JP2020059648A - ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 ダイヤモンド基板の表面
3、4 下地基板
3a、4a 下地基板の片面
3b、4b 下地基板の裏面
5 ダイヤモンド層
6 柱状ダイヤモンド
7 ダイヤモンド基板層
cb 結合境界
t ダイヤモンド基板の厚み
d3、d4 下地基板の厚み
d5 ダイヤモンド層の厚み
d7 ダイヤモンド基板層の厚み
Claims (18)
- ダイヤモンド基板はダイヤモンド単結晶から成り、
更にダイヤモンド基板の平面方向の形状が方形状、円形状、又はオリフラ面が設けられた円形状であり、
方形状の場合は対角線の長さが50.8mm以上であり、円形状の場合は直径が2インチ以上であることを特徴とするダイヤモンド基板。 - 前記対角線の長さが、50.8mm以上203.2mm以下か、または前記直径が2インチ以上8インチ以下であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド基板。
- 前記ダイヤモンド基板の表面におけるX線ロッキングカーブの半値全幅が、表面の全面に亘り300秒以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド基板。
- 前記半値全幅が、前記表面の全面に亘り100秒以下であることを特徴とする請求項3に記載のダイヤモンド基板。
- 前記半値全幅が、前記表面の全面に亘り50秒以下であることを特徴とする請求項3又は4に記載のダイヤモンド基板。
- 前記ダイヤモンド基板の表面の表面粗さRaが、1nm未満であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のダイヤモンド基板。
- 前記表面粗さRaが、0.1nm以下であることを特徴とする請求項6に記載のダイヤモンド基板。
- 前記ダイヤモンド基板の厚みが、0.05mm以上3.0mm以下であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載のダイヤモンド基板。
- 前記厚みが、0.3mm以上3.0mm以下であることを特徴とする請求項8に記載のダイヤモンド基板。
- 前記ダイヤモンド基板の厚みが0.5mm以上0.7mm以下であることを特徴とする請求項8又は9に記載のダイヤモンド基板。
- ダイヤモンド単結晶から成る単数又は複数の下地基板を用意し、
下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、
各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、
下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、
ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造し、
ダイヤモンド基板の平面方向の形状を、方形状、円形状、又はオリフラ面が設けられた円形状とし、
方形状の場合は対角線の長さが50.8mm以上であり、円形状の場合は直径が2インチ以上であることを特徴とする、ダイヤモンド基板の製造方法。 - 前記複数の下地基板の各面上にダイヤモンド単結晶を成長させ、各下地基板の面上で成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスして、前記単数の下地基板を作製し、その前記単数の下地基板の片面に、前記柱状ダイヤモンドを複数形成することを特徴とする請求項11に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記各柱状ダイヤモンドのアスペクト比が、5以上であることを特徴とする請求項11又は12に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記柱状ダイヤモンドの直径とピッチを、それぞれ10μm以下に設定することを特徴とする請求項11〜13の何れかに記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記下地基板の前記片面の表面粗さRaが、10nm以下であることを特徴とする請求項11〜14の何れかに記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記柱状ダイヤモンドの高さ方向を、前記柱状ダイヤモンドを形成するダイヤモンド単結晶の(001)面に対して垂直な方向に設定することを特徴とする請求項11〜15の何れかに記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記柱状ダイヤモンドが円柱状であり、
高さ方向において、前記柱状ダイヤモンドの中心部分の直径が、先端部分の直径よりも細く形成されていることを特徴とする請求項11〜16の何れかに記載のダイヤモンド基板の製造方法。 - 前記対角線の長さが、50.8mm以上203.2mm以下か、または前記直径が2インチ以上8インチ以下であることを特徴とする請求項11〜17の何れかに記載のダイヤモンド基板の製造方法。
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