JP5621994B2 - モザイク状ダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
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Description
1. 複数のダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該ダイヤモンド単結晶基板はイオン注入前又はイオン注入後に平坦な支持台上でモザイク状に並べた状態とされ、モザイク状に並べたイオン注入後のダイヤモンド単結晶基板表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合した後、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離することを特徴とする、モザイク状ダイヤモンドの製造方法。
2. 下記(i)〜(v)の工程を含むモザイク状ダイヤモンドの製造方法:
(i)複数のダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する工程、
(ii)非ダイヤモンド層を形成した各ダイヤモンド単結晶基板を反転させて平坦な支持台上でモザイク状に並べる工程、
(iii)モザイク状に並べたダイヤモンド単結晶基板に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合する工程、
(iv)接合されたダイヤモンド単結晶基板を、更に平坦な支持台上で反転させて、イオン注入を行った面を上面とし、この面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程、
(v)上記(iv)工程で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして、非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程。
3. 下記(i)〜(vi)の工程を含むモザイク状ダイヤモンドの製造方法:
(i)複数のダイヤモンド単結晶基板を平坦な支持台上にモザイク状に並べる工程、
(ii)モザイク状に並べられたダイヤモンド単結晶基板の表面に、気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合する工程、
(iii)接合されたダイヤモンド単結晶基板を平坦な支持台上で反転させる工程、
(iv)反転したダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する工程、
(v)非ダイヤモンド層を形成した各ダイヤモンド単結晶基板の表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程、
(vi)単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして、非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程。
4. 上記項1〜3のいずれかの方法によって非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離した後、単結晶ダイヤモンド層が分離されたダイヤモンド単結晶基板に対して、イオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、次いで、該基板表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する操作を少なくとも一回行うことを特徴とするモザイク状ダイヤモンドの製造方法。
5. 上記項1〜3のいずれかの方法によって非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離してモザイク状ダイヤモンドを得た後、分離されたモザイク状ダイヤモンドの分離面に対して、イオン注入を行って該モザイク状ダイヤモンドの表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、次いで、該ダイヤモンド表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する操作を少なくとも一回行うことを特徴とするモザイク状ダイヤモンドの製造方法。
本発明では、モザイク状ダイヤモンドを構成する各ダイヤモンド部分の基礎となる種基板として、単結晶ダイヤモンド基板を用いる。単結晶ダイヤモンドの種類については特に限定はなく、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面、又はその結晶面に対して傾斜角、即ち、オフ角を有する単結晶ダイヤモンドを用いることができる。単結晶ダイヤモンドの製造方法についても限定はなく、天然のダイヤモンドの他、高圧合成法などによって合成されたダイヤモンド単結晶、気相合成によって合成された単結晶ダイヤモンドなどを用いることができる。
(1)第一方法:
本発明のモザイク状ダイヤモンドの製造方法の一例について、図1にその概念図を示す。図1に示す方法では、まず、種基板となる複数のダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って、該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する。種基板となるダイヤモンド単結晶基板は、イオン注入前又はイオン注入後に平坦な支持台上でモザイク状に並べた状態とされる。この様にしてモザイク状に並べたイオン注入後のダイヤモンド単結晶基板表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合した後、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離することによって、モザイク状ダイヤモンドを作製する(以下、この方法を「本発明第一方法」という)。
本発明第一方法では、まず、種基板となる複数のダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って、該基板の表面近傍に結晶構造が変質したイオン注入層を形成する。
次いで、上記した方法で非ダイヤモンド層を形成し、モザイク状に並べられた種基板の表面に気相合成法によって単結晶ダイヤモンドを成長させる。
上記した方法で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、上記(i)工程で形成した非ダイヤモンド層をエッチングして非ダイヤモンド層より表層部分を分離する。これにより、表層部分の単結晶ダイヤモンドが分離されて、目的とするモザイク状ダイヤモンドを得ることができる。この方法によれば、成長したダイヤモンド層の切断、研磨という煩雑な工程が不要であり、作業工程を簡略化でき、更に、研磨の際のダイヤモンド結晶の破壊を回避することができる。
本発明のモザイク状ダイヤモンドの製造方法のその他の例について、図3にその概念図を示す。図3に示す方法は、下記(i)〜(v)の工程を含む方法である(以下、この方法を「本発明第二方法」という):
(i)種基板となる複数のダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する工程、
(ii)、非ダイヤモンド層を形成した各ダイヤモンド単結晶基板を反転させて平坦な支持台上でモザイク状に並べる工程、
(iii)上記(ii)工程でモザイク状に並べたダイヤモンド単結晶基板に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合する工程、
(iv)接合されたダイヤモンド単結晶基板を、再度平坦な支持体上で反転させて、イオン注入を行った面を上面とし、この面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程、
(v)単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして、非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程。
本発明のモザイク状ダイヤモンドの製造方法では、更に、その他の例として、下記(i)〜(vi)の工程を含む方法を挙げることができる(以下、この方法を「本発明第三方法」という):
(i)複数のダイヤモンド単結晶基板を平坦な支持台上にモザイク状に並べる工程、
(ii)モザイク状に並べられたダイヤモンド単結晶基板の表面に、気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を形成して、ダイヤモンド単結晶基板を接合する工程、
(iii)接合されたダイヤモンド単結晶基板を平坦な支持台上で反転させる工程、
(iv)反転したダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する工程、
(v)非ダイヤモンド層を形成した各ダイヤモンド単結晶基板の表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程、
(vi)単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして、非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程。
大きさが4.5×4.5mmで厚さが339μmの単結晶ダイヤモンド(100)基板と、大きさが4.5×4.5mmで厚さが212μmの単結晶ダイヤモンド(100)基板の二枚の単結晶ダイヤモンド基板を種基板として用い、図4に示す工程に従って、モザイク状ダイヤモンドを作製した。
大きさが10×10mmで厚さが304μmの単結晶ダイヤモンド(100)基板と、大きさが10×10mmで厚さが302μmの単結晶ダイヤモンド(100)基板の二枚の単結晶ダイヤモンド基板を種基板として用い、図5に示す工程に従って、モザイク状ダイヤモンドを作製した。
Claims (4)
- 下記(i)〜(v)の工程を含むモザイク状ダイヤモンドの製造方法:
(i)複数のダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する工程、
(ii)非ダイヤモンド層を形成した各ダイヤモンド単結晶基板を反転させて平坦な支持台上でモザイク状に並べる工程、
(iii)モザイク状に並べたダイヤモンド単結晶基板に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合する工程、
(iv)接合されたダイヤモンド単結晶基板を、更に平坦な支持台上で反転させて、イオン注入を行った面を上面とし、この面上に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程、
(v)上記(iv)工程で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして、非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程。 - 下記(i)〜(vi)の工程を含むモザイク状ダイヤモンドの製造方法:
(i)複数のダイヤモンド単結晶基板を平坦な支持台上にモザイク状に並べる工程、
(ii)モザイク状に並べられたダイヤモンド単結晶基板の表面に、気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させてダイヤモンド単結晶基板を接合する工程、
(iii)接合されたダイヤモンド単結晶基板を平坦な支持台上で反転させる工程、
(iv)反転したダイヤモンド単結晶基板に対してイオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成する工程、
(v)非ダイヤモンド層を形成した各ダイヤモンド単結晶基板の表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程、
(vi)単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、非ダイヤモンド層をエッチングして、非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する工程。 - 請求項1又は2の方法によって非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離した後、単結晶ダイヤモンド層が分離されたダイヤモンド単結晶基板に対して、イオン注入を行って該ダイヤモンド単結晶基板の表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、次いで、該基板表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する操作を少なくとも一回行うことを特徴とするモザイク状ダイヤモンドの製造方法。
- 請求項1又は2のいずれかの方法によって非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離してモザイク状ダイヤモンドを得た後、分離されたモザイク状ダイヤモンドの分離面に対して、イオン注入を行って該モザイク状ダイヤモンドの表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、次いで、該ダイヤモンド表面に気相合成法で単結晶ダイヤモンド層を成長させた後、該非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より上層の単結晶ダイヤモンド層を分離する操作を少なくとも一回行うことを特徴とするモザイク状ダイヤモンドの製造方法。
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