JPH11255599A - 単結晶ダイヤモンド合成用基板 - Google Patents

単結晶ダイヤモンド合成用基板

Info

Publication number
JPH11255599A
JPH11255599A JP10060222A JP6022298A JPH11255599A JP H11255599 A JPH11255599 A JP H11255599A JP 10060222 A JP10060222 A JP 10060222A JP 6022298 A JP6022298 A JP 6022298A JP H11255599 A JPH11255599 A JP H11255599A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
substrate
layer
crystal
sapphire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10060222A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3631366B2 (ja
Inventor
Takeshi Tachibana
武史 橘
Yoshihiro Yokota
嘉宏 横田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP06022298A priority Critical patent/JP3631366B2/ja
Publication of JPH11255599A publication Critical patent/JPH11255599A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3631366B2 publication Critical patent/JP3631366B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積の単結晶ダイヤモンド膜を低コストで
合成することを可能とする単結晶ダイヤモンド合成用基
板を提供する。 【解決手段】 単結晶ダイヤモンド合成用基板は、表面
が(111)面の単結晶シリコン基体4と、この基体4
上に形成され表面が(0001)面の単結晶サファイア
層5と、この単結晶サファイア層5上に形成され表面が
(111)面の単結晶白金層6とを有する。基体と単結
晶サファイア層との間に、表面が立方晶(111)面又
は六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素層を形成
してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はトランジスタ、ダイ
オード、各種センサ等の電子装置、ヒートシンク、表面
弾性波素子、X線窓、光学関連材料、耐摩耗材料、装飾
材料及びそのコーティング材等に使用される単結晶ダイ
ヤモンド膜を気相合成する際に使用する単結晶ダイヤモ
ンド合成用基板に関する。
【0002】
【従来の技術】ダイヤモンドは耐熱性が優れており、バ
ンドギャップが5.5eVと大きく、通常は絶縁体であ
るが、不純物のドーピングにより半導体化できる。ま
た、絶縁破壊電圧及び飽和ドリフト速度が大きく、誘電
率が小さいという優れた電気的特性を有する。このよう
な利点により、ダイヤモンドは高温、高周波及び高電界
用の電子デバイス及びセンサ用材料として期待されてい
る。
【0003】また、ダイヤモンドのバンドギャップが大
きいことを利用した紫外線等の短波長領域に対応する光
センサ及び発光素子への応用、熱伝導率が大きく、比熱
が小さいことを利用した放熱基板材料、物質中で最も硬
いという特性を生かした表面弾性波素子への応用、高い
光透過性及び屈折率を利用したX線窓及び光学材料への
適用等が進められている。
【0004】これらの種々の用途において、ダイヤモン
ドの特性を最大限に活用するためには、結晶の構造欠陥
を低減した高品質の単結晶を合成することが必要であ
る。
【0005】そこで、本発明者等は単結晶のダイヤモン
ド膜を大面積で低コストで気相合成する方法を提案した
(特開平8−151296号公報)。この従来方法にお
いては、白金の(111)結晶面を基板として気相合成
で単結晶ダイヤモンド膜を得るものである。この方法に
より合成されるダイヤモンド膜は表面で結晶間の融合が
自発的に進行し、平滑な表面が得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来方法は従前よりも大面積且つ低コストの単結晶ダイ
ヤモンド膜を形成できたものの、一般的に、ダイヤモン
ド膜の基板となる白金単結晶はチョコラルスキー法(Cz
ochralski法)により製造されるため、従来方法により
製造される白金単結晶基板はなお高価であり、得られる
単結晶の面積も高々25mm径に止まるものであり、近
時の更に一層の大面積且つ低コストの要求を満足できる
ものではなかった。
【0007】また、本願発明者等はこの白金単結晶の膜
をチタン酸ストロンチウム単結晶上に形成することによ
り、更に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を形成できるこ
とを見出し、既に特許出願した(特開平8−15129
5号公報)。しかし、この方法においても、得られる単
結晶膜の面積は最大で50mm角である。近時の要求を
満足し、電子デバイスの分野で単結晶ダイヤモンド膜を
実用化するためには、更に一層低コストで大面積の単結
晶ダイヤモンド膜を合成することが必要である。
【0008】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、大面積の単結晶ダイヤモンド膜を低コスト
で合成することを可能とする単結晶ダイヤモンド合成用
基板を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る単結晶ダイ
ヤモンド合成用基板は、単結晶シリコン基体と、この基
体上に形成された単結晶サファイア層と、前記単結晶サ
ファイア層上に形成された単結晶白金層とを有すること
を特徴とする。
【0010】この単結晶ダイヤモンド合成用基板におい
て、前記単結晶シリコン基体の表面は(111)面であ
り、前記単結晶サファイア層の表面は(0001)面で
あり、前記単結晶白金層の表面は(111)であること
が好ましい。
【0011】また、前記単結晶シリコン基体と、前記単
結晶サファイア層との間に、表面が立方晶(111)面
又は六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素層を形
成することもできる。
【0012】本発明に係る他の単結晶ダイヤモンド合成
用基板は、表面が立方晶(111)面又は六方晶(00
01)面である単結晶炭化珪素基体と、この単結晶炭化
珪素基体の上に形成され表面が(0001)面である単
結晶サファイア層と、この単結晶サファイア層の上に形
成され表面が(111)面である単結晶白金層とを有す
ることを特徴とする。
【0013】これらの単結晶ダイヤモンド合成用基板に
おいて、前記単結晶白金層の厚さが0.01μm以上1
μm未満であるか、又は1乃至10μmであるように構
成することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は本発明
の第1実施例に係る単結晶ダイヤモンド合成用基板を示
す断面図である。本実施例の単結晶ダイヤモンド合成用
基板においては、単結晶シリコン基体1上に単結晶サフ
ァイア層2が形成されており、このサファイア層2上に
単結晶白金層3が形成されている。
【0015】本実施例においては、単結晶サファイア層
2上に単結晶白金層3を形成するから、ダイヤモンド膜
形成の基体となる単結晶白金層3を大面積で且つ低コス
トで形成することができる。このため、この単結晶白金
層3上に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を形成すること
ができ、単結晶ダイヤモンド膜の形成用基板として極め
て有用である。
【0016】また、図2は本発明の第2実施例に係る単
結晶ダイヤモンド合成用基板を示す断面図である。本実
施例においても、単結晶シリコン基体4上に、単結晶サ
ファイア層5が形成されており、この単結晶サファイア
層5上に単結晶白金層6が形成されている。而して、本
実施例においては、単結晶シリコン基体4の表面は(1
11)面であり、単結晶サファイア層5の表面は(00
01)面であり、単結晶白金層6の表面は(111)面
である。
【0017】このように、各層の表面方位を規定するこ
とにより、より一層大面積の単結晶ダイヤモンド膜を形
成することができる。即ち、単結晶ダイヤモンド膜に直
接接する白金層5であるが、白金(111)単結晶はサ
ファイア(0001)上にスパッタ法などで蒸着形成で
きる(B. M. Lairson: M. R. Visokay, R. Sinclair,S.
Hagstrom and B. M. Clemens; Applied Physics Lette
rs, 61(1992)P1390)。サファイア層5は大型単結晶を
人工的に作製できるので、これ自体も有用な単結晶ダイ
ヤモンド合成用の基板であるが、ダイヤモンドを電子デ
バイス材料として使用することまで含めて考えると、シ
リコンウエハをプラットフォームとした方が好ましい。
【0018】従って、サファイア層5を如何にしてシリ
コン基体4上に形成するかが課題となる。サファイアを
シリコン上に形成する技術は、一般にSOI(Silicon-
on-insulator)又はSOS(Silicon-on-sapphire)と
いわれる半導体集積回路形成用基板の作成に関連して広
く知られている。しかし、この技術では、サファイアは
多結晶である場合が殆どであり、サファイアを単結晶と
する場合も基体となるシリコン表面が(111)面でな
く、(100)面であり、更にサファイア自体もγ−サ
ファイアといわれる立方体結晶である(M. Ishida, K.
Sawada, S. Yamaguchi, T. Nakamura and T. Suzaki; A
pplied Physics Letters, 55(1989)P556)。このため、
本発明で必要とする白金(111)単結晶層の形成には
役にたたない。
【0019】そこで、我々はサファイア(0001)単
結晶層5を如何にしてシリコン基体4上に形成するかを
実験的に検討した。その結果、単結晶サファイア層5、
シリコン(111)基体4上に、熱CVD(Cemical Va
por Deposition)、プラズマCVD及びレーザーアブレ
ーション等の方法により形成することができることを見
いだした。そして、サファイア層5を蒸着する際、シリ
コン表面の温度を1350乃至1410℃に保つことに
より、熱力学的にも最も安定なα−サファイアが形成さ
れ、更にシリコン(111)を基板とすることで、α−
サファイア(0001)層がエピタキシャル成長する。
【0020】これにより、本実施例においては、単結晶
白金層6をより大面積で形成することができ、単結晶ダ
イヤモンドを単結晶白金層6上に大面積で形成すること
を可能とする。
【0021】更に、図3は本発明の第3実施例を示す断
面図である。本実施例においては、表面が(111)面
の単結晶シリコン基体7上に、表面が(111)又は
(0001)面である単結晶炭化珪素層8が形成されて
おり、この単結晶炭化珪素層8上に表面が(0001)
面のサファイア層9が形成されている。そして、この単
結晶サファイア層9上に表面が(111)面の単結晶シ
リコン層10が形成されている。
【0022】このように、サファイア(0001)層9
とシリコン(111)基体7との間に、炭化珪素層8を
挿入すると、結晶性が優れたサファイア(0001)単
結晶層9が得られる。これは、炭化珪素層8がサファイ
ア層9とシリコン基体7との間の格子定数の違いを緩和
するように作用したためである。サファイア層9の(0
001)面と、シリコン基体7の(111)面の原子間
距離は夫々4.76Å及び3.84Åであるのに対し、
立法晶炭化珪素層8の場合は3.08Åである。一見す
ると、炭化珪素層8の存在は格子定数の差異を拡大する
ように思われるが、結晶構造の周期性を考慮すると、炭
化珪素層8の3周期に対してサファイア層9の2周期が
ほぼ対応する(格子不整合=3%)ため、格子間の歪み
は図2の実施例のようにサファイア層をシリコン基体上
に直接形成する場合に比べて低減するのである。
【0023】図4は本発明の第4実施例を示す断面図で
ある。本実施例は、シリコン基体を省略したものであ
る。即ち表面が(111)面(立方晶)又は(000
1)面(六方晶)の炭化珪素基体11の上に、表面が
(0001)面のサファイア層12及び表面が(11
1)面の白金層13が形成されている。
【0024】このように、炭化珪素を基体としても図3
と同様の効果を奏する単結晶合成用基板を得ることがで
きる。
【0025】而して、これらの各実施例において、白金
層の膜厚はダイヤモンドの合成時に重要な作用を及ぼ
す。この白金層の膜厚が0.01μm以上1μm未満で
あると、白金の特性が作用してダイヤモンドが自発的に
融合し、粒界が消滅するため、単結晶化する。同時に、
ダイヤモンド合成の還元雰囲気化で白金は徐々に昇華す
るため、結果的にダイヤモンドはサファイア層の表面の
結晶構造を反映して方位整合し、単結晶となる。このよ
うに白金の膜厚を0.01μm以上1μm未満とする
と、白金の結晶性の乱れに影響されずにダイヤモンドを
合成できる利点がある。
【0026】一方、白金の膜厚を1乃至10μmとする
と、白金は上述とは異なる作用を奏する。この場合、白
金膜は十分厚いので、ダイヤモンド膜の合成後も残存す
る。ダイヤモンド膜は白金の結晶構造を反映して単結晶
となる。ダイヤモンド膜とサファイア層とは熱膨張率が
大きく異なるので、通常850〜950℃の範囲で実施
されるダイヤモンド膜の合成後、ウエハを室温に戻す
と、内部応力によりダイヤモンドが剥離・破損してしま
う。しかし、ダイヤモンドとサファイアとの間に十分厚
い白金層が存在する場合には、これが応力緩和層として
作用し、ダイヤモンドの剥離・破損の問題を回避でき
る。
【0027】
【実施例】以下、本発明の効果を実証するために、実際
に本発明の実施例に係る単結晶ダイヤモンド膜合成用基
板を製造してその特定を評価した結果について説明す
る。実施例1 シリコン(111)を基体として熱CVD法によりサフ
ァイア(0001)層を作製した。基板温度を1400
℃に保持し、トリメチルアルミニウム(Al(C
33)を原料ガスとした。サファイアの単結晶はRH
EED(Reflection High-Energy Electron Diffractio
n)で確認した。更に、サファイア表面にスパッタ法で
白金層を0.01μmの厚さに蒸着した。蒸着時の基板
温度は500℃とした。
【0028】これを基板としてダイヤモンドを気相合成
した。グラファイトをターゲットとし、200mTor
rの酸素ガス雰囲気中で、KrFエキシマレザーを用い
てレーザアブレーションにより炭素を飛散させた。4時
間の合成後、基板を取り出し、X線回折とSEM(Scan
ning Electron Microscopy)でダイヤモンド(111)
が形成されたことを確認した。実施例2 シラン(SiH4)とエチレン(C24)を原料として
熱CVD法でシリコン(111)表面に立方晶炭化珪素
を形成した。これを基板として、MBE(Molecule Bea
m Epitaxy)法によりサファイア(0001)膜を作製
した。トリメチルアルミニウムをAl源、亜酸化窒素
(N2O)を酸素源とし、基板温度は1400℃に保持
した。更に、サファイア表面スパッタ法で白金を1μm
蒸着した。蒸着時の基板温度は400℃とした。
【0029】これを基板としてダイヤモンドを気相合成
した。基板表面を予めダイヤモンドパウダー懸濁液中で
超音波処理した上で、メタン(CH4)を原料ガスとし
て10時間のマイクロ波CVDを行ったところ、(11
1)ダイヤモンド膜が合成されたことを確認した。実施例3 六法晶炭化珪素(0001)ウエハを基板として、実施
例1と同様に、トリメチルアルミニウム(Al(C
33)を原料ガスとし、基板温度を1400℃でサフ
ァイア(0001)膜を作製した。その後、サファイア
表面にスパッタ法で、白金を5μm蒸着した。蒸着時の
基板温度は600℃とした。
【0030】これを基板として実施例2と同様にダイヤ
モンドを気相合成した。基板表面を予めダイヤモンドパ
ウダー懸濁液中で超音波処理した上で、メタン(C
4)を原料ガスとして30時間のマイクロ波CVDを
行ったところ、(111)ダイヤモンドが合成された。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る単結
晶ダイヤモンド合成用基板を使用すれば、大面積の単結
晶ダイヤモンド膜を低コストで合成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る単結晶ダイヤモンド
合成用基板を示す断面図である。
【図2】本発明の第2実施例に係る単結晶ダイヤモンド
合成用基板を示す断面図である。
【図3】本発明の第3実施例に係る単結晶ダイヤモンド
合成用基板を示す断面図である。
【図4】本発明の第4実施例に係る単結晶ダイヤモンド
合成用基板を示す断面図である。
【符号の説明】
1,4,7:単結晶シリコン基体 2,5,9,12:単結晶サファイア層 3,6,10,13:白金層 8:単結晶炭化珪素層 11:単結晶炭化珪素基体

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単結晶シリコン基体と、この基体上に形
    成された単結晶サファイア層と、前記単結晶サファイア
    層上に形成された単結晶白金層とを有することを特徴と
    する単結晶ダイヤモンド合成用基板。
  2. 【請求項2】 前記単結晶シリコン基体の表面は(11
    1)面であり、前記単結晶サファイア層の表面は(00
    01)面であり、前記単結晶白金層の表面は(111)
    であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶ダイヤ
    モンド合成用基板。
  3. 【請求項3】 前記単結晶シリコン基体と、前記単結晶
    サファイア層との間に、表面が立方晶(111)面又は
    六方晶(0001)面である単結晶炭化珪素層が形成さ
    れていることを特徴とする請求項2に記載の単結晶ダイ
    ヤモンド合成用基板。
  4. 【請求項4】 表面が立方晶(111)面又は六方晶
    (0001)面である単結晶炭化珪素基体と、この単結
    晶炭化珪素基体の上に形成され表面が(0001)面で
    ある単結晶サファイア層と、この単結晶サファイア層の
    上に形成され表面が(111)面である単結晶白金層と
    を有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド合成用基
    板。
  5. 【請求項5】 前記単結晶白金層の厚さが0.01μm
    以上1μm未満であることを特徴とする請求項1乃至4
    のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド合成用基
    板。
  6. 【請求項6】 前記単結晶白金層の厚さが1乃至10μ
    mであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1
    項に記載の単結晶ダイヤモンド合成用基板。
JP06022298A 1998-03-11 1998-03-11 単結晶ダイヤモンド合成用基板 Expired - Fee Related JP3631366B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06022298A JP3631366B2 (ja) 1998-03-11 1998-03-11 単結晶ダイヤモンド合成用基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06022298A JP3631366B2 (ja) 1998-03-11 1998-03-11 単結晶ダイヤモンド合成用基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11255599A true JPH11255599A (ja) 1999-09-21
JP3631366B2 JP3631366B2 (ja) 2005-03-23

Family

ID=13135933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06022298A Expired - Fee Related JP3631366B2 (ja) 1998-03-11 1998-03-11 単結晶ダイヤモンド合成用基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3631366B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012001394A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Kanazawa Univ 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法
WO2013168707A1 (ja) * 2012-05-08 2013-11-14 信越化学工業株式会社 放熱基板及びその製造方法
JP2015067517A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンドの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6360199A (ja) * 1986-08-30 1988-03-16 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
JPH01317197A (ja) * 1988-06-16 1989-12-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ダイヤモンド薄膜基板およびその製法
JPH0543399A (ja) * 1991-03-08 1993-02-23 Ricoh Co Ltd 薄膜機能部材
JPH05186298A (ja) * 1992-01-13 1993-07-27 Ricoh Co Ltd 機能性薄膜積層体
JPH08151296A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JPH08151295A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板の製造方法
JPH1084086A (ja) * 1996-03-21 1998-03-31 Toyo Cement Kk 白金薄膜形成方法、その方法により製造された基板、その基板を利用した電子素子及びその電子素子の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6360199A (ja) * 1986-08-30 1988-03-16 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
JPH01317197A (ja) * 1988-06-16 1989-12-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ダイヤモンド薄膜基板およびその製法
JPH0543399A (ja) * 1991-03-08 1993-02-23 Ricoh Co Ltd 薄膜機能部材
JPH05186298A (ja) * 1992-01-13 1993-07-27 Ricoh Co Ltd 機能性薄膜積層体
JPH08151296A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JPH08151295A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板の製造方法
JPH1084086A (ja) * 1996-03-21 1998-03-31 Toyo Cement Kk 白金薄膜形成方法、その方法により製造された基板、その基板を利用した電子素子及びその電子素子の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012001394A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Kanazawa Univ 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法
WO2013168707A1 (ja) * 2012-05-08 2013-11-14 信越化学工業株式会社 放熱基板及びその製造方法
CN104272432A (zh) * 2012-05-08 2015-01-07 信越化学工业株式会社 放热基板及其制造方法
US10553518B2 (en) 2012-05-08 2020-02-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat dissipation substrate and method for producing same
JP2015067517A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンドの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3631366B2 (ja) 2005-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5760426A (en) Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13
JP7078947B2 (ja) ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法
US6383288B1 (en) Method of forming diamond film
JP2662396B2 (ja) 結晶性堆積膜の形成方法
JPS63307196A (ja) ダイヤモンド多層薄膜及びその製造方法
US5743957A (en) Method for forming a single crystal diamond film
JP2002234799A (ja) SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法
US5492752A (en) Substrates for the growth of 3C-silicon carbide
US4447497A (en) CVD Process for producing monocrystalline silicon-on-cubic zirconia and article produced thereby
JP3631366B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド合成用基板
JP7298832B2 (ja) ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法
Sánchez et al. Microstructure and mechanical properties of AlN films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition
JP3728470B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法及び単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板
JP3728555B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜合成用基板
US20080113202A1 (en) Process for manufacturing quartz crystal element
JP3728466B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の製造方法
JP3637926B2 (ja) ダイアモンド単結晶膜の製造方法
Myasoedov et al. Microstructure of Epitaxial GaN Layers Synthesized on Nanoprofiled Si (001) Substrates
JP3150719B2 (ja) 薄膜半導体基板およびその製造方法
JPH05102048A (ja) ダイヤモンド基板及びその製造方法
JPS60178620A (ja) 半導体基板の製造方法
JP2001278691A (ja) 単結晶ダイヤモンド合成用基板
JPH04188717A (ja) ダイヤモンド基板およびその製造方法
KR20230162414A (ko) 압전 박막을 제조하는 방법 및 이 박막을 이용하는 소자
JP4414249B2 (ja) 人工水晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071224

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees