JP4849691B2 - 大面積ダイヤモンド結晶基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
造が限界とされており、これ以上の面積を有する単結晶基板を製造する方法としては期待できない。また、5mm角程度以上の面積を有する単結晶ダイヤモンド基板を入手すること
は困難であり、その面積を拡大することも容易ではない。
長面のオフ角やオフ方向が1°でも変化すると成長層の性質が変化することが報告されて
いる(非特許文献2、非特許文献3等参照)。更に、これらの依存性は合成条件に依っても変化するため、異なるオフ角・オフ方向を有する基板上へ単結晶ダイヤモンド成長させる際、それぞれの基板のオフ角・オフ方向に対応した合成条件を設定しなければ、その成長層の性質は統一できない。
要望が高いにも拘わらず、実用に耐え得るものは未だ得られるに至っていない。
更に、この様な方法で作製された大面積の単結晶ダイヤモンド同士を、同一の親基板から分離された子基板の集りに代えて使用して、同様に接合することにより、更なる大面積を有する単結晶ダイヤモンドを作製することも可能となる。
1.下記の工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法:
(1)単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入を行って、該親基板の表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(2)上記(1)工程で用いた親基板に対して、(1)工程の操作を繰り返し行い、(1)工程で分離した単結晶ダイヤモンド層と同一の厚さを有する1個又は2個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(3)上記(1)工程及び(2)工程で分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、且つ親基板から分離された面が露出する状態で載置する工程、
(4)上記(3)工程で支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の親基板から分離された面上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する工程。
2. 上記(1)工程が、非ダイヤモンド層を形成した後、該非ダイヤモンド層をエッチングする前に、該親基板の表面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる操作を含む方法である、上記項1に記載の方法。
3. 下記の工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法:
(1)単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入を行って、該親基板の表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(2)上記(1)工程で用いた親基板に対して、(1)工程の操作を繰り返し行い、更に、1個又は2個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(3)上記(1)工程及び(2)工程で分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、且つ親基板から分離された面が該支持台面に接する状態で載置する工程、
(4)上記(3)工程で支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する工程、
(5)上記(4)工程で接合された単結晶ダイヤモンド層を支持台上で反転させた後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、親基板から分離された面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。
4. 上記(1)工程が、非ダイヤモンド層を形成した後、該非ダイヤモンド層をエッチングする前に、該親基板の表面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる操作を含む方法である、上記項3に記載の方法。
5. 非ダイヤモンド層をエッチングする方法が、電気化学エッチング法である上記項1〜4のいずれかに記載の方法。
6. 上記項1〜5のいずれかに記載の方法で得られた単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板を親基板として用いる、上記項1〜5のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。
7. 上記項1〜5のいずれかに記載の方法で、同一の厚さを有する複数の単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板を作製し、次いで、平坦な支持台上に、該大面積基板を、互いの側面が接触し且つ気相合成法で成長させた単結晶ダイヤモンド層が露出する状態で載置した後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の大面積基板を接合することを特徴とする単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。
8. 上記項1〜7のいずれかの方法で作製された単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板。
本発明では、親基板として単結晶ダイヤモンド基板を用いる。単結晶ダイヤモンドの種類については特に限定はなく、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面、又はその結晶面に対して傾斜角、即ち、オフ角を有する単結晶ダイヤモンドを用いることができる。単結晶ダイヤモンドの製造方法についても限定はなく、天然のダイヤモンドの他、高圧合成法などによって合成されたダイヤモンド単結晶、気相合成によって合成された単結晶ダイヤモンドなどを用いることができる。
本発明では、まず、親基板として用いる単結晶ダイヤモンドの一方の表面からイオン注入して、単結晶ダイヤモンドの表面近傍に結晶構造が変質したイオン注入層を形成する。
atoms/cm3程度以上であることが好ましく、確実に非ダイヤモンド層を形成するためには1x1021 atoms/cm3程度、すなわちはじき出し損傷量で1 dpa以上であることが好ましい。
なりすぎると、表面の結晶性が悪化し、一方、照射量が少なすぎると、非ダイヤモンド層が十分に形成されず、表層部分の分離が困難となる。
に、マイクロ波プラズマCVD法によれば、高純度なダイヤモンド単結晶膜を成長させるこ
とができる。具体的な製造条件については特に限定はなく、公知の条件に従って、ダイヤモンド単結晶を成長させればよい。原料ガスとしては、例えば、メタンガスと水素ガスの混合ガスを用いることができ、更に、これに窒素ガスを加えることによって、成長速度を向上させることができる。
上記した方法で非ダイヤモンド層をグラフィト化し、必要に応じて、単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして非ダイヤモンド層より表層部分
を分離する。これにより、表層部分の単結晶ダイヤモンドが分離される。分離面は、親基板の結晶面が維持されたものとなる。よって、親基板がオフ角を有する基板である場合には、分離された結晶(子基板)の分離面は、オフ角及び結晶面の方向が親基板と同一となり、ひずみや欠陥の分布なども維持さる。
り好ましい。
いう十分に高い比抵抗を有するので、電解液として好適に使用できる。
上記した方法で表層部分の単結晶ダイヤモンドが分離された親基板について、再度、上記した方法と同様にして、イオン注入による非ダイヤモンド層の形成と、非ダイヤモンド層のエッチングによる表層部分の分離を繰り返すことによって、必要な枚数の子基板を作製する。
以下、上記した方法で得られた複数の子基板を接合して単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板を製造する方法について、子基板の厚さが同一である場合と子基板の厚さが不均一である場合に分けて説明する。
上記した方法で得られた複数の子基板の厚さが同一である場合には、平坦な支持台上に、各子基板の側面同士が接触する状態であって、親基板からの分離面が表面に露出する状態、即ち、分離面が上面となるように載置する。
子基板ではオフ角、結晶面の方向、ひずみや欠陥の分布等は全て同一となる。
メント法、直流放電法などの公知の方法を適用できる。
ることができる。具体的な製造条件については特に限定はなく、公知の条件に従って、ダイヤモンド単結晶を成長させればよい。原料ガスとしては、例えば、メタンガスと水素ガスの混合ガスを用いることができる。具体的なダイヤモンド成長条件の一例を示すと、反応ガスとして用いる水素及びメタンの混合気体では、メタンは、水素供給量1モルに対して、0.01〜0.33モル程度となる比率で供給することが好ましい。また、プラズマCVD装置内の圧力は、通常、13.3〜40kPa程度とすればよい。マイクロ波としては、通常、2.45GHz、915MHz等の工業および科学用に許可された周波数のマイクロ波が使用される。マイクロ波電力は、特に限定的ではないが、通常、0.5〜5kW程度とればよい。この様な範囲内において、例えば、基板(単結晶ダイヤモンド子基板)の温度が900〜1300℃程度、好ましくは900〜1100℃程度となるように各条件を設定すればよい。
複数の子基板の厚さが不均一な場合には、下記の第一接合工程と第二接合工程を行うことによって、オフ角、結晶面の方向、ひずみや欠陥の分布等の揃った単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板を得ることができる。この場合、厚さが同一の複数の子基板に対しても下記の方法を採用できる。
まず、前述したエッチング工程で得られた子基板を、平坦な支持台に各子基板の側面同士が接触する状態で並べて載置する。この際、支持台には、親基板からの分離面が接する状態とする。
できる。特に、マイクロ波プラズマCVD法によれば、高純度なダイヤモンド単結晶膜を成
長させることができる。具体的な製造条件については特に限定はなく、前述した方法と同様にしてダイヤモンド単結晶を成長させればよい。
される厚さとすればよく、例えば、100〜1000μm程度とすることができる。
次いで、ダイヤモンド層によって接合された子基板を反転させて、第一接合工程で成長したダイヤモンド面を支持体面に接触させる。これにより、親基板からの分離面が露出面となる。
大きさが3×3×0.5 mm3の単結晶ダイヤモンド(100)基板を親基板として、以下の方法で、単結晶ダイヤモンド層を作製した。
に変化し、非ダイヤモンド層が形成されていることが確認できた。
熱処理後、メタンガスを流量25sccmで導入し、7時間単結晶ダイヤモンド膜の成長を行った。
たところ、目視では黒色のグラファイト化した非ダイヤモンド層がなくなった。目視できない非ダイヤモンド層が残存している恐れがあるため、更に引き続き、同様の条件で交流電流を24時間印加した。その結果、CVD法による単結晶ダイヤモンド膜が単結晶ダイヤモンド基板から除去された。マイクロメータを用いてCVD法による単結晶ダイヤモンド膜の厚みを計測したところ65μmであった。
の側面が目視で平行となる様に基板支持体上に並べて設置し、市販のマイクロ波プラズマCVD装置を用いて、基板温度1000℃、圧力16 kPa、水素ガス流量500 sccm、メタンガスを流量25sccm導入し、7時間単結晶ダイヤモンド膜の成長を行ったところ、基板は一体化
していた。
生じていることが分かる。
直線状の切欠きを有する大きさがΦ9mm×厚み1 mmの単結晶ダイヤモンド(100)基板を親基板として、以下の方法で、単結晶ダイヤモンド層を作製した。
の側面が目視で平行となる様に基板支持体上に並べて設置し、市販のマイクロ波プラズマCVD装置を用いて、基板温度930℃、圧力15 kPa、水素ガス流量500 sccm、メタンガスを流量25sccm導入し、8時間単結晶ダイヤモンド膜の成長を行ったところ、基板は一体化していた。次いで、この一体化した基板の上下を反転して、上記と同様の条件で親基板からの分離面上に13時間単結晶ダイヤモンド膜の成長を行った。レーザー顕微鏡により成長後の接合箇所の表面状態を測定したところ、段差無く滑らかに境界表面が被覆され、良好な表面状態が得られたことが確認できた。
オフ角1.6°を有する大きさが4.5×4.5×0.5 mm3の単結晶ダイヤモンド(100)基板とオ
フ角0.6°を有する大きさが4.5×4.5×0.5 mm3の単結晶ダイヤモンド(100)基板を親基板
として、以下の方法で単結晶ダイヤモンド層を2つ作製した。以下では、上記した単結晶ダイヤモンド基板をそれぞれ親基板1、親基板2と称する。各親基板間でのオフ方向のずれは54°であった。
kPa、水素ガス流量890 sccmで、処理時間は3分間とした。この熱処理後、メタンガスを
流量66sccm、窒素を流量1.5sccmで導入し、6時間単結晶ダイヤモンド膜の成長を行った。
では黒色のグラファイト化した非ダイヤモンド層がなくなった。目視できない非ダイヤモンド層が残存している恐れがあるため、更に引き続き、同様の条件で交流電流を24時間印加した。その結果、CVD法による単結晶ダイヤモンド膜が親基板1から除去された。マイクロメータを用いてCVD法による単結晶ダイヤモンド膜の厚みを計測したところ235
μmであった。
の側面が目視で平行となる様に基板支持体上に並べて設置し、市販のマイクロ波プラズマCVD装置を用いて、基板温度1000℃、圧力15 kPa、水素ガス流量500 sccm、メタンガスを流量25sccm導入し、14時間単結晶ダイヤモンド膜の成長を行ったところ、基板は一体化していた。
Claims (8)
- 下記の工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法:
(1)単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入を行って、該親基板の表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(2)上記(1)工程で用いた親基板に対して、(1)工程の操作を繰り返し行い、(1)工程で分離した単結晶ダイヤモンド層と同一の厚さを有する1個又は2個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(3)上記(1)工程及び(2)工程で分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、結晶面の方向が一致した状態で、且つ親基板から分離された面が露出する状態で載置する工程、
(4)上記(3)工程で支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の親基板から分離された面上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する工程。 - 上記(1)工程が、非ダイヤモンド層を形成した後、該非ダイヤモンド層をエッチングする前に、該親基板の表面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる操作を含む方法である、請求項1に記載の方法。
- 下記の工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法:
(1)単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入を行って、該親基板の表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(2)上記(1)工程で用いた親基板に対して、(1)工程の操作を繰り返し行い、更に、1個又は2個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程、
(3)上記(1)工程及び(2)工程で分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、結晶面の方向が一致した状態で、且つ親基板から分離された面が該支持台面に接する状態で載置する工程、
(4)上記(3)工程で支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する工程、
(5)上記(4)工程で接合された単結晶ダイヤモンド層を支持台上で反転させた後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、親基板から分離された面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。 - 上記(1)工程が、非ダイヤモンド層を形成した後、該非ダイヤモンド層をエッチングする前に、該親基板の表面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる操作を含む方法である、請求項3に記載の方法。
- 非ダイヤモンド層をエッチングする方法が、電気化学エッチング法である請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の方法で得られた単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板を親基板として用いる、請求項1〜5のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の方法で、同一の厚さを有する複数の単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板を作製し、次いで、平坦な支持台上に、該大面積基板を、互いの側面が接触し且つ気相合成法で成長させた単結晶ダイヤモンド層が露出する状態で載置した後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の大面積基板を接合することを特徴とする単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかの方法で作製された単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板。
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