JPH02233591A - 単結晶ダイヤモンド層の形成法 - Google Patents
単結晶ダイヤモンド層の形成法Info
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- JPH02233591A JPH02233591A JP1054477A JP5447789A JPH02233591A JP H02233591 A JPH02233591 A JP H02233591A JP 1054477 A JP1054477 A JP 1054477A JP 5447789 A JP5447789 A JP 5447789A JP H02233591 A JPH02233591 A JP H02233591A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、良好な結晶性、平坦な表面、良好な電気的特
性及び良好な光学的特性を有する単結晶ダイヤモンド層
を形成する方法に関する。
性及び良好な光学的特性を有する単結晶ダイヤモンド層
を形成する方法に関する。
［従来の技術］
ダイヤモンドは、大きい禁制帯幅、大きい電子移動度、
大きいホール移動度、大きい飽和電子ｆタ動度、高い熱
伝導度、低い誘電率及び高い透明度を持つ。したがって
、半導体の材料、例えば耐熱性及び耐放射線性を有する
半導体素子、及び高速高出力半導体素子等の材料、並び
に青色及び紫外光の発光素子として使用することが期待
されている。
大きいホール移動度、大きい飽和電子ｆタ動度、高い熱
伝導度、低い誘電率及び高い透明度を持つ。したがって
、半導体の材料、例えば耐熱性及び耐放射線性を有する
半導体素子、及び高速高出力半導体素子等の材料、並び
に青色及び紫外光の発光素子として使用することが期待
されている。
近年、メタン等の炭化水素ガスを原科として用い、高周
波放電等の手段で原料ガスを分解励起し、気相中でダイ
ヤモンドを合成する方法が開発されている［メイニア（
Ｒ． Ｍａｎｉａ）等．クリスタル・リサーチ・アンド
・テクノロジー（ＣｒｙｓｔａｌＲｅｓｅａｒｃｈ ａ
ｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）． １ ６ ， ７
８ ５ （ １９ ８ ｌ ）コ。
波放電等の手段で原料ガスを分解励起し、気相中でダイ
ヤモンドを合成する方法が開発されている［メイニア（
Ｒ． Ｍａｎｉａ）等．クリスタル・リサーチ・アンド
・テクノロジー（ＣｒｙｓｔａｌＲｅｓｅａｒｃｈ ａ
ｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）． １ ６ ， ７
８ ５ （ １９ ８ ｌ ）コ。
例えば原料ガスとしてメタン及び水素を供給した場合、
メタン轟度エ％以下の条件で８１基板上などに、グラフ
ァイト成分が混在しない良質の多結晶ダイヤモンド層が
得られる。しかしこの条件で単結晶ダイヤモンド基板上
に単結晶ダイヤモンド層をエピタキシャル成長する場合
に、ダイヤモンド層が１μ以上の厚さになるとクラック
や異常成長が発生する［科学技術庁無機材質研究所研究
報告書，第３９号． ｐ３ ９（１ ９ ８ ４）］。
メタン轟度エ％以下の条件で８１基板上などに、グラフ
ァイト成分が混在しない良質の多結晶ダイヤモンド層が
得られる。しかしこの条件で単結晶ダイヤモンド基板上
に単結晶ダイヤモンド層をエピタキシャル成長する場合
に、ダイヤモンド層が１μ以上の厚さになるとクラック
や異常成長が発生する［科学技術庁無機材質研究所研究
報告書，第３９号． ｐ３ ９（１ ９ ８ ４）］。
［発明が解決しようとする課題コ
本発明の目的は、平坦な表面、良好な結晶性、及び良好
な電気的特性を有する単結晶ダイヤモンド層を形成する
ことにある。
な電気的特性を有する単結晶ダイヤモンド層を形成する
ことにある。
［課題を解決するための手段コ
本発明の要旨は、水素ガス及び炭素含有化合物から成る
原料物質を反応器に供給して反応させ、単結晶ダイヤモ
ンド層を気相中で単結晶基板上にエピタキシャル成長さ
せることから成り、炭素含有化合物に含まれる炭素原子
のモル敗Ｂと水素ガスのモル数Ａの比Ｂ／Ａが２〜１０
％であり、単結晶基板の格子定数ａ（入）が、式： （ａ−ａｏ）／ａ ｘ ｌ ０ ０ ≦ ２０［式
中、ａｏはダイヤモンドの格子定数（３．５６７人）で
ある。］ を満たすことを特徴とする単結晶ダイヤモンド層の形成
法に存する。
原料物質を反応器に供給して反応させ、単結晶ダイヤモ
ンド層を気相中で単結晶基板上にエピタキシャル成長さ
せることから成り、炭素含有化合物に含まれる炭素原子
のモル敗Ｂと水素ガスのモル数Ａの比Ｂ／Ａが２〜１０
％であり、単結晶基板の格子定数ａ（入）が、式： （ａ−ａｏ）／ａ ｘ ｌ ０ ０ ≦ ２０［式
中、ａｏはダイヤモンドの格子定数（３．５６７人）で
ある。］ を満たすことを特徴とする単結晶ダイヤモンド層の形成
法に存する。
本発明において、使用する原料物質は、水素かス及び炭
素含有化合物を含有して成り、ガス状で反応器に供給さ
れる。原料物質は不活性ガスを含有することが好ましく
、ドーバントを含有してもよい。
素含有化合物を含有して成り、ガス状で反応器に供給さ
れる。原料物質は不活性ガスを含有することが好ましく
、ドーバントを含有してもよい。
炭素含有化合物としては、たとえばメタン、エタン、プ
ロパン、ブタン等のパラフィン系炭素水素：エチレン、
ブロビレン、ブチレン等のオレフィン系炭化水素；アセ
チレン、アリレン等のアセチレン系炭化水素；ブタジエ
ン等のジオレフィン系炭化水素；シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロベンタン、シクロヘキサン等の指環式
炭化水素：シクロブタジエン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、ナフタレン等の芳香族炭化水素；アセトン、ジ
エチルケトン、ペンゾフェノン等のケ１・ン類：メタノ
ール、エタノール等のアルコール類，トリメチルアミン
、トリエチルアミンなどのアミン類；炭酸ガス、一酸化
炭素などを挙げることができる。これらは、ｌ種を単独
で用いることもできるし、２Ｍ以上を併用することもで
きる。あるいは炭素含有化合物は、グラファイト、石炭
、コークスなどの炭素原子のみから成る物質であっても
よい。
ロパン、ブタン等のパラフィン系炭素水素：エチレン、
ブロビレン、ブチレン等のオレフィン系炭化水素；アセ
チレン、アリレン等のアセチレン系炭化水素；ブタジエ
ン等のジオレフィン系炭化水素；シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロベンタン、シクロヘキサン等の指環式
炭化水素：シクロブタジエン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、ナフタレン等の芳香族炭化水素；アセトン、ジ
エチルケトン、ペンゾフェノン等のケ１・ン類：メタノ
ール、エタノール等のアルコール類，トリメチルアミン
、トリエチルアミンなどのアミン類；炭酸ガス、一酸化
炭素などを挙げることができる。これらは、ｌ種を単独
で用いることもできるし、２Ｍ以上を併用することもで
きる。あるいは炭素含有化合物は、グラファイト、石炭
、コークスなどの炭素原子のみから成る物質であっても
よい。
酸素含有化合物としては、酸素、水、一酸化炭素、二酸
化炭素、過酸化水素が容易に入手できるゆえ好ましい。
化炭素、過酸化水素が容易に入手できるゆえ好ましい。
不活性ガスは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、
クリプトン、キセノン、ラドンである。
クリプトン、キセノン、ラドンである。
ドーバントとしては、例えば、ホウ素、リチウム、窒素
、リン、硫黄、塩素、ヒ素又はセレンなどを含む化合物
あるいは単体を用いる。
、リン、硫黄、塩素、ヒ素又はセレンなどを含む化合物
あるいは単体を用いる。
炭素含有化合物の量は、従来の条件より過剰であり、炭
素含有化合物中の炭素原子のモル数Ｂと水素ガスのモル
敗Ａの比Ｂ／Ａが２〜ｌＯ％、好ましくは５〜７％であ
る。
素含有化合物中の炭素原子のモル数Ｂと水素ガスのモル
敗Ａの比Ｂ／Ａが２〜ｌＯ％、好ましくは５〜７％であ
る。
基板として単結晶を使用する。単結晶基板の格子定散ａ
（入）は、゜式 （ａ ａｏ）／ａ ｘ ｔｏｏ ≦ ２０［
式中、ａｏはダイヤモンドの格子定数（３ ５６７人）
である。コ を満たす。より好ましくはｌ （ａ−ａｏ）／ａ ｌ
Ｘ １ ０ ０・≦１０を満たす。単結晶基板と１，で
は、ダイヤモンド単結晶、Ｎｉ（ａ：３．５２４人）、
Ｎｉ／Ｃｕ合金、Ｃｕ（ａ：３．６ １ ４ ７人）、
ＭｇＯ（ａ：４ ．２ １ ３人）、β−ＳｉＣ（ａ：
４．３６人）、ａ−ＳｉＣ（ａ＋３．０８０７人）、Ａ
Ｉ２Ｎ（ａ： ３ ． １ ０ ４人）、Ｐ ｂＴ ｉ
Ｏ ｓｃａ３，９０人）、ＢａｔＴ ｉｏｉ（ａ：
３ ． ９ ９ ４人）、ＧａＮ（ａ＋３．１８０人）
、ＺｎＯ（ａ：３．２ ４ ０ ７人）、ＺｎＳ（ａ：
３．８２０人）、ＺｒＯ ２（ａ： ３ ． ６ ４人
）、酸化物超電導体ＴＩＬＢａｔＣａ＊Ｃｕ，０ １ｏ
（ａ： ３ ． ８ ５人）、ＹｔＢａｔＣｕｓＯ７−
ｘ（ａ：３．８ ９人）、Ｃ−ＢＮ（３．６１５人）な
どが挙（デられる。
（入）は、゜式 （ａ ａｏ）／ａ ｘ ｔｏｏ ≦ ２０［
式中、ａｏはダイヤモンドの格子定数（３ ５６７人）
である。コ を満たす。より好ましくはｌ （ａ−ａｏ）／ａ ｌ
Ｘ １ ０ ０・≦１０を満たす。単結晶基板と１，で
は、ダイヤモンド単結晶、Ｎｉ（ａ：３．５２４人）、
Ｎｉ／Ｃｕ合金、Ｃｕ（ａ：３．６ １ ４ ７人）、
ＭｇＯ（ａ：４ ．２ １ ３人）、β−ＳｉＣ（ａ：
４．３６人）、ａ−ＳｉＣ（ａ＋３．０８０７人）、Ａ
Ｉ２Ｎ（ａ： ３ ． １ ０ ４人）、Ｐ ｂＴ ｉ
Ｏ ｓｃａ３，９０人）、ＢａｔＴ ｉｏｉ（ａ：
３ ． ９ ９ ４人）、ＧａＮ（ａ＋３．１８０人）
、ＺｎＯ（ａ：３．２ ４ ０ ７人）、ＺｎＳ（ａ：
３．８２０人）、ＺｒＯ ２（ａ： ３ ． ６ ４人
）、酸化物超電導体ＴＩＬＢａｔＣａ＊Ｃｕ，０ １ｏ
（ａ： ３ ． ８ ５人）、ＹｔＢａｔＣｕｓＯ７−
ｘ（ａ：３．８ ９人）、Ｃ−ＢＮ（３．６１５人）な
どが挙（デられる。
ダイヤモンドの合成において、例えば、ダイヤモンドと
洛子定数の差が大きいシリコンを基板に用いると多結晶
のダイヤモンド層が得られる。多結晶層では結晶学的に
不安定な粒界が多数存在するため、炭素成分が反応器内
で過飽和である状聾では、グラファイトの折出が避ける
ことができない。それゆえ、従来、炭素含有化合物の量
を少なくし、多量の水素あるいは酸素含有化合物でエッ
チングを行いながら成長を行っていた。しかし、基板と
してダイヤモンド単結晶あるいはダイヤモンドに格子定
数が近い単結晶を用いた場合、ダイヤモンドの核成艮が
容易に行えるため、反応容器内に多量の炭素含有化合物
を供給して炭素成分の過飽和度が高く熱力学的に平衡に
近い状態で安定して高品質のダイヤモンド単結晶層をエ
ピタキシャル成長できる。
洛子定数の差が大きいシリコンを基板に用いると多結晶
のダイヤモンド層が得られる。多結晶層では結晶学的に
不安定な粒界が多数存在するため、炭素成分が反応器内
で過飽和である状聾では、グラファイトの折出が避ける
ことができない。それゆえ、従来、炭素含有化合物の量
を少なくし、多量の水素あるいは酸素含有化合物でエッ
チングを行いながら成長を行っていた。しかし、基板と
してダイヤモンド単結晶あるいはダイヤモンドに格子定
数が近い単結晶を用いた場合、ダイヤモンドの核成艮が
容易に行えるため、反応容器内に多量の炭素含有化合物
を供給して炭素成分の過飽和度が高く熱力学的に平衡に
近い状態で安定して高品質のダイヤモンド単結晶層をエ
ピタキシャル成長できる。
ダイヤモンドの気相成長法にはマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法、熱フィラメントＣＶＤ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法
、ＤＣプラズマＣＶＤ法、プラズマジェット法、化学輸
送法等があるが、本発明の効果は、成長法の如何によら
ず、いずれの方法においても発揮される。ｌＫＨｚ以上
の交流電界を用いたプラズマＣＶＤ法、特にマイクロ波
プラズマＣＶＤ法が、反応器等からの形成ダイヤモンド
層への汚染が少ないので好ましい。反応器内の圧力は、
通常、ｌ Ｏ−’〜１ ０ ’Ｔｏｒｒである。基板の
温度は、基板の種類に応じて異なるが、７００℃〜１０
００℃に保つことが好ましい。
Ｄ法、熱フィラメントＣＶＤ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法
、ＤＣプラズマＣＶＤ法、プラズマジェット法、化学輸
送法等があるが、本発明の効果は、成長法の如何によら
ず、いずれの方法においても発揮される。ｌＫＨｚ以上
の交流電界を用いたプラズマＣＶＤ法、特にマイクロ波
プラズマＣＶＤ法が、反応器等からの形成ダイヤモンド
層への汚染が少ないので好ましい。反応器内の圧力は、
通常、ｌ Ｏ−’〜１ ０ ’Ｔｏｒｒである。基板の
温度は、基板の種類に応じて異なるが、７００℃〜１０
００℃に保つことが好ましい。
第１図は、本発明で使用する装置の好ましい舌様を示す
概略図である。水素ガスｌ１メタンガス（炭素含有化合
物）２、ジボラン（ＢＪｌｅ）ガス３が質量流量計５で
計量されたのち混合され反応器６に供給される。不活性
ガス４も、質量流量計５で計１されたのち、反応器６に
供給される。反応器６に入った混合ガスは、マイクロ波
７により分解される。メタンの分解より生成した炭素は
数百度に加熱された単結晶基板８に到達し、単結晶基板
上で単結晶ダイヤモンド屓及びグラファイト履が形成す
る。グラファイＩ・は、水素の分解で生成した水素原子
と反応して除去される。反応器６は真空ボンプ９により
減圧される。
概略図である。水素ガスｌ１メタンガス（炭素含有化合
物）２、ジボラン（ＢＪｌｅ）ガス３が質量流量計５で
計量されたのち混合され反応器６に供給される。不活性
ガス４も、質量流量計５で計１されたのち、反応器６に
供給される。反応器６に入った混合ガスは、マイクロ波
７により分解される。メタンの分解より生成した炭素は
数百度に加熱された単結晶基板８に到達し、単結晶基板
上で単結晶ダイヤモンド屓及びグラファイト履が形成す
る。グラファイＩ・は、水素の分解で生成した水素原子
と反応して除去される。反応器６は真空ボンプ９により
減圧される。
［実施例］
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例１〜５、実施例７〜９並びに比較例１及び２
第１図に示される装置を使用し、単結晶基仮としてダイ
ヤモンド単結晶を使用し、ｉ−ｉ，１００ｓｃｃｍ及び
メタンを反応器に供給し、反応圧力４０Ｔｏｒｒ， マ
イクロ波パワー３００Ｗ，基板温度８３０℃で２時間反
応し、厚さ１μのダイヤモンド層を形成した。メタンの
ゐ量を変化さけた。ダイヤモンド層の評価は電子線回折
と走査電子顕微鏡とラマン分光分析で行った。結果を第
１表に示す。
ヤモンド単結晶を使用し、ｉ−ｉ，１００ｓｃｃｍ及び
メタンを反応器に供給し、反応圧力４０Ｔｏｒｒ， マ
イクロ波パワー３００Ｗ，基板温度８３０℃で２時間反
応し、厚さ１μのダイヤモンド層を形成した。メタンの
ゐ量を変化さけた。ダイヤモンド層の評価は電子線回折
と走査電子顕微鏡とラマン分光分析で行った。結果を第
１表に示す。
炭素含有化合物に含まれる炭素原子のモル敗Ｂと水素ガ
スのモル敗Ａの比Ｂ／Ａが２〜１０％である場合に、電
子線回折でダイヤ単結晶が確認された。さらにＢ／Ａが
２〜７％である場合にはダイヤモンド層のラマン分光分
析では、無定形炭素の混在を示す１ ５ ０ ０ｃ＠一
’付近のブロードなピークは全く観察されず、ダイヤモ
ンド層は単結晶であった。Ｂ／Ａが５〜７％である場合
に、完全に平坦な表面を有する単結晶ダイヤモンド層が
得られた。
スのモル敗Ａの比Ｂ／Ａが２〜１０％である場合に、電
子線回折でダイヤ単結晶が確認された。さらにＢ／Ａが
２〜７％である場合にはダイヤモンド層のラマン分光分
析では、無定形炭素の混在を示す１ ５ ０ ０ｃ＠一
’付近のブロードなピークは全く観察されず、ダイヤモ
ンド層は単結晶であった。Ｂ／Ａが５〜７％である場合
に、完全に平坦な表面を有する単結晶ダイヤモンド層が
得られた。
一方、同じ成長条件で、基板としてＳｉ（格子定敗ａ＝
５．４３人）を用いた場合には、無定形炭素の混在が認
められた。
５．４３人）を用いた場合には、無定形炭素の混在が認
められた。
層の表面モフオロジーは、ダイヤモンド基板の面方位に
大きく依存し、（１００）面、（１ １ １）面、（１
１０）面の順に平坦であった。
大きく依存し、（１００）面、（１ １ １）面、（１
１０）面の順に平坦であった。
実施例５に示すようにドーピングガスとしてＢ ｅ Ｉ
｛ ａを用い、ドーピングを行ったところ、ダイヤモン
ド層はＰ型半導体の性質を示し、そのホール移動度は１
０ ０ ０ｃｍ”／Ｖ・秒であり、従来の成長条件（
Ｂ／Ａ＜２％）では得られない高いホール移動度が得ら
れた。
｛ ａを用い、ドーピングを行ったところ、ダイヤモン
ド層はＰ型半導体の性質を示し、そのホール移動度は１
０ ０ ０ｃｍ”／Ｖ・秒であり、従来の成長条件（
Ｂ／Ａ＜２％）では得られない高いホール移動度が得ら
れた。
実施例６
実施例ｌと同様の手順で、［｛，１ ０ ０ｓｃｃｍ，
Ｃ・１｛ ． ｅ ｓｃａｎ， Ａ ｒ ２ ０ ｓ
ｅｃｍを反応器に供給し、ガス圧力４ ０ Ｔｏｒｒ，
マイクロ波バワー３００Ｗ，基板温度８５０℃で２時間
反応し、ダイヤモンド（１００）基板上に成長を行って
厚さ１μのダイヤモンド層を形成した。第１表に示すよ
うに、ダイヤモンド層は、表面が完全な平坦な単結晶で
あった。
Ｃ・１｛ ． ｅ ｓｃａｎ， Ａ ｒ ２ ０ ｓ
ｅｃｍを反応器に供給し、ガス圧力４ ０ Ｔｏｒｒ，
マイクロ波バワー３００Ｗ，基板温度８５０℃で２時間
反応し、ダイヤモンド（１００）基板上に成長を行って
厚さ１μのダイヤモンド層を形成した。第１表に示すよ
うに、ダイヤモンド層は、表面が完全な平坦な単結晶で
あった。
不活性ガスを添加することにより、プラズマが安定して
好ましいことかわかる。
好ましいことかわかる。
実施例ｌＯ〜１７及び比較例３及び４
実施例ｌと同様の手順で、Ｈ ２ １ ０ Ｑ ｓｃｃ
ｔｎ，ＣＨ４６ｓｃｃｍを反応器に供給し、ガス圧力４
０Ｔｏｒｒ，マイクロ波バワー３００Ｗ，基板，高度８
３０℃で２時間反応し、基板の上に厚さ２μのダイヤモ
ンド層を形成した。基板の種類を変えた。
ｔｎ，ＣＨ４６ｓｃｃｍを反応器に供給し、ガス圧力４
０Ｔｏｒｒ，マイクロ波バワー３００Ｗ，基板，高度８
３０℃で２時間反応し、基板の上に厚さ２μのダイヤモ
ンド層を形成した。基板の種類を変えた。
結果を第２表に示す。
単結晶基板の格子定数ａ（人）が、式
（ａ−ａｏ）／ａ ｌ Ｘ Ｉ Ｏ Ｏ ≦ ２０［
式中、ａｏはダイヤモンドの格子定数（３．５６７人）
である。］ を満足する場合には、良好な単結晶ダイヤモンド層が得
られることがわかる。
式中、ａｏはダイヤモンドの格子定数（３．５６７人）
である。］ を満足する場合には、良好な単結晶ダイヤモンド層が得
られることがわかる。
し発明の効果１
本発明によれば、平坦な表面及び良好な結晶性を何する
単結晶ダイヤモンド層をエピタキシャル成長できる。従
来は天然又は高圧法によってのみ得られていた高品質ダ
イヤモンド単結晶か気相合成で容易に得られるので、低
コストで、ダイヤモンド車結晶の光学部品又はヒー１・
シンクを製造できる。
単結晶ダイヤモンド層をエピタキシャル成長できる。従
来は天然又は高圧法によってのみ得られていた高品質ダ
イヤモンド単結晶か気相合成で容易に得られるので、低
コストで、ダイヤモンド車結晶の光学部品又はヒー１・
シンクを製造できる。
さらにドーピングによりすぐれた電気的特性を有する単
結晶ダイヤモンド層か得られるので、耐環境デバイス又
は青色（紫外光）発光素子を作製できる。
結晶ダイヤモンド層か得られるので、耐環境デバイス又
は青色（紫外光）発光素子を作製できる。
第１図は、本た明で使用する装置の好ましい態様を示す
概略図である。 ｌ・・・水素ガス、 ３・・・ジボランガス、 ５・・・質量流量計、 ７・・・マイクロ波、 ９・・・真空ボンブ。 ２・・・メタンガス、 ４・・・不活性ガス、 ６・・・反応器、 ８・・・単結晶基板、 特許出願人住友電気工業株式会社
概略図である。 ｌ・・・水素ガス、 ３・・・ジボランガス、 ５・・・質量流量計、 ７・・・マイクロ波、 ９・・・真空ボンブ。 ２・・・メタンガス、 ４・・・不活性ガス、 ６・・・反応器、 ８・・・単結晶基板、 特許出願人住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水素ガス及び炭素含有化合物から成る原料物質を反
応器に供給して反応させ、単結晶ダイヤモンド層を気相
中で単結晶基板上にエピタキシャル成長させることから
成り、炭素含有化合物に含まれる炭素原子のモル数Ｂと
水素ガスのモル数Ａの比Ｂ／Ａが２〜１０％であり、単
結晶基板の格子定数ａ（Å）が、式： ｜（ａ−ａ＿ｏ）／ａ｜ｘ１００≦２０ ［式中、ａ＿ｏはダイヤモンドの格子定数（３．５６７
Å）である。］ を満たすことを特徴とする単結晶ダイヤモンド層の形成
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054477A JP2730145B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 単結晶ダイヤモンド層の形成法 |
| DE69006605T DE69006605T2 (de) | 1989-03-07 | 1990-03-07 | Verfahren zur Herstellung einer Einkristallschicht aus Diamant. |
| EP90104345A EP0386726B1 (en) | 1989-03-07 | 1990-03-07 | Method for producing single crystal diamond film |
| US08/047,384 US5387310A (en) | 1989-03-07 | 1993-04-16 | Method for producing single crystal diamond film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054477A JP2730145B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 単結晶ダイヤモンド層の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233591A true JPH02233591A (ja) | 1990-09-17 |
| JP2730145B2 JP2730145B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=12971749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1054477A Expired - Lifetime JP2730145B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 単結晶ダイヤモンド層の形成法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5387310A (ja) |
| EP (1) | EP0386726B1 (ja) |
| JP (1) | JP2730145B2 (ja) |
| DE (1) | DE69006605T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689233A2 (en) | 1994-06-24 | 1995-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Wafer and method of producing same |
| US5483084A (en) * | 1993-03-10 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Diamond covered member and process for producing the same |
| US5499601A (en) * | 1993-01-14 | 1996-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for vapor phase synthesis of diamond |
| JP2005512928A (ja) * | 2001-12-14 | 2005-05-12 | エレメント シックス リミテッド | ホウ素ドーピングされたダイヤモンド |
| WO2006048957A1 (ja) | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 単結晶ダイヤモンド |
| US7655208B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-02-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single crystalline diamond and producing method thereof |
| JP2015059069A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| WO2019059123A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5800879A (en) * | 1991-05-16 | 1998-09-01 | Us Navy | Deposition of high quality diamond film on refractory nitride |
| JPH05221791A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-08-31 | Kobe Steel Ltd | 燃焼法によるダイヤモンド合成法 |
| JPH06247793A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ダイヤモンドおよび製造法 |
| JPH07243064A (ja) * | 1994-01-03 | 1995-09-19 | Xerox Corp | 基板清掃方法 |
| JP3728465B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2005-12-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 |
| US6858080B2 (en) * | 1998-05-15 | 2005-02-22 | Apollo Diamond, Inc. | Tunable CVD diamond structures |
| US6582513B1 (en) * | 1998-05-15 | 2003-06-24 | Apollo Diamond, Inc. | System and method for producing synthetic diamond |
| US8591856B2 (en) * | 1998-05-15 | 2013-11-26 | SCIO Diamond Technology Corporation | Single crystal diamond electrochemical electrode |
| DE60115435T2 (de) * | 2000-06-15 | 2006-08-31 | Element Six (Pty) Ltd. | Dicke einkristalline diamantschicht, verfahren zur herstellung der schicht und edelsteine hergestellt durch bearbeitung der schicht |
| DK3078667T3 (en) * | 2001-01-25 | 2019-01-07 | The United States Of America Represented By The Sec Dep Of Health And Human Services | Formulation of boric acid compounds |
| CA2456847C (en) * | 2001-08-08 | 2013-04-23 | Apollo Diamond, Inc. | System and method for producing synthetic diamond |
| US7481879B2 (en) * | 2004-01-16 | 2009-01-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate |
| US7687146B1 (en) | 2004-02-11 | 2010-03-30 | Zyvex Labs, Llc | Simple tool for positional diamond mechanosynthesis, and its method of manufacture |
| US20050181210A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Doering Patrick J. | Diamond structure separation |
| GB0813491D0 (en) | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Diamond Material |
| GB0813490D0 (en) * | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Solid state material |
| US10508342B2 (en) * | 2016-08-29 | 2019-12-17 | Creating Nano Technologies, Inc. | Method for manufacturing diamond-like carbon film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252997A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-20 | Sharp Corp | ダイヤモンド単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195091A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
| JPS61286299A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ダイヤモンドの製造方法 |
| JPH0717479B2 (ja) * | 1985-12-09 | 1995-03-01 | 京セラ株式会社 | ダイヤモンド膜の製造方法 |
| US4863529A (en) * | 1987-03-12 | 1989-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thin film single crystal diamond substrate |
| US5373171A (en) * | 1987-03-12 | 1994-12-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thin film single crystal substrate |
| NO881723L (no) * | 1987-04-22 | 1988-10-24 | Idemitsu Petrochemical Co | Fremgangsmaate og innretning for fremstilling av diamanter. |
| JP2636856B2 (ja) * | 1987-10-13 | 1997-07-30 | 株式会社リコー | ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
| GB8810111D0 (en) * | 1988-04-28 | 1988-06-02 | Jones B L | Diamond growth |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1054477A patent/JP2730145B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-07 DE DE69006605T patent/DE69006605T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-07 EP EP90104345A patent/EP0386726B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-16 US US08/047,384 patent/US5387310A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252997A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-20 | Sharp Corp | ダイヤモンド単結晶の製造方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5499601A (en) * | 1993-01-14 | 1996-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for vapor phase synthesis of diamond |
| US5483084A (en) * | 1993-03-10 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Diamond covered member and process for producing the same |
| EP0689233A2 (en) | 1994-06-24 | 1995-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Wafer and method of producing same |
| US5964942A (en) * | 1994-06-24 | 1999-10-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer and method of producing same |
| JP2005512928A (ja) * | 2001-12-14 | 2005-05-12 | エレメント シックス リミテッド | ホウ素ドーピングされたダイヤモンド |
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