JP2012041258A - 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材13と、該ベース基材13の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層11と、該単結晶MgO11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜12を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材10。
【選択図】図1
Description
従って、ダイヤモンドは、高周波・高出力電子デバイスに適した究極の半導体と云われている。そのため、基板として、単結晶のダイヤモンドを利用した各種電子デバイスの研究が進められている。
しかしながら、HPHT単結晶ダイヤモンドは結晶性が高いものが得られる一方で大型化が困難で、サイズが大きくなると極端に価格が高くなり、デバイス用基板としての実用化を困難としている。
最近では単結晶ダイヤモンドとして、HPHT単結晶ダイヤモンド基材(種基材)上に直接気相合成法でホモエピタキシャル成長させたホモエピタキシャルCVD単結晶ダイヤモンドも報告されている(非特許文献1参照)。
また、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材であれば、ダイヤモンドとの熱膨張係数が比較的近く、単結晶ダイヤモンド成長時の熱膨張により生じる応力が小さくでき、単結晶ダイヤモンドや基材が割れることもほとんどない。また、このようなベース基材上にMgO層、さらにはイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからならなる膜を有することで、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。
そしてMgO層は、単結晶MgO基板とベース基材とを貼り合わせて形成したものであり、MgO層をヘテロエピタキシャル成長させるよりも容易に高結晶性の単結晶MgO層を形成でき、高い生産性で製造されたものとなる。
以上より、本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材であれば、大面積で高結晶性の単結晶ダイヤモンドを低コストに成長させることができる基材となる。
ベース基材が、Al2O3、SiC、AlN、Si、Si3N4、SiO2のいずれかからなるものは、安価であり、また平滑な研磨表面を得ることができる。また、ダイヤモンド(HPHT、多結晶)からなるものであれば、成長させるダイヤモンドと同一材料であるため、熱膨張による応力はほとんど生じず、大面積の単結晶ダイヤモンドを得ることができる基材となる。
このような厚さのベース基材であれば、ハンドリングが容易である。また、厚さが20.00mm以下であれば、両面研磨等も良好に行うことができる。
このように、単結晶MgO層の厚さは、0.1μm以上あれば加工技術上、膜厚均一性が高いものとなり、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいため、確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができる。
このように、本発明の基材のイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜は、スパッター法でヘテロエピタキシャル成長させたものとすることができる。
このように、イリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかの膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性が十分に高くなる。また厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいため、確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらには安価な基材となる。
このように、バイアス処理を施したものであれば、表面にダイヤモンド成長核が形成できるため、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる基材となる。
以上より、本発明の製造方法であれば、安価で高結晶性の単結晶ダイヤモンド基板を効率的に製造することができる。
ベース基材として、Al2O3、SiC、AlN、Si、Si3N4、SiO2のいずれかからなる基材を準備する場合は、その基材自体が安価であり、また平滑な研磨表面を得ることができる。また、ダイヤモンド(HPHT、多結晶)からなるものでは、成長させるダイヤモンドと同一材料であり、熱膨張による応力はほとんど生じないため、大面積の単結晶ダイヤモンドを得るのに特に好適な基材となる。
このように、予めバイアス処理を施すことで、表面にダイヤモンド成長核が形成され、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる。
このように、本発明の製造方法において、単結晶ダイヤモンドは、マイクロ波CVD法又は直流プラズマCVD法によりヘテロエピタキシャル成長させることができる。
このため、本発明者らは、基材の種類や構造、さらには単結晶の製造方法について鋭意研究を重ねた。
そして該単結晶MgO層を種基材として、その上に単結晶Ir(イリジウム)膜または単結晶Rh(ロジウム)膜または単結晶Pt(白金)膜を結晶性良くヘテロエピタキシャル成長させることができる。そして、その高結晶性材料のものを基材として、その上にCVD法で単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させれば、高い結晶性の単結晶ダイヤモンドが得られることを見出した。
また、この基材上で成長させた単結晶ダイヤモンドは、ウェットエッチング法で容易に分離が可能であるし、基材部分を機械的研磨法により除去することで分離することも可能であることを確認して、本発明を完成させた。
図1は、本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材の実施態様の一例を示す概略図である。
更に、ベース基材上に単結晶MgO層、さらにはイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかの膜を有することで、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。すなわち、前述のように単結晶MgOはダイヤモンドと線膨張係数が大幅に異なるが、本発明では層の態様であるため、応力を吸収することができ、ダイヤモンドの成長において特に問題とはならない。むしろ、ダイヤモンド成長後に分離する際に、MgO層の存在により、単結晶ダイヤモンド膜が剥離し易くなるという利点がある。
図2(a)に示すように、まず線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材13を準備する。
ベース基材として、Al2O3、SiC、AlN、Si、Si3N4、SiO2のいずれかからなるものを用いると、これらの材料は準備が容易であるため安価であり、また精度の高い研磨を行うことができるため、平滑な研磨表面、すなわち平坦な貼り合わせ面とすることができる。ここで、Al2O3、SiC、AlN、Si3N4の場合は、焼結体とすることが好ましい。また、ダイヤモンド(HPHT、多結晶)からなるベース基材であれば、成長させるダイヤモンドと同一材料であり、基材と成長ダイヤモンド間の熱膨張による応力がほとんど生じることがなく、大面積の単結晶ダイヤモンドをより効率的に製造することができる基材となる。
ベース基材の厚さが0.03mm以上であれば、ハンドリングが容易である。20.00mm以下であれば、必要以上に厚すぎることもなく、コスト的にも有利であるとともに、仕上げ両面研磨加工等を容易に行うことができるため、表面状態をより良い状態にでき、後工程での貼り合わせを良好に行うことができる。
この貼り合わせは、両接合面をプラズマ処理やウェットエッチングなどで清浄および活性化した後に行うと効果的である。
また、この接合工程の歩留りを上げるために、接合界面に、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)等の金属、若しくはシリコン(Si)、酸化シリコン(SiO2)等の薄膜又はこれらの積層膜を、0.001〜1000μmの厚みで形成した層を介して行うことができる。
そして、貼り合わせるMgO基板は、例えば両面研磨した直径25mmで厚み300μmの単結晶MgO基板が準備できる。
例えばMgO層の薄くしたい部分迄水素、酸素、カーボンなどのイオンを注入して、貼り合わせ後に必要に応じて加熱で分離、更に研磨加工で厚み調整及び平滑面仕上げしても良い。または貼り合わせ後に単に研磨加工のみで厚み調整及び平滑面仕上げしても良い。
このように、単結晶MgO層の厚さが0.1μm以上あれば高い膜厚均一性で薄化加工ができる。厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいためより確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらにはコスト的に有利となり安価にできる。
このときの成長条件等は特に限定されないが、例えばR.F.マグネトロンスパッター法で十分な速度で成長させることができる。
このように、イリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性が高く、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいためより確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらにはコストを低減できる。
このバイアス処理は、例えば、特開2007−238377号公報に記載の様な方法で、先ず、予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド成長核を形成する前処理を行って、イリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜の表面に方位の揃ったダイヤモンド成長核を形成する。これにより、後工程で、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる。
上述のように、本発明では、基材中で最も厚く熱膨張により応力が発生しやすい種基材として線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材を用いているため、単結晶ダイヤモンド成長の際にも応力は生じにくく割れを防止できる。また、高結晶性単結晶MgO層上に形成したイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜も結晶性が良いため、高結晶性の単結晶ダイヤモンドを成長させることができる。
分離させる方法としては、特に限定されず、例えば、リン酸溶液や熱混酸などのウェットエッチ液に浸けて、単結晶ダイヤモンド/イリジウム膜とMgO層/ベース基材とに分離した後に、機械的研磨法で残ったイリジウム膜を除去することで単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる。また、ウェットエッチ液に浸漬させないで、イリジウム膜/MgO層/ベース基材を一度に機械的研磨法で除去しても良い。
(実施例1)
直径25.0mm、厚み0.38mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶シリコン基板をベース基材として用意した。そして、このベース基材の単結晶ダイヤモンド成長を行う面側に、直径25.0mm、厚み0.30mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を用意した。
両接合面をRCA洗浄及びアルゴンイオンビームで清浄化及び活性化した後、直接接合で貼り合わせを行った。
その後、機械的研磨法で単結晶MgO部分を薄く加工して、2μm厚の単結晶MgO層に仕上げた。
また、バイアス処理及びDCプラズマCVDを行う際の電気的導通のために、基板温度を100℃とした他は同じ条件で、裏面にもIrを1.5μm成長させた。
先ず、基材をバイアス処理装置の負電圧印加電極(カソード)上にセットし、真空排気を行った。次に、基材を600℃に加熱してから、3vol.%水素希釈メタンガスを導入し、圧力を160hPa(120Torr)とし、バイアス処理を行った。すなわち、両電極間にDC電圧を印加して、所定の直流電流を流した。
そして最後に、このバイアス処理済み基材上に、DCプラズマCVD法によって、900℃で30時間、単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させた。
実施例1において、ベース基材と単結晶MgOの両方の貼り合わせ面に、スパッター法で1nm厚の金(Au)薄膜を形成してから、貼り合わせを行った以外は実施例1と同様の方法で単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長までの諸工程を行った。
そこで、機械的研磨法で、裏面のIr/MgO/Si基材部分を除去して、単結晶ダイヤモンドの自立構造(単結晶ダイヤモンド基板)とした。この表面も仕上げ研磨を行って、デバイス用途でも使用できるレベルの面粗さに仕上げた。
ベース基材である単結晶シリコンに貼り合わせた単結晶MgO部分を薄く加工するのに、イオン注入分離法を用いた。
単結晶MgO基板表面のシリコン基板に接合する面から約3μmの深さに水素イオンを注入した後、両接合面をRCA洗浄及びアルゴンイオンビームで清浄化及び活性化した後、直接接合で貼り合わせを行った。その後、400℃で1h熱処理を行って、シリコン側単結晶MgO部分を水素イオン注入層を境界にして約3μm厚に分離した。更に機械的研磨法で単結晶MgO部分を薄く加工して、2μm厚の単結晶MgO層に仕上げた。
その後の工程は実施例1と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
実施例1において、ベース基材として、両面研磨加工単結晶シリコン基板ではなく、両面研磨加工SiO2基板を用いた以外は同様の方法で単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長までの諸工程を行った。
実施例1において、ベース基材として、両面研磨加工単結晶シリコン基板ではなく、両面研磨加工SiC基板を用いた以外は同様の方法で単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長までの諸工程を行った。
種基材として、5.0mm角、厚み0.5mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を使用することの他は、実施例と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
種基材として、5.0mm角、厚み120μmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を使用することの他は、実施例と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
ベルジャーを開けて、チャンバー内の製造物を見ると、基材および単結晶ダイヤモンド部分共に1mm角程度の細かい破片に割れていた。
12…イリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜、 13…ベース基材、
14…単結晶ダイヤモンド、 15…単結晶ダイヤモンド基板。
Claims (11)
- 単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材と、該ベース基材の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層と、該単結晶MgO上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記ベース基材が、Al2O3、SiC、AlN、Si、Si3N4、ダイヤモンド、SiO2のいずれかからなるものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記ベース基材の厚さが、0.03〜20.00mmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記単結晶MgO層の厚さが、0.1〜100μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜、前記ロジウム膜、前記白金膜のいずれかの膜が、前記単結晶MgO層上にスパッター法でヘテロエピタキシャル成長させたものであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜、前記ロジウム膜、前記白金膜のいずれかの膜の厚さが、5Å〜100μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜、前記ロジウム膜、前記白金膜のいずれかの膜の表面が、バイアス処理を施されたものであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 単結晶ダイヤモンド基板を製造する方法であって、少なくとも、
線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材を準備する工程と、
該準備したベース基材上に単結晶MgO層を貼り合わせる工程と、
該貼り合わせた単結晶MgO層上にイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させた前記膜上に単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させて、単結晶ダイヤモンド基板を得る工程とを有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。 - 前記準備するベース基材として、Al2O3、SiC、AlN、Si、Si3N4、ダイヤモンド、SiO2のいずれかからなる基板を準備することを特徴とする請求項8に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程の前に、予め、前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる面に対してバイアス処理を施すことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程において、マイクロ波CVD法又は直流プラズマCVD法により単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項8ないし請求項10のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
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