき、ま
た、核の成長方位を制御できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大面積のダイアモンド
単結晶膜の製造方法に関する。
単結晶膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイアモンド単結晶膜は、バンドギャッ
プおよび電子とホールの移動速度がＳｉ、ＳｉＣ単結晶
より大きく、熱伝導度が各種材料の中で最大であり、ま
た、各種波長の光の透過率が大きい点においても優れて
おり、これらの特性を活かして半導体基板、発光素子、
レンズ、窓材、反射鏡、ヒートシンク、メモリー材、磁
気ヘッド等の広い用途への利用が期待されている。
プおよび電子とホールの移動速度がＳｉ、ＳｉＣ単結晶
より大きく、熱伝導度が各種材料の中で最大であり、ま
た、各種波長の光の透過率が大きい点においても優れて
おり、これらの特性を活かして半導体基板、発光素子、
レンズ、窓材、反射鏡、ヒートシンク、メモリー材、磁
気ヘッド等の広い用途への利用が期待されている。
【０００３】このダイアモンド単結晶膜の製造法として
は、従来から多く開示されている。
は、従来から多く開示されている。
【０００４】例えば、特開昭６３−２５２９９７号公報
には、Ｓｉ単結晶基板上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法
等によって、ダイアモンド単結晶膜を得ることが記載さ
れているが、マイクロ波プラズマＣＶＤ法だけではダイ
アモンド結晶膜の単結晶化、多結晶化を決定する要因で
ある核の方位、発生密度のコントロールができず、実際
には多結晶ダイアモンド膜しか得られない。
には、Ｓｉ単結晶基板上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法
等によって、ダイアモンド単結晶膜を得ることが記載さ
れているが、マイクロ波プラズマＣＶＤ法だけではダイ
アモンド結晶膜の単結晶化、多結晶化を決定する要因で
ある核の方位、発生密度のコントロールができず、実際
には多結晶ダイアモンド膜しか得られない。
【０００５】また、「ＮＩＫＫＥＩ ＮＥＷ ＭＡＴＥ
ＲＩＡＬＳ １９９０年１１月１２日号」、「ＮＩＫＫ
ＥＩ ＮＥＷ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ １９９１年４月８
日号」には、Ｃ−ＢＮあるいはＮｉ単結晶基板上に、マ
イクロ液プラズマＣＶＤ法を適用したエピタキシャル成
長を利用して単結晶のダイアモンド膜を得たとの報告が
あるが、適用できる基板自体は、精々数１００μｍ径程
度の小面積であって具体的な用途への利用には程遠い。
ＲＩＡＬＳ １９９０年１１月１２日号」、「ＮＩＫＫ
ＥＩ ＮＥＷ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ １９９１年４月８
日号」には、Ｃ−ＢＮあるいはＮｉ単結晶基板上に、マ
イクロ液プラズマＣＶＤ法を適用したエピタキシャル成
長を利用して単結晶のダイアモンド膜を得たとの報告が
あるが、適用できる基板自体は、精々数１００μｍ径程
度の小面積であって具体的な用途への利用には程遠い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、広い
基板上に均質なダイアモンド単結晶の厚膜を形成した基
板の製造方法を提供することにある。
基板上に均質なダイアモンド単結晶の厚膜を形成した基
板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイアモンド
（格子定数が３．５６７Å）の結晶構造に近い大面積の
製造が可能なβ−ＳｉＣ（格子定数が４．３６０Å）単
結晶を基板としてエピタキシャル成長を利用するもの
で、単結晶成長のための被膜として結晶化容易なアモル
ファス炭素膜を用い、これに、ダイアモンド単結晶化に
必要なエネルギーを与えることを特徴とする。
（格子定数が３．５６７Å）の結晶構造に近い大面積の
製造が可能なβ−ＳｉＣ（格子定数が４．３６０Å）単
結晶を基板としてエピタキシャル成長を利用するもの
で、単結晶成長のための被膜として結晶化容易なアモル
ファス炭素膜を用い、これに、ダイアモンド単結晶化に
必要なエネルギーを与えることを特徴とする。
【０００８】アモルファス炭素膜はＳｉＣ単結晶基板界
面上ではごく薄い層厚で単結晶膜化しており、熱エネル
ギーを与えることで単結晶膜が全層厚にわたり成長す
る。
面上ではごく薄い層厚で単結晶膜化しており、熱エネル
ギーを与えることで単結晶膜が全層厚にわたり成長す
る。
【０００９】さらに、得られたダイアモンド単結晶膜上
に炭素含有ガスを導入してダイアモンド単結晶膜をエピ
タキシャル成長させることができるので、厚膜のダイア
モンド単結晶膜とすることができる。また、析出時間を
十分にとれば、ダイアモンドの単結晶のブロックも形成
できる。
に炭素含有ガスを導入してダイアモンド単結晶膜をエピ
タキシャル成長させることができるので、厚膜のダイア
モンド単結晶膜とすることができる。また、析出時間を
十分にとれば、ダイアモンドの単結晶のブロックも形成
できる。
【００１０】ダイアモンドの結晶構造に近いＳｉＣの単
結晶の基板としては、例えば、昇華法やＣＶＤ法を用い
てＳｉ単結晶基板上にエピタキシャル成長させることに
よって得たものが好適に利用できる。
結晶の基板としては、例えば、昇華法やＣＶＤ法を用い
てＳｉ単結晶基板上にエピタキシャル成長させることに
よって得たものが好適に利用できる。
【００１１】また、単結晶成長のための被膜としてのア
モルファス炭素膜は、高周波プラズマＣＶＤ法によって
得た炭素の結合手に水素が結合しているものが好まし
い。
モルファス炭素膜は、高周波プラズマＣＶＤ法によって
得た炭素の結合手に水素が結合しているものが好まし
い。
【００１２】その理由は、グラファイト的な構造の核が
成長したものが存在すると、エネルギーを与えると水素
の存在により炭化水素の形でアモルファス炭素膜から抜
けて行き、ダイアモンド核の成長、再配列、単結晶化の
みが促進されるためである。
成長したものが存在すると、エネルギーを与えると水素
の存在により炭化水素の形でアモルファス炭素膜から抜
けて行き、ダイアモンド核の成長、再配列、単結晶化の
みが促進されるためである。
【００１３】また、グラファイトの膜又はグラファイト
の構造が主体の膜を用いても、グラファイトは熱的に安
定なためダイアモンド膜は形成されない。結晶化が容易
なアモルファス炭素膜を用いる必要がある。
の構造が主体の膜を用いても、グラファイトは熱的に安
定なためダイアモンド膜は形成されない。結晶化が容易
なアモルファス炭素膜を用いる必要がある。
【００１４】さらに、このアモルファス炭素膜へ与えら
れるエネルギーとして、炭素結合の再構築を図るために
加熱による方法が適用できるが、水素が結合している炭
素骨格を選択的に切り、ダイアモンドの骨格である炭素
のＳＰ3 混成軌道による炭素の結合である核を選択的に
再配列可能なイオン衝撃、イオン注入のエネルギーを利
用することが、半導体形成のための各種元素のドーピン
グができることからも有利である。なお、現在大面積の
基板が得られていないが、Ｃ−ＢＮ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇ
ｅ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｖ、Ｒｈの単結晶基板上
でも本発明の方法でダイアモンドの単結晶膜を得ること
ができる。
れるエネルギーとして、炭素結合の再構築を図るために
加熱による方法が適用できるが、水素が結合している炭
素骨格を選択的に切り、ダイアモンドの骨格である炭素
のＳＰ3 混成軌道による炭素の結合である核を選択的に
再配列可能なイオン衝撃、イオン注入のエネルギーを利
用することが、半導体形成のための各種元素のドーピン
グができることからも有利である。なお、現在大面積の
基板が得られていないが、Ｃ−ＢＮ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇ
ｅ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｖ、Ｒｈの単結晶基板上
でも本発明の方法でダイアモンドの単結晶膜を得ること
ができる。
【００１５】例えば、Ｃ−ＢＮ単結晶の場合を例にとる
と、ダイアモンド単結晶の高圧合成法と同様な方法で合
成したＣ−ＢＮ単結晶塊の直径約１０００μｍの（１１
１）面が現れている結晶面上に、上記と同様なアモルフ
ァス炭素膜を成膜して、加熱又は各種イオンの注入によ
り単結晶化のためのエネルギーを与えることにより、ダ
イアモンドの単結晶膜を得ることができた。他の結晶面
上でも同様にして合成できる。格子定数がダイアモンド
に近いＧｅ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｖ、Ｒｈの単結
晶面上でも、本発明の方法により同様にしてダイアモン
ドの単結晶膜を得ることができる。
と、ダイアモンド単結晶の高圧合成法と同様な方法で合
成したＣ−ＢＮ単結晶塊の直径約１０００μｍの（１１
１）面が現れている結晶面上に、上記と同様なアモルフ
ァス炭素膜を成膜して、加熱又は各種イオンの注入によ
り単結晶化のためのエネルギーを与えることにより、ダ
イアモンドの単結晶膜を得ることができた。他の結晶面
上でも同様にして合成できる。格子定数がダイアモンド
に近いＧｅ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｖ、Ｒｈの単結
晶面上でも、本発明の方法により同様にしてダイアモン
ドの単結晶膜を得ることができる。
【００１６】
【作用】本発明は基板としてダイアモンドの結晶構造に
近いＳｉＣの単結晶を基板と結晶化容易な水素化したア
モルファス炭素膜を用いるので、エピタキシャル成長に
必要な要素である基板の格子点並みの数の核発生を実現
でき、また、核の成長方位を制御できる。
近いＳｉＣの単結晶を基板と結晶化容易な水素化したア
モルファス炭素膜を用いるので、エピタキシャル成長に
必要な要素である基板の格子点並みの数の核発生を実現
でき、また、核の成長方位を制御できる。
【００１７】
実施例１ 直径２インチ、厚さ１００μｍの（１１０）面配向をし
たＳｉ単結晶ウェハーを準備し、このＳｉ単結晶ウェハ
ーの（１１０）面上にＣＶＤ法または昇華法によって１
０μｍ厚のＳｉＣ単結晶膜をエピタキシャル成長させＳ
ｉＣ単結晶基板を製作した。このＳｉＣ単結晶基板を
１．０１×１０4 Ｐａに維持した周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波プラズマＣＶＤ装置の反応容器内に配置し
た。基板の温度を２００〜９００℃の温度に保持し、こ
の反応室内にＣＨ4 を２ｍｌ／ｍｉｎとＨ2 を４０ｍｌ
／ｍｉｎとを導入し、５０〜８００Ｗの出力で２μｍの
層厚を有するアモルファス炭素膜を形成した。つぎに、
このようにしてアモルファス炭素膜を形成した基板をＨ
2 雰囲気中で５００〜１１００℃の温度で３〜１２時間
保持した。加熱は、カーボン基板上に試料を置いて誘導
加熱、レーザー光の照射による加熱、赤外線の照射によ
る加熱方法、電子ビーム照射による方法を採ったが、同
様な加熱効果を得ることができた。これによって、基板
を観察すると無色で透明度のある表面の膜を形成した。
その基板表面はＳｉＣ単結晶基板並みの平滑性を有する
ものであった。この試料を入射角０．５°でＸ線回折の
パターンを観察したが、（１１０）配向のダイアモンド
の回折角の位置だけにピークが現れており、他の面のピ
ークは現れていなかった。他の炭素の同素体のピークは
現れておらず、ダイアモンド膜が単結晶であることが判
明した。また、ラマンスペクトルによって同膜を観察し
たが、ダイアモンド特有の波数１３３２ｃｍ-1にシャー
プなピークが観察されたが、他の位置には観察されなか
った。そしてこの試料表面の低速電子線回折パターンを
見るとダイアモンド単結晶独特の回折パターンを示すも
のであった。
たＳｉ単結晶ウェハーを準備し、このＳｉ単結晶ウェハ
ーの（１１０）面上にＣＶＤ法または昇華法によって１
０μｍ厚のＳｉＣ単結晶膜をエピタキシャル成長させＳ
ｉＣ単結晶基板を製作した。このＳｉＣ単結晶基板を
１．０１×１０4 Ｐａに維持した周波数１３．５６ＭＨ
ｚの高周波プラズマＣＶＤ装置の反応容器内に配置し
た。基板の温度を２００〜９００℃の温度に保持し、こ
の反応室内にＣＨ4 を２ｍｌ／ｍｉｎとＨ2 を４０ｍｌ
／ｍｉｎとを導入し、５０〜８００Ｗの出力で２μｍの
層厚を有するアモルファス炭素膜を形成した。つぎに、
このようにしてアモルファス炭素膜を形成した基板をＨ
2 雰囲気中で５００〜１１００℃の温度で３〜１２時間
保持した。加熱は、カーボン基板上に試料を置いて誘導
加熱、レーザー光の照射による加熱、赤外線の照射によ
る加熱方法、電子ビーム照射による方法を採ったが、同
様な加熱効果を得ることができた。これによって、基板
を観察すると無色で透明度のある表面の膜を形成した。
その基板表面はＳｉＣ単結晶基板並みの平滑性を有する
ものであった。この試料を入射角０．５°でＸ線回折の
パターンを観察したが、（１１０）配向のダイアモンド
の回折角の位置だけにピークが現れており、他の面のピ
ークは現れていなかった。他の炭素の同素体のピークは
現れておらず、ダイアモンド膜が単結晶であることが判
明した。また、ラマンスペクトルによって同膜を観察し
たが、ダイアモンド特有の波数１３３２ｃｍ-1にシャー
プなピークが観察されたが、他の位置には観察されなか
った。そしてこの試料表面の低速電子線回折パターンを
見るとダイアモンド単結晶独特の回折パターンを示すも
のであった。
【００１８】実施例２ 実施例１は、アモルファス炭素膜のダイアモンド膜単結
晶化のための結晶化エネルギーを外部からの加熱により
得たものであるが、イオンの注入によっても上記アモル
ファス炭素膜を結晶化して単結晶ダイアモンド膜に変化
できる例を示す。
晶化のための結晶化エネルギーを外部からの加熱により
得たものであるが、イオンの注入によっても上記アモル
ファス炭素膜を結晶化して単結晶ダイアモンド膜に変化
できる例を示す。
【００１９】実施例１によって得たアモルファス炭素膜
を形成した試料を、イオン注入装置のチャンバーに冷却
水によって冷却された試料セット台上にセットして、Ｎ
2 +を０．１−２ＭｅＶの加速電圧で、１×１０12−１
×１８18Ｎ+ ／ｃｍ2 注入した。この時ファラデーカッ
プで測定した電流値は１０-3μＡ／ｃｍ2 であった。得
られた試料の表面は黄色味を帯びた透明度の優れたもの
であった。また、表面の平滑性についてもＳｉＣの単結
晶膜と同程度のものであった。この試料を入射角０．５
°でＸ線回折のパターンを観察したが、（１１０）配向
のダイアモンドの回折角の位置だけにピークが現れてお
り、他の面のピークは現れていなかった。他の炭素の同
素体のピークは現れておらず、ダイアモンド膜が単結晶
であることが判明した。また、ラマンスペクトルによっ
て同膜を観察したが、ダイアモンド特有の波数１３３２
ｃｍ-1にシャープなピークが観察されたが、他の位置に
はピークは現れなかった。そしてこれも上記と同様にし
て低電子線回折装置で分析してみるとダイアモンド単結
晶（１１０）面特有の回折パターンを有していた。
を形成した試料を、イオン注入装置のチャンバーに冷却
水によって冷却された試料セット台上にセットして、Ｎ
2 +を０．１−２ＭｅＶの加速電圧で、１×１０12−１
×１８18Ｎ+ ／ｃｍ2 注入した。この時ファラデーカッ
プで測定した電流値は１０-3μＡ／ｃｍ2 であった。得
られた試料の表面は黄色味を帯びた透明度の優れたもの
であった。また、表面の平滑性についてもＳｉＣの単結
晶膜と同程度のものであった。この試料を入射角０．５
°でＸ線回折のパターンを観察したが、（１１０）配向
のダイアモンドの回折角の位置だけにピークが現れてお
り、他の面のピークは現れていなかった。他の炭素の同
素体のピークは現れておらず、ダイアモンド膜が単結晶
であることが判明した。また、ラマンスペクトルによっ
て同膜を観察したが、ダイアモンド特有の波数１３３２
ｃｍ-1にシャープなピークが観察されたが、他の位置に
はピークは現れなかった。そしてこれも上記と同様にし
て低電子線回折装置で分析してみるとダイアモンド単結
晶（１１０）面特有の回折パターンを有していた。
【００２０】このダイモンド単結晶膜についてＲＢＳ
（ラザフォード後方散乱スペクトル）法で観察すると、
実施例２のイオン注入で形成したダイアモンド単結晶膜
については内部に格子欠陥が１×１０10個／ｃｍ3 程度
あることがわかったが、これらについては、Ｈ2 雰囲気
中で７００〜８００℃の温度で６〜２４時間アニールす
ると欠陥が回復して１×１０7 個／ｃｍ3 以下にするこ
とができた。
（ラザフォード後方散乱スペクトル）法で観察すると、
実施例２のイオン注入で形成したダイアモンド単結晶膜
については内部に格子欠陥が１×１０10個／ｃｍ3 程度
あることがわかったが、これらについては、Ｈ2 雰囲気
中で７００〜８００℃の温度で６〜２４時間アニールす
ると欠陥が回復して１×１０7 個／ｃｍ3 以下にするこ
とができた。
【００２１】上記実施例１と２によってダイアモンド単
結晶膜を形成した後に、この膜の上にマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置において、１．０１×１０5 Ｐａ、２．４
５ＧＨｚの条件の下で、ＣＨ4 １ｍｌ／ｍｉｎと、Ｈ2
１００ｍｌ／ｍｉｎとを石英チャンバー内に導入して
２．６６×１０4 Ｐａ、基板温度２００〜９００℃の条
件で１０時間コーティングしてダイアモンド単結晶膜を
１．５μｍエピタキシャル成長させた。これについても
得られた試料は平滑で透光性、無色透明度の優れたもの
であった。低電子線回折装置で回折線のパターンを観察
したが、（１１０）面配向のダイアモンド単結晶で見ら
れる特有の回折パターンをしていた。
結晶膜を形成した後に、この膜の上にマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置において、１．０１×１０5 Ｐａ、２．４
５ＧＨｚの条件の下で、ＣＨ4 １ｍｌ／ｍｉｎと、Ｈ2
１００ｍｌ／ｍｉｎとを石英チャンバー内に導入して
２．６６×１０4 Ｐａ、基板温度２００〜９００℃の条
件で１０時間コーティングしてダイアモンド単結晶膜を
１．５μｍエピタキシャル成長させた。これについても
得られた試料は平滑で透光性、無色透明度の優れたもの
であった。低電子線回折装置で回折線のパターンを観察
したが、（１１０）面配向のダイアモンド単結晶で見ら
れる特有の回折パターンをしていた。
【００２２】このようにして得られたダイアモンド単結
晶膜試料を小角入射Ｘ線〜回折装置で調べたが（１１
０）配向のダイアモンド膜であることがわかった。破面
について観察を行ったが、ダイアモンド単結晶特有のへ
き解面を有するものであった。上記の実施例において
は、（１１０）面のＳｉＣ単結晶基板上にダイアモンド
単結晶膜を成長させる方法を示したが、（１１１）面、
（１００）面上でも同様にして、（１１１）面、（１０
０）面配向を有するダイアモンド単結晶膜を製造するこ
とができた。その他の結晶配向のＳｉＣ単結晶基板にお
いても同様にしてダイアモンド単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させることができた。
晶膜試料を小角入射Ｘ線〜回折装置で調べたが（１１
０）配向のダイアモンド膜であることがわかった。破面
について観察を行ったが、ダイアモンド単結晶特有のへ
き解面を有するものであった。上記の実施例において
は、（１１０）面のＳｉＣ単結晶基板上にダイアモンド
単結晶膜を成長させる方法を示したが、（１１１）面、
（１００）面上でも同様にして、（１１１）面、（１０
０）面配向を有するダイアモンド単結晶膜を製造するこ
とができた。その他の結晶配向のＳｉＣ単結晶基板にお
いても同様にしてダイアモンド単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させることができた。
【００２３】
【発明の効果】本発明によって以下の効果を奏する。
【００２４】（１）均質な単結晶ダイアモンド厚膜が得
られる。
られる。
【００２５】（２）半導体用基板、発光素子、紫外光の
レンズ材、窓材、反射鏡、磁気ヘッド、メモリー材、ヒ
ートシンクへの適用が実現できる。
レンズ材、窓材、反射鏡、磁気ヘッド、メモリー材、ヒ
ートシンクへの適用が実現できる。
【００２６】（３）ダイアモンドのブロックの形成が可
能となり、宝飾品が低コストで供給できる。
能となり、宝飾品が低コストで供給できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＣの単結晶の基板上にアモルファス
炭素膜を設け、アモルファス炭素膜にエネルギーを付与
し、ダイアモンド単結晶膜を形成することを特徴とする
ダイアモンド単結晶膜の製造方法。 - 【請求項２】 ダイアモンド単結晶膜を形成したのち、
このダイアモンド単結晶膜に炭素含有ガスを導入してダ
イアモンド単結晶膜をエピタキシャル成長させることを
特徴とするダイアモンド単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04328795A JP3637926B2 (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | ダイアモンド単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04328795A JP3637926B2 (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | ダイアモンド単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08239296A true JPH08239296A (ja) | 1996-09-17 |
| JP3637926B2 JP3637926B2 (ja) | 2005-04-13 |
Family
ID=12659596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04328795A Expired - Fee Related JP3637926B2 (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | ダイアモンド単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3637926B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006057134A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水素化炭素膜の改質方法 |
| JP2010229022A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | グラフェン製造法 |
| WO2023100578A1 (ja) | 2021-12-02 | 2023-06-08 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 |
-
1995
- 1995-03-02 JP JP04328795A patent/JP3637926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006057134A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水素化炭素膜の改質方法 |
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