CN113466208A - 一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法 - Google Patents

一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113466208A
CN113466208A CN202110790762.6A CN202110790762A CN113466208A CN 113466208 A CN113466208 A CN 113466208A CN 202110790762 A CN202110790762 A CN 202110790762A CN 113466208 A CN113466208 A CN 113466208A
Authority
CN
China
Prior art keywords
probe
structured
diamond
processing
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110790762.6A
Other languages
English (en)
Inventor
耿延泉
李子翰
刘宇
闫永达
赵学森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN202110790762.6A priority Critical patent/CN113466208A/zh
Publication of CN113466208A publication Critical patent/CN113466208A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • G01N21/658Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

本发明公开了一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、利用FIB技术加工金刚石探针针尖,使金刚石探针修饰为具有豁口的结构化金刚石探针;步骤二、将步骤一制备的结构化探针安装在AFM加工系统上,以恒定法向载荷压入样品表面,通过运动平台控制加工轨迹,使结构化探针在标准进给量下多次刻划,加工出纳米结构阵列。本发明采用结构化探针制备基底,一次刻划后能够加工出两路纳米沟槽,相比于单针尖探针,采用结构化探针制备基底的方法效率更高。本发明中探针是利用现有探针加工而成,相比于原有探针具有更小的加工尺寸,在给定载荷下能够加工出更小的纳米结构,且相邻结构间隙更小,拉曼增强效果更好。

Description

一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法
技术领域
本发明属于拉曼基底制备技术领域,涉及一种基于AFM加工的表面增强拉曼基底的制备方法。
背景技术
拉曼检测作为一种无标记检测方法,通过特定的相互作用位点探测选定的分子,具有检测灵敏度高、检测成本低和检测方法简单的优点。微纳米结构表面可作为表面增强拉曼散射(SERS)基底,该基底在生物分子检测、易燃物及有毒农药检测具有广阔的应用前景。
目前制备SERS基底的方法主要有化学合成与纳米加工的方法。采用化学合成的方法制备出的纳米粒子存在一致性、重复性差、密度分布不均以及结构难以控制的问题,从而会导致“热点”分布不均匀,影响拉曼检测结果。采用纳米加工技术能够制备出分辨率高的纳米结构,但其成本高、加工材料种类少以及加工效率低。因此,如何制备结构稳定性好、灵敏度高、重复性较好且可大量快速制备SERS基底成为一项亟需解决的难题。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法,通过结构化探针加工实现表面拉曼基底的制备。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法,包括如下步骤:
步骤一、结构化探针的制备:
利用FIB技术加工金刚石探针针尖,使金刚石探针修饰为具有豁口的结构化金刚石探针,其中:加工出的针尖沿探针中心线对称分布,保证加工出的纳米沟槽形貌一致;
步骤二、利用结构化探针加工纳米阵列结构:
将步骤一制备的结构化探针安装在AFM加工系统上,以微牛量级恒定法向载荷压入样品表面,通过运动平台控制加工轨迹,使结构化探针在标准进给量下多次刻划,加工出纳米结构阵列,其中:刻划深度与法向载荷呈线性相关,一般小于100μm。
相比于现有技术,本发明具有如下优点:
(1)基底制备效率高:本发明采用结构化探针制备基底,一次刻划后能够加工出两路纳米沟槽,相比于单针尖探针,采用结构化探针制备基底的方法效率更高。
(2)加工精度高:由于纳米结构是通过结构化探针各个针尖同步加工而成,因此,该方法能够完全消除单针尖加工的对准问题,使加工出的纳米结构重复性更高,更适合于制备SERS基底。
(3)加工尺寸更小:本发明中探针是利用现有探针加工而成,相比于原有探针具有更小的加工尺寸,在给定载荷下能够加工出更小的纳米结构,且相邻结构间隙更小,拉曼增强效果更好。
附图说明
图1为结构化探针结构示意图;
图2为利用结构化探针加工纳米通道示意图;
图3为利用结构化探针加工纳米通道形貌图和截面图;
图4为利用结构化探针加工拉曼增强基底原理图;
图5为拉曼增强基底AFM图;
图6为不同进给量加工出的拉曼基底检测结果。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限于此,凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。
本发明提供了一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法,所述方法主要利用结构化探针,通过简单的刻划方式,实现结构稳定性好、灵敏度高、重复性较好的SERS基底制备。具体步骤如下:
步骤一、结构化探针制备
(1)根据金刚石探针形状设计结构化探针,其结构主要由探针悬臂、探针和结构化针尖组成,如图1所示。
(2)首选将金刚石探针固定与FIB加工环境内,为探针表面镀金以提高导电稳定性,根据所设计的结构化探针尺寸,通过氦离子束冲击金刚石针尖加工出具有豁口的结构化金刚石探针,其中:加工出的针尖沿探针中心线对称分布,保证加工出的纳米沟槽形貌一致,加工完成后的结构化探针如图2所示。
步骤二、结构化探针刻划加工
(1)将制备好的结构化探针安装于探针夹上,使其固定于AFM加工系统中的扫描陶管上,放置样品于移动平台上,如图2所示。
(2)通过驱动压电陶瓷对结构化探针施加法向力,使其压入表面,控制移动平台沿X方向运动,使得探针与工件发生相对运动,如图4所示。在一次刻划后能够直接加工出两条纳米沟槽。控制移动平台按一定轨迹运动,如图4所示。首先,控制移动平台沿Y轴方向在恒定法向载荷作用下进行单向扫描。扫描完成后,控制移动平台向Z轴负方向运动,使样品脱离探针针尖,并向Y轴负方向运动。在标准进给量下(单次划痕两侧堆积顶端间距,如图3所示),控制移动平台沿X轴移动标准进给量的距离,移动平台向Z轴方向运动,使探针与样品再次接触,并进行下一次刻划。多次加工后加工出纳米结构阵列,如图5所示。
步骤三、表面拉曼散射实验:
选用罗丹明6G为拉曼检测对象,配置10-4M的罗丹明溶液滴入样品结构处,验证所制备拉曼基底的可行性。拉曼检测结果如图6所示。

Claims (5)

1.一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:
步骤一、结构化探针的制备:
利用FIB技术加工金刚石探针针尖,使金刚石探针修饰为具有豁口的结构化金刚石探针;
步骤二、利用结构化探针加工纳米阵列结构:
将步骤一制备的结构化探针安装在AFM加工系统上,以恒定法向载荷压入样品表面,通过运动平台控制加工轨迹,使结构化探针在标准进给量下多次刻划,加工出纳米结构阵列。
2.根据权利要求1所述的利用结构化探针制备拉曼基底的方法,其特征在于所述步骤一的具体步骤如下:将金刚石探针固定与FIB加工环境内,为探针表面镀金以提高导电稳定性,根据所设计的结构化探针尺寸,通过氦离子束冲击金刚石针尖加工出具有豁口的结构化金刚石探针。
3.根据权利要求1所述的利用结构化探针制备拉曼基底的方法,其特征在于所述步骤一中,加工出的针尖沿探针中心线对称分布。
4.根据权利要求1所述的利用结构化探针制备拉曼基底的方法,其特征在于所述步骤二中,恒定法向载荷为微牛量级。
5.根据权利要求1所述的利用结构化探针制备拉曼基底的方法,其特征在于所述步骤二中,刻划深度小于100μm。
CN202110790762.6A 2021-07-13 2021-07-13 一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法 Pending CN113466208A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110790762.6A CN113466208A (zh) 2021-07-13 2021-07-13 一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110790762.6A CN113466208A (zh) 2021-07-13 2021-07-13 一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113466208A true CN113466208A (zh) 2021-10-01

Family

ID=77880291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110790762.6A Pending CN113466208A (zh) 2021-07-13 2021-07-13 一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113466208A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010016257A1 (ja) * 2008-08-06 2010-02-11 並木精密宝石株式会社 先鋭化針状ダイヤモンド、およびそれを用いた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源
CN102285631A (zh) * 2011-06-09 2011-12-21 北京大学 一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法
CN102530850A (zh) * 2012-03-14 2012-07-04 哈尔滨工业大学 一种采用afm探针纳米刻划加工毫米尺寸微纳结构的方法
CN104140076A (zh) * 2014-08-07 2014-11-12 哈尔滨工业大学 一种afm探针相同刻划方向机械加工复杂纳米结构的装置及方法
CN106316468A (zh) * 2016-08-03 2017-01-11 哈尔滨工业大学 采用afm金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法
CN107589104A (zh) * 2017-08-08 2018-01-16 哈尔滨工业大学 基于力调制微刻划/微压痕过程制备拉曼增强基底上阵列微纳米结构的实验装置及方法
CN110316697A (zh) * 2019-07-11 2019-10-11 哈尔滨工业大学 一种基于afm加工的表面增强拉曼基底的制备方法
CN110482486A (zh) * 2019-07-15 2019-11-22 电子科技大学 一种减小摩擦力的硅基石墨烯纳米凸结构及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010016257A1 (ja) * 2008-08-06 2010-02-11 並木精密宝石株式会社 先鋭化針状ダイヤモンド、およびそれを用いた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源
CN102285631A (zh) * 2011-06-09 2011-12-21 北京大学 一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法
CN102530850A (zh) * 2012-03-14 2012-07-04 哈尔滨工业大学 一种采用afm探针纳米刻划加工毫米尺寸微纳结构的方法
CN104140076A (zh) * 2014-08-07 2014-11-12 哈尔滨工业大学 一种afm探针相同刻划方向机械加工复杂纳米结构的装置及方法
CN106316468A (zh) * 2016-08-03 2017-01-11 哈尔滨工业大学 采用afm金刚石探针对陶瓷材料进行纳米条纹阵列加工的方法
CN107589104A (zh) * 2017-08-08 2018-01-16 哈尔滨工业大学 基于力调制微刻划/微压痕过程制备拉曼增强基底上阵列微纳米结构的实验装置及方法
CN110316697A (zh) * 2019-07-11 2019-10-11 哈尔滨工业大学 一种基于afm加工的表面增强拉曼基底的制备方法
CN110482486A (zh) * 2019-07-15 2019-11-22 电子科技大学 一种减小摩擦力的硅基石墨烯纳米凸结构及其制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YANQUAN GENG等: ""Modeling and experimental study of machining outcomes when conducting nanoscratching using dual-tip probe on single-crystal copper"", 《INTERNATIONAL JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCES》 *
YANQUAN GENG等: ""Modeling and experimental study of machining outcomes when conducting nanoscratching using dual-tip probe on single-crystal copper"", 《INTERNATIONAL JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCES》, vol. 206, 7 July 2021 (2021-07-07), pages 1006649 - 1, XP086766105, DOI: 10.1016/j.ijmecsci.2021.106649 *
梁雪 等: ""聚焦离子束快速制备锆合金三维原子探针样品"", 《实验室研究与探索》, vol. 37, no. 8, 30 August 2018 (2018-08-30), pages 34 - 36 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1261745C (zh) 纳米级分子阵列排布机
US5461907A (en) Imaging, cutting, and collecting instrument and method
CN108535296B (zh) 一维材料透射电镜力-电耦合原位测试方法
KR100944280B1 (ko) 이물 또는 이상비평활물 검사장치 및 이물 또는이상비평활물 검사방법
CN101549853B (zh) 一种基于摩擦诱导构造单晶硅表面纳米凸起结构的加工方法
CN102507987A (zh) 一种集成光纤探针型近场光镊与afm测量近场光阱力的方法
CN107219243A (zh) 一种透射电镜原位纳米力学拉伸测试样品粘接方法
US7388199B2 (en) Probe manufacturing method, probe, and scanning probe microscope
CN202305565U (zh) 一种具有大范围和高深-宽比测量能力的扫描隧道显微镜
Said et al. Carving fiber-top cantilevers with femtosecond laser micromachining
CN101301994A (zh) 电子束-离子束微纳米加工组合系统
Ito et al. Development of a probing system for a micro-coordinate measuring machine by utilizing shear-force detection
CN113466208A (zh) 一种利用结构化探针制备拉曼基底的方法
Albri et al. Laser machining of sensing components on the end of optical fibres
CN108133879A (zh) 用于微纳尺度形貌及化学信息同时原位获得的近场离子源
Ju et al. Scanning tunneling microscopy-based in situ measurement of fast tool servo-assisted diamond turning micro-structures
CN117434303A (zh) 基于微悬臂-微球探针的超分辨拉曼/荧光/光电流二维扫描成像联合表征系统
CN106556535A (zh) 一种基于力学感测器的力学性能测试方法
Lu et al. In situ mechanical testing of templated carbon nanotubes
CN104931732A (zh) 一种微纳金属纤维表面形貌的测量装置及其使用方法和该装置中驱动器运动距离的测量方法
CN104880578A (zh) 一种测量微纳金属纤维表面形貌的装置及其使用方法和该装置中驱动器运动距离的测量方法
Weckenmann et al. Development of a tunnelling current sensor for a long-range nano-positioning device
Hu et al. Fabrication of large scale nanostructures based on a modified atomic force microscope nanomechanical machining system
Stoyanov et al. Modelling and prototyping the conceptual design of 3D CMM micro-probe
CN101846760B (zh) 一种纳米光栅的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20211001

RJ01 Rejection of invention patent application after publication