JP3631366B2 - 単結晶ダイヤモンド合成用基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はトランジスタ、ダイオード、各種センサ等の電子装置、ヒートシンク、表面弾性波素子、X線窓、光学関連材料、耐摩耗材料、装飾材料及びそのコーティング材等に使用される単結晶ダイヤモンド膜を気相合成する際に使用する単結晶ダイヤモンド合成用基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
ダイヤモンドは耐熱性が優れており、バンドギャップが5.5eVと大きく、通常は絶縁体であるが、不純物のドーピングにより半導体化できる。また、絶縁破壊電圧及び飽和ドリフト速度が大きく、誘電率が小さいという優れた電気的特性を有する。このような利点により、ダイヤモンドは高温、高周波及び高電界用の電子デバイス及びセンサ用材料として期待されている。
【0003】
また、ダイヤモンドのバンドギャップが大きいことを利用した紫外線等の短波長領域に対応する光センサ及び発光素子への応用、熱伝導率が大きく、比熱が小さいことを利用した放熱基板材料、物質中で最も硬いという特性を生かした表面弾性波素子への応用、高い光透過性及び屈折率を利用したX線窓及び光学材料への適用等が進められている。
【0004】
これらの種々の用途において、ダイヤモンドの特性を最大限に活用するためには、結晶の構造欠陥を低減した高品質の単結晶を合成することが必要である。
【0005】
そこで、本発明者等は単結晶のダイヤモンド膜を大面積で低コストで気相合成する方法を提案した(特開平8−151296号公報)。この従来方法においては、白金の(111)結晶面を基板として気相合成で単結晶ダイヤモンド膜を得るものである。この方法により合成されるダイヤモンド膜は表面で結晶間の融合が自発的に進行し、平滑な表面が得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来方法は従前よりも大面積且つ低コストの単結晶ダイヤモンド膜を形成できたものの、一般的に、ダイヤモンド膜の基板となる白金単結晶はチョコラルスキー法(Czochralski法)により製造されるため、従来方法により製造される白金単結晶基板はなお高価であり、得られる単結晶の面積も高々25mm径に止まるものであり、近時の更に一層の大面積且つ低コストの要求を満足できるものではなかった。
【0007】
また、本願発明者等はこの白金単結晶の膜をチタン酸ストロンチウム単結晶上に形成することにより、更に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を形成できることを見出し、既に特許出願した(特開平8−151295号公報)。しかし、この方法においても、得られる単結晶膜の面積は最大で50mm角である。近時の要求を満足し、電子デバイスの分野で単結晶ダイヤモンド膜を実用化するためには、更に一層低コストで大面積の単結晶ダイヤモンド膜を合成することが必要である。
【0008】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、大面積の単結晶ダイヤモンド膜を低コストで合成することを可能とする単結晶ダイヤモンド合成用基板を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板は、単結晶シリコン基体と、この基体上に形成された単結晶サファイア層と、前記単結晶サファイア層上に形成された単結晶白金層とを有することを特徴とする。
【0010】
この単結晶ダイヤモンド合成用基板において、前記単結晶シリコン基体の表面は(111)面であり、前記単結晶サファイア層の表面は(0001)面であり、前記単結晶白金層の表面は(111)であることが好ましい。
【0011】
また、前記単結晶シリコン基体と、前記単結晶サファイア層との間に、表面が立方晶(111)面又は六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素層を形成することもできる。
【0012】
本発明に係る他の単結晶ダイヤモンド合成用基板は、表面が立方晶(111)面又は六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素基体と、この単結晶炭化珪素基体の上に形成され表面が(0001)面である単結晶サファイア層と、この単結晶サファイア層の上に形成され表面が(111)面である単結晶白金層とを有することを特徴とする。
【0013】
これらの単結晶ダイヤモンド合成用基板において、前記単結晶白金層の厚さが0.01μm以上1μm未満であるか、又は1乃至10μmであるように構成することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は本発明の第1実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。本実施例の単結晶ダイヤモンド合成用基板においては、単結晶シリコン基体1上に単結晶サファイア層2が形成されており、このサファイア層2上に単結晶白金層3が形成されている。
【0015】
本実施例においては、単結晶サファイア層2上に単結晶白金層3を形成するから、ダイヤモンド膜形成の基体となる単結晶白金層3を大面積で且つ低コストで形成することができる。このため、この単結晶白金層3上に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を形成することができ、単結晶ダイヤモンド膜の形成用基板として極めて有用である。
【0016】
また、図2は本発明の第2実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。本実施例においても、単結晶シリコン基体4上に、単結晶サファイア層5が形成されており、この単結晶サファイア層5上に単結晶白金層6が形成されている。而して、本実施例においては、単結晶シリコン基体4の表面は(111)面であり、単結晶サファイア層5の表面は(0001)面であり、単結晶白金層6の表面は(111)面である。
【0017】
このように、各層の表面方位を規定することにより、より一層大面積の単結晶ダイヤモンド膜を形成することができる。即ち、単結晶ダイヤモンド膜に直接接する白金層5であるが、白金(111)単結晶はサファイア(0001)上にスパッタ法などで蒸着形成できる(B. M. Lairson: M. R. Visokay, R. Sinclair, S. Hagstrom and B. M. Clemens; Applied Physics Letters, 61(1992)P1390)。サファイア層5は大型単結晶を人工的に作製できるので、これ自体も有用な単結晶ダイヤモンド合成用の基板であるが、ダイヤモンドを電子デバイス材料として使用することまで含めて考えると、シリコンウエハをプラットフォームとした方が好ましい。
【0018】
従って、サファイア層5を如何にしてシリコン基体4上に形成するかが課題となる。サファイアをシリコン上に形成する技術は、一般にSOI(Silicon−on−insulator)又はSOS(Silicon−on−sapphire)といわれる半導体集積回路形成用基板の作成に関連して広く知られている。しかし、この技術では、サファイアは多結晶である場合が殆どであり、サファイアを単結晶とする場合も基体となるシリコン表面が(111)面でなく、(100)面であり、更にサファイア自体もγ−サファイアといわれる立方体結晶である(M. Ishida, K. Sawada, S. Yamaguchi, T. Nakamura and T. Suzaki; Applied Physics Letters, 55(1989)P556)。このため、本発明で必要とする白金(111)単結晶層の形成には役にたたない。
【0019】
そこで、我々はサファイア(0001)単結晶層5を如何にしてシリコン基体4上に形成するかを実験的に検討した。その結果、単結晶サファイア層5、シリコン(111)基体4上に、熱CVD(Cemical Vapor Deposition)、プラズマCVD及びレーザーアブレーション等の方法により形成することができることを見いだした。そして、サファイア層5を蒸着する際、シリコン表面の温度を1350乃至1410℃に保つことにより、熱力学的にも最も安定なα−サファイアが形成され、更にシリコン(111)を基板とすることで、α−サファイア(0001)層がエピタキシャル成長する。
【0020】
これにより、本実施例においては、単結晶白金層6をより大面積で形成することができ、単結晶ダイヤモンドを単結晶白金層6上に大面積で形成することを可能とする。
【0021】
更に、図3は本発明の第3実施例を示す断面図である。本実施例においては、表面が(111)面の単結晶シリコン基体7上に、表面が(111)又は(0001)面である単結晶炭化珪素層8が形成されており、この単結晶炭化珪素層8上に表面が(0001)面のサファイア層9が形成されている。そして、この単結晶サファイア層9上に表面が(111)面の単結晶シリコン層10が形成されている。
【0022】
このように、サファイア(0001)層9とシリコン(111)基体7との間に、炭化珪素層8を挿入すると、結晶性が優れたサファイア(0001)単結晶層9が得られる。これは、炭化珪素層8がサファイア層9とシリコン基体7との間の格子定数の違いを緩和するように作用したためである。サファイア層9の(0001)面と、シリコン基体7の(111)面の原子間距離は夫々4.76Å及び3.84Åであるのに対し、立法晶炭化珪素層8の場合は3.08Åである。一見すると、炭化珪素層8の存在は格子定数の差異を拡大するように思われるが、結晶構造の周期性を考慮すると、炭化珪素層8の3周期に対してサファイア層9の2周期がほぼ対応する(格子不整合=3%)ため、格子間の歪みは図2の実施例のようにサファイア層をシリコン基体上に直接形成する場合に比べて低減するのである。
【0023】
図4は本発明の第4実施例を示す断面図である。本実施例は、シリコン基体を省略したものである。即ち表面が(111)面(立方晶)又は(0001)面(六方晶)の炭化珪素基体11の上に、表面が(0001)面のサファイア層12及び表面が(111)面の白金層13が形成されている。
【0024】
このように、炭化珪素を基体としても図3と同様の効果を奏する単結晶合成用基板を得ることができる。
【0025】
而して、これらの各実施例において、白金層の膜厚はダイヤモンドの合成時に重要な作用を及ぼす。この白金層の膜厚が0.01μm以上1μm未満であると、白金の特性が作用してダイヤモンドが自発的に融合し、粒界が消滅するため、単結晶化する。同時に、ダイヤモンド合成の還元雰囲気化で白金は徐々に昇華するため、結果的にダイヤモンドはサファイア層の表面の結晶構造を反映して方位整合し、単結晶となる。このように白金の膜厚を0.01μm以上1μm未満とすると、白金の結晶性の乱れに影響されずにダイヤモンドを合成できる利点がある。
【0026】
一方、白金の膜厚を1乃至10μmとすると、白金は上述とは異なる作用を奏する。この場合、白金膜は十分厚いので、ダイヤモンド膜の合成後も残存する。ダイヤモンド膜は白金の結晶構造を反映して単結晶となる。ダイヤモンド膜とサファイア層とは熱膨張率が大きく異なるので、通常850〜950℃の範囲で実施されるダイヤモンド膜の合成後、ウエハを室温に戻すと、内部応力によりダイヤモンドが剥離・破損してしまう。しかし、ダイヤモンドとサファイアとの間に十分厚い白金層が存在する場合には、これが応力緩和層として作用し、ダイヤモンドの剥離・破損の問題を回避できる。
【0027】
【実施例】
以下、本発明の効果を実証するために、実際に本発明の実施例に係る単結晶ダイヤモンド膜合成用基板を製造してその特定を評価した結果について説明する。
実施例1
シリコン(111)を基体として熱CVD法によりサファイア(0001)層を作製した。基板温度を1400℃に保持し、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)を原料ガスとした。サファイアの単結晶はRHEED(Reflection High−Energy Electron Diffraction)で確認した。更に、サファイア表面にスパッタ法で白金層を0.01μmの厚さに蒸着した。蒸着時の基板温度は500℃とした。
【0028】
これを基板としてダイヤモンドを気相合成した。グラファイトをターゲットとし、200mTorrの酸素ガス雰囲気中で、KrFエキシマレザーを用いてレーザアブレーションにより炭素を飛散させた。4時間の合成後、基板を取り出し、X線回折とSEM(Scanning Electron Microscopy)でダイヤモンド(111)が形成されたことを確認した。
実施例2
シラン(SiH4)とエチレン(C2H4)を原料として熱CVD法でシリコン(111)表面に立方晶炭化珪素を形成した。これを基板として、MBE(Molecule Beam Epitaxy)法によりサファイア(0001)膜を作製した。トリメチルアルミニウムをAl源、亜酸化窒素(N2O)を酸素源とし、基板温度は1400℃に保持した。更に、サファイア表面スパッタ法で白金を1μm蒸着した。蒸着時の基板温度は400℃とした。
【0029】
これを基板としてダイヤモンドを気相合成した。基板表面を予めダイヤモンドパウダー懸濁液中で超音波処理した上で、メタン(CH4)を原料ガスとして10時間のマイクロ波CVDを行ったところ、(111)ダイヤモンド膜が合成されたことを確認した。
実施例3
六法晶炭化珪素(0001)ウエハを基板として、実施例1と同様に、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)を原料ガスとし、基板温度を1400℃でサファイア(0001)膜を作製した。その後、サファイア表面にスパッタ法で、白金を5μm蒸着した。蒸着時の基板温度は600℃とした。
【0030】
これを基板として実施例2と同様にダイヤモンドを気相合成した。基板表面を予めダイヤモンドパウダー懸濁液中で超音波処理した上で、メタン(CH4)を原料ガスとして30時間のマイクロ波CVDを行ったところ、(111)ダイヤモンドが合成された。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を使用すれば、大面積の単結晶ダイヤモンド膜を低コストで合成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。
【図2】本発明の第2実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。
【図3】本発明の第3実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。
【図4】本発明の第4実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。
【符号の説明】
1,4,7:単結晶シリコン基体
2,5,9,12:単結晶サファイア層
3,6,10,13:白金層
8:単結晶炭化珪素層
11:単結晶炭化珪素基体
Claims (6)
- 単結晶シリコン基体と、この基体上に形成された単結晶サファイア層と、前記単結晶サファイア層上に形成された単結晶白金層とを有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド合成用基板。
- 前記単結晶シリコン基体の表面は(111)面であり、前記単結晶サファイア層の表面は(0001)面であり、前記単結晶白金層の表面は(111)であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド合成用基板。
- 前記単結晶シリコン基体と、前記単結晶サファイア層との間に、表面が立方晶(111)面又は六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素層が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の単結晶ダイヤモンド合成用基板。
- 表面が立方晶(111)面又は六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素基体と、この単結晶炭化珪素基体の上に形成され表面が(0001)面である単結晶サファイア層と、この単結晶サファイア層の上に形成され表面が(111)面である単結晶白金層とを有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド合成用基板。
- 前記単結晶白金層の厚さが0.01μm以上1μm未満であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド合成用基板。
- 前記単結晶白金層の厚さが1乃至10μmであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド合成用基板。
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