JP2006248883A - 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。
【選択図】図1
Description
従って、ダイヤモンドは、高周波・高出力電子デバイスに適した究極の半導体と云われている。
現在、ダイヤモンド半導体作製用の単結晶ダイヤモンドは、高圧法で合成されたIb型と呼ばれるダイヤモンドがほとんどである。このIb型ダイヤモンドは、窒素不純物を多く含み、かつ5mm角程度のサイズ迄しか得られず、実用性は低い。
現状では、特にIrに関する研究が最も進んでいる。これは、先ず単結晶MgOを基板としてその上にIr膜をヘテロエピタキシャル成長させ、次に、DCプラズマ法で水素希釈メタンガスによるイオン照射によりIr膜表面を前処理し、そのIr膜上にダイヤモンド膜の成長を行うものである。これにより、当初のサブミクロンサイズから現在では数ミリサイズのダイヤモンドが得られている。
前述のように、従来の積層基板は、Ir膜とダイヤモンド膜の膜特性の差などにより、MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜の各界面で剥離を生じやすく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として得ることができないという問題があった。
そこで、本発明者は、このような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。
その結果、本発明者は、積層基板の中間層となるIr膜の結晶性が良好であれば、MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜の各界面で剥離が生じ難くなり、Ir膜上に大面積であっても高品質のダイヤモンド膜を得ることができることを見出し、そのように結晶性が良好なIr膜を成長させるための条件を精査することで本発明を完成させた。
図2に示すように、本発明の積層基板は、MgO基板上にイリジウム(Ir)膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程(A)と、該Ir膜上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程(C)を経て製造することができる。そして、任意の工程として、Ir膜のヘテロエピタキシャル成長工程(A)後、ダイヤモンド膜の気相合成工程(C)前に、Ir膜の表面を、DCプラズマ法により前処理する工程(B)を行うこともできる。
Ir膜は、例えば図3に示すようなスパッター装置10を用いて、R.F.マグネトロンスパッター法によってMgO基板11上にヘテロエピタキシャル成長させることができる。
その概略を説明すると、MgO基板11を、Irから成るターゲット電極材料12と対向して配置し、そのターゲット電極材料12をプラズマでスパッタリングして、MgO基板11表面にIr膜をヘテロエピタキシャル成長させるのである。
Ir膜の厚みが1.5μmを超えると突起形状の欠陥が発生することがあり、この欠陥が発生したIr膜上にダイヤモンド膜を成長させた場合、そのダイヤモンド膜にも突起形状の欠陥が発生してしまう恐れがある。そこで、上記のようにIr膜の厚みを、1.5μm以下とすることで、Ir膜に欠陥が発生するのを十分に防ぐことができ、結果として、高品質のダイヤモンドを得ることができる。また、Ir膜の厚さがこのように薄いと応力に対しても柔軟性を有することから、剥離が生じにくいので好ましい。
その概略を説明すると、図4に示すようなDCプラズマ装置20を用いて、エピタキシャル成長させたIr膜の表面を、イオン照射する。
その詳細を説明する。先ず、単結晶MgO基板上にIrをヘテロエピタキシャル成長させた基板21を負電圧印加側の電極22上にセットした後、チャンバー23内をガス排出管24から真空ポンプで排気して10−7Torrまで減圧する。次に、ガス(例えば水素希釈メタン:H2/CH4)をガス導入管25から導入して、電極にDC電圧を印加して放電を行い、プラズマ26を発生させて基板21のIr膜表面を前処理する。
この前処理によってIr膜上にナノサイズのダイヤモンド微粒子(ダイヤモンドの核)が形成されると考えられる。このため、この後のダイヤモンド膜の気相合成工程(C)において、Ir膜上でのダイヤモンド膜の合成が容易となる。
概略を説明すると、図5に示すようなマイクロ波CVD装置30を用いて、Ir膜上にダイヤモンド膜を気相合成する。
その詳細を説明する。このマイクロ波CVD装置30は、ガス導入管31とガス排出管32を備えたチャンバー33内にヒータ等の加熱体が装着された基板台34が配置されている。そして、チャンバー33内にプラズマを発生できるように、マイクロ波電源35が導波管36を介してマイクロ波導入窓38に接続されている。
そして、このようなマイクロ波CVD法であれば、10mm角以上の大形基板サイズにも対応できる。
(実施例1)
10.0mm角、厚さが0.5mmで方位(100)の両面研磨単結晶MgOを基板として用意した。
そして、このMgO基板のダイヤモンド製膜を行う面側にIr膜をヘテロエピタキシャル成長させた。
Ir膜は、図3に示すようなスパッター装置10を用いて、R.F.(13.56MHz)マグネトロンスパッター法により、MgO基板11上に成長させた。
ここでは、直径6インチ(150mm)、厚み5mm、純度99.9%以上のIrをターゲット電極材料12として用いた。そして、MgO基板11を800℃に加熱し、ベースプレッシャーが6×10-7Torr(約7.8×10-5Pa)以下になるのを確認した後、ガス導入管16よりArガスを10sccmで導入した。そして、ガス排出管15に通じるバルブの開口度を調節してチャンバー14内を5×10-2Torr(約6.5Pa)とした後、R.F.電力1000Wを入力して15分間Ir膜の製膜を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.30°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は圧縮3300MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは、0.7μmであった。
ここでは、図4に示したようなDCプラズマ装置20を用いた。先ず、単結晶MgO基板上にIrをヘテロエピタキシャル成長させた基板21を14mm角で平板型の負電圧印加電極22上にセットし、ベースプレッシャーが1×10-6Torr(約1.3×10-4Pa)以下になるのを確認した後、水素希釈メタン(CH4/(CH4+H2)=2.0vol.%)をガス導入管25から500sccmで導入した。次に、ガス排出管24に通じるバルブの開口度を調節して100Torr(約1.3×104Pa)とした後、基板側電極に-500Vを印加して1min間基板21をプラズマ26にさらして、基板21のIr膜表面を前処理した。このとき、電流密度が低くしかも短時間であったため、基板温度は500℃程度迄しか上がらなかった。
ここでは、図5に示したようなマイクロ波CVD装置30を用いた。先ず、前処理した基板37をマイクロ波CVD装置30のチャンバー33内にセットし、ロータリーポンプでガス排出管32を通じて10-3Torr(約1.3×10-1Pa)以下のベースプレッシャーまで排気した後、原料ガスである水素希釈メタン(CH4/(CH4+H2)=3.0vol.%)をガス導入管31から1000sccmで導入した。次に、ガス排出管32に通じるバルブの開口度を調節してチャンバー33内を110Torr(約1.4×104)にした後、電力3000Wのマイクロ波を入力して10時間、ダイヤモンド膜の気相合成を行った。製膜中の基板温度をパイロメーターで測定したところ880℃であった。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際にArガス圧を3×10-2Torr(約3.9Pa)とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.36°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮9500MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出して、ダイヤモンド膜を調査した。すると、このダイヤモンド膜は、SEM観察、X線回折(θ-2θ、極点図)によって、ヘテロエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際にArガス圧を1×10-1Torr(約1.3×10Pa)とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.4°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮1900MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出して、ダイヤモンド膜を調査した。すると、このダイヤモンド膜は、SEM観察、X線回折(θ-2θ、極点図)によって、ヘテロエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際に、基板温度を600℃とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.4°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮5200MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出して、ダイヤモンド膜を調査した。すると、このダイヤモンド膜は、SEM観察、X線回折(θ-2θ、極点図)によって、ヘテロエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際に、基板温度を1000℃とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.35°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮10000MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出して、ダイヤモンド膜を調査した。すると、このダイヤモンド膜は、SEM観察、X線回折(θ-2θ、極点図)によって、ヘテロエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際にArガス圧を1×10-2Torr(約1.3Pa)とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.49°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮20000MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出して観察すると、ダイヤモンド膜は既に基板全面で数mm程度のサイズにバラバラの状態に亀裂が入っており、MgO基板とIr膜との界面で剥離していた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際にArガス圧を2×10-1Torr(約2.6×10Pa)とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.5°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮2000MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様の条件で前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出し観察すると、ダイヤモンド膜に突起状の欠陥が発生していた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際に、基板温度を1100℃とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.3°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮20000MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出し観察すると、ダイヤモンド膜は既に基板全面で数mm程度のサイズにバラバラの状態に亀裂が入っており、MgO基板とIr膜との界面で剥離していた。
Ir膜をR.F.マグネトロンスパッター法によりMgO基板上に成長させる際に基板温度を400℃とする他は、実施例1と同様の条件で、Ir膜の成長を行った。
得られたIr膜の結晶性は、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.6°のものであった。また、製膜前後での基板の反りの変化量から求めたIr膜の応力は、圧縮7000MPaであった。さらに、断面SEM観察の結果、Ir膜の厚さは0.7μmであった。
その後、実施例1と同様に前処理およびダイヤモンド膜の気相合成を行った。
そして、ダイヤモンド膜の気相合成後、基板をチャンバー内から取り出し、得られたダイヤモンド膜を、SEM観察、X線回折(θ-2θ、極点図)によって調べた結果、多結晶ダイヤモンドであることがわかった。
10…スパッター装置、 11…基板、 12…ターゲット電極材料、
13…ヒーター、 14…チャンバー、 15…ガス排出管、16…ガス導入管、
17…プラズマ、
20…DCプラズマ装置、 21…基板、 22…負電圧印加電極、
23…チャンバー、 24…ガス排出管、 25…ガス導入管、 26…プラズマ、
30…マイクロ波CVD装置、 31…ガス導入管、 32…ガス排出管、
33…チャンバー、 34…基板台、 35…マイクロ波電源、 36…導波管、
37…基板。
Claims (8)
- 少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ=1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。
- 前記Ir膜の応力が、圧縮1×102〜1×104MPaであることを特徴とする請求項1に記載の積層基板。
- 前記Ir膜の厚みが、1.5μm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の積層基板。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の積層基板を用いて作製したデバイス。
- 少なくとも、MgO基板上にイリジウム(Ir)膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程と、該Ir膜上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記Ir膜のヘテロエピタキシャル成長を、R.F.マグネトロンスパッター法により、ターゲットにIr、基板温度600〜1000℃、ガス圧3×10-2〜1×10-1Torrの条件で行うことを特徴とする積層基板の製造方法。
- 前記ヘテロエピタキシャル成長させるIr膜の厚みを、1.5μm以下とすることを特徴とする請求項5に記載の積層基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド膜の気相合成を、マイクロ波CVD法により、基板温度800〜1000℃の条件で行うことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の積層基板の製造方法。
- 前記Ir膜のヘテロエピタキシャル成長工程後、ダイヤモンド膜の気相合成工程前に、前記Ir膜の表面を、DCプラズマ法により前処理することを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の積層基板の製造方法。
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