JP2005162525A - 単結晶ダイヤモンド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを、結晶全体にわたり、(400)面X線ロッキングカーブの半値幅が10〜80秒の範囲内にあり、炭素原子に対する水素原子の数が10〜100ppm、炭素原子に対する窒素原子の数が5ppm以下、光散乱トモグラフ法によって評価した結晶欠陥の数を1平方センチメートルあたり1×105個以下であるようにする。
【選択図】 なし
Description
本発明は、250nmまでの紫外域において透明で、かつ結晶欠陥や歪み、不純物の小さいダイヤモンド単結晶を提供することを目的とする。
(1)結晶全体にわたり、(400)面X線ロッキングカーブの半値幅が10〜80秒の範囲内にあり、かつ炭素原子に対する水素原子の数が、10〜100ppmの範囲内にあり、かつ炭素原子に対する窒素原子の数が5ppm以下であることを特徴とする単結晶ダイヤモンド。
(2)炭素原子に対する水素原子の数が、20〜70ppmの範囲内にあることを特徴とする上記(1)の単結晶ダイヤモンド。
(3)室温における熱伝導率2000W/mK以上であることを特徴とする上記(1)、(2)の単結晶ダイヤモンド。
(4)室温における正孔移動度1500cm2/Vsec以上であることを特徴とする上記(1)〜(3)の単結晶ダイヤモンド。
(5)室温における電子移動度1500cm2/Vsec以上であることを特徴とする上記(1)〜(4)の単結晶ダイヤモンド。
(6)ラマン分光におけるラマンシフト1332cm−1に現れるピークの半値幅2cm−1以下であることを特徴とする上記(1)〜(5)の単結晶ダイヤモンド。
(7)波長250nmにおける透過率が30%以上であることを特徴とする上記(1)〜(6)の単結晶ダイヤモンド。
(9)光散乱トモグラフ法によって評価した結晶欠陥の数が、1平方センチメートルあたり1×105個以下であることを特徴とする上記(1)〜(8)の単結晶ダイヤモンド。
(10)ヤング率が5×1011Pa以上であることを特徴とする上記(1)〜(9)の単結晶ダイヤモンド。
(11)差し渡し径10mm以上であることを特徴とする上記(1)〜(10)の単結晶ダイヤモンド。
(12)上記(1)〜(11)の単結晶ダイヤモンドからなる半導体基板。
(13)上記(1)〜(12)の単結晶ダイヤモンドからなる光学窓。
a.単結晶基板の成長面の全面が(100)セクタで構成されているものを用いる。
b.単結晶基板の成長面を(100)面から3度以内の面とする。
c.各単結晶基板の方位のずれを3度以内に抑える。
d.隣り合う単結晶基板間の距離を30μm以内にする。
e.単結晶基板同士の高さを揃える。
f.ダイヤモンドを成長させる主面の面粗さをRmax0.05μm以下とする。
であり、
g.上記ダイヤモンド単結晶基板上に、炭素源となる炭素含有化合物ガスと水素ガスの比率が、炭素含有化合物中の炭素原子数/水素ガス中の水素原子数で表して、0.025〜0.075であり、基板温度を850℃以上950℃未満である気相合成法によりダイヤモンドを成長させる。
各実施例及び比較例によって得られた試料の評価結果を下記表1に示したが、表中の各評価項目の意味するところは次の通りである。
「差し渡し径」とは、最大の差し渡し長さ[mm]である。
「XRC」とは(400)面のX線ロッキングカーブの半値幅[秒]である。
本発明におけるXRCとは、CuKα1のX線を用いて、第一結晶として高圧合成単結晶ダイヤモンド(400)面平行配置を利用して2結晶法により評価したものをいう。
「N」とは、炭素原子に対する窒素原子の数[ppm]である。
「250nm」とは、波長250nmにおける透過率[%]である。
「熱伝導率」とは、室温における熱伝導率[W/m・K]である。
「電子移動度」とは室温における電子移動度[cm2/V・s]である。
「正孔移動度」とは、室温におけるホール移動度[cm2/V・s]である。
「トモグラフ」とは、光散乱トモグラフ法により、ダイヤモンド単結晶内部の結晶欠陥の数を評価したもの[個/cm2]である。
「ヤング率」は、室温におけるヤング率[Pa]である。
(400)面のX線ロッキングカーブの半値幅を評価した。CuKα1のX線を用いて、第一結晶として高圧合成単結晶ダイヤモンド(400)面平行配置を利用して2結晶法により評価した。その結果、半値幅は全面にわたり32〜70秒の範囲内に入り、良好であった。
赤外透過吸収法により結晶中に含まれる水素濃度を定量した。その結果、結晶全面にわたり水素は炭素に対して30〜60ppmの範囲に入り、低濃度であることがわかった。また、紫外光吸収法により、結晶中に含まれる窒素濃度を定量した。その結果、結晶全面にわたり、窒素は炭素に対して3ppm以下と低濃度であることがわかった。また、波長250nmにおける透過率は、試料全面にわたって最低でも60%以上であった。
得られたダイヤモンド単結晶の熱伝導率を、定常比較法により測定した。その結果、熱伝導率は30℃において2100±50W/mKであることがわかった。
得られたダイヤモンド単結晶の電子移動度、および正孔移動度を、TOF法により評価したところ、それぞれ25℃において1650cm2/V・sec,1800cm2/V・secとなり、優れた電気特性を有していることが判った。
波長514.5nmのアルゴンイオンレーザーを励起光として、顕微ラマン分光法により得られたダイヤモンド単結晶を評価した。その結果、励起光から1332cm−1の位置にシフトして現れるラマン散乱スペクトルの半値幅は、分解能0.5cm−1の分光器で測定して1.6cm−1であった。
結晶中に含まれる欠陥を評価するために、エッチピットを調べた。マイクロ波プラズマCVD法により生成した水素プラズマに、得られたダイヤモンド単結晶を曝して、欠陥に由来するエッチピットを表面に生成させた。用いた水素プラズマは、圧力9.3kPa、基板温度820℃であった。その結果、試料全面にわたって、生成したエッチピットの密度は2×104cm−2以下であった。
また、得られた単結晶ダイヤモンドの外周部をレーザー切断し、切断した1側面を機械研磨した上で、アルゴンイオンレーザーを側面から照射し、表面から、欠陥に起因する光散乱を評価した(光散乱トモグラフ法)。その結果、結晶欠陥の数は1.7×104cm−2であった。エッチピット評価結果とあわせ、非常に良好な結晶であることがわかった。
得られた単結晶ダイヤモンドのヤング率を、3点曲げ試験法により評価した。その結果、990GPaであった。
このダイヤモンド単結晶を、実施例1と同様に評価した。得られた結果は表1に示す。光学的、電気的に優れた物性を示す、大型で均一な単結晶であることがわかり、半導体基板、および光学部品として優れた素材であることがわかった。
天然ダイヤモンド単結晶IIa型2個(試料C、D)、Ia型2個(試料E、F)、高圧合成Ib型単結晶3個(G、H、I)、高圧合成IIa型単結晶1個(J)、気相合成ダイヤモンド単結晶1個(K)を、本件発明の実施例と同様に特性を評価して調べたところ表1のようになった。いずれも、上記実施例と同様の条件で評価を行っている。この測定結果から本発明のダイヤモンドはこれまでに得られなかった大型高品質のダイヤモンドであることが判明した。試料C〜Fにおいては、正孔移動度、電子移動度共に非常に低く、測定限界以下であった。
大きさ4.0mm×4.0mm×300±20μmのダイヤモンド{100}基板36枚を、間隔10μm以内になるように、縦横6列ずつに並べた。これらの基板は、セクタ表面を特に(100)面とは規定せず選択した。面粗さはRmax=0.1μmであった。さらに、(100)面からのオフ角が、36枚中20枚において、3°以上4°以下であるものを選択した。
Claims (13)
- 結晶全体にわたり、
(400)面X線ロッキングカーブの半値幅が10〜80秒の範囲内にあり、かつ
炭素原子に対する水素原子の数が、10〜100ppmの範囲内にあり、かつ
炭素原子に対する窒素原子の数が 5ppm以下である
ことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 - 炭素原子に対する水素原子の数が、20〜70ppmの範囲内にあることを特徴とする請求項1記載の単結晶ダイヤモンド。
- 室温における熱伝導率2000W/mK以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の単結晶ダイヤモンド。
- 室温における正孔移動度1500cm2/Vsec以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- 室温における電子移動度1500cm2/Vsec以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- ラマン分光におけるラマンシフト1332cm−1に現れるピークの半値幅2cm−1以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- 波長250nmにおける透過率が30%以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- 水素プラズマ処理により現れる表面エッチピットが1平方センチメートルあたり1×105個以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の結晶ダイヤモンド。
- 光散乱トモグラフ法によって評価した結晶欠陥の数が、1平方センチメートルあたり1×105個以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- ヤング率が5×1011Pa以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- 差し渡し径10mm以上であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンドからなる半導体基板。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンドからなる光学窓。
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