JP2015059069A - 単結晶ダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、ダイヤモンドは、ドリフト移動度も高く、Johnson性能指数を比較しても、半導体の中でも最も高速電力デバイスとして有利である。従って、ダイヤモンドは、高周波・高出力電子デバイスに適した究極の半導体と云われている。
それに対して、気相合成(Chemical Vapor Deposition:CVD)法では、多結晶ダイヤモンドならば、高純度に6インチ径程度の大面積なダイヤモンドが得られる。しかし、通常電子デバイスに適する、単結晶化が困難であった。これは、ベース基板として従来単結晶Si基板が用いられるため、ダイヤモンドとの格子定数の差が大きく(ミスマッチ度52.6%)ヘテロエピタキシャル成長が非常に困難であるからである。
現在、特にIr膜の研究が最も進んでおり、この方法では、MgO、Siなどのベース基板上にIr膜をヘテロエピタキシャル成長させる。またIr膜とベース基板との間に必要に応じて、バッファー層を入れることも提案されている。さらに、DCプラズマCVD法で水素希釈メタンガスによるイオン照射前処理を行った後、ダイヤモンドの成長を行う方法により、当初のサブミクロンサイズから現在では数ミリサイズのものまで得られている。
しかしながら、このような種基板は作製条件によっては、大きな反りを持つ場合がある。このような大きな反りをもつ(低平坦度の)種基板に、マイクロ波CVD法、DCプラズマCVD法などの方法で追加堆積すると、種基板を載せるステージと種基板との間に隙間が発生する。この隙間があると、種基板が部分的に高温になり、単結晶ダイヤモンドの品質低下の原因となる。特に、高電力や高炭素濃度、高圧力など堆積速度を高くする条件ではこの傾向が顕著となる。
気相合成によって得られた単結晶ダイヤモンド種基板をステージに載せ気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる単結晶ダイヤモンドの製造方法であって、
(1)前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる前の前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦度を測定する工程、
(2)前記平坦度の測定結果に基づいて前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦化を行うか否かを判定する工程、
(3)下記の2工程のうちいずれか1工程、
(3a)前記判定に基づき、前記平坦化が必要な前記単結晶ダイヤモンド種基板は平坦化を行った後、前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる工程、
(3b)前記判定に基づき、前記平坦化が不要な前記単結晶ダイヤモンド種基板は平坦化を行わず、前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる工程、
を有することを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
更に、本発明者は、低平坦度の種基板であっても、種基板の表面又は裏面に低堆積速度で平坦化層を形成することで種基板を平坦化する、又はステージに設けた吸着孔から減圧吸着して種基板を強制的に矯正して平坦化することで、ステージと種基板とを充分に接触させられることを見出した。
(1)前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる前の前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦度を測定する工程、
(2)前記平坦度の測定結果に基づいて前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦化を行うか否かを判定する工程、
(3)下記の2工程のうちいずれか1工程、
(3a)前記判定に基づき、前記平坦化が必要な前記単結晶ダイヤモンド種基板は平坦化を行った後、前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる工程、
(3b)前記判定に基づき、前記平坦化が不要な前記単結晶ダイヤモンド種基板は平坦化を行わず、前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる工程、
を有することを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法である。
この場合ベース基板としては、例えばMgO基板やSi基板を用いることができる。
下地膜を製膜する際は、例えば、原料としてIrを用いて、13.56MHzのR.F.マグネトロンスパッター法で、電力1,000W、Arガス雰囲気、チャンバー内圧力5×10−2Torrの条件で製膜を行うことで、下地膜を製膜することができる。
なお、以下水素希釈メタンのvol.%は(CH4の体積)/{(CH4+H2)の体積}とする。
10.0mm角、厚さが1.0mmで方位(100)の両面研磨単結晶MgOをベース基板として用意し、ダイヤモンド製膜を行う面側にIrをヘテロエピタキシャル成長させ下地膜とした。製膜には直径6インチ、厚み5mm、純度99.9%以上のIrをターゲットとした13.56MHzのR.F.マグネトロンスパッター法を用いた。MgO基板を800℃に加熱し、ベースプレッシャーが6×10−7Torr以下になるのを確認した後、Arガスを10sccm導入した。排気系に通じるバルブの開口度を調節して5×10−2Torrとした後、R.F.電力1,000Wを入力して15分間製膜を行った。得られたIr膜は厚さ0.7μmであった。
この単結晶ダイヤモンドはSEM観察、X線回折(θ−2θ、極点図)によって、ホモエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
種基板を作製するためのダイヤモンド層の堆積におけるマイクロ波CVD法での製膜時間を15時間とする以外は実施例1と同様の操作を行い、膜厚が75μm、平坦度が90μmのダイヤモンド層を得た。Ir膜/MgO基板をエッチング法で除去して、平坦度が60μmの自立構造単結晶ダイヤモンド種基板とした。平坦度が60μmであることから、この種基板は平坦化が必要であると判定した。
この種基板を平坦化するために、種基板の裏面に対して、マイクロ波CVD法で、1,000W、水素希釈メタン6.0vol.%、110Torrの条件で5時間堆積を行って平坦化層を形成し、膜厚が80μm、平坦度が20μmの種基板とした。
この単結晶ダイヤモンドはSEM観察、X線回折(θ−2θ、極点図)によって、ホモエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
種基板を作製するためのダイヤモンド層の堆積におけるマイクロ波CVD法での製膜時間を15時間とする以外は実施例1と同様の操作を行い、膜厚が75μm、平坦度が90μmのダイヤモンド層を得た。Ir膜/MgO基板をエッチング法で除去して、平坦度が60μmの自立構造単結晶ダイヤモンド種基板とした。平坦度が60μmであることから、この種基板は平坦化が必要であると判定した。
この種基板を平坦化するために、種基板をCVD装置のステージに載せ、ステージに形成した吸着孔から減圧を行い、種基板をステージに吸着させた。吸着時の種基板の平坦度は20μm以下となっていることを確認した。
この単結晶ダイヤモンドはSEM観察、X線回折(θ−2θ、極点図)によって、ホモエピタキシャルダイヤモンドであることが判った。更にラマン分光分析でも評価した結果、非ダイヤモンド成分を含まない高純度ダイヤモンドであることも確認できた。
種基板を作製するためのダイヤモンド層の堆積におけるマイクロ波CVD法での製膜時間を15時間とする以外は実施例1と同様の操作を行い、ダイヤモンド層を得た。実施例との比較のため膜厚及び平坦度を測定したところ、それぞれ膜厚が75μm、平坦度が90μmであった。次に、Ir膜/MgO基板をエッチング法で除去して、再び比較のため平坦度を測定したところ、平坦度が60μmの自立構造単結晶ダイヤモンド種基板であった。
平坦化を行うか否かの判定を行わず、この種基板に実施例1の種基板への追加堆積時と同様の条件で追加堆積を行ったところ、種基板のステージと接触していない部分を中心に基板温度が高くなり、単結晶では無く細かい結晶粒を持つダイヤモンドが堆積した。
一方、低平坦度の種基板に平坦化を行うか否かの判定を行わず、そのまま追加堆積を行った比較例では、種基板のステージと接触していない部分を中心に基板温度が高くなり、単結晶ダイヤモンドを得ることができなかった。
Claims (4)
- 気相合成によって得られた単結晶ダイヤモンド種基板をステージに載せ気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる単結晶ダイヤモンドの製造方法であって、
(1)前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる前の前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦度を測定する工程、
(2)前記平坦度の測定結果に基づいて前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦化を行うか否かを判定する工程、
(3)下記の2工程のうちいずれか1工程、
(3a)前記判定に基づき、前記平坦化が必要な前記単結晶ダイヤモンド種基板は平坦化を行った後、前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる工程、
(3b)前記判定に基づき、前記平坦化が不要な前記単結晶ダイヤモンド種基板は平坦化を行わず、前記気相合成単結晶ダイヤモンドを追加堆積させる工程、
を有することを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法。 - 前記(3a)工程において、前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦度に応じて、前記単結晶ダイヤモンド種基板の表面又は裏面に、低電力条件で気相合成単結晶ダイヤモンドを堆積させた平坦化層を形成することで前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦化を行うことを特徴とする請求項1に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 前記(3a)工程において、前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦度に応じて、前記単結晶ダイヤモンド種基板を前記ステージに載せ、前記ステージに形成した吸着孔から減圧を行い、チャンバー内気体圧力とステージ吸着孔内気体減圧力との差圧力で前記単結晶ダイヤモンド種基板を前記ステージに吸着させることで前記単結晶ダイヤモンド種基板の平坦化を行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 前記(2)工程の判定は、前記測定された平坦度が20μmより大きいものを前記平坦化が必要な前記単結晶ダイヤモンド種基板とし、前記測定された平坦度が20μm以下のものを前記平坦化が不要な前記単結晶ダイヤモンド種基板とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
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KR1020140089123A KR102267800B1 (ko) | 2013-09-19 | 2014-07-15 | 단결정 다이아몬드의 제조방법 |
EP14003205.3A EP2851457B1 (en) | 2013-09-19 | 2014-09-16 | Method for manufacturing a single crystal diamond |
US14/488,629 US10066317B2 (en) | 2013-09-19 | 2014-09-17 | Method for manufacturing a single crystal diamond |
TW103132185A TWI527941B (zh) | 2013-09-19 | 2014-09-18 | 單晶鑽石的製造方法 |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017017940A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2017034220A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
EP3396031A1 (en) | 2017-04-26 | 2018-10-31 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate manufacturing method |
EP3467159A1 (en) | 2017-10-06 | 2019-04-10 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate manufacturing method |
JPWO2018012529A1 (ja) * | 2016-07-14 | 2019-05-09 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | 単結晶ダイヤモンド基板 |
JP2019108237A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 日本電信電話株式会社 | 結晶成長方法および結晶積層構造 |
EP3536437A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-11 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate manufacturing method |
WO2020045005A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 古河機械金属株式会社 | 半極性自立基板の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5066651B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-11-07 | 今井 淑夫 | エピタキシャルダイヤモンド膜下地基板の製造方法およびこの下地基板を使用するエピタキシャルダイヤモンド膜の製造方法 |
US10494713B2 (en) * | 2015-04-16 | 2019-12-03 | Ii-Vi Incorporated | Method of forming an optically-finished thin diamond film, diamond substrate, or diamond window of high aspect ratio |
JP7078947B2 (ja) * | 2017-02-06 | 2022-06-01 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02233591A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ダイヤモンド層の形成法 |
JPH07215796A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 平坦なダイヤモンド膜の合成法とダイヤモンド自立膜及びダイヤモンド膜の研磨方法 |
JPH07243044A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
JPH09169596A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Saint Gobain Norton Ind Ceramics Corp | 合成ダイヤモンド膜の成長方法及び装置 |
JPH11157990A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | ダイヤモンド単結晶薄膜製造方法及び装置 |
JP2007284285A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
US20110150745A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Daniel James Twitchen | Single crystal diamond material |
JP2012131707A (ja) * | 2005-04-15 | 2012-07-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5200231A (en) * | 1989-08-17 | 1993-04-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing polycrystalline diamond layers |
US5500077A (en) * | 1993-03-10 | 1996-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of polishing/flattening diamond |
DE69730246T2 (de) * | 1997-04-16 | 2005-08-04 | Ooo "Vysokie Tekhnologii" | Verfahren zur herstellung von diamantschichten mittels gasphasensynthese |
JP4374823B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2009-12-02 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板の製造方法 |
US7371022B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-05-13 | Sokudo Co., Ltd. | Developer endpoint detection in a track lithography system |
JP4528654B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2010-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 積層基板、積層基板の製造方法及びデバイス |
GB0505752D0 (en) * | 2005-03-21 | 2005-04-27 | Element Six Ltd | Diamond based substrate for gan devices |
JP5002982B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2012-08-15 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
US20080170981A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-17 | Genis Alfred R | Enhanced diamond polishing |
CN101303973A (zh) * | 2008-07-01 | 2008-11-12 | 上海大学 | 一种n-ZnO/p-自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法 |
JP2010159185A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 積層基板とその製造方法及びダイヤモンド膜とその製造方法 |
GB201021913D0 (en) * | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
GB201121666D0 (en) * | 2011-12-16 | 2012-01-25 | Element Six Ltd | Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates |
-
2013
- 2013-09-19 JP JP2013194539A patent/JP6112485B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-15 KR KR1020140089123A patent/KR102267800B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-16 EP EP14003205.3A patent/EP2851457B1/en active Active
- 2014-09-17 US US14/488,629 patent/US10066317B2/en active Active
- 2014-09-18 TW TW103132185A patent/TWI527941B/zh active
- 2014-09-18 CN CN201410478813.1A patent/CN104451868B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02233591A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ダイヤモンド層の形成法 |
JPH07215796A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 平坦なダイヤモンド膜の合成法とダイヤモンド自立膜及びダイヤモンド膜の研磨方法 |
US5587013A (en) * | 1994-01-27 | 1996-12-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Methods of synthesizing and polishing a flat diamond film and free-standing diamond film |
JPH07243044A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
JPH09169596A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Saint Gobain Norton Ind Ceramics Corp | 合成ダイヤモンド膜の成長方法及び装置 |
JPH11157990A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | ダイヤモンド単結晶薄膜製造方法及び装置 |
JP2012131707A (ja) * | 2005-04-15 | 2012-07-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法 |
JP2007284285A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
US20110150745A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Daniel James Twitchen | Single crystal diamond material |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021166293A (ja) * | 2015-07-30 | 2021-10-14 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP2017034220A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JP7420763B2 (ja) | 2015-07-30 | 2024-01-23 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
WO2017017940A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法 |
JPWO2018012529A1 (ja) * | 2016-07-14 | 2019-05-09 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | 単結晶ダイヤモンド基板 |
JP7161158B2 (ja) | 2016-07-14 | 2022-10-26 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | ダイヤモンド基板層の製造方法 |
EP3396031A1 (en) | 2017-04-26 | 2018-10-31 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate manufacturing method |
US10727129B2 (en) | 2017-04-26 | 2020-07-28 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Method of making a peeled substrate using laser irradiation |
EP3467159A1 (en) | 2017-10-06 | 2019-04-10 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate manufacturing method |
KR20190039860A (ko) | 2017-10-06 | 2019-04-16 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 제조 방법 |
JP2019108237A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 日本電信電話株式会社 | 結晶成長方法および結晶積層構造 |
KR20190106793A (ko) | 2018-03-09 | 2019-09-18 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 제조 방법 |
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