JP6274492B2 - 単結晶ダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
単結晶ダイヤモンドの製造方法Info
- Publication number
- JP6274492B2 JP6274492B2 JP2013205154A JP2013205154A JP6274492B2 JP 6274492 B2 JP6274492 B2 JP 6274492B2 JP 2013205154 A JP2013205154 A JP 2013205154A JP 2013205154 A JP2013205154 A JP 2013205154A JP 6274492 B2 JP6274492 B2 JP 6274492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- seed
- single crystal
- crystal diamond
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 145
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 143
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 203
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板の稜線と該種基板のオフ方向のなす角度が、それぞれの種基板間で全て同一となるように、該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工され、且つ整形加工された側面に基づく稜線の長さが20mmを超える、複数の単結晶ダイヤモンド種基板を、支持台上に、整形加工された該種基板の長さ方向の側面同士が接触し、それぞれの該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程、
(2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させ、該複数の種基板を接合する工程。
本発明に係る単結晶ダイヤモンド基板の製造方法は、下記の工程1及び工程2を含む。
本発明に係る単結晶ダイヤモンド基板の製造方法における工程1は、同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板の稜線と該種基板のオフ方向のなす角度が、それぞれの種基板間で全て同一となるように、該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工され、且つ整形加工された側面に基づく稜線の長さが20mmを超える、複数の単結晶ダイヤモンド種基板を、支持台上に、整形加工された該種基板の長さ方向の側面同士が接触し、それぞれの該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程である。以下に、上記工程1について詳述する。
同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板の入手方法は、特に限定されず、市販の単結晶ダイヤモンド基板から同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド基板を選別するか、公知のダイヤモンド製造方法を適宜採用し、同一の結晶学的性質を有する単結晶ダイヤモンド基板を製造すればよく、特に限定はされない。
上記複数の単結晶ダイヤモンド種基板は、それぞれの種基板間で全て同一となるように、該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工されている。ここで、同一とは、2度程度の角度のズレを許容範囲とする。
本発明の製造方法における工程1では、主たる成長面の外周側面が整形加工された上述の複数の種基板を、支持台上に、互いの整形加工された該種基板の長さ方向の側面同士が接触し、該種基板の結晶面のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する。
本発明に係る製造方法における工程2は、上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させ、該複数の種基板を接合する工程である。
本発明の方法によって製造されるダイヤモンド基板は、均一な結晶学的性質を有する。結晶学的性質とは、上述のとおりである。
同一の結晶学的性質を有する、幅約15mm長さ約34mmの厚さが0.4mmの不定形の単結晶ダイヤモンド(100)基板2枚について、X線回折を用いてオフ方向を評価し、長さ方向の稜線に対してオフ方向が60度の角度を持つことを確認した。
同一の結晶学的性質を有する、幅20mm長さ40mmの厚さが0.2mmの矩形の単結晶ダイヤモンド(100)基板2枚について、X線回折を用いてオフ方向を評価し、長さ方向の稜線に対してオフ方向が88度の角度を持つことを確認した。
同一の結晶学的性質を有する、幅約15mm長さ約23mmの厚さが0.5mmの不定形の単結晶ダイヤモンド(100)基板2枚について、X線回折を用いてオフ方向を評価し、長さ方向の稜線に対してオフ方向が45度の角度を持つことを確認した。
同一の結晶学的性質を有する、幅20mm長さ40mmの厚さが0.5mmの矩形の単結晶ダイヤモンド(100)基板2枚について、X線回折を用いてオフ方向を評価し、長さ方向の稜線に対してオフ方向が90度の角度を持つことを確認した。
Claims (4)
- 下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法:
(1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板の稜線と該種基板のオフ方向のなす角度が、それぞれの種基板間で全て同一となるように、該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工され、且つ整形加工された側面に基づく稜線の長さが20mmを超える、複数の単結晶ダイヤモンド種基板を、支持台上に、整形加工された該種基板の長さ方向の側面同士を接触し、それぞれの該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置し、前記種基板の稜線と前記種基板のオフ方向のなす角度が90度未満(<100>方向の稜線と<010>方向の稜線との両方の稜線と前記オフ方向とのなす角が45度である場合を除く。)である工程、
(2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させ、該複数の種基板を接合する工程。 - 前記工程(1)における同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板の稜線と該種基板のオフ方向のなす角が18度以上となるように該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工された、請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 同一の結晶学的性質が、オフ方向及び/又はオフ角である請求項1または2に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 単結晶ダイヤモンド基板を製造するために用いられる単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板のオフ方向と該種基板の稜線との成す角度が90度未満(<100>方向の稜線と<010>方向の稜線との両方の稜線と前記オフ方向との成す角が45度である場合を除く。)であり、且つ、該種基板の稜線が20mmを超える、種基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013205154A JP6274492B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013205154A JP6274492B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015067517A JP2015067517A (ja) | 2015-04-13 |
JP6274492B2 true JP6274492B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=52834573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013205154A Active JP6274492B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6274492B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7084586B2 (ja) | 2018-01-15 | 2022-06-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 単結晶ダイヤモンド基板を含む積層体 |
CN114318521A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-12 | 北京大学东莞光电研究院 | 一种金刚石生长方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09309794A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド膜およびその合成方法 |
JP3631366B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2005-03-23 | 株式会社神戸製鋼所 | 単結晶ダイヤモンド合成用基板 |
JP4374823B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2009-12-02 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板の製造方法 |
JP2006124249A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ダイヤモンドcvd成長用基板 |
JP4849691B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2012-01-11 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 大面積ダイヤモンド結晶基板及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013205154A patent/JP6274492B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015067517A (ja) | 2015-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5601634B2 (ja) | 大面積cvdダイヤモンド単結晶の製造方法、及びこれによって得られた大面積cvdダイヤモンド単結晶 | |
US20110084285A1 (en) | Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate | |
TW201607662A (zh) | Iii族氮化物基板之製造方法 | |
JP4547493B2 (ja) | ダイヤモンド単結晶の製造方法及びダイヤモンド単結晶 | |
JP2017214284A (ja) | ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP7161158B2 (ja) | ダイヤモンド基板層の製造方法 | |
TWI246173B (en) | Diamond compound substrate and its manufacturing method | |
JP6274492B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP5418621B2 (ja) | ダイヤモンド単結晶基板 | |
JPH0748198A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
JP2009137779A (ja) | ダイヤモンド単結晶基板の製造方法及びダイヤモンド単結晶基板 | |
JP6746124B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP6312236B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP2013203596A (ja) | 単結晶ダイヤモンド基板 | |
JP2018104231A (ja) | SiCウェハの製造方法及びSiCウェハ | |
JP6002100B2 (ja) | ダイヤモンド成長用基板及びその作製方法、並びにこの基板を用いた大面積単結晶ダイヤモンド薄膜及び自立膜の作製方法 | |
JP6374060B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
US11505878B2 (en) | Diamond crystal substrate, method for producing diamond crystal substrate, and method for homo-epitaxially growing diamond crystal | |
JP2013060329A (ja) | ダイヤモンド複合体 | |
JP6551953B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
WO2021200203A1 (ja) | ダイヤモンド結晶基板と、ダイヤモンド結晶基板の製造方法 | |
US20230154747A1 (en) | A seed layer, a heterostructure comprising the seed layer and a method of forming a layer of material using the seed layer | |
JP5545567B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP2020059648A (ja) | ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP7487702B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20171024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6274492 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |