JP2011084411A - 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶SiC基板11の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10であって、イリジウム膜又はロジウム膜12は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶SiC基板11とイリジウム膜又はロジウム膜12の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜13をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10’であってもよい。基材10’がMgO膜13を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜12の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。
【選択図】図1
Description
従って、ダイヤモンドは、高周波・高出力電子デバイスに適した究極の半導体と云われている。そのため、基板として、単結晶のダイヤモンドを利用した各種電子デバイスの研究が進められている。
しかしながら、HPHT単結晶ダイヤモンドは結晶性が高いものが得られる一方で大型化が困難で、サイズが大きくなると極端に価格が高くなり、デバイス用基板としての実用化を困難としている。
最近では単結晶ダイヤモンドとして、HPHT単結晶ダイヤモンド基材(種基材)上に直接気相合成法でホモエピタキシャル成長させたホモエピタキシャルCVD単結晶ダイヤモンドも報告されている(非特許文献1参照)。
以上より、本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材であれば、大面積で高結晶性の単結晶ダイヤモンドを低コストに成長させることができる基材となる。
このように、単結晶SiC基板の結晶構造が、立方晶系のβ−SiCであれば、より結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができる基材となる。
このような厚さの単結晶SiC基板であれば、ハンドリングが容易で、厚さが20.00mm以下であれば、両面研磨等も良好に行うことができるとともに、コストも過剰になることもない。
このように、本発明の基材のイリジウム膜又はロジウム膜は、スパッター法でヘテロエピタキシャル成長させたものとすることができる。
このように、イリジウム膜又はロジウム膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性が十分に高く、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいため、確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらには安価な基材となる。
このように、バイアス処理を施されたものであれば、表面にダイヤモンド成長核が形成されるため、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる基材となる。
このように、本発明の基材がMgO膜を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合には、MgO膜を良好な分離層として利用でき、容易に分離して単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる基材となる。
このように、本発明の基材のMgO膜は、スパッター法又は電子ビーム蒸着法で成長させたものとすることができる。
このように、MgO膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性がより高いものとなり、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいため確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらには安価な基材となる。
以上より、本発明の製造方法であれば、安価で高結晶性の単結晶ダイヤモンド基板を効率的に製造することができる。
このように、イリジウム膜又はロジウム膜を成長させる前に、MgO膜を成長させることで、その上にイリジウム膜又はロジウム膜をより結晶性良く成長させることができ、また、分離工程で、MgO膜を分離層として容易に単結晶ダイヤモンドを分離させることができる。
このように、予めバイアス処理を施すことで、表面にダイヤモンド成長核が形成され、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる。
このように、本発明の製造方法において、単結晶ダイヤモンドは、マイクロ波CVD法又は直流プラズマCVD法によりヘテロエピタキシャル成長させることができる。
図1は、本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材の実施態様の一例を示す概略図である。図2は、本発明の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法の実施態様の一例を示すフロー図である。
このように、本発明の基材がMgO膜を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合には、MgO膜を良好な分離層として利用でき、容易に分離して単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる基材となる。
本発明では、図2(a)に示すように、まず単結晶SiC基板11を準備する。このように、単結晶SiC基板を種基材として用いれば、従来のMgO種基材に比べて高結晶性のものを比較的容易に得ることができるため、その表面上に良好なエピタキシャル成長を行うことができる。
このように、単結晶SiC基板の結晶構造が、立方晶系のβ−SiCであれば、より結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができる。
このように、MgO膜を形成することで、その上にイリジウム膜又はロジウム膜をより結晶性良く成長させることができ、また、後工程の単結晶ダイヤモンド分離の際に薬品耐性の比較的低いMgO膜を分離層として利用できるため、MgO膜部分をエッチングして単結晶ダイヤモンドを容易に分離できる。また、MgOはダイヤモンドと線膨張係数が大幅に異なるが、本発明では膜の態様であるため、応力を吸収することができ、単結晶ダイヤモンドの成長において特に問題とはならない。
このように、MgO膜の厚さが5Å以上あれば膜厚均一性と結晶性を高くでき、厚さが100μm以下であれば種基材部分や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいためより確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらにはコスト的に有利となり安価にできる。
ただし、本発明においては、このMgO膜を必ずしも形成しなくともよい。
このとき、成長条件等は特に限定されないが、例えばR.F.マグネトロンスパッター法で十分な速度で成長させることができる。また、前工程でMgO膜13を成長させていない場合には、単結晶SiC基板11表面に直接イリジウム膜又はロジウム膜12を成長させることもできる。このように成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12は、種基材である単結晶SiC基板の結晶性が良いため、その表面上に直接又はMgO膜を介して、容易に結晶性の良いものを成長させることができる。
このように、イリジウム膜又はロジウム膜の厚さを5Å以上まで成長させれば、膜厚均一性と結晶性をより高くでき、厚さが100μm以下であれば基材や単結晶ダイヤモンドとの間に発生する応力が小さいためより確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、さらにはコストを低減できる。
上記のようにして、MgO膜13を成長させた場合の本発明の単結晶ダイヤモンド成長用基材10’を作製することができる。
このバイアス処理は、例えば、特開2007−238377に記載の様な方法で、先ず、予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド成長核を形成する前処理を行って、イリジウム膜又はロジウム膜の表面に方位の揃ったダイヤモンド成長核を形成する。これにより、後工程で、単結晶ダイヤモンドを結晶性よく、十分な成長速度で成長させることができる。
このように、単結晶ダイヤモンドを、本発明の基材上に成長させることで、基材中で最も厚く熱膨張により応力が発生しやすい種基材として単結晶SiC基板を用いているため、単結晶ダイヤモンド成長の際にも応力は生じにくく割れを防止でき、また、イリジウム膜又はロジウム膜も結晶性が良いため、高結晶性の単結晶ダイヤモンドを成長させることができる。
分離させる方法としては、特に限定されず、例えば、リン酸溶液や熱混酸などのウェットエッチ液に浸けて、単結晶ダイヤモンド/イリジウム膜又はロジウム膜とMgO膜/単結晶SiC基板とに分離した後に、機械的研磨法で残ったイリジウム膜又はロジウム膜を除去することで単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる。このように、MgO膜を分離層として用いることで、容易に単結晶ダイヤモンドを分離できる。また、MgO膜を成長させていない場合には、単結晶SiC基板もイリジウム膜又はロジウム膜も薬品耐性の高い材質であるため、単結晶ダイヤモンドを分離させるほどのエッチングは困難であり、ウェットエッチ液に浸漬させないで、イリジウム膜/単結晶SiC基板を一度に機械的研磨法で除去したり、レーザーで単結晶ダイヤモンドとイリジウム膜又はロジウム膜の界面付近からカットしても良い。また、この研磨やレーザーによる分離方法は、MgO膜を形成している場合でも適用可能である。
(実施例1)
直径20.0mm、厚み0.25mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶β−SiC基板を種基材として用意した。そして、この種基材の単結晶ダイヤモンド成長を行う面側に、電子ビーム蒸着法により、真空中、基板温度800℃の条件で厚さ0.1μmになるまでMgO膜をエピタキシャル成長させた。
また、バイアス処理及びDCプラズマCVDを行う際の電気的導通のために、基板温度を100℃とした他は同じ条件で、裏面にもIrを1.5μm成長させた。
先ず、基材をバイアス処理装置の負電圧印加電極(カソード)上にセットし、真空排気を行った。次に、基材を600℃に加熱してから、3vol.%水素希釈メタンガスを導入し、圧力を160hPa(120Torr)とし、バイアス処理を行った。すなわち、両電極間にDC電圧を印加して、所定の直流電流を流した。
そして最後に、このバイアス処理済み基材上に、DCプラズマCVD法によって、900℃で30時間、単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させた。
一方、分離後の基材は単結晶SiCのきれいな面が出る程度に研磨加工して、種基材の単結晶SiC基板として再利用できた。
種基材であるβ−SiC基板上にMgO膜を形成しないで、直接、Ir膜をヘテロエピタキシャル成長させる他は、実施例1と同様に単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
ベルジャーから取り出した製造物は、割れのないダイヤモンド/Ir/SiCの積層構造であった。この場合は薬品耐性の高い材料ばかりで、熱混酸でウェットエッチング処理しても分離できないため、レーザーでダイヤモンドとIrとの界面付近からカットして単結晶ダイヤモンドの自立構造(単結晶ダイヤモンド基板)とした。表面も仕上げ研磨を行ってデバイス用途でも使用できるレベルの面粗さに仕上げた。
一方、分離後の基材は単結晶SiCのきれいな面が出る程度に研磨加工して、種基材の単結晶SiC基板として再利用できた。
種基材として、5.0mm角、厚み0.5mmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を使用することの他は、実施例1と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
種基材として、5.0mm角、厚み120μmで方位(100)の両面研磨加工単結晶MgO基板を使用することの他は、実施例1と同様に、Ir成長、バイアス処理を行って、基材を用意し、その上にDCプラズマCVD法での単結晶ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長を行った。
ベルジャーを開けて、チャンバー内の製造物を見ると、基材および単結晶ダイヤモンド部分共に1mm角程度の細かい破片に割れていた。
12…イリジウム膜又はロジウム膜、 13…MgO膜、
14…単結晶ダイヤモンド、 15…単結晶ダイヤモンド基板。
Claims (13)
- 単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、単結晶SiC基板と、該単結晶SiC基板の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜とを有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記単結晶SiC基板の結晶構造が、立方晶系のβ−SiCであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記単結晶SiC基板の厚さが、0.03mm〜20.00mmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜又はロジウム膜が、スパッター法でヘテロエピタキシャル成長させたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜又はロジウム膜の厚さが、5Å〜100μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記イリジウム膜又はロジウム膜の表面が、バイアス処理を施されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記単結晶SiC基板と前記イリジウム膜又はロジウム膜の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜を有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記MgO膜が、前記単結晶SiC基板上にスパッター法又は電子ビーム蒸着法でヘテロエピタキシャル成長させたものであることを特徴とする請求項7に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 前記MgO膜の厚さが、5Å〜100μmであることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の単結晶ダイヤモンド成長用基材。
- 単結晶ダイヤモンド基板を製造する方法であって、少なくとも、
単結晶SiC基板を準備する工程と、
該準備した単結晶SiC基板上にイリジウム膜又はロジウム膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜上に単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
該ヘテロエピタキシャル成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させて、単結晶ダイヤモンド基板を得る工程とを有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。 - 前記イリジウム膜又はロジウム膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程の前に、前記単結晶SiC基板上にMgO膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程を行い、該MgO膜上に前記イリジウム膜又はロジウム膜をヘテロエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項10に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程の前に、予め、前記イリジウム膜又はロジウム膜の表面に対してバイアス処理を施すことを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させる工程において、マイクロ波CVD法又は直流プラズマCVD法により単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項10乃至請求項12のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
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