KR20150032617A - 단결정 다이아몬드의 제조방법 - Google Patents

단결정 다이아몬드의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150032617A
KR20150032617A KR20140089123A KR20140089123A KR20150032617A KR 20150032617 A KR20150032617 A KR 20150032617A KR 20140089123 A KR20140089123 A KR 20140089123A KR 20140089123 A KR20140089123 A KR 20140089123A KR 20150032617 A KR20150032617 A KR 20150032617A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
crystal diamond
seed substrate
substrate
flatness
Prior art date
Application number
KR20140089123A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102267800B1 (ko
Inventor
히토시 노구치
다이수케 타케우치
사토시 야마사키
마사히코 오구라
히로미츠 카토
토시하루 마키노
히데요 오오쿠시
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤, 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20150032617A publication Critical patent/KR20150032617A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102267800B1 publication Critical patent/KR102267800B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(과제) 기상 합성에 의해 얻어진 단결정 다이아몬드종 기판에 기상 합성 단결정 다이아몬드를 안정하게 추가 퇴적시켜, 고품질의 단결정 다이아몬드를 제조하는 방법을 제공한다.
(해결수단) 기상 합성에 의해 얻어진 단결정 다이아몬드종 기판을 스테이지에 놓고 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 단결정 다이아몬드의 제조 방법으로서, (1) 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키기 전의 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도를 측정하는 공정, (2) 상기 평탄도의 측정 결과에 기초하여 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 것인지의 여부를 판정하는 공정, (3) 하기의 2공정 중 어느 1공정을 갖는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법.
(3a) 상기 판정에 기초하여 상기 평탄화가 필요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행한 후, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정
(3b) 상기 판정에 기초하여 상기 평탄화가 불요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행하지 않고, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정

Description

단결정 다이아몬드의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL DIAMOND}
본 발명은 단결정 다이아몬드의 제조방법에 관한 것이다.
다이아몬드는 5.47eV의 와이드 밴드 갭에서 절연 파괴 전계 강도가 10MV/cm로 매우 높다. 또한, 물질에서 최고의 열전도율을 갖기 때문에, 이것을 전자 디바이스에 사용하면, 고출력 전력 디바이스로서 유리하다.
또한, 다이아몬드는 드리프트 이동도가 높고, Johnson 성능 지수를 비교해도 반도체 중에서도 가장 고속 전력 디바이스로서 유리하다. 따라서, 다이아몬드는 고주파·고출력 전자 디바이스에 적합한 궁극의 반도체라고 말해지고 있다.
현재, 다이아몬드 반도체 제작용의 단결정 다이아몬드는 대부분이 고압법으로 합성된 Ib형이라고 불리는 다이아몬드이다. 이 Ib형 다이아몬드는 질소 불순물을 많이 함유하고, 또한 사방 5mm 정도의 사이즈까지밖에 얻어지지 않아, 실용성은 낮다.
그것에 대하여 기상 합성(Chemical Vapor Deposition : CVD)법으로는 다결정 다이아몬드이면, 고순도로 6인치 직경 정도의 대면적의 다이아몬드가 얻어진다. 그러나, 통상 전자 디바이스에 적합한 단결정화가 곤란했다. 이것은 베이스 기판으로서 종래 단결정 Si 기판이 사용되기 때문에, 다이아몬드와의 격자 정수의 차가 커서(미스매치도 52.6%) 헤테로 에피택셜 성장이 매우 곤란하기 때문이다.
이 때문에, 각종 검토가 진행되고, Pt(비특허문헌 1참조)나 Ir(비특허문헌 2참조)을 베이스 기판 상에 하지막으로서 제막하고, 이 상에 다이아몬드를 제막하는 방법이 유효하다고 보고되고 있다.
현재, 특히 Ir막의 연구가 가장 진행되고 있고, 이 방법에서는 MgO, Si 등의 베이스 기판 상에 Ir막을 헤테로 에피택셜 성장시킨다. 또한, Ir막과 베이스 기판 사이에 필요에 따라서, 버퍼층을 넣는 것도 제안되고 있다. 또한, DC 플라즈마 CVD법으로 수소 희석 메탄 가스에 의한 이온 조사 사전 처리를 행한 후, 다이아몬드의 성장을 행하는 방법에 의해, 당초의 서브 미크론 사이즈부터 현재에서는 수밀리 사이즈의 것까지 얻어지고 있다
J.Mater.Res. Vol.11(1996) pp.2955, 2956 Jpn.J.Appl.Phys. Vol.35(1996) pp.L1072-L1074
상기와 같은 하지막을 사용한 CVD법에 의한 단결정 다이아몬드의 제조방법에서는 베이스 기판과 하지막, 또한 다이아몬드의 선팽창 계수의 차는 크고, 예를 들면 MgO기판과 Ir막, 또는 다이아몬드의 선팽창 계수가 각각 13.8×10-6K-1, 7.1×10-6K-1, 1.1×10-6K-1이고, 다이아몬드의 성장 후의 기판은 다이아몬드의 두께가 작아도 볼록 형상의 큰 휘어짐을 발생한다. 이것은 단결정 다이아몬드의 파손의 원인이 되어 실용상의 문제가 된다.
그래서, 하지막을 제막한 베이스 기판(하지 기판)에 얇게 다이아몬드층을 성장시킨 후, 다이아몬드층/하지 기판으로부터 다이아몬드층을 분리하고, 얇은 다이아몬드 자립 기판으로 한다. 또한, 이것을 단결정 다이아몬드종 기판으로서 더욱 두껍게 다이아몬드를 추가 퇴적해서 마무리하는 방법이 유효하다.
그러나, 이러한 종 기판은 제작 조건에 따라서는 큰 휘어짐을 가질 경우가 있다. 이러한 큰 휘어짐을 갖는(저평탄도의) 종 기판에, 마이크로파 CVD법, DC플라즈마 CVD법 등의 방법으로 추가 퇴적하면, 종 기판이 놓인 스테이지와 종 기판의 사이에 간극이 발생한다. 이 간극이 있으면, 종 기판이 부분적으로 고온이 되어 단결정 다이아몬드의 품질 저하의 원인이 된다. 특히, 고전력이나 고탄소 농도, 고압력 등 퇴적 속도를 높게 하는 조건에서는 이 경향이 현저하게 된다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것이고, 기상 합성에 의해 얻어진 단결정 다이아몬드종 기판에 기상 합성 단결정 다이아몬드를 안정하게 추가 퇴적시켜, 고품질의 단결정 다이아몬드를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의하면,
기상 합성에 의해 얻어진 단결정 다이아몬드종 기판을 스테이지에 놓고 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 단결정 다이아몬드의 제조방법으로서,
(1) 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키기 전의 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도를 측정하는 공정,
(2) 상기 평탄도의 측정 결과에 기초하여 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할지의 여부를 판정하는 공정,
(3) 하기의 2공정 중 어느 1공정을 갖는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법을 제공한다.
(3a) 상기 판정에 기초하고, 상기 평탄화가 필요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행한 후, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정.
(3b) 상기 판정에 기초하고, 상기 평탄화가 불요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행하지 않고, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정.
이러한 단결정 다이아몬드의 제조방법이면, 고평탄도의 단결정 다이아몬드종 기판을 사용하거나 또는 저평탄도의 종 기판의 평탄화를 행함으로써 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있기 때문에 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 가능해진다.
또한, 이 때, 상기 (3a)공정에 있어서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도에 따라서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 표면 또는 이면에, 저전력 조건에서 기상 합성 단결정 다이아몬드를 퇴적시킨 평탄화층을 형성함으로써 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 수 있다.
이것에 의해 저평탄도의 단결정 다이아몬드종 기판이어도 평탄화층을 형성함으로써 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있어 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 가능해진다.
또한, 이 때, 상기 (3a)공정에 있어서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도에 따라서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판을 상기 스테이지에 놓고, 상기 스테이지에 형성된 흡착 구멍으로부터 감압을 행하고, 챔버내 기체 압력과 스테이지 흡착 구멍내 기체 감압력의 차압력으로 상기 단결정 다이아몬드종 기판을 상기 스테이지에 흡착시킴으로써 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 수 있다.
이것에 의해, 저평탄도의 단결정 다이아몬드종 기판이어도, 종 기판을 스테이지에 흡착시킴으로써 평탄하게 할 수 있어 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있기 때문에 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 가능해진다.
또한, 상기 (2)공정의 판정은 상기 측정된 평탄도가 20㎛보다 큰 것을 상기평탄화가 필요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판으로 하고, 상기 측정된 평탄도가 20㎛ 이하인 것을 상기 평탄화가 불요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판으로 할 수 있다.
단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 것인지의 여부의 판정 기준을 이러한 값으로 함으로써 보다 고평탄도의 종 기판에 추가 퇴적을 행할 수 있기 때문에 보다 확실하게 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 가능해진다.
(발명의 효과)
이상과 같이, 본 발명의 단결정 다이아몬드의 제조방법이면, 고평탄도의 단결정 다이아몬드종 기판을 사용하거나 또는 저평탄도의 종 기판의 평탄화를 행함으로써 종 기판과 스테이지를 충분하게 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있으므로 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명의 단결정 다이아몬드는 결정성 및 그 사이즈로부터 실용의 전자 디바이스 제작에 매우 유용하다. 따라서, 이러한 단결정 다이아몬드를 LED, 파워 디바이스 등의 전자 디바이스용 기판으로 하면, 소망의 특성을 충분하게 얻는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 단결정 다이아몬드 제조방법의 일예를 나타내는 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 실시형태 관하여 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명자는 기상 합성에 의해 얻어진 얇은 단결정 다이아몬드종 기판에 기상 합성 단결정 다이아몬드를 안정하게 추가 퇴적시키기 위해서는 CVD 장치의 스테이지와 종 기판을 충분히 접촉시키는 것이 필요하고, 고평탄도의 종 기판이면, 스테이지와 종 기판을 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.
또한, 본 발명자는 저평탄도의 종 기판이어도, 종 기판의 표면 또는 이면에 저퇴적 속도로 평탄화층을 형성함으로써 종 기판을 평탄화하거나 또는 스테이지에 설치한 흡착 구멍으로부터 감압 흡착해서 종 기판을 강제적으로 교정해서 평탄화함으로써 스테이지와 종 기판을 충분히 접촉하도록 하는 것을 발견했다.
본 발명은 기상 합성에 의해 얻어진 단결정 다이아몬드종 기판을 스테이지에 놓고 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 단결정 다이아몬드의 제조방법으로서,
(1) 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키기 전의 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도를 측정하는 공정,
(2) 상기 평탄도의 측정 결과에 기초하여 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 것인지의 여부를 판정하는 공정,
(3) 하기의 2공정 중 어느 1공정을 갖는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법이다.
(3a) 상기 판정에 기초하여 상기 평탄화가 필요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행한 후, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정.
(3b) 상기 판정에 기초하여 상기 평탄화가 불요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행하지 않고, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정.
본 발명의 단결정 다이아몬드 제조방법은 예를 들면, 도 1의 플로우 차트에 나타내어지는 흐름으로 행할 수 있다.
본 발명에 사용하는 단결정 다이아몬드종 기판은 예를 들면, 베이스 기판 상에 스퍼터법 등에 의해 하지막을 제막하고, 이 하지막을 제막한 베이스 기판에 다이아몬드 성장 핵 형성을 위한 사전 처리를 행한 후, CVD법에 의해 다이아몬드를 헤테로 에피택셜 성장시켜, 에칭법 등에 의해 다이아몬드층을 분리함으로써 얻을 수 있다(도 1(0)).
이 경우, 베이스 기판으로서는 예를 들면, MgO기판이나 Si기판을 사용할 수 있다.
또한, 하지막으로서는 예를 들면 Ir막이나 Pt막을 사용할 수 있다.
하지막을 제막할 때는 예를 들면, 원료로서 Ir을 이용하고, 13.56MHz의 R.F. 마그네트론 스퍼터법으로, 전력 1,000W, Ar가스 분위기, 챔버내 압력 5×10-2Torr의 조건에서 제막을 행함으로써 하지막을 제막할 수 있다.
또한, 다이아몬드 성장 핵 형성을 위한 사전 처리를 행할 때는 예를 들면, 원료 가스로서 수소 희석 메탄을 사용할 수 있다. 구체적으로는 바이어스법으로, 수소 희석 메탄(CH4의 체적)/{(CH4+H2)의 체적}=5.0vol.%, 챔버내 압력 100Torr로 기판측 전극에 부전압을 인가해서 90sec간 플라즈마에 노출함으로써 다이아몬드 성장 핵을 형성할 수 있는다.
또한, 이하 수소 희석 메탄의 vol.%는 (CH4의 체적)/{(CH4+H2)의 체적}으로 한다.
또한, 하지막을 제막한 베이스 기판에 다이아몬드를 헤테로 에피택셜 성장 시킬 때는 예를 들면, 원료 가스로서 수소 희석 메탄을 사용할 수 있다. 구체적으로는 2.45GHz의 마이크로파 CVD법으로, 전력 4,000W, 수소 희석 메탄 5.0vol.%, 챔버내 압력 110Torr의 조건에서 퇴적을 행함으로써 다이아몬드층을 형성할 수 있다.
다이아몬드층을 하지막/베이스 기판으로부터 분리할 때는 예를 들면, 인산 용액이나 열혼산 등의 웨트 에칭액에 침지시키고, 다이아몬드층/하지막과 베이스 기판으로 분리한 후에, 기계적 연마법으로 남은 하지막을 제거함으로써 단결정 다이아몬드종 기판을 얻을 수 있다. 또한, 웨트 에칭액에 침지시키지 않고, 하지막/베이스 기판을 한번에 기계적 연마법으로 제거해도 된다.
이렇게 하여 얻어진 기상 합성법에 의한 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도를 측정한다(도 1(1)). (1)공정의 평탄도의 측정은 예를 들면 촉침식 휨 측정기, 레이저 분광 간섭식 휨 측정기 및 레이저 사입사 간섭식 휨 측정기 등을 이용하여 행할 수 있다.
다음에, (1)공정에서 측정한 종 기판의 평탄도에 기초하여 종 기판의 평탄화를 행할 것인지의 여부를 판정한다(도 1(2)). 이 때, (1)공정에서 측정된 평탄도가 20㎛보다 큰 것을 평탄화가 필요한 단결정 다이아몬드종 기판으로 하고, (1)공정에서 측정된 평탄도가 20㎛ 이하인 것을 평탄화가 불요한 단결정 다이아몬드종 기판으로 할 수 있다. 물론, 이들에 한정되는 것은 아니고, 평탄도의 판정 기준은 요구되는 제품 다이아몬드 기판의 사양이나 종 기판을 놓는 스테이지의 평탄도 등에 따라 정하면 된다.
그리고, 평탄화가 필요하다고 판정된 경우에는 (3a)공정에 있어서, 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도에 따라서, 단결정 다이아몬드종 기판의 표면 또는 이면에, 저전력 조건에서 기상 합성 단결정 다이아몬드를 퇴적시킨 평탄화층을 형성함으로써 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 수 있다.
이것에 의해 저평탄도의 종 기판이어도, 평탄화층을 형성함으로써 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행하는 것이 가능해진다. 또한, 평탄화층을 형성할 때는 예를 들면, 원료 가스로서 수소 희석 메탄을 이용하여, 2.45GHz의 마이크로파 CVD법으로 전력 1,000W, 수소 희석 메탄 6.0vol.%, 챔버내 압력 110Torr의 조건에서 퇴적을 행함으로써 평탄화층을 형성할 수 있다.
또한, (3a)공정에 있어서, 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도에 따라서, 단결정 다이아몬드종 기판을 스테이지에 놓고, 스테이지에 형성된 흡착 구멍으로부터 감압을 행하고, 챔버내 기체 압력과 스테이지 흡착 구멍내 기체 감압력의 차압력으로 단결정 다이아몬드종 기판을 스테이지에 흡착시킴으로써 강제적으로 단결정 다이아몬드종 기판의 교정을 행하여 평탄화를 행할 수도 있다.
이것에 의해 저평탄도의 종 기판이어도, 종 기판을 스테이지에 흡착시킴으로써 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행하는 것이 가능해진다.
또한, (3a)공정에 있어서, 종 기판의 평탄화를 행한 후, 다시 평탄도의 측정을 행할 수도 있다. 또한, 필요가 있으면, 다시 평탄화를 행할 수도 있다. 이것에 의해 보다 확실하게 평탄한 종 기판을 이용하여 단결정 다이아몬드의 추가 퇴적을 행할 수 있다. 또한, 종 기판의 평탄화는 보다 평탄한 종 기판으로 하기 위해서, 평탄화층을 형성한 종 기판을 스테이지에 흡착시켜서 추가 퇴적하도록 해도 된다.
또한, (3a)공정 및 (3b)공정의 추가 퇴적은 예를 들면, 원료 가스로서 수소희석 메탄을 이용하여, 2.45GHz의 마이크로파 CVD법으로 전력 4,000W, 수소 희석 메탄 5.0vol.%, 챔버내 압력 110Torr의 조건에서 추가 퇴적을 행함으로써 단결정 다이아몬드를 제조할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 단결정 다이아몬드의 제조방법이면, 고평탄도의 단결정 다이아몬드종 기판을 사용하거나 또는 저평탄도의 종 기판의 평탄화를 행함으로써 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있기 때문에 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명의 단결정 다이아몬드는 결정성 및 그 사이즈로부터 실용의 전자 디바이스 제작에 매우 유용하다. 따라서, 이러한 단결정 다이아몬드를 LED, 파워 디바이스 등의 전자 디바이스용 기판으로 하면, 소망의 특성을 충분하게 얻는 것이 가능해진다.
(실시예)
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 들어서 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
(실시예 1)
사방 10.0mm, 두께가 1.0mm이고 방위(100)의 양면 연마 단결정 MgO를 베이스 기판으로서 준비하고, 다이아몬드 제막을 행하는 면측에 Ir를 헤테로 에피택셜 성장시켜 하지막으로 했다. 제막에는 직경 6인치, 두께 5mm, 순도 99.9% 이상의 Ir를 타겟으로 한 13.56MHz의 R.F.마그네트론 스퍼터법을 사용했다. MgO기판을 800℃에서 가열하고, 베이스 프레셔가 6×10-7Torr 이하가 되는 것을 확인한 후, Ar가스를 10sccm 도입했다. 배기계로 통하는 밸브의 개구도를 조절해서 5×10-2Torr로 한 후, R.F.전력 1,000W를 입력해서 15분간 제막을 행했다. 얻어진 Ir막은 두께 0.7㎛이었다.
다음에 Ir막을 제막한 MgO 기판을 사방 14mm로 평판형의 전극 상에 셋트하고, 베이스 프레셔가 1×10-6Torr 이하가 되는 것을 확인한 후, 원료 가스인 수소 희석 메탄 5.0vol.%을 500sccm 도입했다. 배기계로 통하는 밸브의 개구도를 조절해서 100Torr로 한 후, 기판측 전극에 부전압을 인가해서 90sec간 플라즈마에 노출시키고, Ir막을 제막시킨 MgO 기판의 표면에 다이아몬드 성장 핵을 형성했다.
다음에 2.45GHz의 마이크로파 CVD법에 의해 다이아몬드를 헤테로 에피택셜 성장시켰다. 기판을 마이크로파 CVD 장치의 챔버내에 셋트하고, 로터리 펌프로 10-3Torr 이하의 베이스 프레셔까지 배기한 후, 원료 가스인 수소 희석 메탄 5.0vol.%를 1,000sccm 도입했다. 배기계로 통하는 밸브의 개구도를 조절해서 챔버내를 110Torr로 한 후, 전력 4,000W의 마이크로파를 입력해서 10시간 제막을 행했다. 제막 중의 기판 온도를 파이로미터로 측정한 바 900℃이었다.
얻어진 다이아몬드층은 사방 10mm의 기판 전면에서 박리없이 완전한 연속막이고, 막두께는 50㎛, 평탄도는 60㎛이었다. Ir막/MgO기판을 에칭법으로 제거하고, 평탄도가 20㎛인 자립 구조 단결정 다이아몬드종 기판으로 했다. 평탄도가 20㎛인 점에서 상기 종 기판은 평탄화가 불요하다고 판정했다.
상기 종 기판을 스테이지에 놓고 다시 마이크로파 CVD법으로, 제막 시간을 50시간으로 하는 것 이외는 상기의 다이아몬드층의 퇴적 시와 같은 조건에서 추가 퇴적을 행하여 합계 300㎛의 단결정 다이아몬드를 얻었다.
이 단결정 다이아몬드는 SEM 관찰, X선 회절(θ-2θ, 극점도)에 의해, 호모에피택셜 다이아몬드라 판명되었다. 또한, 라만 분광 분석으로 평가한 결과, 비다이아몬드 성분을 포함하지 않는 고순도 다이아몬드인 것도 확인할 수 있었다.
(실시예 2)
종 기판을 제작하기 위한 다이아몬드층의 퇴적에 있어서의 마이크로파 CVD법으로의 제막 시간을 15시간으로 하는 것 이외는 실시예 1과 같은 조작을 행하여 막두께가 75㎛, 평탄도가 90㎛인 다이아몬드층을 얻었다. Ir막/MgO기판을 에칭법으로 제거하고, 평탄도가 60㎛인 자립 구조 단결정 다이아몬드종 기판으로 했다. 평탄도가 60㎛인 점에서 이 종 기판은 평탄화가 필요하다고 판정했다.
상기 종 기판을 평탄화하기 위해서, 종 기판의 이면에 대하여, 마이크로파 CVD법으로 1,000W, 수소 희석 메탄 6.0vol.%, 110Torr의 조건에서 5시간 퇴적을 행하여 평탄화층을 형성하고, 막두께가 80㎛, 평탄도가 20㎛인 종 기판으로 했다.
상기 종 기판을 스테이지에 놓고 다시 마이크로파 CVD법으로 제막 시간을 44시간으로 하는 것 이외는 실시예 1의 종 기판으로의 추가 퇴적 시와 같은 조건에서 추가 퇴적을 행하여 합계 300㎛의 단결정 다이아몬드를 얻었다.
이 단결정 다이아몬드는 SEM 관찰, X선 회절(θ-2θ, 극점도)에 의해, 호모에피택셜 다이아몬드인 것이 판명되었다. 또한, 라만 분광 분석으로 평가한 결과, 비다이아몬드 성분을 포함하지 않는 고순도 다이아몬드인 것도 확인할 수 있었다.
(실시예 3)
종 기판을 제작하기 위한 다이아몬드층의 퇴적에 있어서의 마이크로파 CVD법으로의 제막 시간을 15시간으로 하는 것 이외는 실시예 1과 같은 조작을 행하여 막두께가 75㎛, 평탄도가 90㎛인 다이아몬드층을 얻었다. Ir막/MgO기판을 에칭법으로 제거하고, 평탄도가 60㎛인 자립 구조 단결정 다이아몬드종 기판으로 했다. 평탄도가 60㎛인 점에서, 이 종 기판은 평탄화가 필요하다고 판정했다.
상기 종 기판을 평탄화하기 위해서, 종 기판을 CVD 장치의 스테이지에 놓고, 스테이지에 형성된 흡착 구멍으로부터 감압을 행하여 종 기판을 스테이지에 흡착시켰다. 흡착시의 종 기판의 평탄도는 20㎛이하가 되어 있는 것을 확인했다.
상기 종 기판에 다시 마이크로파 CVD법으로, 제막 시간을 45시간으로 하는 것 이외는 실시예 1의 종 기판으로의 추가 퇴적 시와 같은 조건에서 상기의 흡착을 행하면서 추가 퇴적을 행하여 합계 300㎛의 단결정 다이아몬드를 얻었다.
이 단결정 다이아몬드는 SEM 관찰, X선 회절(θ-2θ, 극점도)에 의해, 호모에피택셜 다이아몬드인 것이 판명되었다. 또한, 라만 분광 분석으로 평가한 결과, 비다이아몬드 성분을 포함하지 않는 고순도 다이아몬드인 것도 확인할 수 있었다.
(비교예)
종 기판을 제작하기 위한 다이아몬드층의 퇴적에 있어서의 마이크로파 CVD법으로의 제막 시간을 15시간으로 하는 것 이외는 실시예 1과 같은 조작을 행하여 다이아몬드층을 얻었다. 실시예와의 비교를 위해서 막두께 및 평탄도를 측정한 바, 각각 막두께가 75㎛, 평탄도가 90㎛이었다. 다음에, Ir막/MgO기판을 에칭법으로 제거하고, 다시 비교를 위해 평탄도를 측정한 바, 평탄도가 60㎛인 자립 구조 단결정 다이아몬드종 기판이었다.
평탄화를 행할 것인지의 여부를 판정하지 않고, 이 종 기판에 실시예 1의 종 기판으로의 추가 퇴적 시와 같은 조건에서 추가 퇴적을 행한 바, 종 기판의 스테이지와 접촉하지 않는 부분을 중심으로 기판 온도가 높게 되고, 단결정이 아닌 미세한 결정립을 갖는 다이아몬드가 퇴적했다.
이상과 같이, 고평탄도의 종 기판을 이용하여 추가 퇴적을 행한 실시예 1, 저평탄도의 종 기판에 평탄화층을 형성함으로써 종 기판을 평탄화하여 추가 퇴적을 행한 실시예 2, 및 저평탄도의 종 기판을 스테이지에 흡착시킴으로써 종 기판을 평탄화하여 추가 퇴적을 행한 실시예 3에서는 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행하여 고품질의 단결정 다이아몬드를 얻을 수 있었다.
한편, 저평탄도의 종 기판에 평탄화를 행할 것인지의 여부를 판정하지 않고, 그대로 추가 퇴적을 행한 비교예에서는 종 기판의 스테이지와 접촉하지 않는 부분을 중심으로 기판 온도가 높아져서 단결정 다이아몬드를 얻을 수 없었다.
이상의 것으로부터, 본 발명의 단결정 다이아몬드의 제조방법이면, 고평탄도의 단결정 다이아몬드종 기판을 사용하거나 또는 저평탄도의 종 기판의 평탄화를 행함으로써 종 기판과 스테이지를 충분히 접촉시켜서 안정하게 추가 퇴적을 행할 수 있기 때문에, 고품질한 단결정 다이아몬드를 얻는 것이 명확하게 되었다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 같은 작용 효과를 나타내는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (4)

  1. 기상 합성에 의해 얻어진 단결정 다이아몬드종 기판을 스테이지에 놓고 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 단결정 다이아몬드의 제조 방법으로서,
    (1) 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키기 전의 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도를 측정하는 공정,
    (2) 상기 평탄도의 측정 결과에 기초하여 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행할 것인지의 여부를 판정하는 공정,
    (3) 하기의 2공정 중 어느 1공정을 갖는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법.
    (3a) 상기 판정에 기초하여 상기 평탄화가 필요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행한 후, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정
    (3b) 상기 판정에 기초하여 상기 평탄화가 불요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판은 평탄화를 행하지 않고, 상기 기상 합성 단결정 다이아몬드를 추가 퇴적시키는 공정
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (3a)공정에 있어서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도에 따라서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 표면 또는 이면에, 저전력 조건에서 기상 합성 단결정 다이아몬드를 퇴적시킨 평탄화층을 형성함으로써 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행하는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (3a)공정에 있어서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄도에 따라서, 상기 단결정 다이아몬드종 기판을 상기 스테이지에 놓고, 상기 스테이지에 형성된 흡착 구멍으로부터 감압을 행하고, 챔버내 기체 압력과 스테이지 흡착 구멍내 기체 감압력의 차압력으로 상기 단결정 다이아몬드종 기판을 상기 스테이지에 흡착 시킴으로써 상기 단결정 다이아몬드종 기판의 평탄화를 행하는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (2)공정의 판정은 상기 측정된 평탄도가 20㎛보다 큰 것을 상기 평탄화가 필요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판으로 하고, 상기 측정된 평탄도가 20㎛ 이하인 것을 상기 평탄화가 불요한 상기 단결정 다이아몬드종 기판으로 하는 것을 특징으로 하는 단결정 다이아몬드의 제조방법.
KR1020140089123A 2013-09-19 2014-07-15 단결정 다이아몬드의 제조방법 KR102267800B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-194539 2013-09-19
JP2013194539A JP6112485B2 (ja) 2013-09-19 2013-09-19 単結晶ダイヤモンドの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150032617A true KR20150032617A (ko) 2015-03-27
KR102267800B1 KR102267800B1 (ko) 2021-06-22

Family

ID=51582225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140089123A KR102267800B1 (ko) 2013-09-19 2014-07-15 단결정 다이아몬드의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10066317B2 (ko)
EP (1) EP2851457B1 (ko)
JP (1) JP6112485B2 (ko)
KR (1) KR102267800B1 (ko)
CN (1) CN104451868B (ko)
TW (1) TWI527941B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5066651B2 (ja) * 2006-03-31 2012-11-07 今井 淑夫 エピタキシャルダイヤモンド膜下地基板の製造方法およびこの下地基板を使用するエピタキシャルダイヤモンド膜の製造方法
US10494713B2 (en) 2015-04-16 2019-12-03 Ii-Vi Incorporated Method of forming an optically-finished thin diamond film, diamond substrate, or diamond window of high aspect ratio
WO2017017940A1 (ja) * 2015-07-30 2017-02-02 信越化学工業株式会社 ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法
JP7017299B2 (ja) * 2015-07-30 2022-02-08 信越化学工業株式会社 ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法
WO2018012529A1 (ja) * 2016-07-14 2018-01-18 並木精密宝石株式会社 単結晶ダイヤモンド基板
JP7078947B2 (ja) * 2017-02-06 2022-06-01 信越化学工業株式会社 ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法
JP6923877B2 (ja) 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP6943388B2 (ja) 2017-10-06 2021-09-29 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP6773635B2 (ja) * 2017-12-18 2020-10-21 日本電信電話株式会社 結晶成長方法および結晶積層構造
JP7121941B2 (ja) 2018-03-09 2022-08-19 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
JP7328230B2 (ja) * 2018-08-27 2023-08-16 古河機械金属株式会社 半極性自立基板の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0918100B1 (en) * 1997-11-21 2001-12-19 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Independent Administrative Institution Method for producing homoepitaxial diamond thin film
JP2003277183A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法
JP2006248883A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス
JP2006315942A (ja) * 2005-04-15 2006-11-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2730145B2 (ja) * 1989-03-07 1998-03-25 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンド層の形成法
US5200231A (en) * 1989-08-17 1993-04-06 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing polycrystalline diamond layers
US5500077A (en) * 1993-03-10 1996-03-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of polishing/flattening diamond
JP3774904B2 (ja) * 1994-01-27 2006-05-17 住友電気工業株式会社 平坦なダイヤモンド膜の合成法とダイヤモンド自立膜及びダイヤモンド膜の研磨方法
JPH07243044A (ja) * 1994-02-28 1995-09-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの気相合成法
US5620745A (en) * 1995-12-19 1997-04-15 Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Method for coating a substrate with diamond film
WO1998046812A1 (fr) * 1997-04-16 1998-10-22 Ooo 'vysokie Tekhnologii' Procede de production de pellicules de diamant selon la methode de synthese en phase vapeur
US20060130767A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
GB0505752D0 (en) * 2005-03-21 2005-04-27 Element Six Ltd Diamond based substrate for gan devices
JP5594613B2 (ja) * 2005-04-15 2014-09-24 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法
JP2007284285A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド膜及びその製造方法
US20080170981A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 Genis Alfred R Enhanced diamond polishing
CN101303973A (zh) * 2008-07-01 2008-11-12 上海大学 一种n-ZnO/p-自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法
JP2010159185A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 積層基板とその製造方法及びダイヤモンド膜とその製造方法
US9157170B2 (en) * 2009-12-21 2015-10-13 Element Six Technologies Limited Single crystal diamond material
GB201021913D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
GB201121666D0 (en) * 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0918100B1 (en) * 1997-11-21 2001-12-19 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Independent Administrative Institution Method for producing homoepitaxial diamond thin film
JP2003277183A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法
JP2006248883A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス
JP2006315942A (ja) * 2005-04-15 2006-11-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.Mater.Res. Vol.11(1996) pp.2955, 2956
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.35(1996) pp.L1072-L1074

Also Published As

Publication number Publication date
EP2851457A1 (en) 2015-03-25
JP6112485B2 (ja) 2017-04-12
CN104451868A (zh) 2015-03-25
EP2851457B1 (en) 2018-10-24
US10066317B2 (en) 2018-09-04
CN104451868B (zh) 2017-10-17
TWI527941B (zh) 2016-04-01
JP2015059069A (ja) 2015-03-30
US20150075420A1 (en) 2015-03-19
TW201518562A (zh) 2015-05-16
KR102267800B1 (ko) 2021-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102267800B1 (ko) 단결정 다이아몬드의 제조방법
KR101130630B1 (ko) 적층기판, 적층기판의 제조방법 및 디바이스
US9200379B2 (en) Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate
US20100178234A1 (en) Multilayer substrate and method for producing the same, diamond film and method for producing the same
US20110081531A1 (en) Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate
JP5053553B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法
KR102551587B1 (ko) 다이아몬드 제막용 하지기판 및 이것을 이용한 다이아몬드기판의 제조방법
JP7256635B2 (ja) 積層基板、積層基板の製造方法及び自立基板の製造方法
CN112813409A (zh) 金刚石衬底及其制造方法
TW202120731A (zh) 鑽石基板及其製造方法
TWI736556B (zh) 在鈷薄膜上磊晶成長無缺陷、晶圓級單層石墨烯
CN110100304A (zh) Iii族氮化物半导体基板及iii族氮化物半导体基板的制造方法
CN114108087B (zh) 一种正交相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法
WO2022264754A1 (ja) ダイヤモンド基板及びその製造方法
Liu et al. Graphene crystals grown on a SiO 2/Si substrate at low temperatures by controlling the initial nucleation and suppressing subsequent multiple nucleation
JP2018167398A (ja) グラフェン膜、複合体、及びそれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant