JP2013203596A - 単結晶ダイヤモンド基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】それぞれのオフ角とオフ方向とが一致した、5mmx2.5mm角の厚さが0.5mmの種結晶となる単結晶ダイヤモンド(100)基板6枚を並べ、種結晶上に単結晶ダイヤモンド膜を成長させた後、炭素イオンを注入し、再び膜を成長させた後、注入面上の膜を分離し、単結晶ダイヤモンド基板を得る。基板中の結晶性の粗悪な線状領域と基板のオフ方向は0°より大きく90°以下の角度を成す。基板全体でのラマンシフト値の半値幅は0より大きく10cm−1以下である。
【選択図】図2
Description
項2 上記項1に記載の単結晶ダイヤモンド基板であって、基板全体でのラマンシフト値の半値幅が0より大きく10cm−1以下である基板。
項3 上記項1に記載の単結晶ダイヤモンド基板であって、基板全体でのX線ロッキングカーブの半値幅が0より大きく100秒以下である基板。
項4 窒素含有量が0より多く100ppm未満である上記項1に記載の基板。
項5 前記結晶性の粗悪な線状領域と該基板の(110)方向が0°より大きく90°以下の角度を成すことを特徴とする上記項1に記載の基板。
項6 上記項1に記載の単結晶ダイヤモンドであって、基板全体で可視光を透過することを特徴とする基板。
本発明の単結晶ダイヤモンド基板は、該基板中の結晶性が粗悪な線状領域と、該基板のオフ方向とが0°より大きく90°以下の角度を成している。すなわち、前記線状領域と前記オフ方向は平行とはならず、少なくとも0°より大きい角度を成している。
実施例1
それぞれのオフ角とオフ方向とが一致した、5mmx2.5mm角の厚さが0.5mmの種結晶となる単結晶ダイヤモンド(100)基板6枚を図2の(a)の様に並べ、市販のマイクロ波プラズマCVD装置を用いて、マイクロ波パワー4.5kW、ガス圧力16kPa、水素ガス流量500sccm、メタンガス流量25sccmで、該種結晶上に単結晶ダイヤモンド膜を成長させた。単結晶ダイヤモンドの成長における成長終了時の基板温度は、1100−1180℃であった。
Claims (4)
- 単結晶ダイヤモンド基板であって、該基板中の結晶性の粗悪な領線状域と該基板のオフ方向が1°以上90°以下の角度を成すことを特徴とする基板。
- 請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド基板であって、基板全体でのラマンシフト値の半値幅が0より大きく10cm−1以下である基板。
- 請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド基板であって、基板全体でのX線ロッキングカーブの半値幅が0より大きく150秒以下である基板。
- 窒素含有量が0より多く100ppm未満である請求項1に記載の基板。
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