JP2010059044A - 先鋭化針状ダイヤモンド、およびそれを用いた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマCVD成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド5を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド5のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。
【選択図】図3
Description
ダイヤモンド基板上で熱化学加工を用いて形成した針状ダイヤモンドにプラズマ処理を行い、先端部分を先鋭化したことを特徴とする先鋭化針状ダイヤモンドである。
請求項1において、先鋭化針状ダイヤモンドの長さが20μm以上、かつ先端半径が2〜50nmであることを特徴とする先鋭化針状ダイヤモンドである。
請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドのうち少なくとも一本もしくは複数本を探針として備えることを特徴とする走査プローブ顕微鏡用カンチレバーである。
請求項3において、前記探針は、請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドを、前記ダイヤモンド基板から平板部を含むように切り出されたものであって、平板部の少なくとも一つの側面に、ダイヤモンドの結晶方位を示すための平面を有することを特徴とする走査プローブ顕微鏡用カンチレバーである。
請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドを用いたフォトマスク修正用プローブである。
請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドを用いた電子線源である。
得ようとする針状部長さおよび平板部厚みを合算した厚みを有するダイヤモンド基板を準備する工程と、
前記ダイヤモンド基板表面に、炭素を溶融し得る金属またはそれらの合金からなる単結晶金属膜を膜厚0.1μm以上成膜する工程と、
前記単結晶金属膜に、前記ダイヤモンド基板表面を露出するように凹部を形成する工程と、
前記ダイヤモンド基板を、水素を含む雰囲気中で熱処理し熱化学加工を行う工程とによって、20μm以上の長さを有する針状ダイヤモンドを形成した後に、
前記針状ダイヤモンドが形成されたダイヤモンド基板をプラズマ処理装置内に導入し、
水素、または酸素、または水素,酸素,炭素に加えダイヤモンドに導電性を付与する元素のうち複数の元素の供給源となり得るガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことによって、前記針状ダイヤモンド先端を、先端半径2〜50nmに先鋭化することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の先鋭化針状ダイヤモンドの製造方法である。
請求項1に記載の発明によれば、熱化学加工により形成された針状ダイヤモンドにプラズマ処理を施す際、反応室の温度, 圧力, 雰囲気ガス等の条件を選択することでエッチングもしくは成長を制御することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について図1(a)〜(e)を用いて説明する。
針状ダイヤモンドを作製するためのダイヤモンド基板1には、天然のほか、高圧合成法や気相合成法で作製された単結晶ダイヤモンドを用いることができる。単結晶ダイヤモンドは、BやP等を不純物としてドーピングすることにより、その電気伝導率を絶縁体から金属並みまで変化させることが可能であるから、針状ダイヤモンドの用途に応じて適宜選択すればよい。
以上のように熱化学加工によって得られた針状ダイヤモンド4は、針状部が少なくとも20μm以上の長さをもち、ダイヤモンド基板表面に一体に保持されている。図2に針状ダイヤモンドの拡大図を示す。この針状ダイヤモンドが形成されたダイヤモンド基板をプラズマ処理装置内に導入し、先鋭化のためのプラズマ処理を行う。
例えば針状ダイヤモンド先端にダイヤモンドを成長させて先鋭化を行う場合、直流プラズマ処理を施す際のメタン/水素比を0.1〜5%、その際の基板温度は600〜1000℃程度に設定することが好ましい。この時、雰囲気ガス中にBやPを少量導入することで、成長したダイヤモンドに導電性を付与することも可能である。
と表され、αパラメータ3以上では、(111)面からなる四角錐形状のピラミッド型ダイヤモンドが、αパラメータ1以下では、(100)面からなる四角柱状のダイヤモンドが形成されることが知られている。
水素のみの雰囲気でエッチングを行う場合、好ましくは基板温度を900〜1000℃に保ち、針状ダイヤモンドにエッチングを行うと、図6に示すように、針状ダイヤモンド4の先端および外周部が全体的にエッチングされて先鋭化された先鋭化針状ダイヤモンド7を得ることができる。図7に先鋭化針状ダイヤモンド7の拡大図を示す。
二酸化炭素+水素雰囲気でエッチングを行う場合、好ましくは二酸化炭素/水素比は0.1〜5%、基板温度を600〜1000℃に保つことで針状ダイヤモンドをエッチングし、先鋭化することが可能である。
二酸化炭素+メタン+水素雰囲気でエッチングを行う場合、好ましくは二酸化炭素濃度/メタン濃度=0.1〜5%/0.1〜5%、残りは水素濃度とし、その際の基板温度を600〜1000℃に保つことで針状ダイヤモンドをエッチングし、先鋭化することが可能である。また、ここでメタン濃度を増やすことで、成長にもなり得る。
先鋭化針状ダイヤモンドを探針として用いた、本発明のダイヤモンドカンチレバーの構成について図8に示す。本発明のダイヤモンドカンチレバー8は、チップ部9、梁部10、先鋭化針状ダイヤモンドからなるダイヤモンド探針11で構成される。
直流プラズマ処理の条件として、メタン/水素比を5%、基板温度1000℃程度、出力1.2kW、圧力120torrになるように設定し、1時間のプラズマ処理を行った。その結果、図10に示すように、針状ダイヤモンド先端には(111)面からなるピラミッド型のダイヤモンドが成長し、その先端半径は約20nmとなった。また、針状ダイヤモンド先端部の外形の直径は3μmとなった
直流プラズマ処理の条件として、水素100%、基板温度950℃程度、出力1.2kW、圧力120torrになるように設定し、1時間のプラズマ処理を行った。その結果、図11に示すように、針状ダイヤモンドの先端部および外周部がエッチングされ、針状部全体が細くなった。針状ダイヤモンド先端部の外形の直径は300nmとなり、先端半径は約150nmとなった。
マイクロ波プラズマCVD装置によるプラズマ処理の条件として、二酸化炭素/水素比を1%、基板温度950℃程度、出力1.2kW、圧力120torrになるように設定し、10分間のプラズマ処理を行った。その結果、針状ダイヤモンド先端部の外形の直径はエッチングされることにより約200nmとなり、針先端には(111)面からなるピラミッド型のダイヤモンドが形成された。その先端半径は約100nmであった。
直流プラズマ処理の条件として、二酸化炭素/メタン/水素比を1%/1.5%/97.5%、基板温度930℃、出力は1.2kW、圧力は120torrになるよう条件を設定し、60分間のプラズマ処理を行った。その結果、針状ダイヤモンド先端部の外形の直径は500nmとなり、針先端には(111)面からなるピラミッド型のダイヤモンドが成長していた。その先端半径は約20nmであった。
直流プラズマ処理の条件として、メタン/水素/トリメチルボロン比を5%/94%/1%、基板温度1020〜1030℃、出力は1.2kW、圧力は120torrになるよう条件を設定し、30分間のプラズマ処理を行った。その結果、針状ダイヤモンド先端部の外形の直径は3μmとなり、針先端には(111)面からなるピラミッド型のダイヤモンドが成長していた。その先端半径は50nmであった。
2 単結晶金属膜
3 凹部
4 針状ダイヤモンド
5 先鋭化針状ダイヤモンド
6 ピラミッドの頂点部分が直線状に伸びたダイヤモンド
7 先鋭化針状ダイヤモンド
8 ダイヤモンドカンチレバー
9 チップ部
10 梁部
11 ダイヤモンド探針
Claims (7)
- ダイヤモンド基板上で熱化学加工を用いて形成した針状ダイヤモンドにプラズマ処理を行い、先端部分を先鋭化したことを特徴とする先鋭化針状ダイヤモンド。
- 請求項1において、先鋭化針状ダイヤモンドの長さが20μm以上、かつ先端半径が2〜50nmであることを特徴とする先鋭化針状ダイヤモンド。
- 請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドのうち少なくとも一本もしくは複数本を探針として備えることを特徴とする走査プローブ顕微鏡用カンチレバー。
- 請求項3において、前記探針は、請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドを、前記ダイヤモンド基板から平板部を含むように切り出されたものであって、平板部の少なくとも一つの側面に、ダイヤモンドの結晶方位を示すための平面を有することを特徴とする走査プローブ顕微鏡用カンチレバー。
- 請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドを用いたフォトマスク修正用プローブ。
- 請求項1または2に記載の先鋭化針状ダイヤモンドを用いた電子線源。
- 得ようとする針状部長さおよび平板部厚みを合算した厚みを有するダイヤモンド基板を準備する工程と、
前記ダイヤモンド基板表面に、炭素を溶融し得る金属またはそれらの合金からなる単結晶金属膜を膜厚0.1μm以上成膜する工程と、
前記単結晶金属膜に、前記ダイヤモンド基板表面を露出するように凹部を形成する工程と、
前記ダイヤモンド基板を、水素を含む雰囲気中で熱処理し熱化学加工を行う工程とによって、20μm以上の長さを有する針状ダイヤモンドを形成した後に、
前記針状ダイヤモンドが形成されたダイヤモンド基板をプラズマ処理装置内に導入し、
水素、または酸素、または水素,酸素,炭素に加えダイヤモンドに導電性を付与する元素のうち複数の元素の供給源となり得るガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことによって、前記針状ダイヤモンド先端を、先端半径2〜50nmに先鋭化することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の先鋭化針状ダイヤモンドの製造方法。
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