JP4446667B2 - Ｃｎｔ（カーボンナノチューブ）チップ及びその製造方法、並びに電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針 - Google Patents
Ｃｎｔ（カーボンナノチューブ）チップ及びその製造方法、並びに電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）チップ及びその製造方法、並びに電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針に関し、さらに詳しくは、電子顕微鏡などに用いられる電子放出源（点光源）、走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、磁気力顕微鏡、走査型近接場光学顕微鏡などの走査型プローブ顕微鏡に用いられる探針等として好適なＣＮＴチップ及びその製造方法、並びにこのようなＣＮＴチップを用いた電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針に関する。
【０００２】
【従来の技術】
固体表面に強い電界がかかると、電子を固体内に閉じこめている表面のポテンシャル障壁が低くかつ薄くなり、電子がトンネル効果により、真空中に放出される。この現象を「電界放出」という。電界放出を観測するためには、非常に強い電界を表面にかける必要があるので、電界電子放出源には、従来、先端を鋭く尖らせた金属針（例えば、電解研磨で作製されたタングステン針や、半導体微細加工技術を用いて作製されたシリコン等からなる円錐状の微小突起。後者は、スピント型エミッタとも呼ばれている。）が用いられている。
【０００３】
このような金属針を用いた電界放出（ＦＥ）電子銃は、比較的高輝度（１０８〜１０９Ａ／ｍ２ｓｔｒ）であり、しかも、平行性の高い電子線を放出するので、電子線ホログラフィーなどに活用されている。しかしながら、金属針を用いた従来のＦＥ電子銃は、金属針の先端の曲率半径が相対的に大きいために、その干渉性は十分とは言えず、今以上の高輝度化も望まれている。
【０００４】
また、走査型トンネル顕微鏡に代表される走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）は、先端を尖らせた探針で試料表面を掃引し、試料表面の物理量を測定するものである。ＳＰＭ用の探針にもまた、半導体微細加工技術を用いて作製された金属針やセラミックス針が用いられている。しかしながら、従来の探針は、先端の曲率半径及び開き角が相対的に大きいので、深い凹凸を忠実に再現できないという問題がある。また、強度的に弱く、摩耗も激しいという問題がある。
【０００５】
一方、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、黒鉛の一層に相当する炭素原子が六角網目状に配列したシート（グラフェンシート）を筒状に丸めた立体構造を持つ。ＣＮＴは、１枚の円筒状グラフェンシートからなる単層ＣＮＴと、複数枚の円筒状グラフェンシートが同心円状に重なった多層ＣＮＴとがある。また、合成された未処理のＣＮＴの先端は、通常、「キャップ」と呼ばれる半球状のグラファイト層で閉じられた構造になっている。
【０００６】
ＣＮＴは、ｎｍオーダーの直径と、μｍオーダーの長さを有しており、アスペクト比が極めて大きく（すなわち、先端の開き角が約０°）、先端の曲率半径が数ｎｍ〜数十ｎｍと極めて小さいという特徴がある。また、ＣＮＴ先端のキャップは、酸化処理によって比較的容易に除去することができ、キャップを消失させたＣＮＴの先端の曲率半径は、実質的に炭素原子の原子半径と同等になる。
【０００７】
さらに、ＣＮＴは、機械的にも強靱で、化学的・熱的安定性に優れ、円筒部のらせん構造に応じて金属にも半導体にもなるという特徴がある。そのため、ＣＮＴは、発光デバイス用の電子放出源（面光源）、トランジスタ材料、電子顕微鏡用の電子放出源（点光源）、あるいは、ＳＰＭ用の探針等への応用が期待されている。
【０００８】
ＣＮＴを合成する方法には、（１）Ａｒや水素等の気体雰囲気中において炭素棒間でアーク放電を行わせ、陰極上にＣＮＴを堆積させるアーク法、（２）触媒を混ぜたグラファイトの表面にＹＡＧレーザー等の強いパルス光を当て、これにより発生した炭素の煙を電気炉で加熱し、反応管の側壁にＣＮＴを付着させるレーザー蒸発法、（３）触媒金属微粒子上で炭素化合物（例えば、メタン、アセチレン、ベンゼンなど）を熱分解させる化学気相成長法、などが知られている。
【０００９】
これらの合成法により得られるＣＮＴは、いずれも完全にランダムな方向を向いて絡み合った状態になっている。また、多量のカーボンナノカプセルやアモルファス粒子等を含んでいる場合もある。一方、ＣＮＴの持つ究極の異方性を最大限に引き出すためには、捕集された合成物の中から１本のＣＮＴを取り出して支持体の先端に取り付けるか、あるいは、多数本のＣＮＴを基材表面に配向させる必要がある。そのため、ＣＮＴを支持体の先端に取り付け、あるいはＣＮＴを基材表面上に配向させる方法に関し、従来から種々の提案がなされている。
【００１０】
例えば、特許文献１及び非特許文献１、２には、基板としてα型ＳｉＣ単結晶を用い、基板表面を炭素原子のみが並んだ（０００−１）面(以下、これを「Ｃ面」という。)とし、ＳｉＣを所定の温度、時間及び真空度で表面分解させることにより、Ｃ面上にＣＮＴ配向膜を形成する方法が開示されている。
【００１１】
また、非特許文献３には、ヘアピン形状を有するタングステンフィラメント（直径０．１５ｍｍ）の先端に、成長直後のＣＮＴの束を導電ペーストで固定する方法が開示されている。
【００１２】
また、非特許文献４（及び特許文献２）には、ｎ型Ｓｉ（１００）からなる基板をエッチングすることにより基板表面に頂点の曲率半径が２０〜３０ｎｍであるＳｉチップを形成し、Ｃｒ、Ｆｅ等を含む液体化学触媒をＳｉチップ表面にスピンコートし、基板を炉内入れ、炉内で炭化水素ガスを熱分解させることにより、Ｓｉチップの先端に１本のＣＮＴを成長させる方法が開示されている。
【００１３】
さらに、非特許文献５には、電気泳動によるＣＮＴの配向現象と純化作用を利用して、アーク放電で作製したＣＮＴをカートリッジの先端に横一列に配列させ、Ｓｉ探針の先端に１本のＣＮＴを電子ビーム蒸着による炭素膜で固定する方法が開示されている。
【００１４】
【特許文献１】
特開２０００−１００３１７号公報
【特許文献２】
特開２００１−２６１３１６号公報
【非特許文献１】
M.Kusunoki, et al., Appl.Phys.Lett., 77, 531(2000)
【非特許文献２】
M.Kusunoki, et al., Philos.Mag.Lett., 79, 153(1999)
【非特許文献３】
Y.Saito, et al., Jpn.J.Appl.Phys., 39, L271(2000)（Ｌ２７１頁の右欄第６行〜第９行）
【非特許文献４】
K.Matsumoto, et al., Appl.Phys.Lett., 78, 539(2001)（５３９頁の左欄第３０行〜右欄第７行）
【非特許文献５】
田中 一義 編、「カーボンナノチューブ−ナノデバイスへの挑戦」、化学同人、２００１年１月、第１６７頁〜第１７４頁
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ＣＮＴをＦＥ電子銃、あるいはＳＰＭ用の探針として使用するためには、適当な支持体の先端にＣＮＴを接合（以下、このような接合体を「ＣＮＴチップ」という。）する必要がある。
【００１６】
しかしながら、ＣＮＴは、大きさが極めて小さく、取扱性に劣る。そのため、捕集された合成物の中から１本又は数本のＣＮＴを取り出し、支持体の先端に取り付ける方法では、極めて作業性が悪いという問題がある。また、強い電界が作用する環境下又は外力が作用する環境下では、ＣＮＴは、電界又は外力が作用する方向に沿って引っ張られる。そのため、Ｓｉチップの先端にＣＶＤ法によりＣＮＴを成長させる方法、あるいは、導電ペーストや炭素膜等を用いて支持体先端にＣＮＴを固定する方法では、耐久性、信頼性に劣るという問題がある。
【００１７】
本発明が解決しようとする課題は、耐久性及び信頼性に優れたＣＮＴチップ、及びこのようなＣＮＴチップを高い作業効率で製造可能なＣＮＴチップの製造方法を提供することにある。また、本発明が解決しようとする他の課題は、このようなＣＮＴチップを用いた電子銃及びＳＰＭ用探針を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係るＣＮＴチップは、その先端に先鋭部を有し、かつ少なくとも前記先鋭部の先端部分がＳｉＣからなる支持体と、前記先鋭部の最先端部分を構成していたＣＮＴ生成部を表面分解させることによって前記先鋭部の先端に成長させた少なくとも１本のカーボンナノチューブとを備えていることを要旨とする。
【００１９】
また、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法は、その先端に先鋭部を有し、少なくとも前記先鋭部の先端部分がＳｉＣからなり、かつ前記先鋭部の最先端に微小表面を有する支持体を基材から作製する第１先鋭化工程と、前記先鋭部の最先端部分を構成するＣＮＴ生成部を表面分解させ、前記先鋭部の先端にカーボンナノチューブを成長させるＣＮＴ成長工程とを備えていることを要旨とする。
【００２０】
さらに、本発明に係る電子銃は、本発明に係るＣＮＴチップを備えていることを要旨とする。また、本発明に係る走査型プローブ顕微鏡用探針は、本発明に係るＣＮＴチップを備えていることを要旨とする。
【００２１】
少なくとも表面部分がＳｉＣからなる基材を用い、ＳｉＣを表面分解させる前又は後に、基材から支持体を切り出すと、支持体の先端にＳｉＣの表面分解によってＣＮＴを成長させたＣＮＴチップが得られ、合成されたＣＮＴそのものをハンドリングする必要がない。また、支持体の先端とＣＮＴの基端とは強固に結合しているので、耐久性及び信頼性に優れたＣＮＴチップが得られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）に、それぞれ、本実施の形態に係るＣＮＴチップの斜視図及び先端部分の拡大斜視図を示す。図１において、本実施の形態に係るＣＮＴチップ１０は、支持体１２と、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１４とを備えている。
【００２３】
支持体１２は、基部１２ａと、基部１２ａの先端に形成された先鋭部１２ｂからなる。また、先鋭部１２ｂの先端には、先鋭部１２ｂの最先端部分を構成していたＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させることによって先鋭部１２ｂの先端に成長させたＣＮＴ１４が固定されている。
【００２４】
基部１２ａは、ＣＮＴ生成部１２ｃの表面分解によって形成されたＣＮＴ１４を支持すると同時に、ＣＮＴ１４そのもののハンドリングを不要化するためのものである。基部１２ａの形状は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、支持体１２の材質、支持体１２の加工の容易性等に応じて最適な形状を選択すればよい。図１に示す例においては、基部１２ａは、先端側の断面積を基端側の断面積より小さくした、羽子板形の外形を有している。
【００２５】
先鋭部１２ｂは、後述するように、まず先鋭部１２ｂを有する支持体１２を作製し、次いでＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させる方法を用いてＣＮＴチップ１０を作製する場合に、相対的に少数のＣＮＴ１４を成長させるための部分である。
【００２６】
従って、先鋭部１２ｂの形状は、その先端が鋭く尖った円錐状又は角錐状を有していることが望ましい。また、先鋭部１２ｂの形状は、加工方法が許す限り、針状、あるいは階段ピラミッド状であっても良い。図１に示す例においては、先鋭部１２ｂは、ピラミッド形の外形を有している。この場合、ピラミッドの底辺の長さ、頂角の大きさ等は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、支持体１２の材質、支持体１２の加工の容易性等に応じて最適な値を選択すればよい。
【００２７】
また、支持体１２を作製した後にＣＮＴ１４を生成させる場合、先鋭部１２ｂの最先端（すなわち、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端）に、微小表面１２ｄを形成することが望ましい。ＣＮＴ生成部１２ｂの先端に微小表面１２ｄを形成すると、微小な領域からＣＮＴ１４が生成するので、電子放出源、探針等として好適なＣＮＴチップ１０を得ることができる。一般に、微小表面１２ｄの面積が小さくなるほど、生成するＣＮＴ１４の本数を少なくすることができる。
【００２８】
この場合、ＣＮＴ生成部１２ｃは、その先端に微小表面１２ｄを有する形状であれば良く、その他の部分の形状は、特に限定されるものではない。例えば、ＣＮＴ生成部１２ｃは、図１（ｂ）の仮想線（一点鎖線）に示すように、その最先端に矩形の微小表面１２ｄを有するピラミッド形であっても良い。あるいは、先鋭部１２ｂをピラミッド形に加工した後、最先端部分をさらに針状に先鋭化し、これをＣＮＴ生成部１２ｃとしても良い。
【００２９】
輝度及び干渉性に優れた電子放出源、あるいは分解能に優れた探針を得るためには、微小表面１２ｄの面積は、１００μｍ２以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ２以下、さらに好ましくは、０．０１μｍ２以下である。また、微小表面１２ｄが矩形である場合には、短辺の長さは、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．１μｍ以下である。また、微小表面１２ｄが円形である場合には、その直径は、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．１μｍ以下である。
【００３０】
ＣＮＴ１４は、ＣＮＴ生成部１２ｃのＳｉＣの表面分解によって先鋭部１２ｂの先端に成長したものからなる。ＣＮＴ１４の材質は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、要求特性等に応じて最適なものを選択すればよい。すなわち、ＣＮＴ１４は、単層ＣＮＴ又は２層以上の多層ＣＮＴのいずれであっても良く、先端がキャップで覆われたキャップ付ＣＮＴ又は先端のキャップを消失させた開放型ＣＮＴのいずれであっても良い。
【００３１】
また、ＣＮＴ１４の直径、長さ等の形状も特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、要求特性等に応じて最適なものを選択すればよい。一般に、支持体１２の先端部分を構成するＳｉＣの材質、ＳｉＣの表面分解条件等に応じて、直径１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、長さ０．１μｍ以上１０μｍ以下のＣＮＴ１４を得ることができる。さらに、ＣＮＴ１４は、支持体１２の中心軸に垂直に成長しているものであっても良く、あるいは、斜め方向に成長しているものであっても良い。
【００３２】
なお、図１においては、先鋭部１２ｂの先端に１本のＣＮＴ１４が形成されている状態が示されているが、これは単なる例示である。理想的には、先鋭部１２ｂの先端に１本のＣＮＴ１４を形成させるのが好ましいが、複数本のＣＮＴ１４が形成されていても良い。また、複数本のＣＮＴ１４が形成される場合、各ＣＮＴ１４は、一方向に配向しているのが望ましい。
【００３３】
複数本のＣＮＴ１４が形成される場合であっても、通常は、ＣＮＴ１４の先端部分に高低差が形成されるので、電界集中により効果的にエミッション電流を得ることができる。ＣＮＴ１４の本数は、微小表面１２ｄの面積の他、ＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させる際の条件（例えば、温度、時間、真空度など）により制御することができる。
【００３４】
支持体１２の材質は、少なくとも表面分解前のＣＮＴ生成部１２ｃと、先鋭部１２ｂの先端部分がＳｉＣからなっていれば良い。すなわち、支持体１２は、全体が単一のＳｉＣからなるものでも良く、あるいは、先鋭部１２ｂを含む支持体１２の先端部分がＳｉＣからなり、これと他の材料とが、エピタキシャル成長、蒸着、接合等の手段により一体化されたものであっても良い。
【００３５】
支持体１２が先端部分を構成するＳｉＣと他の材料との結合体からなる場合、他の材料は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、製造方法等に応じて最適なものを用いることができる。但し、支持体１２の先端に先鋭部１２ｂを形成した後にＣＮＴ１４を成長させる製造方法を用いるときには、他の材料には、耐熱性の高いものを用いる必要がある。
【００３６】
支持体１２の先端以外の部分を構成する材料としては、具体的には、先端部分を構成するＳｉＣと同一又は異なる種類のＳｉＣ単結晶、ＳｉＣ多結晶体、ＳｉＣ焼結体、アモルファスＳｉＣ、カーボン材料（グラファイト等）、珪素を含む材料とカーボン材料の複合体、及び高融点物質（例えば、タングステン、炭化タングステン、窒化ホウ素、炭化モリブデン、炭化チタン、炭化タンタル等）等が好適な一例として挙げられる。
【００３７】
支持体１２の全体又は先端部分を構成するＳｉＣは、α型ＳｉＣであっても良く、あるいは、β型ＳｉＣであっても良い。また、支持体１２の全体又は先端部分を構成するＳｉＣは、単結晶であっても良く、あるいは、多結晶体であっても良い。
【００３８】
特に、ＳｉＣ単結晶は、結晶方位の制御が容易であり、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に特定の結晶面を露出させることができるので、支持体１２の全体又は先端部分を構成する材料として好適である。
【００３９】
一定の長さを有するＣＮＴ１４を効率よく成長させるためには、ＣＮＴ１４を生成させる前のＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面（支持体１２を加工した後に、ＣＮＴ１４を成長させる場合には、微小表面１２ｄ）の少なくとも一部は、ＳｉＣの結晶面の内、ＣＮＴ１４の成長が容易な結晶面からなることが望ましい。
【００４０】
例えば、α型ＳｉＣの場合、｛０００１｝面、｛ｈ０−ｈｎ｝面、及び｛ｈｈ−２ｈｎ｝面（但し、ｈ＝１，２，３…、ｎ＝０，±１，±２…。）の内の少なくとも１つが、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出していることが望ましい。特に、α型ＳｉＣの（０００−１）面（カーボン（Ｃ）面）をＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出させると、Ｃ面に対してほぼ垂直に配向した１本又は複数本のＣＮＴ１４が得られ、しかも、所定の長さを有するＣＮＴ１４を短時間で成長させることができる。
【００４１】
また、β型ＳｉＣの場合、｛１１１｝面、｛ｈ０ｎ｝面、及び｛ｈｈｎ｝面（但し、ｈ＝１，２，３…、ｎ＝０，±１，±２…。）の内の少なくとも１つが、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出していることが望ましい。特に、β型ＳｉＣの（−１−１−１）Ｃ面をＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出させると、（−１−１−１）Ｃ面に対してほぼ垂直に配向した１本又は複数本のＣＮＴ１４が得られ、しかも、所定の長さを有するＣＮＴ１４を短時間で成長させることができる。
【００４２】
さらに、ＣＮＴチップ１０が電子放出源、走査型トンネル顕微鏡用の探針等のように電気回路の一部を構成する形で使用される場合には、支持体１２の表面の内、少なくともＳｉＣで構成される部分には、ＣＮＴ１４と外部端子とを電気的に接続するための導電層（図示せず）が形成される。導電層は、支持体１２の全面に形成されていても良く、あるいは、ＣＮＴ１４と外部端子との接触部とを繋ぐ領域のみに形成されていても良い。
【００４３】
本発明に係るＣＮＴチップ１０は、支持体１２の先端に１本又は複数本のＣＮＴ１４が固定されており、しかもＣＮＴ１４は、先鋭部１２ｂの先端部分を構成するＳｉＣの表面分解により形成されたものである。そのため、従来のように、捕集された合成物の中から１本又は複数本のＣＮＴを取り出し、支持体の先端に取り付ける作業が不要となる。また、ＳｉＣの表面分解により形成されたＣＮＴ１４と支持体１２の先鋭部１２ｂとの結合力は、相対的に強いので、ＣＮＴチップ１０の耐久性及び信頼性が向上する。
【００４４】
また、支持体１２全体がＳｉＣ単結晶からなる場合には、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面を特定の結晶面で構成することが容易となる。そのため、表面分解によって生成するＣＮＴ１４の長さ、直径、成長速度、成長方向等の制御が容易化する。また、表面分解の条件を変えるだけで、支持体１２の表面全体に導電層を容易に形成することも可能となる。さらに、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面をα型ＳｉＣのＣ面で構成した場合には、Ｃ面に対してほぼ垂直に配向した１本又は複数本のＣＮＴ１４を効率よく成長させることができる。
【００４５】
次に、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法について説明する。本発明の第１の実施の形態に係るＣＮＴチップの製造方法は、第１先鋭化工程と、ＣＮＴ成長工程と、導電層形成工程とを備えている。
【００４６】
初めに、第１先鋭化工程について説明する。第１先鋭化工程は、その先端に先鋭部１２ｂを有し、少なくとも先鋭部１２ｂの先端部分がＳｉＣからなり、かつ先鋭部の最先端に微小表面１２ｄを有する支持体１２を基材から作製する工程である。
【００４７】
本実施の形態において、基材は、少なくともその表面部分がＳｉＣからなるものであれば良い。すなわち、基材は、全体が単一のＳｉＣからなるものであっても良く、あるいは、表面部分を構成するＳｉＣと他の材料とが蒸着、接合等によって一体化した結合体であっても良い。また、基材全体又はその表面部分を構成するＳｉＣは、単結晶ＳｉＣ又は多結晶ＳｉＣのいずれであっても良く、あるいは、α型ＳｉＣ又はβ型ＳｉＣのいずれであっても良い。
【００４８】
但し、表面分解によるＣＮＴ１４の成長や導電層の形成を容易化するためには、基材は、全体が単一のＳｉＣからなるものが好ましい。また、ＣＮＴ１４の成長速度、成長方向等の制御を容易化するためには、基材は、単結晶ＳｉＣが好ましい。さらに、支持体１２の軸に対してほぼ垂直に配向したＣＮＴ１４を効率よく成長させるためには、基材は、その表面がＣ面からなるα型ＳｉＣ単結晶が好ましい。
【００４９】
このような基材から先鋭部１２ｂを備えた支持体１２を作製する方法については、特に限定されるものではないが、先端に傾斜面を有するブレードを用いて、基材に所定の間隔で平行に切り込みを入れる方法が好適である。「傾斜面」とは、ブレードの回転軸に垂直な面に対して傾いている面をいう。傾斜面は、必ずしも平面である必要はなく、曲面あるいは屈曲面であっても良い。このような方法によって、先鋭部１２ｂを比較的容易に形成することができる。
【００５０】
図２に、このような加工方法に用いられるブレードの一例を示す。図２において、ブレード２０は、一般にセラミックス等の切断に用いられるブレードを改良したものであり、その刃先が三角断面になっている点に特徴がある。ブレード２０の刃先を構成する２つの傾斜面２０ａ、２０ｂ及び側面２０ｃには、ダイヤモンド等の砥粒が固定されている。また、精密な加工を行うために、ブレード２０の本体には、一般の切断用ブレードよりも剛性の高い材料が用いられている。
【００５１】
２つの傾斜面２０ａ、２０ｂと、ブレード２０の回転軸に対して垂直な面とのなす角（又は、ブレード２０の先端の角度）は、特に限定されるものではなく、作製しようとする先鋭部１２ｂの形状、基材の材質、ブレード２０の耐久性等に応じて、最適なものを選択すれば良い。図２に例示するブレード２０においては、刃先の頂角は、９０°になっている。
【００５２】
図３に、図２に示すブレード２０を用いた加工方法の一例を示す。まず、図３（ａ）に示すように、基材３０を定盤（図示せず）の上に固定し、ブレード２０を用いて基材３０の表面に１本目の浅い切り込み３２ａを入れる。次に、ブレード２０を、垂直方向の位置を保ったまま所定の距離だけ水平方向に移動させ、１本目の切り込み３２ａと平行に２本目の切り込み３２ｂを入れる。
【００５３】
この時、ブレード２０の切り込み深さに対する水平方向の移動距離を最適化すると、１本目の切り込み３２ａと２本目の切り込み３２ｂとの間に形成される水平部の幅を極めて狭く（具体的には、１０μｍ以下）することができる。その結果、図３（ａ）に示すハッチング領域が削り取られ、基材３０の表面には、支持体１２の先鋭部１２ｂとなる鋸歯状の突起が形成される。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、ブレード２０の切り込み深さを深くし、切り込み３２ａ及び３２ｂの外側に、それぞれ、新たに切り込み３２ｃ及び３２ｄを入れる。これにより、図３（ｂ）に示すハッチング領域が削り取られ、支持体１２の肩部に相当する部分が形成される。
【００５５】
次に、図３（ｃ）に示すように、ブレード２０の切り込み深さを基材３０の厚さ以上とし、切り込み３２ｃ及び３２ｄの外側に、それぞれ、新たに切り込み３２ｅ及び３２ｆを入れる。これにより、図３（ｃ）に示すハッチング領域が削り取られ、支持体１２の胴体部に相当する部分が形成される。
【００５６】
次に、図３（ｄ）に示すように、ブレード２０の切り込み方向を９０°回転させ、切り込み３２ａ及び３２ｂとほぼ直角方向に、それぞれ、近接した２本の浅い切り込み３４ａ及び３４ｂを形成する。
【００５７】
この時、ブレード２０の切り込み深さに対する水平方向の移動距離を最適化すると、切り込み３４ａと切り込み３４ｂとの間に形成される水平部の幅を極めて狭く（具体的には、１０μｍ以下）することができる。その結果、図３（ｄ）に示すハッチング領域が削り取られ、先鋭部１２ｂが現れる。
【００５８】
次に、図３（ｅ）に示すように、ブレード２０の切り込み深さを基材３０の厚さ以上とし、切り込み３４ａ及び３４ｂの外側に、それぞれ、新たに切り込み３４ｃ及び３４ｄを入れる。これにより、図３（ｅ）に示すハッチング領域が削り取られ、図３（ｆ）に示す形状を有する支持体１２が得られる。
【００５９】
なお、得られた支持体１２の先鋭部１２ｂの最先端面には、加工による変質層が形成されている場合がある。ＳｉＣの表面分解によって生成するＣＮＴ１４は、ＳｉＣの結晶構造を引き継いだ状態で成長するので、先鋭部１２ｂの最先端面に変質層があると、ＣＮＴ１４の結晶構造が乱れるおそれがある。従って、そのような場合には、支持体１２を加工した後、ＣＮＴ１４を成長させる前に、先鋭部に導入された変質層を除去することが望ましい（変質層除去工程）。
【００６０】
変質層を除去する方法は、特に限定されるものではなく、支持体１２の材質に応じて、種々の方法を用いることができる。例えば、支持体１２全体がＳｉＣからなる場合、具体的には、（１）加工後の支持体１２を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液中に浸漬し、先鋭部１２ｂの最先端面をエッチングする方法、（２）支持体１２の表面を酸化させ、これをフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とフッ酸（ＨＦ）の混合液中に浸漬し、先鋭部１２ｂの最先端面の酸化膜を除去する方法、等が好適である。
【００６１】
また、先鋭部１２ｂの最先端面に有機物等の不純物が付着していると、ＣＮＴ１４の生成が妨げられる場合がある。従って、このような場合には、ＣＮＴ１４を成長させる前に、先鋭部１２ｂの最先端面を化学洗浄することが望ましい。具体的には、まず、支持体１２を硫酸と過酸化水素水の混合液（硫酸：過酸化水素水＝４：１）に浸漬し、次いで、アンモニア水：過酸化水素水：純水の混合液（アンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：４）に浸漬（約９０℃）すればよい。
【００６２】
次に、ＣＮＴ成長工程について説明する。ＣＮＴ成長工程は、先鋭部１２ｂの最先端部分を構成するＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させ、先鋭部１２ｂの先端にＣＮＴ１４を成長させる工程である。ＣＮＴ生成部１２ｃの表面分解は、支持体１２を所定の温度及び真空度で、所定時間加熱することにより行われる。
【００６３】
表面分解させる際の加熱温度は、１２００℃以上２０００℃以下が好ましい。加熱温度が１２００℃未満であると、ＣＮＴ１４の成長速度が極めて遅くなるので好ましくない。一方、加熱温度が２０００℃を超えると、微小表面１２ｄの表面状態の一様性が低下し、ＣＮＴ１４の直径の制御が困難となる（すなわち、直径の異なる複数のＣＮＴ１４が生成する）ので好ましくない。加熱温度は、好ましくは、１３００℃以上１８００℃以下、さらに好ましくは、１４００℃以上１７００℃以下である。
【００６４】
表面分解させる際の真空度は、１０−６Ｐａ以上５Ｐａ以下が好ましい。真空度が１０−６Ｐａより高くなると、表面分解によって生成したグラファイト層が円筒状とならず、ＣＮＴ１４が成長しにくくなるので好ましくない。一方、真空度が５Ｐａより低くなると、ＳｉＣ表面に保護膜（ＳｉＯ２膜）が形成され、活性酸化が進行しなくなるので好ましくない。真空度は、好ましくは、１０−４Ｐａ以上１Ｐａ以下、さらに好ましくは、１０−３Ｐａ以上０．１Ｐａ以下である。
【００６５】
ＳｉＣの表面分解によるＣＮＴ１４の生成機構は、まず、（１）ＳｉＣ表面に球状のナノキャップが形成され、次いで、（２）ナノキャップを起点として、ＣＮＴ１４がＳｉＣの結晶構造を引き継ぎながら成長する、ものと考えられている。ナノキャップの生成数と真空度との間には相関があり、一般に、真空度が低くなるほど、ナノキャップの生成数（すなわち、成長させるＣＮＴ１４の本数）を少なくすることができる。
【００６６】
表面分解させる際の加熱時間は、加熱温度、加熱時の真空度、ＣＮＴ１４に要求される特性等に応じて最適な時間を選択する。一般に、加熱時間が長くなるほど、ＣＮＴ１４の長さを長くすることができる。
【００６７】
次に、導電層形成工程について説明する。導電層形成工程は、支持体１２の表面に導電層を形成する工程である。導電層は、支持体１２の表面全体に形成されていても良く、あるいは、ＣＮＴ１４と外部端子との接触部とをつなぐ領域のみに形成されていても良い。
【００６８】
導電層の形成方法は、特に限定されるものではなく、種々の方法を用いることができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法等を用いて、導電性物質からなる薄膜を支持体１２表面に形成しても良い。
【００６９】
また、支持体１２全体がＳｉＣからなる場合には、ＳｉＣの表面分解によって支持体１２の表面に導電層を形成しても良い。ＳｉＣの表面分解による導電層の形成は、先端にＣＮＴ１４を成長させた後の支持体１２を所定の温度及び真空度で所定時間加熱することにより行うことができる。
【００７０】
この場合、加熱温度は、１４００℃以上１８００℃以下が好ましい。加熱温度が１４００℃未満であると、ＳｉＣの表面分解速度が遅くなるので好ましくない。一方、加熱温度が１８００℃を越えると、ＣＮＴを構成するカーボンも少しずつ蒸発し、ＣＮＴが短くなるので好ましくない。加熱温度は、好ましくは、１５００℃以上１７００℃以下であり、さらに好ましくは、１６００℃以上１７００℃以下である。
【００７１】
導電層を形成する際の真空度は、１０−５Ｐａ以上１０Ｐａ以下が好ましい。真空度が１０−５Ｐａより高くなると、導電層の生成速度が遅くなるので好ましくない。一方、真空度が１０Ｐａより低くなると、ＳｉＣ表面に保護膜が形成され、活性酸化が進行しなくなるので好ましくない。真空度は、好ましくは、１０−３Ｐａ以上５Ｐａ以下、さらに好ましくは、１０−２Ｐａ以上１Ｐａ以下である。一般に、真空度が高くなるほど、ＳｉＣの表面分解により生成したグラファイト層が層状に重なった導電層の形成が容易化する。
【００７２】
導電層を形成する際の加熱時間は、加熱温度、加熱時の真空度、導電層に要求される特性等に応じて最適な時間を選択する。一般に、加熱時間が長くなるほど、導電層の厚さを厚くすることができる。
【００７３】
なお、例えば、原子間力顕微鏡用の探針のように、ＣＮＴチップ１０が電気回路の一部を構成しない形で使用される場合には、導電層形成工程は、省略しても良い。
【００７４】
また、ＣＮＴ１４の先端をさらに先鋭化するために、支持体１２の先端に成長させたＣＮＴ１４の先端に、エネルギービーム（例えば、収束イオンビーム、電子線、レーザー、紫外線等の光照射、中性原子ビーム等。）を照射しても良い（第３先鋭化工程）。この場合、エネルギービームの照射条件、照射方向等は、特に限定されるものではなく、エネルギービームの種類、ＣＮＴチップ１０に要求される特性等に応じて、最適なものを選択すればよい。
【００７５】
さらに、ＳｉＣの表面分解によって生成するＣＮＴ１４は、一般に、キャップ付ＣＮＴである。このキャップ付ＣＮＴは、酸化処理によって容易に開放型ＣＮＴとすることができる。具体的には、ＣＮＴ１４を成長させた後に、支持体１２を４００℃以上７００℃以下、真空度１０Ｐａ以上７６０Ｐａ以下の条件下で、２０時間以上６０時間以下加熱すればよい。
【００７６】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るＣＮＴチップの製造方法について説明する。本実施の形態に係るＣＮＴチップの製造方法は、第１先鋭化工程と、第２先鋭化工程と、ＣＮＴ成長工程と、導電層形成工程とを備えている。すなわち、第１先鋭化工程の後に、さらに第２先鋭化工程を備えている点が、第１の実施の形態とは異なる。その他の点については、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７７】
第２先鋭化工程は、第１先鋭化工程によって形成された支持体１２先端の先鋭部１２ｂにエネルギービームを照射し、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化させる工程である。
【００７８】
ブレードによって機械加工された先鋭部１２ｂにエネルギービームを照射すると、ビームの照射領域が削り取られ、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化することができる。この場合、ＣＮＴ１４を成長させる微小表面１２ｄにエネルギビームが直接、照射されると、微小表面１２ｄ近傍のＳｉＣの結晶構造が乱れ、健全なＣＮＴ１４が得られない場合がある。
【００７９】
従って、エネルギービームを照射する際には、微小表面１２ｄの内、残したい部分に、エネルギービームに対する耐性を有する保護膜を形成するのが好ましい。また、微小表面１２ｄの上に直接、保護膜を形成すると、保護膜の除去が困難となったり、あるいは、保護膜が形成された部分のＳｉＣの結晶構造が乱れる場合がある。そのような場合には、微小表面１２ｄと、保護膜との間に、中間層を形成するのが好ましい。
【００８０】
例えば、エネルギービームとして収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いる場合において、微小表面１２ｄに対して垂直方向からＦＩＢを照射するときには、具体的には、以下のような手順により先鋭部１２ｂの先鋭化を行うのが好ましい。
【００８１】
すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、少なくとも先鋭部１２ｂの先端面に、中間層４２を形成する。中間層４２としては、具体的には、Ａｌ層、ＳｉＯ２層、Ｃｕ層、Ａｕ層等が好適である。中間層４２の形成方法は、特に限定されるものではなく、その材質に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、Ａｌ層は、蒸着法により形成するのが好ましい。また、ＳｉＯ２層は、湿式酸化法により形成するのが好ましい。
【００８２】
次に、図４（ｂ）に示すように、微小表面１２ｄの内、残したい部分に、保護膜４４を形成する。保護膜４４としては、具体的には、Ｗ膜、Ｍｏ膜等が好適である。保護膜４４の形成方法は、特に限定されるものではなく、その材質に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、Ｗ膜は、蒸着法により形成するのが好ましい。
【００８３】
次に、図４（ｃ）に示すように、微小表面１２ｄに対して垂直方向から、ＦＩＢを照射する。これにより、保護膜４４の形成されていない領域がＦＩＢにより削り取られる。ＦＩＢ照射終了後、中間層４２をエッチングにより除去すると、図４（ｄ）に示すように、先鋭部１２ｂの先端に、針状に先鋭化され、かつその先端に微小表面１２ｄを有するＣＮＴ生成部１２ｃを備えた支持体１２が得られる。
【００８４】
また、例えば、エネルギービームとしてＦＩＢを用いる場合において、微小表面１２ｄに対して平行な方向（水平方向）からＦＩＢを照射するときには、具体的には、以下のような手順により先鋭部１２ｂの先鋭化を行うのが好ましい。図５に、その工程図を示す。なお、図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）の右図は、それぞれ左図のＡ−Ａ’線断面図である。
【００８５】
すなわち、まず、図５（ａ）に示すように、保護膜４６を形成する。この場合、微小表面１２ｄには、直接、ＦＩＢが照射されないので、保護膜４６として、相対的にＦＩＢに対する耐性の小さい材料を用いても良い。保護膜４６としては、具体的には、ＳｉＯ２膜、Ａｌ膜、Ａｕ膜、Ｃｕ膜等が好適である。保護膜４６の形成方法は、特に限定されるものではなく、その材質に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、ＳｉＯ２膜は、湿式酸化法により形成するのが好ましい。
【００８６】
次に、図５（ｂ）に示すように、支持体１２の軸に対して垂直方向（水平方向）からＦＩＢを照射する。これにより、主として先鋭部１２ｂの側壁部分の内、ＦＩＢが照射された部分が削り取られる。ＦＩＢ照射終了後、保護膜４６をエッチングにより除去すると、図５（ｃ）に示すように、先鋭部１２ｂの先端に、薄板状に先鋭化され、かつその先端に微小表面１２ｄを有するＣＮＴ生成部１２ｃを備えた支持体１２が得られる。なお、図５（ｂ）に示すように、一方向からＦＩＢを照射した後、ＦＩＢの照射方向を９０°回転させ、さらに水平方向からＦＩＢを照射すると、薄板状のＣＮＴ生成部１２ｃが針状に先鋭化され、微小表面１２ｄの面積をさらに小さくすることができる。
【００８７】
このような方法により得られた支持体１２を所定の温度及び真空度で所定時間加熱すると、さらに先鋭化されたＣＮＴ生成部１２ｃ先端の微小表面１２ｄから、相対的に少ない本数のＣＮＴ１４を成長させることができる。
【００８８】
なお、ＦＩＢ等を用いて先鋭部１２ｂをさらに先鋭化させた場合、微小表面１２ｄに変質層が形成され、微小表面１２ｄの結晶構造が乱れる場合がある。従って、第２先鋭化工程の後、ＣＮＴ成長工程の前に、上述した方法を用いて変質層を除去することが好ましい（変質層除去工程）。変質層の除去は、第１先鋭化工程又は第２先鋭化工程のいずれか一方の後に行っても良く、あるいは、双方の後にそれぞれ行っても良い。
【００８９】
次に、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法の作用について説明する。少なくともその表面がＳｉＣからなる基材から先鋭部１２ｂを備えた支持体１２を作製し、ＣＮＴ生成部１２ｃを構成するＳｉＣを表面分解させると、Ｓｉが雰囲気中の酸素と結合してＳｉＯガスとなって飛散すると考えられる。その結果、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端にある微小表面１２ｄから、ＳｉＣの結晶構造を承継した１本又は複数本のＣＮＴ１４が成長する。
【００９０】
また、テーパ面を有するブレードを用いて所定の間隔で平行に切り込みを入れる方法を用いると、先鋭部１２ｂの最先端に微小表面１２ｄを有する支持体１２を比較的容易に作製することができる。また、機械加工によに先鋭部１２ｂを形成した後、先鋭部１２ｂにエネルギービームを照射すると、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化することができ、限られた領域から相対的に少ない本数のＣＮＴ１４を成長させることができる。さらに、微小表面１２ｄを加工した後でＣＮＴ１４を成長させているので、ＣＮＴ１４は、加工による損傷を受けない。
【００９１】
また、先鋭部１２ｂの先端を加工した後、変質層の除去を行うと、微小表面１２ｄから結晶構造の乱れた部分が除去されるので、欠陥の少ない健全なＣＮＴ１４を成長させることができる。さらに、ＣＮＴ１４を成長させた後、ＣＮＴ１４にエネルギービームを照射すると、ＣＮＴ１４の先端をさらに先鋭化することができる。
【００９２】
このようにして得られたＣＮＴチップ１０は、支持体１２の先端に相対的に少ない本数のＣＮＴ１４が成長しているので、その内の１本に電界集中が生じやすくなり、低電圧で電子放出が可能となる。そのため、本発明に係るＣＮＴチップ１０は、電子顕微鏡等に用いられるＦＥ電子銃として特に好適である。
【００９３】
また、本発明に係る方法で得られたＣＮＴチップ１０は、その先端に、ナノメートルレベルの先端構造を有する相対的に少ない本数のＣＮＴ１４が形成されているので、走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、磁気力顕微鏡、電気力顕微鏡、走査型近接場光学顕微鏡、水平力顕微鏡、位相検出顕微鏡、表面電位顕微鏡、摩擦力顕微鏡、ケルビンフォース顕微鏡、静電気力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡に用いられる探針として好適である。
【００９４】
さらに、本発明に係るＣＮＴチップ１０の製造方法は、少なくとも先鋭部の先端部分がＳｉＣからなる材料を土台としてＣＮＴチップ１０が作製されるので、合成されたＣＮＴそのものをハンドリングする必要がなく、ピンセットでのハンドリングが可能となる。
【００９５】
【実施例】
（実施例１）
図２に示す断面形状を有するブレード及び精密ダイヤモンドカッター（（株）エノモトエー・ブイ製、精密試料カッター）を用いて、図３に示す手順に従い、支持体１２を作製した。なお、基材３０には、α型ＳｉＣ単結晶を用いた。また、基材３０の表面（すなわち、支持体１２の最先端にある微小表面１２ｄ）は、α型ＳｉＣの（０００−１）Ｃ面とした。
【００９６】
次に、支持体１２の微小表面１２ｄから加工変質層を除去するために、支持体１２を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液（１０Ｎ）に９０℃で１時間浸漬した。さらに、微小表面１２ｄから有機物を除去するために、まず、支持体１２を硫酸：過酸化水素水＝４：１の第１処理液に室温で１０分間浸漬し、さらにアンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：４の第２処理液に９０℃で１０分間浸漬した。
【００９７】
次に、微小表面１２ｄからＣＮＴ１４を成長させるために、支持体１２を真空加熱炉に入れ、１０−２Ｔｏｒｒ（１．３３Ｐａ）の雰囲気下において、１７００℃で６時間加熱した。さらに、支持体１２の表面に導電層を形成するために、支持体１２を、１０−４Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−２Ｐａ）の雰囲気下において、１７００℃で１０時間加熱した。
【００９８】
図６（ａ）に、ダイヤモンド加工後の支持体１２の先端部分の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。本実施例の場合、先端の微小表面１２ｄの大きさは、５μｍ×０．５μｍであった。また、図６（ｂ）に、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０先端の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真を示す。図６（ｂ）より、ＣＮＴチップ１０の先端部分に、直径約５ｎｍ、長さ約３００ｎｍの複数本のＣＮＴ１４が、（０００−１）Ｃ面に対して垂直に配向した状態で成長しているのが分かる。
【００９９】
（実施例２）
実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。さらに、生成したＣＮＴ１４の先端部分に対してＦＩＢ加工を行い、ＣＮＴ１４の先鋭化を行った。得られたＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、ＣＮＴ１４の先端部分の直径が実施例１に比べて細くなっていることが確認された。
【０１００】
（実施例３）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、先鋭部１２ｂ全体に厚さ２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を蒸着させ、さらに、微小表面１２ｄの先端に直径約５００ｎｍ、厚さ約２００ｎｍのＷ保護膜を蒸着させた。次いで、微小表面１２ｄの真上からＦＩＢを照射し、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化した。ＦＩＢ加工後、支持体１２を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液に浸漬し、蒸着させたＷ保護膜をＡｌ層とともに取り除いた。さらに、実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１０１】
図７に、ＦＩＢ加工後の支持体１２の先端部分の走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）写真を示す。ＦＩＢ加工を行うことにより、支持体１２の先端に、直径約２００ｎｍの針状のＣＮＴ生成部１２ｃを形成することができた。また、支持体１２の先端に、予めＡｌ層とＷ保護膜を形成しているので、ＦＩＢ加工によるＣＮＴ生成部１２ｃの損傷を抑制することができた。さらに、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、針状に加工されたＣＮＴ生成部１２ｃの先端からＣＮＴ１４が成長しているのが確認された。
【０１０２】
（実施例４）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、支持体１２を湿式酸化し、支持体１２の表面にＳｉＯ２膜を形成した。湿式酸化の条件は、酸素流量：１５０ｍｌ／分、加熱温度：１１００℃、加熱時間：６時間とした。
【０１０３】
次に、先鋭部１２ｂの先端に水平方向（支持体１２の軸に対して垂直方向）からＦＩＢを照射し、先鋭部１２ｂの先鋭化を行った。ＦＩＢ加工後、支持体１２をフッ化アンモニウム（５０％）：フッ酸（５０％）＝１０：１の処理液に室温で１０分間浸漬し、ＳｉＯ２膜を除去した。さらに、実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１０４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に、ＦＩＢ加工後の支持体１２の先端のＳＥＭ写真を示す。図８より、本実施例の方法でも、先鋭部１２ｂ先端をさらに先鋭化できることが分かる。また、図９（ａ）及び図９（ｂ）に、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端のＴＥＭ写真を示す。図９より、先鋭部１２ｂの先端に、ＣＮＴ１４が生成しているのが分かる。
【０１０５】
本実施例の場合、ＣＮＴ１４の先端に高低差が形成されているので、これを例えばＦＥ電子銃に用いたときには、電子源の位置制御が容易となる。また、電界集中によって効果的にエミッション電流を得ることができる。
【０１０６】
（実施例５）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、実施例４と同一の手順に従い、支持体１２の湿式酸化を行い、先鋭部１２ｂの先端にＳｉＯ２膜を形成した。次いで、微小表面１２ｄに直径約５００ｎｍ、厚さ約２００ｎｍのＷ保護膜を形成し、微小表面１２ｄに対して垂直方向からＦＩＢ加工を行った。
【０１０７】
ＦＩＢ加工終了後、支持体をフッ化アンモニウム（４０％）：フッ酸（５０％）＝１０：１の処理液に室温で１０分間浸漬し、Ｗ保護膜をＳｉＯ２膜とともに除去した。さらに、実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１０８】
本実施例の場合、ＦＩＢ加工により、支持体１２の先端に、長さ約２００ｎｍの針状のＣＮＴ生成部１２ｃを形成することができた。また、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、ＣＮＴ生成部１２ｃの先端にＣＮＴの形成が確認された。
【０１０９】
（実施例６）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、先鋭部１２ｂの表面に保護膜を形成することなく、先鋭部１２ｂの水平方向からＦＩＢを照射し、先鋭部１２ｂの先鋭化を行った。
【０１１０】
次に、ＦＩＢ加工で導入された変質層を除去するために、実施例４と同一条件下で支持体１２の湿式酸化を行い、支持体１２の表面にＳｉＯ２膜を形成した。次いで、支持体１２をフッ化アンモニウム（４０％）：フッ酸（ＨＦ）＝１０：１の処理液に室温で１０分間浸漬し、生成したＳｉＯ２膜を除去した。さらに、実施例１と同一の条件下で、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１１１】
本実施例の場合、ＦＩＢ加工により、支持体の先端に、直径約５ｎｍのＣＮＴ生成部１２ｃを形成することができた。また、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、ＣＮＴ生成部１２ｃの先端にＣＮＴ１４の形成が確認された。
【０１１２】
（実施例７）
実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、ＣＮＴチップ１０を１１００℃、６時間、Ｏ２の流量１５０ｍｌ／ｍｉｎの条件下で酸化処理した。
【０１１３】
図１０に、酸化処理後のＣＮＴチップ１０の先端のＴＥＭ写真を示す。図１０より、酸化処理によって、ＣＮＴ１４先端のキャップが消失すると同時に、ＣＮＴ１４に高低の段差が生じていることが分かる。そのため、本実施例で得られたＣＮＴチップ１０は、例えばＦＥ電子銃に用いるときに、電子源の位置制御が容易となる。また、電界集中によって効果的にエミッション電流を得ることができる。
【０１１４】
（実施例８）
実施例２と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１５】
（実施例９）
実施例３と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１６】
（実施例１０）
実施例４と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１７】
（実施例１１）
実施例５と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１８】
（実施例１２）
実施例６と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１９】
実施例４で得られたＣＮＴチップ１０を、タングステンフィラメント（φ０．１５ｍｍ）にグラファイトボンドで接着固定し、電子銃用ステム（支持台）に取り付けて、電界放出実験を行った。その結果、ＣＮＴ電子銃から陽極板までの距離：１ｍｍ、引出し電圧：３ｋＶ、真空度：５×１０−７Ｐａの条件下において、５００ｎＡの最大エミッション電流が得られた。
【０１２０】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【０１２１】
例えば、先鋭部１２ｂの先端に成長させたＣＮＴ１４の損傷を最小限に抑えるためには、その先端に先鋭部１２ｂを有する支持体１２を加工した後、微小表面１２ｄからＣＮＴ１４を成長させるのが好ましいが、本発明に係るＣＮＴチップ１０は、平板状の基材の表面にＣＮＴを成長させた後、基材を支持体形状に加工する方法によっても製造することができる。
【０１２２】
また、上述した各種の製造方法は、α型ＳｉＣ単結晶に限らず、β型ＳｉＣ単結晶、あるいは、α、β型のＳｉＣの多結晶体に対しても適用することができる。
【０１２３】
さらに、上記実施の形態では、ダイヤモンドブレードを用いて支持体１２の先端を先鋭化する方法について主に説明したが、先鋭部１２ｂの形成方法は、これに限定されるものではなく、先端の先鋭化が可能である限り、他の方法を用いても良い。
【０１２４】
【発明の効果】
本発明に係るＣＮＴチップは、支持体の先端に、ＳｉＣの表面分解によって生成したＣＮＴが固定されているので、ＣＮＴのハンドリングが極めて容易化するという効果がある。また、ＣＮＴと支持体先端は、強固に結合しているので、ＣＮＴチップの耐久性及び信頼性が向上するという効果がある。
【０１２５】
また、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法は、先鋭部を有する支持体を加工し、次いで先鋭部の先端を構成するＳｉＣを表面分解させているので、チップ製造時に、ＣＮＴを直接ハンドリングする必要がなく、作業効率が著しく向上するという効果がある。また、ＣＮＴの損傷が最小限に抑えられるので、電界電子放出特性及び／又は分解能に優れたＣＮＴチップが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（ａ）は、本発明に係るＣＮＴチップの斜視図であり、図１（ｂ）は、先鋭部の拡大斜視図である。
【図２】 支持体の加工に用いられるブレードの断面図である。
【図３】 図２に示すブレードを用いた加工方法を示す工程図である。
【図４】 先鋭部をさらに先鋭化する方法を示す工程図である。
【図５】 先鋭部をさらに先鋭化する他の方法を示す工程図である。
【図６】 図６（ａ）は、実施例１で得られたブレードによる機械加工後の支持体の先端部分のＳＥＭ写真であり、図６（ｂ）は、表面分解処理後のＣＮＴチップ先端のＴＥＭ写真である。
【図７】 実施例３で得られたＦＩＢ加工後の支持体の先端部分のＳＩＭ写真である。
【図８】 図８（ａ）は、実施例４で得られたＦＩＢ加工後の支持体先端の高倍率ＳＥＭ写真であり、図８（ｂ）は、同低倍率ＳＥＭ写真である。
【図９】 図９（ａ）は、実施例４で得られた表面分解処理後のＣＮＴチップ先端の低倍率ＴＥＭ写真であり、図９（ｂ）は、同高倍率ＴＥＭ写真である。
【図１０】 実施例７で得られた酸化処理後のＣＮＴチップ先端のＴＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０ ＣＮＴチップ
１２ 支持体
１２ｂ 先鋭部
１２ｃ ＣＮＴ生成部
１２ｄ 微小表面
１４ カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
３０ 基材
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）チップ及びその製造方法、並びに電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針に関し、さらに詳しくは、電子顕微鏡などに用いられる電子放出源（点光源）、走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、磁気力顕微鏡、走査型近接場光学顕微鏡などの走査型プローブ顕微鏡に用いられる探針等として好適なＣＮＴチップ及びその製造方法、並びにこのようなＣＮＴチップを用いた電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針に関する。
【０００２】
【従来の技術】
固体表面に強い電界がかかると、電子を固体内に閉じこめている表面のポテンシャル障壁が低くかつ薄くなり、電子がトンネル効果により、真空中に放出される。この現象を「電界放出」という。電界放出を観測するためには、非常に強い電界を表面にかける必要があるので、電界電子放出源には、従来、先端を鋭く尖らせた金属針（例えば、電解研磨で作製されたタングステン針や、半導体微細加工技術を用いて作製されたシリコン等からなる円錐状の微小突起。後者は、スピント型エミッタとも呼ばれている。）が用いられている。
【０００３】
このような金属針を用いた電界放出（ＦＥ）電子銃は、比較的高輝度（１０８〜１０９Ａ／ｍ２ｓｔｒ）であり、しかも、平行性の高い電子線を放出するので、電子線ホログラフィーなどに活用されている。しかしながら、金属針を用いた従来のＦＥ電子銃は、金属針の先端の曲率半径が相対的に大きいために、その干渉性は十分とは言えず、今以上の高輝度化も望まれている。
【０００４】
また、走査型トンネル顕微鏡に代表される走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）は、先端を尖らせた探針で試料表面を掃引し、試料表面の物理量を測定するものである。ＳＰＭ用の探針にもまた、半導体微細加工技術を用いて作製された金属針やセラミックス針が用いられている。しかしながら、従来の探針は、先端の曲率半径及び開き角が相対的に大きいので、深い凹凸を忠実に再現できないという問題がある。また、強度的に弱く、摩耗も激しいという問題がある。
【０００５】
一方、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、黒鉛の一層に相当する炭素原子が六角網目状に配列したシート（グラフェンシート）を筒状に丸めた立体構造を持つ。ＣＮＴは、１枚の円筒状グラフェンシートからなる単層ＣＮＴと、複数枚の円筒状グラフェンシートが同心円状に重なった多層ＣＮＴとがある。また、合成された未処理のＣＮＴの先端は、通常、「キャップ」と呼ばれる半球状のグラファイト層で閉じられた構造になっている。
【０００６】
ＣＮＴは、ｎｍオーダーの直径と、μｍオーダーの長さを有しており、アスペクト比が極めて大きく（すなわち、先端の開き角が約０°）、先端の曲率半径が数ｎｍ〜数十ｎｍと極めて小さいという特徴がある。また、ＣＮＴ先端のキャップは、酸化処理によって比較的容易に除去することができ、キャップを消失させたＣＮＴの先端の曲率半径は、実質的に炭素原子の原子半径と同等になる。
【０００７】
さらに、ＣＮＴは、機械的にも強靱で、化学的・熱的安定性に優れ、円筒部のらせん構造に応じて金属にも半導体にもなるという特徴がある。そのため、ＣＮＴは、発光デバイス用の電子放出源（面光源）、トランジスタ材料、電子顕微鏡用の電子放出源（点光源）、あるいは、ＳＰＭ用の探針等への応用が期待されている。
【０００８】
ＣＮＴを合成する方法には、（１）Ａｒや水素等の気体雰囲気中において炭素棒間でアーク放電を行わせ、陰極上にＣＮＴを堆積させるアーク法、（２）触媒を混ぜたグラファイトの表面にＹＡＧレーザー等の強いパルス光を当て、これにより発生した炭素の煙を電気炉で加熱し、反応管の側壁にＣＮＴを付着させるレーザー蒸発法、（３）触媒金属微粒子上で炭素化合物（例えば、メタン、アセチレン、ベンゼンなど）を熱分解させる化学気相成長法、などが知られている。
【０００９】
これらの合成法により得られるＣＮＴは、いずれも完全にランダムな方向を向いて絡み合った状態になっている。また、多量のカーボンナノカプセルやアモルファス粒子等を含んでいる場合もある。一方、ＣＮＴの持つ究極の異方性を最大限に引き出すためには、捕集された合成物の中から１本のＣＮＴを取り出して支持体の先端に取り付けるか、あるいは、多数本のＣＮＴを基材表面に配向させる必要がある。そのため、ＣＮＴを支持体の先端に取り付け、あるいはＣＮＴを基材表面上に配向させる方法に関し、従来から種々の提案がなされている。
【００１０】
例えば、特許文献１及び非特許文献１、２には、基板としてα型ＳｉＣ単結晶を用い、基板表面を炭素原子のみが並んだ（０００−１）面(以下、これを「Ｃ面」という。)とし、ＳｉＣを所定の温度、時間及び真空度で表面分解させることにより、Ｃ面上にＣＮＴ配向膜を形成する方法が開示されている。
【００１１】
また、非特許文献３には、ヘアピン形状を有するタングステンフィラメント（直径０．１５ｍｍ）の先端に、成長直後のＣＮＴの束を導電ペーストで固定する方法が開示されている。
【００１２】
また、非特許文献４（及び特許文献２）には、ｎ型Ｓｉ（１００）からなる基板をエッチングすることにより基板表面に頂点の曲率半径が２０〜３０ｎｍであるＳｉチップを形成し、Ｃｒ、Ｆｅ等を含む液体化学触媒をＳｉチップ表面にスピンコートし、基板を炉内入れ、炉内で炭化水素ガスを熱分解させることにより、Ｓｉチップの先端に１本のＣＮＴを成長させる方法が開示されている。
【００１３】
さらに、非特許文献５には、電気泳動によるＣＮＴの配向現象と純化作用を利用して、アーク放電で作製したＣＮＴをカートリッジの先端に横一列に配列させ、Ｓｉ探針の先端に１本のＣＮＴを電子ビーム蒸着による炭素膜で固定する方法が開示されている。
【００１４】
【特許文献１】
特開２０００−１００３１７号公報
【特許文献２】
特開２００１−２６１３１６号公報
【非特許文献１】
M.Kusunoki, et al., Appl.Phys.Lett., 77, 531(2000)
【非特許文献２】
M.Kusunoki, et al., Philos.Mag.Lett., 79, 153(1999)
【非特許文献３】
Y.Saito, et al., Jpn.J.Appl.Phys., 39, L271(2000)（Ｌ２７１頁の右欄第６行〜第９行）
【非特許文献４】
K.Matsumoto, et al., Appl.Phys.Lett., 78, 539(2001)（５３９頁の左欄第３０行〜右欄第７行）
【非特許文献５】
田中 一義 編、「カーボンナノチューブ−ナノデバイスへの挑戦」、化学同人、２００１年１月、第１６７頁〜第１７４頁
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ＣＮＴをＦＥ電子銃、あるいはＳＰＭ用の探針として使用するためには、適当な支持体の先端にＣＮＴを接合（以下、このような接合体を「ＣＮＴチップ」という。）する必要がある。
【００１６】
しかしながら、ＣＮＴは、大きさが極めて小さく、取扱性に劣る。そのため、捕集された合成物の中から１本又は数本のＣＮＴを取り出し、支持体の先端に取り付ける方法では、極めて作業性が悪いという問題がある。また、強い電界が作用する環境下又は外力が作用する環境下では、ＣＮＴは、電界又は外力が作用する方向に沿って引っ張られる。そのため、Ｓｉチップの先端にＣＶＤ法によりＣＮＴを成長させる方法、あるいは、導電ペーストや炭素膜等を用いて支持体先端にＣＮＴを固定する方法では、耐久性、信頼性に劣るという問題がある。
【００１７】
本発明が解決しようとする課題は、耐久性及び信頼性に優れたＣＮＴチップ、及びこのようなＣＮＴチップを高い作業効率で製造可能なＣＮＴチップの製造方法を提供することにある。また、本発明が解決しようとする他の課題は、このようなＣＮＴチップを用いた電子銃及びＳＰＭ用探針を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係るＣＮＴチップは、その先端に先鋭部を有し、かつ少なくとも前記先鋭部の先端部分がＳｉＣからなる支持体と、前記先鋭部の最先端部分を構成していたＣＮＴ生成部を表面分解させることによって前記先鋭部の先端に成長させた少なくとも１本のカーボンナノチューブとを備えていることを要旨とする。
【００１９】
また、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法は、その先端に先鋭部を有し、少なくとも前記先鋭部の先端部分がＳｉＣからなり、かつ前記先鋭部の最先端に微小表面を有する支持体を基材から作製する第１先鋭化工程と、前記先鋭部の最先端部分を構成するＣＮＴ生成部を表面分解させ、前記先鋭部の先端にカーボンナノチューブを成長させるＣＮＴ成長工程とを備えていることを要旨とする。
【００２０】
さらに、本発明に係る電子銃は、本発明に係るＣＮＴチップを備えていることを要旨とする。また、本発明に係る走査型プローブ顕微鏡用探針は、本発明に係るＣＮＴチップを備えていることを要旨とする。
【００２１】
少なくとも表面部分がＳｉＣからなる基材を用い、ＳｉＣを表面分解させる前又は後に、基材から支持体を切り出すと、支持体の先端にＳｉＣの表面分解によってＣＮＴを成長させたＣＮＴチップが得られ、合成されたＣＮＴそのものをハンドリングする必要がない。また、支持体の先端とＣＮＴの基端とは強固に結合しているので、耐久性及び信頼性に優れたＣＮＴチップが得られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）に、それぞれ、本実施の形態に係るＣＮＴチップの斜視図及び先端部分の拡大斜視図を示す。図１において、本実施の形態に係るＣＮＴチップ１０は、支持体１２と、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１４とを備えている。
【００２３】
支持体１２は、基部１２ａと、基部１２ａの先端に形成された先鋭部１２ｂからなる。また、先鋭部１２ｂの先端には、先鋭部１２ｂの最先端部分を構成していたＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させることによって先鋭部１２ｂの先端に成長させたＣＮＴ１４が固定されている。
【００２４】
基部１２ａは、ＣＮＴ生成部１２ｃの表面分解によって形成されたＣＮＴ１４を支持すると同時に、ＣＮＴ１４そのもののハンドリングを不要化するためのものである。基部１２ａの形状は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、支持体１２の材質、支持体１２の加工の容易性等に応じて最適な形状を選択すればよい。図１に示す例においては、基部１２ａは、先端側の断面積を基端側の断面積より小さくした、羽子板形の外形を有している。
【００２５】
先鋭部１２ｂは、後述するように、まず先鋭部１２ｂを有する支持体１２を作製し、次いでＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させる方法を用いてＣＮＴチップ１０を作製する場合に、相対的に少数のＣＮＴ１４を成長させるための部分である。
【００２６】
従って、先鋭部１２ｂの形状は、その先端が鋭く尖った円錐状又は角錐状を有していることが望ましい。また、先鋭部１２ｂの形状は、加工方法が許す限り、針状、あるいは階段ピラミッド状であっても良い。図１に示す例においては、先鋭部１２ｂは、ピラミッド形の外形を有している。この場合、ピラミッドの底辺の長さ、頂角の大きさ等は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、支持体１２の材質、支持体１２の加工の容易性等に応じて最適な値を選択すればよい。
【００２７】
また、支持体１２を作製した後にＣＮＴ１４を生成させる場合、先鋭部１２ｂの最先端（すなわち、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端）に、微小表面１２ｄを形成することが望ましい。ＣＮＴ生成部１２ｂの先端に微小表面１２ｄを形成すると、微小な領域からＣＮＴ１４が生成するので、電子放出源、探針等として好適なＣＮＴチップ１０を得ることができる。一般に、微小表面１２ｄの面積が小さくなるほど、生成するＣＮＴ１４の本数を少なくすることができる。
【００２８】
この場合、ＣＮＴ生成部１２ｃは、その先端に微小表面１２ｄを有する形状であれば良く、その他の部分の形状は、特に限定されるものではない。例えば、ＣＮＴ生成部１２ｃは、図１（ｂ）の仮想線（一点鎖線）に示すように、その最先端に矩形の微小表面１２ｄを有するピラミッド形であっても良い。あるいは、先鋭部１２ｂをピラミッド形に加工した後、最先端部分をさらに針状に先鋭化し、これをＣＮＴ生成部１２ｃとしても良い。
【００２９】
輝度及び干渉性に優れた電子放出源、あるいは分解能に優れた探針を得るためには、微小表面１２ｄの面積は、１００μｍ２以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ２以下、さらに好ましくは、０．０１μｍ２以下である。また、微小表面１２ｄが矩形である場合には、短辺の長さは、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．１μｍ以下である。また、微小表面１２ｄが円形である場合には、その直径は、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．１μｍ以下である。
【００３０】
ＣＮＴ１４は、ＣＮＴ生成部１２ｃのＳｉＣの表面分解によって先鋭部１２ｂの先端に成長したものからなる。ＣＮＴ１４の材質は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、要求特性等に応じて最適なものを選択すればよい。すなわち、ＣＮＴ１４は、単層ＣＮＴ又は２層以上の多層ＣＮＴのいずれであっても良く、先端がキャップで覆われたキャップ付ＣＮＴ又は先端のキャップを消失させた開放型ＣＮＴのいずれであっても良い。
【００３１】
また、ＣＮＴ１４の直径、長さ等の形状も特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、要求特性等に応じて最適なものを選択すればよい。一般に、支持体１２の先端部分を構成するＳｉＣの材質、ＳｉＣの表面分解条件等に応じて、直径１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、長さ０．１μｍ以上１０μｍ以下のＣＮＴ１４を得ることができる。さらに、ＣＮＴ１４は、支持体１２の中心軸に垂直に成長しているものであっても良く、あるいは、斜め方向に成長しているものであっても良い。
【００３２】
なお、図１においては、先鋭部１２ｂの先端に１本のＣＮＴ１４が形成されている状態が示されているが、これは単なる例示である。理想的には、先鋭部１２ｂの先端に１本のＣＮＴ１４を形成させるのが好ましいが、複数本のＣＮＴ１４が形成されていても良い。また、複数本のＣＮＴ１４が形成される場合、各ＣＮＴ１４は、一方向に配向しているのが望ましい。
【００３３】
複数本のＣＮＴ１４が形成される場合であっても、通常は、ＣＮＴ１４の先端部分に高低差が形成されるので、電界集中により効果的にエミッション電流を得ることができる。ＣＮＴ１４の本数は、微小表面１２ｄの面積の他、ＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させる際の条件（例えば、温度、時間、真空度など）により制御することができる。
【００３４】
支持体１２の材質は、少なくとも表面分解前のＣＮＴ生成部１２ｃと、先鋭部１２ｂの先端部分がＳｉＣからなっていれば良い。すなわち、支持体１２は、全体が単一のＳｉＣからなるものでも良く、あるいは、先鋭部１２ｂを含む支持体１２の先端部分がＳｉＣからなり、これと他の材料とが、エピタキシャル成長、蒸着、接合等の手段により一体化されたものであっても良い。
【００３５】
支持体１２が先端部分を構成するＳｉＣと他の材料との結合体からなる場合、他の材料は、特に限定されるものではなく、ＣＮＴチップ１０の用途、製造方法等に応じて最適なものを用いることができる。但し、支持体１２の先端に先鋭部１２ｂを形成した後にＣＮＴ１４を成長させる製造方法を用いるときには、他の材料には、耐熱性の高いものを用いる必要がある。
【００３６】
支持体１２の先端以外の部分を構成する材料としては、具体的には、先端部分を構成するＳｉＣと同一又は異なる種類のＳｉＣ単結晶、ＳｉＣ多結晶体、ＳｉＣ焼結体、アモルファスＳｉＣ、カーボン材料（グラファイト等）、珪素を含む材料とカーボン材料の複合体、及び高融点物質（例えば、タングステン、炭化タングステン、窒化ホウ素、炭化モリブデン、炭化チタン、炭化タンタル等）等が好適な一例として挙げられる。
【００３７】
支持体１２の全体又は先端部分を構成するＳｉＣは、α型ＳｉＣであっても良く、あるいは、β型ＳｉＣであっても良い。また、支持体１２の全体又は先端部分を構成するＳｉＣは、単結晶であっても良く、あるいは、多結晶体であっても良い。
【００３８】
特に、ＳｉＣ単結晶は、結晶方位の制御が容易であり、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に特定の結晶面を露出させることができるので、支持体１２の全体又は先端部分を構成する材料として好適である。
【００３９】
一定の長さを有するＣＮＴ１４を効率よく成長させるためには、ＣＮＴ１４を生成させる前のＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面（支持体１２を加工した後に、ＣＮＴ１４を成長させる場合には、微小表面１２ｄ）の少なくとも一部は、ＳｉＣの結晶面の内、ＣＮＴ１４の成長が容易な結晶面からなることが望ましい。
【００４０】
例えば、α型ＳｉＣの場合、｛０００１｝面、｛ｈ０−ｈｎ｝面、及び｛ｈｈ−２ｈｎ｝面（但し、ｈ＝１，２，３…、ｎ＝０，±１，±２…。）の内の少なくとも１つが、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出していることが望ましい。特に、α型ＳｉＣの（０００−１）面（カーボン（Ｃ）面）をＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出させると、Ｃ面に対してほぼ垂直に配向した１本又は複数本のＣＮＴ１４が得られ、しかも、所定の長さを有するＣＮＴ１４を短時間で成長させることができる。
【００４１】
また、β型ＳｉＣの場合、｛１１１｝面、｛ｈ０ｎ｝面、及び｛ｈｈｎ｝面（但し、ｈ＝１，２，３…、ｎ＝０，±１，±２…。）の内の少なくとも１つが、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出していることが望ましい。特に、β型ＳｉＣの（−１−１−１）Ｃ面をＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面に露出させると、（−１−１−１）Ｃ面に対してほぼ垂直に配向した１本又は複数本のＣＮＴ１４が得られ、しかも、所定の長さを有するＣＮＴ１４を短時間で成長させることができる。
【００４２】
さらに、ＣＮＴチップ１０が電子放出源、走査型トンネル顕微鏡用の探針等のように電気回路の一部を構成する形で使用される場合には、支持体１２の表面の内、少なくともＳｉＣで構成される部分には、ＣＮＴ１４と外部端子とを電気的に接続するための導電層（図示せず）が形成される。導電層は、支持体１２の全面に形成されていても良く、あるいは、ＣＮＴ１４と外部端子との接触部とを繋ぐ領域のみに形成されていても良い。
【００４３】
本発明に係るＣＮＴチップ１０は、支持体１２の先端に１本又は複数本のＣＮＴ１４が固定されており、しかもＣＮＴ１４は、先鋭部１２ｂの先端部分を構成するＳｉＣの表面分解により形成されたものである。そのため、従来のように、捕集された合成物の中から１本又は複数本のＣＮＴを取り出し、支持体の先端に取り付ける作業が不要となる。また、ＳｉＣの表面分解により形成されたＣＮＴ１４と支持体１２の先鋭部１２ｂとの結合力は、相対的に強いので、ＣＮＴチップ１０の耐久性及び信頼性が向上する。
【００４４】
また、支持体１２全体がＳｉＣ単結晶からなる場合には、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面を特定の結晶面で構成することが容易となる。そのため、表面分解によって生成するＣＮＴ１４の長さ、直径、成長速度、成長方向等の制御が容易化する。また、表面分解の条件を変えるだけで、支持体１２の表面全体に導電層を容易に形成することも可能となる。さらに、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端面をα型ＳｉＣのＣ面で構成した場合には、Ｃ面に対してほぼ垂直に配向した１本又は複数本のＣＮＴ１４を効率よく成長させることができる。
【００４５】
次に、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法について説明する。本発明の第１の実施の形態に係るＣＮＴチップの製造方法は、第１先鋭化工程と、ＣＮＴ成長工程と、導電層形成工程とを備えている。
【００４６】
初めに、第１先鋭化工程について説明する。第１先鋭化工程は、その先端に先鋭部１２ｂを有し、少なくとも先鋭部１２ｂの先端部分がＳｉＣからなり、かつ先鋭部の最先端に微小表面１２ｄを有する支持体１２を基材から作製する工程である。
【００４７】
本実施の形態において、基材は、少なくともその表面部分がＳｉＣからなるものであれば良い。すなわち、基材は、全体が単一のＳｉＣからなるものであっても良く、あるいは、表面部分を構成するＳｉＣと他の材料とが蒸着、接合等によって一体化した結合体であっても良い。また、基材全体又はその表面部分を構成するＳｉＣは、単結晶ＳｉＣ又は多結晶ＳｉＣのいずれであっても良く、あるいは、α型ＳｉＣ又はβ型ＳｉＣのいずれであっても良い。
【００４８】
但し、表面分解によるＣＮＴ１４の成長や導電層の形成を容易化するためには、基材は、全体が単一のＳｉＣからなるものが好ましい。また、ＣＮＴ１４の成長速度、成長方向等の制御を容易化するためには、基材は、単結晶ＳｉＣが好ましい。さらに、支持体１２の軸に対してほぼ垂直に配向したＣＮＴ１４を効率よく成長させるためには、基材は、その表面がＣ面からなるα型ＳｉＣ単結晶が好ましい。
【００４９】
このような基材から先鋭部１２ｂを備えた支持体１２を作製する方法については、特に限定されるものではないが、先端に傾斜面を有するブレードを用いて、基材に所定の間隔で平行に切り込みを入れる方法が好適である。「傾斜面」とは、ブレードの回転軸に垂直な面に対して傾いている面をいう。傾斜面は、必ずしも平面である必要はなく、曲面あるいは屈曲面であっても良い。このような方法によって、先鋭部１２ｂを比較的容易に形成することができる。
【００５０】
図２に、このような加工方法に用いられるブレードの一例を示す。図２において、ブレード２０は、一般にセラミックス等の切断に用いられるブレードを改良したものであり、その刃先が三角断面になっている点に特徴がある。ブレード２０の刃先を構成する２つの傾斜面２０ａ、２０ｂ及び側面２０ｃには、ダイヤモンド等の砥粒が固定されている。また、精密な加工を行うために、ブレード２０の本体には、一般の切断用ブレードよりも剛性の高い材料が用いられている。
【００５１】
２つの傾斜面２０ａ、２０ｂと、ブレード２０の回転軸に対して垂直な面とのなす角（又は、ブレード２０の先端の角度）は、特に限定されるものではなく、作製しようとする先鋭部１２ｂの形状、基材の材質、ブレード２０の耐久性等に応じて、最適なものを選択すれば良い。図２に例示するブレード２０においては、刃先の頂角は、９０°になっている。
【００５２】
図３に、図２に示すブレード２０を用いた加工方法の一例を示す。まず、図３（ａ）に示すように、基材３０を定盤（図示せず）の上に固定し、ブレード２０を用いて基材３０の表面に１本目の浅い切り込み３２ａを入れる。次に、ブレード２０を、垂直方向の位置を保ったまま所定の距離だけ水平方向に移動させ、１本目の切り込み３２ａと平行に２本目の切り込み３２ｂを入れる。
【００５３】
この時、ブレード２０の切り込み深さに対する水平方向の移動距離を最適化すると、１本目の切り込み３２ａと２本目の切り込み３２ｂとの間に形成される水平部の幅を極めて狭く（具体的には、１０μｍ以下）することができる。その結果、図３（ａ）に示すハッチング領域が削り取られ、基材３０の表面には、支持体１２の先鋭部１２ｂとなる鋸歯状の突起が形成される。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、ブレード２０の切り込み深さを深くし、切り込み３２ａ及び３２ｂの外側に、それぞれ、新たに切り込み３２ｃ及び３２ｄを入れる。これにより、図３（ｂ）に示すハッチング領域が削り取られ、支持体１２の肩部に相当する部分が形成される。
【００５５】
次に、図３（ｃ）に示すように、ブレード２０の切り込み深さを基材３０の厚さ以上とし、切り込み３２ｃ及び３２ｄの外側に、それぞれ、新たに切り込み３２ｅ及び３２ｆを入れる。これにより、図３（ｃ）に示すハッチング領域が削り取られ、支持体１２の胴体部に相当する部分が形成される。
【００５６】
次に、図３（ｄ）に示すように、ブレード２０の切り込み方向を９０°回転させ、切り込み３２ａ及び３２ｂとほぼ直角方向に、それぞれ、近接した２本の浅い切り込み３４ａ及び３４ｂを形成する。
【００５７】
この時、ブレード２０の切り込み深さに対する水平方向の移動距離を最適化すると、切り込み３４ａと切り込み３４ｂとの間に形成される水平部の幅を極めて狭く（具体的には、１０μｍ以下）することができる。その結果、図３（ｄ）に示すハッチング領域が削り取られ、先鋭部１２ｂが現れる。
【００５８】
次に、図３（ｅ）に示すように、ブレード２０の切り込み深さを基材３０の厚さ以上とし、切り込み３４ａ及び３４ｂの外側に、それぞれ、新たに切り込み３４ｃ及び３４ｄを入れる。これにより、図３（ｅ）に示すハッチング領域が削り取られ、図３（ｆ）に示す形状を有する支持体１２が得られる。
【００５９】
なお、得られた支持体１２の先鋭部１２ｂの最先端面には、加工による変質層が形成されている場合がある。ＳｉＣの表面分解によって生成するＣＮＴ１４は、ＳｉＣの結晶構造を引き継いだ状態で成長するので、先鋭部１２ｂの最先端面に変質層があると、ＣＮＴ１４の結晶構造が乱れるおそれがある。従って、そのような場合には、支持体１２を加工した後、ＣＮＴ１４を成長させる前に、先鋭部に導入された変質層を除去することが望ましい（変質層除去工程）。
【００６０】
変質層を除去する方法は、特に限定されるものではなく、支持体１２の材質に応じて、種々の方法を用いることができる。例えば、支持体１２全体がＳｉＣからなる場合、具体的には、（１）加工後の支持体１２を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液中に浸漬し、先鋭部１２ｂの最先端面をエッチングする方法、（２）支持体１２の表面を酸化させ、これをフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とフッ酸（ＨＦ）の混合液中に浸漬し、先鋭部１２ｂの最先端面の酸化膜を除去する方法、等が好適である。
【００６１】
また、先鋭部１２ｂの最先端面に有機物等の不純物が付着していると、ＣＮＴ１４の生成が妨げられる場合がある。従って、このような場合には、ＣＮＴ１４を成長させる前に、先鋭部１２ｂの最先端面を化学洗浄することが望ましい。具体的には、まず、支持体１２を硫酸と過酸化水素水の混合液（硫酸：過酸化水素水＝４：１）に浸漬し、次いで、アンモニア水：過酸化水素水：純水の混合液（アンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：４）に浸漬（約９０℃）すればよい。
【００６２】
次に、ＣＮＴ成長工程について説明する。ＣＮＴ成長工程は、先鋭部１２ｂの最先端部分を構成するＣＮＴ生成部１２ｃを表面分解させ、先鋭部１２ｂの先端にＣＮＴ１４を成長させる工程である。ＣＮＴ生成部１２ｃの表面分解は、支持体１２を所定の温度及び真空度で、所定時間加熱することにより行われる。
【００６３】
表面分解させる際の加熱温度は、１２００℃以上２０００℃以下が好ましい。加熱温度が１２００℃未満であると、ＣＮＴ１４の成長速度が極めて遅くなるので好ましくない。一方、加熱温度が２０００℃を超えると、微小表面１２ｄの表面状態の一様性が低下し、ＣＮＴ１４の直径の制御が困難となる（すなわち、直径の異なる複数のＣＮＴ１４が生成する）ので好ましくない。加熱温度は、好ましくは、１３００℃以上１８００℃以下、さらに好ましくは、１４００℃以上１７００℃以下である。
【００６４】
表面分解させる際の真空度は、１０−６Ｐａ以上５Ｐａ以下が好ましい。真空度が１０−６Ｐａより高くなると、表面分解によって生成したグラファイト層が円筒状とならず、ＣＮＴ１４が成長しにくくなるので好ましくない。一方、真空度が５Ｐａより低くなると、ＳｉＣ表面に保護膜（ＳｉＯ２膜）が形成され、活性酸化が進行しなくなるので好ましくない。真空度は、好ましくは、１０−４Ｐａ以上１Ｐａ以下、さらに好ましくは、１０−３Ｐａ以上０．１Ｐａ以下である。
【００６５】
ＳｉＣの表面分解によるＣＮＴ１４の生成機構は、まず、（１）ＳｉＣ表面に球状のナノキャップが形成され、次いで、（２）ナノキャップを起点として、ＣＮＴ１４がＳｉＣの結晶構造を引き継ぎながら成長する、ものと考えられている。ナノキャップの生成数と真空度との間には相関があり、一般に、真空度が低くなるほど、ナノキャップの生成数（すなわち、成長させるＣＮＴ１４の本数）を少なくすることができる。
【００６６】
表面分解させる際の加熱時間は、加熱温度、加熱時の真空度、ＣＮＴ１４に要求される特性等に応じて最適な時間を選択する。一般に、加熱時間が長くなるほど、ＣＮＴ１４の長さを長くすることができる。
【００６７】
次に、導電層形成工程について説明する。導電層形成工程は、支持体１２の表面に導電層を形成する工程である。導電層は、支持体１２の表面全体に形成されていても良く、あるいは、ＣＮＴ１４と外部端子との接触部とをつなぐ領域のみに形成されていても良い。
【００６８】
導電層の形成方法は、特に限定されるものではなく、種々の方法を用いることができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法等を用いて、導電性物質からなる薄膜を支持体１２表面に形成しても良い。
【００６９】
また、支持体１２全体がＳｉＣからなる場合には、ＳｉＣの表面分解によって支持体１２の表面に導電層を形成しても良い。ＳｉＣの表面分解による導電層の形成は、先端にＣＮＴ１４を成長させた後の支持体１２を所定の温度及び真空度で所定時間加熱することにより行うことができる。
【００７０】
この場合、加熱温度は、１４００℃以上１８００℃以下が好ましい。加熱温度が１４００℃未満であると、ＳｉＣの表面分解速度が遅くなるので好ましくない。一方、加熱温度が１８００℃を越えると、ＣＮＴを構成するカーボンも少しずつ蒸発し、ＣＮＴが短くなるので好ましくない。加熱温度は、好ましくは、１５００℃以上１７００℃以下であり、さらに好ましくは、１６００℃以上１７００℃以下である。
【００７１】
導電層を形成する際の真空度は、１０−５Ｐａ以上１０Ｐａ以下が好ましい。真空度が１０−５Ｐａより高くなると、導電層の生成速度が遅くなるので好ましくない。一方、真空度が１０Ｐａより低くなると、ＳｉＣ表面に保護膜が形成され、活性酸化が進行しなくなるので好ましくない。真空度は、好ましくは、１０−３Ｐａ以上５Ｐａ以下、さらに好ましくは、１０−２Ｐａ以上１Ｐａ以下である。一般に、真空度が高くなるほど、ＳｉＣの表面分解により生成したグラファイト層が層状に重なった導電層の形成が容易化する。
【００７２】
導電層を形成する際の加熱時間は、加熱温度、加熱時の真空度、導電層に要求される特性等に応じて最適な時間を選択する。一般に、加熱時間が長くなるほど、導電層の厚さを厚くすることができる。
【００７３】
なお、例えば、原子間力顕微鏡用の探針のように、ＣＮＴチップ１０が電気回路の一部を構成しない形で使用される場合には、導電層形成工程は、省略しても良い。
【００７４】
また、ＣＮＴ１４の先端をさらに先鋭化するために、支持体１２の先端に成長させたＣＮＴ１４の先端に、エネルギービーム（例えば、収束イオンビーム、電子線、レーザー、紫外線等の光照射、中性原子ビーム等。）を照射しても良い（第３先鋭化工程）。この場合、エネルギービームの照射条件、照射方向等は、特に限定されるものではなく、エネルギービームの種類、ＣＮＴチップ１０に要求される特性等に応じて、最適なものを選択すればよい。
【００７５】
さらに、ＳｉＣの表面分解によって生成するＣＮＴ１４は、一般に、キャップ付ＣＮＴである。このキャップ付ＣＮＴは、酸化処理によって容易に開放型ＣＮＴとすることができる。具体的には、ＣＮＴ１４を成長させた後に、支持体１２を４００℃以上７００℃以下、真空度１０Ｐａ以上７６０Ｐａ以下の条件下で、２０時間以上６０時間以下加熱すればよい。
【００７６】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るＣＮＴチップの製造方法について説明する。本実施の形態に係るＣＮＴチップの製造方法は、第１先鋭化工程と、第２先鋭化工程と、ＣＮＴ成長工程と、導電層形成工程とを備えている。すなわち、第１先鋭化工程の後に、さらに第２先鋭化工程を備えている点が、第１の実施の形態とは異なる。その他の点については、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７７】
第２先鋭化工程は、第１先鋭化工程によって形成された支持体１２先端の先鋭部１２ｂにエネルギービームを照射し、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化させる工程である。
【００７８】
ブレードによって機械加工された先鋭部１２ｂにエネルギービームを照射すると、ビームの照射領域が削り取られ、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化することができる。この場合、ＣＮＴ１４を成長させる微小表面１２ｄにエネルギビームが直接、照射されると、微小表面１２ｄ近傍のＳｉＣの結晶構造が乱れ、健全なＣＮＴ１４が得られない場合がある。
【００７９】
従って、エネルギービームを照射する際には、微小表面１２ｄの内、残したい部分に、エネルギービームに対する耐性を有する保護膜を形成するのが好ましい。また、微小表面１２ｄの上に直接、保護膜を形成すると、保護膜の除去が困難となったり、あるいは、保護膜が形成された部分のＳｉＣの結晶構造が乱れる場合がある。そのような場合には、微小表面１２ｄと、保護膜との間に、中間層を形成するのが好ましい。
【００８０】
例えば、エネルギービームとして収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いる場合において、微小表面１２ｄに対して垂直方向からＦＩＢを照射するときには、具体的には、以下のような手順により先鋭部１２ｂの先鋭化を行うのが好ましい。
【００８１】
すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、少なくとも先鋭部１２ｂの先端面に、中間層４２を形成する。中間層４２としては、具体的には、Ａｌ層、ＳｉＯ２層、Ｃｕ層、Ａｕ層等が好適である。中間層４２の形成方法は、特に限定されるものではなく、その材質に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、Ａｌ層は、蒸着法により形成するのが好ましい。また、ＳｉＯ２層は、湿式酸化法により形成するのが好ましい。
【００８２】
次に、図４（ｂ）に示すように、微小表面１２ｄの内、残したい部分に、保護膜４４を形成する。保護膜４４としては、具体的には、Ｗ膜、Ｍｏ膜等が好適である。保護膜４４の形成方法は、特に限定されるものではなく、その材質に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、Ｗ膜は、蒸着法により形成するのが好ましい。
【００８３】
次に、図４（ｃ）に示すように、微小表面１２ｄに対して垂直方向から、ＦＩＢを照射する。これにより、保護膜４４の形成されていない領域がＦＩＢにより削り取られる。ＦＩＢ照射終了後、中間層４２をエッチングにより除去すると、図４（ｄ）に示すように、先鋭部１２ｂの先端に、針状に先鋭化され、かつその先端に微小表面１２ｄを有するＣＮＴ生成部１２ｃを備えた支持体１２が得られる。
【００８４】
また、例えば、エネルギービームとしてＦＩＢを用いる場合において、微小表面１２ｄに対して平行な方向（水平方向）からＦＩＢを照射するときには、具体的には、以下のような手順により先鋭部１２ｂの先鋭化を行うのが好ましい。図５に、その工程図を示す。なお、図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）の右図は、それぞれ左図のＡ−Ａ’線断面図である。
【００８５】
すなわち、まず、図５（ａ）に示すように、保護膜４６を形成する。この場合、微小表面１２ｄには、直接、ＦＩＢが照射されないので、保護膜４６として、相対的にＦＩＢに対する耐性の小さい材料を用いても良い。保護膜４６としては、具体的には、ＳｉＯ２膜、Ａｌ膜、Ａｕ膜、Ｃｕ膜等が好適である。保護膜４６の形成方法は、特に限定されるものではなく、その材質に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、ＳｉＯ２膜は、湿式酸化法により形成するのが好ましい。
【００８６】
次に、図５（ｂ）に示すように、支持体１２の軸に対して垂直方向（水平方向）からＦＩＢを照射する。これにより、主として先鋭部１２ｂの側壁部分の内、ＦＩＢが照射された部分が削り取られる。ＦＩＢ照射終了後、保護膜４６をエッチングにより除去すると、図５（ｃ）に示すように、先鋭部１２ｂの先端に、薄板状に先鋭化され、かつその先端に微小表面１２ｄを有するＣＮＴ生成部１２ｃを備えた支持体１２が得られる。なお、図５（ｂ）に示すように、一方向からＦＩＢを照射した後、ＦＩＢの照射方向を９０°回転させ、さらに水平方向からＦＩＢを照射すると、薄板状のＣＮＴ生成部１２ｃが針状に先鋭化され、微小表面１２ｄの面積をさらに小さくすることができる。
【００８７】
このような方法により得られた支持体１２を所定の温度及び真空度で所定時間加熱すると、さらに先鋭化されたＣＮＴ生成部１２ｃ先端の微小表面１２ｄから、相対的に少ない本数のＣＮＴ１４を成長させることができる。
【００８８】
なお、ＦＩＢ等を用いて先鋭部１２ｂをさらに先鋭化させた場合、微小表面１２ｄに変質層が形成され、微小表面１２ｄの結晶構造が乱れる場合がある。従って、第２先鋭化工程の後、ＣＮＴ成長工程の前に、上述した方法を用いて変質層を除去することが好ましい（変質層除去工程）。変質層の除去は、第１先鋭化工程又は第２先鋭化工程のいずれか一方の後に行っても良く、あるいは、双方の後にそれぞれ行っても良い。
【００８９】
次に、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法の作用について説明する。少なくともその表面がＳｉＣからなる基材から先鋭部１２ｂを備えた支持体１２を作製し、ＣＮＴ生成部１２ｃを構成するＳｉＣを表面分解させると、Ｓｉが雰囲気中の酸素と結合してＳｉＯガスとなって飛散すると考えられる。その結果、ＣＮＴ生成部１２ｃの最先端にある微小表面１２ｄから、ＳｉＣの結晶構造を承継した１本又は複数本のＣＮＴ１４が成長する。
【００９０】
また、テーパ面を有するブレードを用いて所定の間隔で平行に切り込みを入れる方法を用いると、先鋭部１２ｂの最先端に微小表面１２ｄを有する支持体１２を比較的容易に作製することができる。また、機械加工によに先鋭部１２ｂを形成した後、先鋭部１２ｂにエネルギービームを照射すると、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化することができ、限られた領域から相対的に少ない本数のＣＮＴ１４を成長させることができる。さらに、微小表面１２ｄを加工した後でＣＮＴ１４を成長させているので、ＣＮＴ１４は、加工による損傷を受けない。
【００９１】
また、先鋭部１２ｂの先端を加工した後、変質層の除去を行うと、微小表面１２ｄから結晶構造の乱れた部分が除去されるので、欠陥の少ない健全なＣＮＴ１４を成長させることができる。さらに、ＣＮＴ１４を成長させた後、ＣＮＴ１４にエネルギービームを照射すると、ＣＮＴ１４の先端をさらに先鋭化することができる。
【００９２】
このようにして得られたＣＮＴチップ１０は、支持体１２の先端に相対的に少ない本数のＣＮＴ１４が成長しているので、その内の１本に電界集中が生じやすくなり、低電圧で電子放出が可能となる。そのため、本発明に係るＣＮＴチップ１０は、電子顕微鏡等に用いられるＦＥ電子銃として特に好適である。
【００９３】
また、本発明に係る方法で得られたＣＮＴチップ１０は、その先端に、ナノメートルレベルの先端構造を有する相対的に少ない本数のＣＮＴ１４が形成されているので、走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、磁気力顕微鏡、電気力顕微鏡、走査型近接場光学顕微鏡、水平力顕微鏡、位相検出顕微鏡、表面電位顕微鏡、摩擦力顕微鏡、ケルビンフォース顕微鏡、静電気力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡に用いられる探針として好適である。
【００９４】
さらに、本発明に係るＣＮＴチップ１０の製造方法は、少なくとも先鋭部の先端部分がＳｉＣからなる材料を土台としてＣＮＴチップ１０が作製されるので、合成されたＣＮＴそのものをハンドリングする必要がなく、ピンセットでのハンドリングが可能となる。
【００９５】
【実施例】
（実施例１）
図２に示す断面形状を有するブレード及び精密ダイヤモンドカッター（（株）エノモトエー・ブイ製、精密試料カッター）を用いて、図３に示す手順に従い、支持体１２を作製した。なお、基材３０には、α型ＳｉＣ単結晶を用いた。また、基材３０の表面（すなわち、支持体１２の最先端にある微小表面１２ｄ）は、α型ＳｉＣの（０００−１）Ｃ面とした。
【００９６】
次に、支持体１２の微小表面１２ｄから加工変質層を除去するために、支持体１２を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液（１０Ｎ）に９０℃で１時間浸漬した。さらに、微小表面１２ｄから有機物を除去するために、まず、支持体１２を硫酸：過酸化水素水＝４：１の第１処理液に室温で１０分間浸漬し、さらにアンモニア水：過酸化水素水：純水＝１：１：４の第２処理液に９０℃で１０分間浸漬した。
【００９７】
次に、微小表面１２ｄからＣＮＴ１４を成長させるために、支持体１２を真空加熱炉に入れ、１０−２Ｔｏｒｒ（１．３３Ｐａ）の雰囲気下において、１７００℃で６時間加熱した。さらに、支持体１２の表面に導電層を形成するために、支持体１２を、１０−４Ｔｏｒｒ（１．３３×１０−２Ｐａ）の雰囲気下において、１７００℃で１０時間加熱した。
【００９８】
図６（ａ）に、ダイヤモンド加工後の支持体１２の先端部分の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。本実施例の場合、先端の微小表面１２ｄの大きさは、５μｍ×０．５μｍであった。また、図６（ｂ）に、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０先端の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真を示す。図６（ｂ）より、ＣＮＴチップ１０の先端部分に、直径約５ｎｍ、長さ約３００ｎｍの複数本のＣＮＴ１４が、（０００−１）Ｃ面に対して垂直に配向した状態で成長しているのが分かる。
【００９９】
（実施例２）
実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。さらに、生成したＣＮＴ１４の先端部分に対してＦＩＢ加工を行い、ＣＮＴ１４の先鋭化を行った。得られたＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、ＣＮＴ１４の先端部分の直径が実施例１に比べて細くなっていることが確認された。
【０１００】
（実施例３）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、先鋭部１２ｂ全体に厚さ２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を蒸着させ、さらに、微小表面１２ｄの先端に直径約５００ｎｍ、厚さ約２００ｎｍのＷ保護膜を蒸着させた。次いで、微小表面１２ｄの真上からＦＩＢを照射し、先鋭部１２ｂをさらに先鋭化した。ＦＩＢ加工後、支持体１２を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液に浸漬し、蒸着させたＷ保護膜をＡｌ層とともに取り除いた。さらに、実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１０１】
図７に、ＦＩＢ加工後の支持体１２の先端部分の走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）写真を示す。ＦＩＢ加工を行うことにより、支持体１２の先端に、直径約２００ｎｍの針状のＣＮＴ生成部１２ｃを形成することができた。また、支持体１２の先端に、予めＡｌ層とＷ保護膜を形成しているので、ＦＩＢ加工によるＣＮＴ生成部１２ｃの損傷を抑制することができた。さらに、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、針状に加工されたＣＮＴ生成部１２ｃの先端からＣＮＴ１４が成長しているのが確認された。
【０１０２】
（実施例４）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、支持体１２を湿式酸化し、支持体１２の表面にＳｉＯ２膜を形成した。湿式酸化の条件は、酸素流量：１５０ｍｌ／分、加熱温度：１１００℃、加熱時間：６時間とした。
【０１０３】
次に、先鋭部１２ｂの先端に水平方向（支持体１２の軸に対して垂直方向）からＦＩＢを照射し、先鋭部１２ｂの先鋭化を行った。ＦＩＢ加工後、支持体１２をフッ化アンモニウム（５０％）：フッ酸（５０％）＝１０：１の処理液に室温で１０分間浸漬し、ＳｉＯ２膜を除去した。さらに、実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１０４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に、ＦＩＢ加工後の支持体１２の先端のＳＥＭ写真を示す。図８より、本実施例の方法でも、先鋭部１２ｂ先端をさらに先鋭化できることが分かる。また、図９（ａ）及び図９（ｂ）に、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端のＴＥＭ写真を示す。図９より、先鋭部１２ｂの先端に、ＣＮＴ１４が生成しているのが分かる。
【０１０５】
本実施例の場合、ＣＮＴ１４の先端に高低差が形成されているので、これを例えばＦＥ電子銃に用いたときには、電子源の位置制御が容易となる。また、電界集中によって効果的にエミッション電流を得ることができる。
【０１０６】
（実施例５）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、実施例４と同一の手順に従い、支持体１２の湿式酸化を行い、先鋭部１２ｂの先端にＳｉＯ２膜を形成した。次いで、微小表面１２ｄに直径約５００ｎｍ、厚さ約２００ｎｍのＷ保護膜を形成し、微小表面１２ｄに対して垂直方向からＦＩＢ加工を行った。
【０１０７】
ＦＩＢ加工終了後、支持体をフッ化アンモニウム（４０％）：フッ酸（５０％）＝１０：１の処理液に室温で１０分間浸漬し、Ｗ保護膜をＳｉＯ２膜とともに除去した。さらに、実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１０８】
本実施例の場合、ＦＩＢ加工により、支持体１２の先端に、長さ約２００ｎｍの針状のＣＮＴ生成部１２ｃを形成することができた。また、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、ＣＮＴ生成部１２ｃの先端にＣＮＴの形成が確認された。
【０１０９】
（実施例６）
実施例１と同一の手順に従い、支持体の機械加工、有機物の除去及び加工変質層の除去を行った。次に、先鋭部１２ｂの表面に保護膜を形成することなく、先鋭部１２ｂの水平方向からＦＩＢを照射し、先鋭部１２ｂの先鋭化を行った。
【０１１０】
次に、ＦＩＢ加工で導入された変質層を除去するために、実施例４と同一条件下で支持体１２の湿式酸化を行い、支持体１２の表面にＳｉＯ２膜を形成した。次いで、支持体１２をフッ化アンモニウム（４０％）：フッ酸（ＨＦ）＝１０：１の処理液に室温で１０分間浸漬し、生成したＳｉＯ２膜を除去した。さらに、実施例１と同一の条件下で、ＣＮＴ及び導電層を形成した。
【０１１１】
本実施例の場合、ＦＩＢ加工により、支持体の先端に、直径約５ｎｍのＣＮＴ生成部１２ｃを形成することができた。また、表面分解処理後のＣＮＴチップ１０の先端をＴＥＭにより観察したところ、ＣＮＴ生成部１２ｃの先端にＣＮＴ１４の形成が確認された。
【０１１２】
（実施例７）
実施例１と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、ＣＮＴチップ１０を１１００℃、６時間、Ｏ２の流量１５０ｍｌ／ｍｉｎの条件下で酸化処理した。
【０１１３】
図１０に、酸化処理後のＣＮＴチップ１０の先端のＴＥＭ写真を示す。図１０より、酸化処理によって、ＣＮＴ１４先端のキャップが消失すると同時に、ＣＮＴ１４に高低の段差が生じていることが分かる。そのため、本実施例で得られたＣＮＴチップ１０は、例えばＦＥ電子銃に用いるときに、電子源の位置制御が容易となる。また、電界集中によって効果的にエミッション電流を得ることができる。
【０１１４】
（実施例８）
実施例２と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１５】
（実施例９）
実施例３と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１６】
（実施例１０）
実施例４と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１７】
（実施例１１）
実施例５と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１８】
（実施例１２）
実施例６と同一の手順に従い、ＣＮＴチップ１０を作製した。次いで、実施例７と同一の条件下で、ＣＮＴチップ１０の酸化処理を行った。酸化処理後のＣＮＴチップ１０についてＴＥＭ観察を行ったところ、ＣＮＴ１４先端の開キャップを確認することができた。
【０１１９】
実施例４で得られたＣＮＴチップ１０を、タングステンフィラメント（φ０．１５ｍｍ）にグラファイトボンドで接着固定し、電子銃用ステム（支持台）に取り付けて、電界放出実験を行った。その結果、ＣＮＴ電子銃から陽極板までの距離：１ｍｍ、引出し電圧：３ｋＶ、真空度：５×１０−７Ｐａの条件下において、５００ｎＡの最大エミッション電流が得られた。
【０１２０】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【０１２１】
例えば、先鋭部１２ｂの先端に成長させたＣＮＴ１４の損傷を最小限に抑えるためには、その先端に先鋭部１２ｂを有する支持体１２を加工した後、微小表面１２ｄからＣＮＴ１４を成長させるのが好ましいが、本発明に係るＣＮＴチップ１０は、平板状の基材の表面にＣＮＴを成長させた後、基材を支持体形状に加工する方法によっても製造することができる。
【０１２２】
また、上述した各種の製造方法は、α型ＳｉＣ単結晶に限らず、β型ＳｉＣ単結晶、あるいは、α、β型のＳｉＣの多結晶体に対しても適用することができる。
【０１２３】
さらに、上記実施の形態では、ダイヤモンドブレードを用いて支持体１２の先端を先鋭化する方法について主に説明したが、先鋭部１２ｂの形成方法は、これに限定されるものではなく、先端の先鋭化が可能である限り、他の方法を用いても良い。
【０１２４】
【発明の効果】
本発明に係るＣＮＴチップは、支持体の先端に、ＳｉＣの表面分解によって生成したＣＮＴが固定されているので、ＣＮＴのハンドリングが極めて容易化するという効果がある。また、ＣＮＴと支持体先端は、強固に結合しているので、ＣＮＴチップの耐久性及び信頼性が向上するという効果がある。
【０１２５】
また、本発明に係るＣＮＴチップの製造方法は、先鋭部を有する支持体を加工し、次いで先鋭部の先端を構成するＳｉＣを表面分解させているので、チップ製造時に、ＣＮＴを直接ハンドリングする必要がなく、作業効率が著しく向上するという効果がある。また、ＣＮＴの損傷が最小限に抑えられるので、電界電子放出特性及び／又は分解能に優れたＣＮＴチップが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（ａ）は、本発明に係るＣＮＴチップの斜視図であり、図１（ｂ）は、先鋭部の拡大斜視図である。
【図２】 支持体の加工に用いられるブレードの断面図である。
【図３】 図２に示すブレードを用いた加工方法を示す工程図である。
【図４】 先鋭部をさらに先鋭化する方法を示す工程図である。
【図５】 先鋭部をさらに先鋭化する他の方法を示す工程図である。
【図６】 図６（ａ）は、実施例１で得られたブレードによる機械加工後の支持体の先端部分のＳＥＭ写真であり、図６（ｂ）は、表面分解処理後のＣＮＴチップ先端のＴＥＭ写真である。
【図７】 実施例３で得られたＦＩＢ加工後の支持体の先端部分のＳＩＭ写真である。
【図８】 図８（ａ）は、実施例４で得られたＦＩＢ加工後の支持体先端の高倍率ＳＥＭ写真であり、図８（ｂ）は、同低倍率ＳＥＭ写真である。
【図９】 図９（ａ）は、実施例４で得られた表面分解処理後のＣＮＴチップ先端の低倍率ＴＥＭ写真であり、図９（ｂ）は、同高倍率ＴＥＭ写真である。
【図１０】 実施例７で得られた酸化処理後のＣＮＴチップ先端のＴＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０ ＣＮＴチップ
１２ 支持体
１２ｂ 先鋭部
１２ｃ ＣＮＴ生成部
１２ｄ 微小表面
１４ カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
３０ 基材
Claims (13)
- その先端に加工により形成された先鋭部を有し、かつ少なくとも前記先鋭部の先端部分がＳｉＣからなる支持体と、
前記先鋭部の最先端部分を構成していたＳｉＣからなるＣＮＴ生成部を表面分解させることによって前記先鋭部の先端に成長させた少なくとも１本のカーボンナノチューブと、
を備えたＣＮＴチップ。 - 前記支持体は、ＳｉＣ単結晶からなる請求項１に記載のＣＮＴチップ。
- 前記支持体は、α型ＳｉＣからなり、
表面分解前の前記ＣＮＴ生成部の最先端面の少なくとも一部は、前記α型ＳｉＣの（０００−１）面からなる請求項１又は２に記載のＣＮＴチップ。 - 前記カーボンナノチューブは、その最先端に微小表面を有する前記ＣＮＴ生成部を形成し、該ＣＮＴ生成部を表面分解させることにより得られるものである請求項１から３までのいずれかに記載のＣＮＴチップ。
- 表面分解前の前記微小表面の面積は、１００μｍ２以下である請求項４に記載のＣＮＴチップ。
- その先端に先鋭部を有し、前記先鋭部の最先端部分が、微小表面を有しかつＳｉＣからなるＣＮＴ生成部より構成された支持体を基材から加工により形成する第１先鋭化工程と、
前記ＣＮＴ生成部を表面分解させ、前記先鋭部の先端にカーボンナノチューブを成長させるＣＮＴ成長工程とを備えたＣＮＴチップの製造方法。 - 前記第１先鋭化工程は、先端に傾斜面を有するブレードを用いて前記基材に所定の間隔で平行に切り込みを入れることによって、前記先鋭部を形成するものである請求項６に記載のＣＮＴチップの製造方法。
- 前記第１先鋭化工程の後であって、前記ＣＮＴ成長工程の前に、前記先鋭部にエネルギービームを照射し、前記先鋭部をさらに先鋭化させる第２先鋭化工程をさらに備えた請求項６又は７に記載のＣＮＴチップの製造方法。
- 前記ＣＮＴ成長工程の前に、前記第１先鋭化工程及び／又は前記第２先鋭化工程において前記先鋭部に導入された変質層を除去する変質層除去工程をさらに備えた請求項６から８までのいずれかに記載のＣＮＴチップの製造方法。
- 前記ＣＮＴ成長工程の後に、前記先鋭部の先端に成長した前記カーボンナノチューブにエネルギービームを照射し、前記カーボンナノチューブの先端を先鋭化する第３先鋭化工程をさらに備えた請求項６から９までのいずれかに記載のＣＮＴチップの製造方法。
- 前記ＣＮＴ成長工程の後に、前記支持体の表面に導電層を形成する導電層形成工程をさらに備えた請求項６から１０までのいずれかに記載のＣＮＴチップの製造方法。
- 請求項１から５までのいずれかに記載のＣＮＴチップを備えた電子銃。
- 請求項１から５までのいずれかに記載のＣＮＴチップを備えた走査型プローブ顕微鏡用探針。
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