JPH05270987A - 炭素１３同位体ダイヤモンド基板とその製造法 - Google Patents
炭素１３同位体ダイヤモンド基板とその製造法Info
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- JPH05270987A JPH05270987A JP7057392A JP7057392A JPH05270987A JP H05270987 A JPH05270987 A JP H05270987A JP 7057392 A JP7057392 A JP 7057392A JP 7057392 A JP7057392 A JP 7057392A JP H05270987 A JPH05270987 A JP H05270987A
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- Japan
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- isotope
- substrate
- seed
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速成長でしかも転位の少ない、Ｃ１３同位
体元素から成る板状のダイヤモンド基板とその製造法を
提供すること 【構成】 元素番号が１３の炭素同位体Ｃ１３を含む同
位体ガスを用いて、種ダイヤモンド４を載せた基板ホル
ダー５ｂと熱フィラメント６との間にバイアス電圧を印
加してプラズマを生成させ、粒状或いは板状の種ダイヤ
モンド４上にエピタキシャル成長させ、Ｃ１２又はＣ１
３同位体元素の種ダイヤモンド４を含有したＣ１３同位
体元素のエピタキシャルダイヤモンド１１を有するダイ
ヤモンド基板１２を得る。 【効果】 該基板１２は膜中に不純物の混入が少なく転
位の少ない結晶性の良い基板であり、しかも迅速に製造
することができる等の効果があり、また本発明の方法に
よれば、本発明のダイヤモンド基板を迅速に製造できる
体元素から成る板状のダイヤモンド基板とその製造法を
提供すること 【構成】 元素番号が１３の炭素同位体Ｃ１３を含む同
位体ガスを用いて、種ダイヤモンド４を載せた基板ホル
ダー５ｂと熱フィラメント６との間にバイアス電圧を印
加してプラズマを生成させ、粒状或いは板状の種ダイヤ
モンド４上にエピタキシャル成長させ、Ｃ１２又はＣ１
３同位体元素の種ダイヤモンド４を含有したＣ１３同位
体元素のエピタキシャルダイヤモンド１１を有するダイ
ヤモンド基板１２を得る。 【効果】 該基板１２は膜中に不純物の混入が少なく転
位の少ない結晶性の良い基板であり、しかも迅速に製造
することができる等の効果があり、また本発明の方法に
よれば、本発明のダイヤモンド基板を迅速に製造できる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超硬チップ、耐環境性
デバイス、ヒートシンクデバイス用基板その他に使用す
るに適した板状の炭素１３同位体ダイヤモンド基板とそ
の製造法に関する。
デバイス、ヒートシンクデバイス用基板その他に使用す
るに適した板状の炭素１３同位体ダイヤモンド基板とそ
の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の炭素１３同位体元素から成るダイ
ヤモンド基板は、ゼネラルエレクトリック社等が公表し
ているように、高圧合成により製造するものであった。
また、ダイヤモンド膜の形成を支配する化学反応の機構
を調べる目的で、熱フィラメント法でＣ１３同位体ガス
を用い、IIａ型の天然ダイヤモンド上に炭素１３同位体
ダイヤモンドを気相合成で形成した報告もある。しか
し、この報告のものは、高速で成膜すること、結晶性を
向上させることを目的としたものではなかった。また、
出願人は、ダイヤモンド単結晶膜をシリコン基板上に形
成する方法として、熱フィラメント法によりフィラメン
トと基板にバイアス電圧を加えながら圧力を調整する方
法を提案した（特開平２−２６３７８９号公報）。この
方法ではアモルファスシリコンの層を介してダイヤモン
ド単結晶膜が形成されている。
ヤモンド基板は、ゼネラルエレクトリック社等が公表し
ているように、高圧合成により製造するものであった。
また、ダイヤモンド膜の形成を支配する化学反応の機構
を調べる目的で、熱フィラメント法でＣ１３同位体ガス
を用い、IIａ型の天然ダイヤモンド上に炭素１３同位体
ダイヤモンドを気相合成で形成した報告もある。しか
し、この報告のものは、高速で成膜すること、結晶性を
向上させることを目的としたものではなかった。また、
出願人は、ダイヤモンド単結晶膜をシリコン基板上に形
成する方法として、熱フィラメント法によりフィラメン
トと基板にバイアス電圧を加えながら圧力を調整する方
法を提案した（特開平２−２６３７８９号公報）。この
方法ではアモルファスシリコンの層を介してダイヤモン
ド単結晶膜が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来法のうち、熱
フィラメント法による気相合成のＣ１３同位体ダイヤモ
ンド膜は、IIａ型 (100)ダイヤモンドの基板に形成され
たもので、その成膜速度は0.4 μｍ／時間と遅く、産業
分野への応用が制約される不都合があった。また、これ
でエピタキシャル成長により形成されたダイヤモンド膜
は、転位などの欠陥があり、結晶性が良くないものであ
った。
フィラメント法による気相合成のＣ１３同位体ダイヤモ
ンド膜は、IIａ型 (100)ダイヤモンドの基板に形成され
たもので、その成膜速度は0.4 μｍ／時間と遅く、産業
分野への応用が制約される不都合があった。また、これ
でエピタキシャル成長により形成されたダイヤモンド膜
は、転位などの欠陥があり、結晶性が良くないものであ
った。
【０００４】本発明は、出願人の提案した上記の方法を
利用して高速成長でしかも転位の少ない、Ｃ１３同位体
元素から成る板状のダイヤモンド基板とその製造法を提
供することを目的とするものである。
利用して高速成長でしかも転位の少ない、Ｃ１３同位体
元素から成る板状のダイヤモンド基板とその製造法を提
供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の炭素１３同位体
元素からなるダイヤモンド基板は、元素番号が１３の炭
素同位体Ｃ１３を含む同位体ガスを用いて、サセプタを
設けた基板ホルダーと熱フィラメントとの間にバイアス
電圧を印加してプラズマを生成させ、該サセプタに設け
た粒状或いは板状の種ダイヤモンド上にエピタキシャル
成長させることにより製造される。該サセプタは硅素、
炭化物、窒化物、硅化物の何れかが使用される。
元素からなるダイヤモンド基板は、元素番号が１３の炭
素同位体Ｃ１３を含む同位体ガスを用いて、サセプタを
設けた基板ホルダーと熱フィラメントとの間にバイアス
電圧を印加してプラズマを生成させ、該サセプタに設け
た粒状或いは板状の種ダイヤモンド上にエピタキシャル
成長させることにより製造される。該サセプタは硅素、
炭化物、窒化物、硅化物の何れかが使用される。
【０００６】
【作用】熱フィラメントと基板ホルダーの間にバイアス
電圧を印加すると、プラズマが密閉容器内に発生し、該
容器内に導入した炭素同位体Ｃ１３を含む同位体ガスの
分解と拡散が促進され、種ダイヤモンド表面における核
成長密度が増大して高速でエピタキシャル成長したＣ１
３同位体ダイヤモンドを有するダイヤモンド基板が形成
される。該基板を真空プロセスで生成するため、ガスの
湧出が少なくなり、このダイヤモンド基板中には高圧合
成で問題となっている窒素等の不純物の混入が少なくな
る利点がある。また、結晶性も良く、絶縁性、熱伝導性
が向上する。
電圧を印加すると、プラズマが密閉容器内に発生し、該
容器内に導入した炭素同位体Ｃ１３を含む同位体ガスの
分解と拡散が促進され、種ダイヤモンド表面における核
成長密度が増大して高速でエピタキシャル成長したＣ１
３同位体ダイヤモンドを有するダイヤモンド基板が形成
される。該基板を真空プロセスで生成するため、ガスの
湧出が少なくなり、このダイヤモンド基板中には高圧合
成で問題となっている窒素等の不純物の混入が少なくな
る利点がある。また、結晶性も良く、絶縁性、熱伝導性
が向上する。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を別紙図面に基づき説明する
と、第１図は本発明の実施に使用した装置の概略構成を
示すもので、同図に於いて、符号１はガス導入口２と真
空排気口３を備えた真空の密閉容器、４は該容器１内に
ヒーターを内蔵する基板ホルダー５ａ上に設けたサセプ
タ５ｂに載せた種ダイヤモンドで、該サセプタ５ｂの上
に板状或いは粒状の本発明のダイヤモンド基板が形成さ
れる。６は種ダイヤモンド４に対向して設けた熱フィラ
メントで、これには交流または直流の電源８を接続す
る。また、基板ホルダー５ａを陽極とするように直流電
源７が接続される。
と、第１図は本発明の実施に使用した装置の概略構成を
示すもので、同図に於いて、符号１はガス導入口２と真
空排気口３を備えた真空の密閉容器、４は該容器１内に
ヒーターを内蔵する基板ホルダー５ａ上に設けたサセプ
タ５ｂに載せた種ダイヤモンドで、該サセプタ５ｂの上
に板状或いは粒状の本発明のダイヤモンド基板が形成さ
れる。６は種ダイヤモンド４に対向して設けた熱フィラ
メントで、これには交流または直流の電源８を接続す
る。また、基板ホルダー５ａを陽極とするように直流電
源７が接続される。
【０００８】該サセプタ５ｂの上には、図２または図３
に示すように、粒状または板状の種ダイヤモンド４が載
せられ、これを覆うようにエピタキシャルダイヤモンド
１１がその上に形成されるが、該種ダイヤモンド４とし
ては、Ｃ１２元素から成る粒状または板状の種ダイヤモ
ンド、或いは粒状または板状のＣ１３同位体元素からな
る種ダイヤモンドが用いられる。図２に示すように、Ｃ
１２またはＣ１３同位体元素から成る粒状の天然若しく
は合成の種ダイヤモンド４を用いるときは、(100) 面が
膜形成面となるように配置し、この場合、サセプタ５ｂ
をシリコン、炭素、窒化ボロンまたは石英を使用する。
に示すように、粒状または板状の種ダイヤモンド４が載
せられ、これを覆うようにエピタキシャルダイヤモンド
１１がその上に形成されるが、該種ダイヤモンド４とし
ては、Ｃ１２元素から成る粒状または板状の種ダイヤモ
ンド、或いは粒状または板状のＣ１３同位体元素からな
る種ダイヤモンドが用いられる。図２に示すように、Ｃ
１２またはＣ１３同位体元素から成る粒状の天然若しく
は合成の種ダイヤモンド４を用いるときは、(100) 面が
膜形成面となるように配置し、この場合、サセプタ５ｂ
をシリコン、炭素、窒化ボロンまたは石英を使用する。
【０００９】ガス導入口２にはガス供給源９を接続する
ものとし、該ガス供給源９に水素で3％から0.3 ％に稀
釈したＣ１３同位体元素を含むメタンまたはその他のＣ
１３同位体元素を含む炭化水素、メタノール、エタノー
ル、アセトンまたは二酸化炭素、一酸化炭素のガスが用
意される。
ものとし、該ガス供給源９に水素で3％から0.3 ％に稀
釈したＣ１３同位体元素を含むメタンまたはその他のＣ
１３同位体元素を含む炭化水素、メタノール、エタノー
ル、アセトンまたは二酸化炭素、一酸化炭素のガスが用
意される。
【００１０】上記の装置を使用した本発明のＣ１３同位
体ダイヤモンド基板の製造例は次の通りである。まず、
密閉容器１内を真空排気口３に接続した真空ポンプ１３
で真空排気したのち、水素で 1％に稀釈したＣ１３同位
体のメタンガスを該容器１内へ導入し、該容器１内の圧
力が30Torrとなるように調整した。バイアス電圧として
直流電源７により基板ホルダー５ａと熱フィラメント６
の間に直流60 Vの電位差を与え、次いで10秒程度の短い
時間に電源８から熱フィラメント６へ20 Aから30 Aの交
流電流を流し、熱フィラメント６を2000℃に加熱させ
た。バイアス電流を0.1A,0.3A,0.5Aと変えることによ
り、種ダイヤモンド４の温度は夫々943 ℃、991 ℃、10
30℃に上昇した。また、基板ホルダー５ａに内蔵された
ヒーターを用いると種ダイヤモンド４の温度を独立して
変化させることができる。バイアス電圧の印加により、
基板ホルダー５ａと熱フィラメント６の間にプラズマが
発生し、プラズマ中の水素ラジカルが種ダイヤモンド４
の表面を清浄化する。更に、熱フィラメント６と種ダイ
ヤモンド４との間の距離Ｓをパラメーターにして、２時
間、板状のIIｂ，Iｂ，Iａ型に分類されるＣ１２の種ダ
イヤモンド４の上にＣ１３同位体ダイヤモンド結晶の成
長を試みた。Ｓを7.5 ｍｍから3.3 ｍｍとするとき、該
種ダイヤモンド４の上がＣ１３同位体元素のエピタキシ
ャルダイヤモンド１１で覆われ、形成される膜厚は２時
間で0.8 μｍから1.2 μｍに増大した。このときの成長
速度は0.4 μｍ／時間から0.6 μｍ／時間となり、50％
増の成長速度となった。該種ダイヤモンド４をＣ１３同
位体元素から成る板状の種ダイヤモンド４を載せた場合
もこれと同等の成長速度が得られた。また、粒状のII
ｂ，Iｂ，Iａ型に分類される種ダイヤモンド４の上に成
長したとき、及び粒状のＣ１３同位体元素から成る種ダ
イヤモンド４上に成長したとき、これらの種ダイヤモン
ド４を覆うエピタキシャルダイヤモンド１１の成長速度
は0.6 μｍ／時間以上であった。
体ダイヤモンド基板の製造例は次の通りである。まず、
密閉容器１内を真空排気口３に接続した真空ポンプ１３
で真空排気したのち、水素で 1％に稀釈したＣ１３同位
体のメタンガスを該容器１内へ導入し、該容器１内の圧
力が30Torrとなるように調整した。バイアス電圧として
直流電源７により基板ホルダー５ａと熱フィラメント６
の間に直流60 Vの電位差を与え、次いで10秒程度の短い
時間に電源８から熱フィラメント６へ20 Aから30 Aの交
流電流を流し、熱フィラメント６を2000℃に加熱させ
た。バイアス電流を0.1A,0.3A,0.5Aと変えることによ
り、種ダイヤモンド４の温度は夫々943 ℃、991 ℃、10
30℃に上昇した。また、基板ホルダー５ａに内蔵された
ヒーターを用いると種ダイヤモンド４の温度を独立して
変化させることができる。バイアス電圧の印加により、
基板ホルダー５ａと熱フィラメント６の間にプラズマが
発生し、プラズマ中の水素ラジカルが種ダイヤモンド４
の表面を清浄化する。更に、熱フィラメント６と種ダイ
ヤモンド４との間の距離Ｓをパラメーターにして、２時
間、板状のIIｂ，Iｂ，Iａ型に分類されるＣ１２の種ダ
イヤモンド４の上にＣ１３同位体ダイヤモンド結晶の成
長を試みた。Ｓを7.5 ｍｍから3.3 ｍｍとするとき、該
種ダイヤモンド４の上がＣ１３同位体元素のエピタキシ
ャルダイヤモンド１１で覆われ、形成される膜厚は２時
間で0.8 μｍから1.2 μｍに増大した。このときの成長
速度は0.4 μｍ／時間から0.6 μｍ／時間となり、50％
増の成長速度となった。該種ダイヤモンド４をＣ１３同
位体元素から成る板状の種ダイヤモンド４を載せた場合
もこれと同等の成長速度が得られた。また、粒状のII
ｂ，Iｂ，Iａ型に分類される種ダイヤモンド４の上に成
長したとき、及び粒状のＣ１３同位体元素から成る種ダ
イヤモンド４上に成長したとき、これらの種ダイヤモン
ド４を覆うエピタキシャルダイヤモンド１１の成長速度
は0.6 μｍ／時間以上であった。
【００１１】前記板状のIIｂ，Iｂ，Iａ型に分類される
種ダイヤモンド４の上にエピタキシャルダイヤモンド１
１を成長して得たダイヤモンド基板１２は、Ｓを3.3 ｍ
ｍとしたときのものは、RHEED パターンからは強いスト
リーク像が観測された。また、光学顕微鏡観察から、頂
点のあるエッチピットは基板周辺にのみ観測され、Ｓが
7.5 ｍｍのときよりエッチピット転位密度が全体として
急減し、結晶性が向上した。更に該ダイヤモンド基板１
２のラマン分光からは、1332ｃｍ- 1の種ダイヤモンド
４の一次ラマンスペクトルと、1283ｃｍ- 1のＣ１３同
位体エピタキシャルダイヤモンド１１の一次ラマンスペ
クトルが分離して観測された。これよりＣ１３同位体を
利用すると、Ｃ１２の種ダイヤモンド４と形成されたエ
ピタキシャルダイヤモンド１１のラマン信号を分離する
ことができ、転位と関連付けて結晶性の評価が可能であ
ることを見出した。即ち、転位の減少に対応し、Ｃ１２
の種ダイヤモンド４からのラマン信号の半値幅が76％に
減少するとき、Ｃ１３のエピタキシャルダイヤモンド１
１のラマン信号の半値幅は84％に減少し、転位とラマン
の半値幅に強い関係があることを見出した。この事実を
用いることにより結晶性の向上を図り、最も結晶性が良
いとされる天然のIIｂダイヤモンドの半値幅をもつ、結
晶性の良いＣ１３同位体元素から成るダイヤモンドエピ
タキシャル基板１２が形成できる。種ダイヤモンド４に
Ｃ１３同位体元素からなる板状のものを使用した場合、
一次ラマンスペクトルは種ダイヤモンド４とエピタキシ
ャルダイヤモンド１１とで分離されることはないが、ラ
マン信号からの推定で結晶性は天然のIIｂのダイヤモン
ドに近くかなり良好であった。同様に、粒状の種ダイヤ
モンド４を使用した場合のエピタキシャルダイヤモンド
基板１１も結晶性は良好であった。
種ダイヤモンド４の上にエピタキシャルダイヤモンド１
１を成長して得たダイヤモンド基板１２は、Ｓを3.3 ｍ
ｍとしたときのものは、RHEED パターンからは強いスト
リーク像が観測された。また、光学顕微鏡観察から、頂
点のあるエッチピットは基板周辺にのみ観測され、Ｓが
7.5 ｍｍのときよりエッチピット転位密度が全体として
急減し、結晶性が向上した。更に該ダイヤモンド基板１
２のラマン分光からは、1332ｃｍ- 1の種ダイヤモンド
４の一次ラマンスペクトルと、1283ｃｍ- 1のＣ１３同
位体エピタキシャルダイヤモンド１１の一次ラマンスペ
クトルが分離して観測された。これよりＣ１３同位体を
利用すると、Ｃ１２の種ダイヤモンド４と形成されたエ
ピタキシャルダイヤモンド１１のラマン信号を分離する
ことができ、転位と関連付けて結晶性の評価が可能であ
ることを見出した。即ち、転位の減少に対応し、Ｃ１２
の種ダイヤモンド４からのラマン信号の半値幅が76％に
減少するとき、Ｃ１３のエピタキシャルダイヤモンド１
１のラマン信号の半値幅は84％に減少し、転位とラマン
の半値幅に強い関係があることを見出した。この事実を
用いることにより結晶性の向上を図り、最も結晶性が良
いとされる天然のIIｂダイヤモンドの半値幅をもつ、結
晶性の良いＣ１３同位体元素から成るダイヤモンドエピ
タキシャル基板１２が形成できる。種ダイヤモンド４に
Ｃ１３同位体元素からなる板状のものを使用した場合、
一次ラマンスペクトルは種ダイヤモンド４とエピタキシ
ャルダイヤモンド１１とで分離されることはないが、ラ
マン信号からの推定で結晶性は天然のIIｂのダイヤモン
ドに近くかなり良好であった。同様に、粒状の種ダイヤ
モンド４を使用した場合のエピタキシャルダイヤモンド
基板１１も結晶性は良好であった。
【００１２】
【発明の効果】このように本発明のダイヤモンド基板
は、Ｃ１２またはＣ１３同位体元素からなる種ダイヤモ
ンドを含有したエピタキシャル成長のダイヤモンド膜を
有するので、膜中に不純物の混入が少なく転位の少ない
結晶性の良い基板であり、しかも迅速に製造することが
できる等の効果があり、また本発明の方法によれば、本
発明のダイヤモンド基板を迅速に製造できる効果があ
る。
は、Ｃ１２またはＣ１３同位体元素からなる種ダイヤモ
ンドを含有したエピタキシャル成長のダイヤモンド膜を
有するので、膜中に不純物の混入が少なく転位の少ない
結晶性の良い基板であり、しかも迅速に製造することが
できる等の効果があり、また本発明の方法によれば、本
発明のダイヤモンド基板を迅速に製造できる効果があ
る。
【図１】 本発明の方法の実施例の説明図
【図２】 Ｃ１２またはＣ１３同位体元素からなる粒状
の種ダイヤモンドを含有したＣ１３同位体元素のエピタ
キシャルダイヤモンドを有するダイヤモンド基板の拡大
断面図
の種ダイヤモンドを含有したＣ１３同位体元素のエピタ
キシャルダイヤモンドを有するダイヤモンド基板の拡大
断面図
【図３】 Ｃ１２またはＣ１３同位体元素からなる板状
の種ダイヤモンドを含有したＣ１３同位体元素のエピタ
キシャルダイヤモンドを有するダイヤモンド基板の拡大
断面図
の種ダイヤモンドを含有したＣ１３同位体元素のエピタ
キシャルダイヤモンドを有するダイヤモンド基板の拡大
断面図
１ 密閉容器 ２ ガス導入口 ４
種ダイヤモンド ５ａ 基板ホルダー ６ 熱フィラメント ７
直流電源 ８ 電源 １１ Ｃ１３同位体エピタキシャ
ルダイヤモンド膜 １２ ダイヤモンド基板
種ダイヤモンド ５ａ 基板ホルダー ６ 熱フィラメント ７
直流電源 ８ 電源 １１ Ｃ１３同位体エピタキシャ
ルダイヤモンド膜 １２ ダイヤモンド基板
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃ１２元素から成る天然若しくは合成の
種ダイヤモンドを包含し且つ元素番号が１３の炭素同位
体Ｃ１３元素を含む同位体ガスを用いて気相合成により
該種ダイヤモンドを覆ったＣ１３同位体元素からなるエ
ピタキシャルダイヤモンドを有することを特徴とする炭
素１３同位体ダイヤモンド基板。 - 【請求項２】 Ｃ１３元素から成る種ダイヤモンドを包
含し且つ元素番号が１３の炭素同位体Ｃ１３元素を含む
同位体ガスを用いて気相合成により該種ダイヤモンドを
覆ったＣ１３同位体元素からなるエピタキシャルダイヤ
モンドを有することを特徴とする炭素１３同位体ダイヤ
モンド基板。 - 【請求項３】 密閉容器内に、種ダイヤモンドを載せた
サセプタを熱フィラメントに対向して設けた基板ホルダ
ーに設け、該容器内に元素番号が１３の炭素同位体Ｃ１
３を含む同位体ガスを導入して該容器内の圧力を調整
し、該基板ホルダーを加熱しながら該基板ホルダーと熱
フィラメントとの間にバイアス電圧を加え、該種ダイヤ
モンド上に炭素１３同位体のダイヤモンド基板をエピタ
キシャル成長により形成することを特徴とする炭素１３
同位体ダイヤモンド基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057392A JPH05270987A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 炭素１３同位体ダイヤモンド基板とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057392A JPH05270987A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 炭素１３同位体ダイヤモンド基板とその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05270987A true JPH05270987A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=13435434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7057392A Pending JPH05270987A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 炭素１３同位体ダイヤモンド基板とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05270987A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007011019A1 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 高硬度ダイヤモンド多結晶体及びその製造方法 |
| WO2009044882A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 同位体ダイヤモンド積層体 |
| US9031685B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-05-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04270193A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-09-25 | General Electric Co <Ge> | 同位体として純粋な単結晶エピタキシャルダイヤモンド薄膜およびその製法 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP7057392A patent/JPH05270987A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04270193A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-09-25 | General Electric Co <Ge> | 同位体として純粋な単結晶エピタキシャルダイヤモンド薄膜およびその製法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9031685B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-05-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| WO2007011019A1 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 高硬度ダイヤモンド多結晶体及びその製造方法 |
| US9227166B2 (en) | 2005-07-21 | 2016-01-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | High-hardness polycrystalline diamond and method of preparing the same |
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