JP2011079683A - 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 - Google Patents
単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011079683A JP2011079683A JP2009230776A JP2009230776A JP2011079683A JP 2011079683 A JP2011079683 A JP 2011079683A JP 2009230776 A JP2009230776 A JP 2009230776A JP 2009230776 A JP2009230776 A JP 2009230776A JP 2011079683 A JP2011079683 A JP 2011079683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal diamond
- film
- substrate
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、単結晶シリコン基板13と、単結晶シリコン基板13の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜11と、MgO膜11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12とからなる。
【選択図】図1
Description
従って、ダイヤモンドは、高周波・高出力電子デバイスに適した究極の半導体と云われている。そのため、基板として、単結晶のダイヤモンドを利用した各種電子デバイスの研究が進められている。
しかしながら、HPHT単結晶ダイヤモンドは結晶性が高いものが得られる一方で大型化が困難で、サイズが大きくなると極端に価格が高くなり、デバイス用基板としての実用化を困難としている。
最近では単結晶ダイヤモンドとして、HPHT単結晶ダイヤモンド基材(種基材)上に直接気相合成法でホモエピタキシャル成長させたホモエピタキシャルCVD単結晶ダイヤモンドも報告されている(非特許文献1参照)。
以上より、本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材であれば、大面積で高結晶性の単結晶ダイヤモンドを低コストに成長させることができる基材となる。
このような厚さの単結晶シリコン基板であれば、ハンドリングが容易で、厚さが20.00mm以下であれば、両面研磨等も良好に行うことができる。
このように、本発明の基材のMgO膜は、スパッター法又は電子ビーム蒸着法で成長させたものとすることができる。
このように、MgO膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性がより高いものとなり、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいため確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらには安価な基材となる。
このように、本発明の基材のイリジウム膜又はロジウム膜は、スパッター法でヘテロエピタキシャル成長させたものとすることができる。
このように、イリジウム膜又はロジウム膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性が十分に高く、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいため、確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらには安価な基材となる。
このように、バイアス処理を施されたものであれば、表面にダイヤモンド成長核が形成されるため、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる基材となる。
以上より、本発明の製造方法であれば、安価で高結晶性の単結晶ダイヤモンド基板を効率的に製造することができる。
このように、予めバイアス処理を施すことで、表面にダイヤモンド成長核が形成され、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる。
このように、本発明の製造方法において、単結晶ダイヤモンドは、マイクロ波CVD法又は直流プラズマCVD法によりヘテロエピタキシャル成長させることができる。
また、従来のMgO種基材に比べて比較的容易に高結晶性のものを得ることができる単結晶シリコン基板を種基材とすることで、その上に単結晶MgO膜、さらにその上に単結晶Ir(イリジウム)膜または単結晶Rh(ロジウム)膜を結晶性良くヘテロエピタキシャル成長させることができる。そして、その高結晶性材料のものを基材として、その上にCVD法で単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させれば、高い結晶性の単結晶ダイヤモンドが得られることを見出した。また、この基材上で成長させた単結晶ダイヤモンドは、ウェットエッチング法で容易に分離が可能であるし、基材部分を機械的研磨法により除去することで分離することも可能であることを確認して、本発明を完成させた。
図1は、本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材の実施態様の一例を示す概略図である。図2は、本発明の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法の実施態様の一例を示すフロー図である。
本発明では、図2(a)に示すように、まず単結晶シリコン基板13を準備する。
準備する単結晶シリコン基板13としては、特に限定されず、例えば両面研磨した直径25mmの基板を準備することができる。このように、単結晶シリコン基板を種基材として用いれば、従来のMgO種基材に比べて高結晶性のものを比較的容易に得ることができるため、その上に成長させるMgO膜さらにはイリジウム膜又はロジウム膜も結晶性良く成長させることができる。
単結晶シリコン基板の厚さが0.03mm以上であれば、ハンドリングが容易であり、20.00mm以下であれば、必要以上に厚すぎることもなく、コスト的にも有利であるとともに、仕上げ両面研磨加工等を容易に行うことができるため、表面状態をより良い状態にでき、後工程でのヘテロエピタキシャル成長を良好に行うことができる。
成長条件等は特に限定されないが、MgO膜11の厚さを、5Å〜100μmとすることが好ましい。
このように、MgO膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性を高くでき、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいためより確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらにはコスト的に有利となり安価にできる。
このときも、成長条件等は特に限定されないが、例えばR.F.マグネトロンスパッター法で十分な速度で成長させることができ、また、イリジウム膜又はロジウム膜12の厚さを、5Å〜100μmとすることが好ましい。
このように、イリジウム膜又はロジウム膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性が高く、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいためより確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらにはコストを低減できる。
このバイアス処理は、例えば、特開2007−238377に記載の様な方法で、先ず、予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド成長核を形成する前処理を行って、イリジウム膜又はロジウム膜の表面に方位の揃ったダイヤモンド成長核を形成する。これにより、後工程で、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる。
このように、単結晶ダイヤモンドを、本発明の基材上に成長させることで、基材中で最も厚く熱膨張により応力が発生しやすい種基材として単結晶シリコン基板を用いているため、単結晶ダイヤモンド成長の際にも応力は生じにくく割れを防止でき、また、MgO膜、イリジウム膜又はロジウム膜も結晶性が良いため、高結晶性の単結晶ダイヤモンドを成長させることができる。
分離させる方法としては、特に限定されず、例えば、リン酸溶液や熱混酸などのウェットエッチ液に浸けて、単結晶ダイヤモンド/イリジウム膜とMgO膜/単結晶シリコン基板とに分離した後に、機械的研磨法で残ったイリジウム膜を除去することで単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる。また、ウェットエッチ液に浸漬させないで、イリジウム膜/MgO膜/単結晶シリコン基板を一度に機械的研磨法で除去しても良い。
(実施例)
直径25.0mm、厚み0.38mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶シリコン基板を種基材として用意した。そして、この種基材の単結晶ダイヤモンド成長を行う面側に、電子ビーム蒸着法により、真空中、基板温度900℃の条件で厚さ0.2μmになるまでMgO膜をエピタキシャル成長させた。
また、バイアス処理及びDCプラズマCVDを行う際の電気的導通のために、基板温度を100℃とした他は同じ条件で、裏面にもIrを1.5μm成長させた。
先ず、基材をバイアス処理装置の負電圧印加電極(カソード)上にセットし、真空排気を行った。次に、基材を600℃に加熱してから、3vol.%水素希釈メタンガスを導入し、圧力を160hPa(120Torr)とし、バイアス処理を行った。すなわち、両電極間にDC電圧を印加して、所定の直流電流を流した。
そして最後に、このバイアス処理済み基材上に、DCプラズマCVD法によって、900℃で30時間、単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させた。
種基材として、5.0mm角、厚み0.5mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を使用することの他は、実施例と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
種基材として、5.0mm角、厚み120μmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を使用することの他は、実施例と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
ベルジャーを開けて、チャンバー内の製造物を見ると、基材および単結晶ダイヤモンド部分共に1mm角程度の細かい破片に割れていた。
12…イリジウム膜又はロジウム膜、 13…単結晶シリコン基板、
14…単結晶ダイヤモンド、 15…単結晶ダイヤモンド基板。
Claims (10)
- 単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、単結晶シリコン基板と、該単結晶シリコン基板の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜と、該MgO膜上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜とからなるものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記単結晶シリコン基板の厚さが、0.03mm〜20.00mmであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記MgO膜が、前記単結晶シリコン基板上にスパッター法又は電子ビーム蒸着法でヘテロエピタキシャル成長させたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記MgO膜の厚さが、5Å〜100μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜又はロジウム膜が、前記MgO膜上にスパッター法でヘテロエピタキシャル成長させたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜又はロジウム膜の厚さが、5Å〜100μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜又はロジウム膜の表面が、バイアス処理を施されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 単結晶ダイヤモンド基板を製造する方法であって、少なくとも、
単結晶シリコン基板を準備する工程と、
該準備した単結晶シリコン基板上にMgO膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜上にイリジウム膜又はロジウム膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜上に単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させて、単結晶ダイヤモンド基板を得る工程とを有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。 - 前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程の前に、予め、前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる面に対してバイアス処理を施すことを特徴とする請求項8に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程において、マイクロ波CVD法又は直流プラズマCVD法により単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009230776A JP2011079683A (ja) | 2009-10-02 | 2009-10-02 | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
CN2010102261120A CN102031561A (zh) | 2009-10-02 | 2010-07-06 | 单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法 |
US12/876,531 US20110081531A1 (en) | 2009-10-02 | 2010-09-07 | Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate |
US13/846,540 US20130220214A1 (en) | 2009-10-02 | 2013-03-18 | Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009230776A JP2011079683A (ja) | 2009-10-02 | 2009-10-02 | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011079683A true JP2011079683A (ja) | 2011-04-21 |
Family
ID=43823395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009230776A Pending JP2011079683A (ja) | 2009-10-02 | 2009-10-02 | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110081531A1 (ja) |
JP (1) | JP2011079683A (ja) |
CN (1) | CN102031561A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012041258A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
WO2017017940A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2017034220A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2017226573A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社Sumco | 積層基板の製造方法および積層基板 |
CN114318287A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-12 | 深圳技术大学 | 金刚石自支撑膜的制备方法和金刚石自支撑膜 |
US11905619B2 (en) | 2017-09-08 | 2024-02-20 | M7D Corporation | Diamonds and hetero-epitaxial methods of forming diamonds |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5066651B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-11-07 | 今井 淑夫 | エピタキシャルダイヤモンド膜下地基板の製造方法およびこの下地基板を使用するエピタキシャルダイヤモンド膜の製造方法 |
JP5377212B2 (ja) | 2009-10-13 | 2013-12-25 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
GB201121666D0 (en) | 2011-12-16 | 2012-01-25 | Element Six Ltd | Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates |
EP3213842A4 (en) * | 2014-10-29 | 2018-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite diamond body and composite diamond tool |
CN104499047A (zh) * | 2014-12-20 | 2015-04-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法 |
DE102015006514B4 (de) * | 2015-05-26 | 2016-12-15 | Condias Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Diamant-Elektrode und Diamant-Elektrode |
JP6699015B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2020-05-27 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド基板の製造方法 |
JP6679022B2 (ja) | 2016-02-29 | 2020-04-15 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド基板の製造方法 |
EP3373052A1 (de) | 2017-03-06 | 2018-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbzeug, verfahren zu dessen herstellung und damit hergestellte komponente |
CN107268076A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-10-20 | 西安交通大学 | 一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法 |
CN108707965A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-10-26 | 西安碳星半导体科技有限公司 | 一种cvd单晶金刚石异质外延衬底的结构及制备方法 |
US11753740B2 (en) * | 2019-11-18 | 2023-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Diamond substrate and method for manufacturing the same |
CN111996581B (zh) * | 2020-07-08 | 2021-10-26 | 西安电子科技大学 | 一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法 |
CN114182342B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-12-01 | 安徽光智科技有限公司 | 单晶金刚石生长用沉积基底及单晶金刚石的制造方法 |
CN116516476B (zh) * | 2023-06-09 | 2024-02-13 | 中电科先进材料技术创新有限公司 | 单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06289145A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | X線窓材及びその製造方法 |
JPH07172989A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド基体の製造方法 |
JP2005219962A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法 |
JP2006248883A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス |
JP2008031503A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | オフ角を有する単結晶基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US427271A (en) * | 1890-05-06 | Fodder-fork | ||
US102006A (en) * | 1870-04-19 | Improved bolt-cutter | ||
JP2004006722A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチュエータ、インクジェット式ヘッド及び吐出装置 |
JP4073886B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-04-09 | アンリツ株式会社 | 可変波長光源 |
US20060228479A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-12 | Chevron U.S.A. Inc. | Bias enhanced nucleation of diamond films in a chemical vapor deposition process |
-
2009
- 2009-10-02 JP JP2009230776A patent/JP2011079683A/ja active Pending
-
2010
- 2010-07-06 CN CN2010102261120A patent/CN102031561A/zh active Pending
- 2010-09-07 US US12/876,531 patent/US20110081531A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-03-18 US US13/846,540 patent/US20130220214A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06289145A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | X線窓材及びその製造方法 |
JPH07172989A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド基体の製造方法 |
JP2005219962A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法 |
JP2006248883A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス |
JP2008031503A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | オフ角を有する単結晶基板の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012041258A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
WO2017017940A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2017034220A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2017226573A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社Sumco | 積層基板の製造方法および積層基板 |
US11905619B2 (en) | 2017-09-08 | 2024-02-20 | M7D Corporation | Diamonds and hetero-epitaxial methods of forming diamonds |
CN114318287A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-12 | 深圳技术大学 | 金刚石自支撑膜的制备方法和金刚石自支撑膜 |
CN114318287B (zh) * | 2021-12-23 | 2023-11-03 | 深圳技术大学 | 金刚石自支撑膜的制备方法和金刚石自支撑膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130220214A1 (en) | 2013-08-29 |
CN102031561A (zh) | 2011-04-27 |
US20110081531A1 (en) | 2011-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5377212B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP2011079683A (ja) | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 | |
KR101797428B1 (ko) | 단결정 다이아몬드 성장용 기재 및 단결정 다이아몬드 기판의 제조 방법 | |
JP5507888B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP5297219B2 (ja) | 単結晶薄膜を有する基板の製造方法 | |
US20100178234A1 (en) | Multilayer substrate and method for producing the same, diamond film and method for producing the same | |
JP6112485B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
US10224463B2 (en) | Film forming method, method of manufacturing semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting device, and illuminating device | |
JP7078947B2 (ja) | ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法 | |
WO2015046294A1 (ja) | ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP2002348198A (ja) | 半導体素子エピタキシャル成長用基板及びその製造方法 | |
JP4982506B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
KR101996826B1 (ko) | 다이아몬드의 제조 방법 및 직류 플라즈마 cvd 장치 | |
JP5545567B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP7487702B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 | |
TW202219301A (zh) | 積層體、單晶鑽石基板及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130403 |