JP3098773B2 - 高絶縁性単結晶窒化ガリウム薄膜の作製及びドープ方法 - Google Patents

高絶縁性単結晶窒化ガリウム薄膜の作製及びドープ方法

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    • Y10S148/113—Nitrides of boron or aluminum or gallium

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、電子サイクトロトン共鳴マイクロ波プラズ
マアシスト単結晶ビームエピタキシー（ECR−assisted
MBE）によって単結晶窒化ガリウム薄膜を作製する方法
に関する。更に、本発明は、ｎ形又はｐ形の窒化ガリウ
ム（GaN）膜の作製方法に関する。
単結晶GaNは電子的特性及び光学的特性に有用である
見込みがあるため、これを作製する試みが行われてい
る。GaNは廉価でかつコンパクトな固体の青いレーザー
の有望な源である。GaNのバンドギャップは約3.4eVであ
り、これはUV〜可視領域の端の光を発することができる
ことを意味している。真性GaNでは、キャリヤー濃度（n
i）は5.2×103cm-3、移動度は330cm2V-1s-1で、抵抗率
は3.6×1012Ω−cmである。
単結晶GaN膜が所望されているにもかかわらず、その
開発はその成長過程において遭遇する多くの問題のため
に遅れている。単結晶GaN膜を作製するために行われて
来た従来の試みではキャリヤー濃度の高いｎ形膜が作製
されてきた。ｎ形の特性は、結晶構造中に含まれる窒素
の空孔のためである。なお、空孔は、該膜の成長中に結
晶格子中へ組み込まれる。結果として、膜は、成長中に
意図せずに窒素でドープされる。窒素の空孔は該膜の電
子的特性及び光学的特性に影響を及ぼす。
ECR−アシスト有機金属気相成長により、高度に導電
性でかつ意図せずにドープされたｎ形のGaN膜が得られ
た（S.ZembutsuとT.Sasaki J.Cryst.Growth 77,25−26
（1986））。キャリヤー濃度は１×1019cm-3で、移動度
は50〜100cm2V-1s-1であった。膜をｐ形にドープする試
みは成功していない。キャリヤー濃度は補正によって低
くさせた、すなわち、ドナー濃度をアクセプタ不純物の
添加によって“中性化”させた。
高抵抗性の膜を窒素雰囲気で超純度のガリウムターゲ
ットを用いてスパッターリングして作製した。膜はｎ形
で、高抵抗性は膜が多結晶性のためであった（E.Lakshm
i他Thin Solid Films 74,77（1977））。
反応性イオン分子ビームエピタキシーでは、ガリウム
は標準的な発散セル（effusion cell）から供給し、窒
素はイオンビームによって供給した。単結晶膜はｎ形だ
が、抵抗率は106Ω−cmとより高く、キャリヤー濃度と
移動度は比較的低い（1014cm-3と１〜10cm2V-1s-1）も
のが得られた（R.C.Powell他“Diamond,Silicon Carbid
e and Related Wide Bandgap Semiconductors"Vol.162,
J.T.Glass,R.MessierおよびN.Fujimori著、（Material
Research Society,Pittsburgh,1990）,525〜530頁）。
唯一報告されているｐ形GaNは低いエネルギーの電子
ビームを放射して成長の後に処理したMgドープGaNであ
った。ｐ形の導電性はｎ形GaNを補正することによって
達成された（H.Amano他、Jap.J Appl.Phys.28（12）,L2
112〜L2114（1989））。
現在のGaN作製方法は、格子内の窒素空孔を制御する
ことができない。したがって、真性GaNを作製すること
ができない。さらに、GaN膜のドープ工程を制御して、
ｐ−ｎ接合の製造を可能ならしめることが望ましい。本
発明は、真性に近い単結晶GaN膜を作製しかつこれらの
膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープする方法を提供す
る。
発明の概要 本発明の高度に絶縁性の真性に近い単結晶GaN膜を作
製する方法はECRアシストMBEを利用したものである。好
適な実施例においては、Gaの分子ビーム源と活性窒素源
をMBE成長室内に設ける。所望の基板をGaと活性窒素に
暴露する。膜を２つの工程、低温核形成工程と高温成長
工程でエピタキシャル成長させる。核形成工程は基板を
100〜400℃の範囲の温度の窒素プラズマとガリウムに暴
露させるのが好ましく、高温成長工程は600〜900℃の範
囲の温度で実施するのが好ましい。好適な基板には、例
えば、（100）と（111）のシリコンと（0001）、（11−
20）及び（１−102）のサファイア、（111）と（100）
のヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛及び炭化
ケイ素がある。好適な活性窒素種源は、電子サイクロト
ロン共鳴マイクロ波プラズマもしくはホットタングステ
ンフィラメント又はその他の慣用的な方法によって生じ
うる窒素プラズマである。
好適な実施例では、窒素プラズマの圧力とGaフラック
スの圧力を制御して、金属ガリウムの膜表面のビード
（beading）の形成と格子内の窒素空孔の形成を阻止す
る。Gaフラックスは2.0〜5.0×10-7トルの範囲にあるの
が好ましい。成長室内では窒素の過圧があるのが好まし
く、過圧は10-3〜10-5トルの範囲であるのがより好まし
い。
更に別の好適な実施例では、低温核形成工程において
３〜15分間基板をGaと窒素とに暴露させる。厚さが200
〜500Åの膜を蒸着させる。この膜は、核形成工程の低
温下においては非晶質である。非晶質膜を活性窒素の存
在下において600〜900℃で加熱することによって結晶化
することができる。続いて、高温、好ましくは600〜900
℃の処理を行うと、単結晶の真性に近いGaN膜のエピタ
キシャル成長が行われる。成長層の好適な厚さは0.5〜1
0μｍの範囲内である。
本発明の別の実施例では、単結晶GaN膜をｎ形又はｐ
形で優先的にドープする。ｐ形半導体を作り出すため
に、MBE成長室にはGa、活性窒素及びアクセプタの各源
が備えられている。アクセプタ源には、Be、Zn、Cd及び
CaのようなII族の元素が含まれる。基板には、基板表面
へ又は基板の正面に直接おかれた金属グリッドへ正のバ
イアスを付加することによって電子を衝突させる。低温
蒸着及び高温蒸着の条件は既述の通りである。基板をG
a、窒素及びアクセプタの源に暴露させると、ドープさ
れたGaN膜が得られ、アクセプタは電子を帯びて陰電荷
の種として格子内に組み込まれる。電荷を有するアクセ
プタ種は中性のアクセプタに比べて低いエネルギーでGa
N格子内に組み込むことができる。物質をｎ形でドープ
するために、基板又はグリッドに負のバイアスをかける
ことによって陽イオンを衝突させる。従って、ドナー不
純物は荷電状態でGaNに組み込まれる。これは、中性の
ドナー種を組み込む場合と比べて低いエネルギーしか必
要としないことを意味する。適切なドナーにはIV族とVI
族の元素がある。
本発明を実施すると、200℃で1010Ω−cmの抵抗率と1
00cm2V-1s-1の移動度を有する真性に近いGaN膜を作製す
ることができる。ｐ形半導体とｎ形半導体を、単に表面
又はグリッドバイアス及び不純物源を選択することによ
って選択的に作製することができる。本発明の方法を使
ってｐ−ｎ接合を効果的に製造することも可能である。
図面の簡単な説明 図１は、ECRアシストMBE成長室の断面図である。
図2Aは、１工程法で成長した（11−20）サファイア上
のGaN膜のＸ線回折パターンである。
図2Bは、２工程法で成長した（11−20）サファイア上
のGaN膜のＸ線回折パターンである。
図３は、GaN膜をドープする方法の概略図である。
好ましい実施例の説明 GaNの意図しないドープはGaN格子内の窒素の空孔の形
成による。GaNは、上記方法の処理温度（＞1000℃）よ
り十分に低い温度である約650℃で分解する（かつ窒素
を失う）。それ故、成長法自身が空孔形成のために十分
な熱エネルギーを提供することになる。より低い温度で
の成長方法は、窒素の格子内の空孔の数が減り、GaN格
子に意図しないｎ形ドープが行なわれるのが阻止され、
真性GaNの形成が達成される。
本発明を実施すると、活性窒素源を利用して有意的に
低い処理温度でGaNを形成することができる。ECRマイク
ロ波窒素プラズマは好適な活性窒素源である。２工程加
熱法によれば、より低い温度で単結晶GaNを形成するこ
とができる。
本発明で用いられるECR−MBEシステムは図１に示され
ているものである。ECRシステム10は、ECRシステムが発
散口12に取り付けられていることによってMBEシステム1
1と一体にされている。ECRシステムには、マイクロ波発
生器13、導波器14、高真空プラズマ室15及び２つの電磁
石16、17が含まれている。2.43GHzのマイクロ波をマイ
クロ波発生器13で発生させて長四角形の導波器14に移送
させる。100〜500Wのパワーのマイクロ波が導波器14を
通過してプラズマ室15に至る。窒素がマスフロー制御器
18を通ってプラズマ室15に流れ込む。マスフロー制御器
18は調節可能な一定の流速を維持する。上方の磁石16は
2kWの出力供給器（図示せず）により機能し、下方の磁
石17は5kWの出力供給器（図示せず）により機能する。
このようにして電磁石を配置するとより強力で安定なプ
ラズマが生ずる。
上方の電磁石16は室15内の自由電子をサイクロトロン
軌道におく。サイクロトロンの振動数は磁界の強度と電
子の電荷−質量比（charge−mass ratio）に依存して変
わる。全ての電子がサイクロトロンの軌道にあると想定
されるので、ランダムな動きと衝突で失われるエネルギ
ーは減る。更に、プラズマは室15の中央へ閉じ込められ
る。磁界は、マイクロ波の振幅の振動数が電子のサイク
ロトロン振動数にちょうど等しくなるように調整され
る。その後、N2をマスフロー制御器18を通過させて室内
へ導入させ、そして、高エネルギーの電子の衝突によっ
て、高エネルギーの窒素原子と窒素イオンに分解させ
る。その後、下方の電磁石17がイオンを発散口12を通過
させて基板19まで誘導する。該基板19は、MBEシステム1
1の成長室21内の連続方位回転（continuous azimuthal
rotation）（C.A.R.）装置20上におかれたものである。
C.A.R.20を０〜120rpmの間で回転させることができ
る。ある種の基板上ではGaN膜はウルツ鉱型（wurtziti
c）構造で成長し、その他の基板上ではGaN膜はジンクブ
レンデ型（zincblende）構造で成長する。このような基
板には、例えば、サファイア（ウルツ鉱型構造のGaN）
やSi（100）（ジンクブレンデ型構造のGaN）がある。ガ
リウムフラックスはクヌーセン発散セル22で発生する。
典型的な方法においては、基板19を600℃の窒素でス
パッターエッチングした。基板を270℃まで窒素プラズ
マの存在下で冷却した。その後、Gaシャッター23を開い
て、始めにGaNのバッファ層を蒸着した。活性窒素源を
使用することにより、GaNを低温で蒸着させることが可
能となった。バッファ層は10分以上にわたって核形成を
可能とし、その後に、Gaシャッター23を閉めて該膜の核
形成を止めた。その後に、基板を、窒素プラズマの存在
下において15秒毎に４℃の割合でゆっくりと600℃にし
た。窒素の過圧も窒素空孔の形成を減らすのを助けた。
600℃まで至った後、基板19を窒素プラズマの存在下
において30分間この温度で保持してGaNバッファ層を結
晶化させた。Gaシャッター23をもう一度開けて、GaN単
結晶膜を成長させた。膜の厚さは、理論上は制限はない
が、約１μｍであった。窒素圧力とガリウムフラックス
は全工程にわたって一定に保たれている。
２工程成長法によれば、バッファ層の核形成を可能と
する。バッファ層は100〜400℃の範囲の温度で成長す
る。温度が低いために、窒素の空孔が形成される可能性
は低い。温度が600℃まで上がるにつれて、非晶質膜が
結晶化する。この２工程法により成長した膜は１工程法
により成長した膜より優れている。
図２は、１工程法（図2A）と２工程法（図2B）での
（11−20）サファイアのα面上に成長したGaN膜のＸ線
回折（XRD）パターンを示している。図2Aの約２θ＝35
゜における２つのピークはGaN結晶が不完全なためであ
る。図2Bは、よりよい品質の膜であることを示す単一の
ピークを示している。これは、GaNバッファの上に大部
分の膜が成長して下層の基板が見えないためである。Ga
Nの成長層はGaNバッファ層を“認めて”、その上に該成
長層が欠陥なく成長することができるからである。バッ
ファは唯一のかなり欠陥のある部分の膜である。
既述の方法で成長した膜は室温で抵抗率が高い（1010
Ω−cm）。この物質の移動度は10cm2V-1s-1であり、真
性GaNの理論移動度である330Ω−cm-3に比べて応分な値
である。
GaN膜を、荷電状態にある適当な不純物を組み入れる
ことによってｎ形又はｐ形にドープする。これは、格子
内に荷電不純物を組み入れるのに必要なエネルギーは中
性の不純物を組み入れるのに必要なエネルギーより低い
からである。図３は、荷電アクセプタをGaN格子へドー
プすることを概略的に示したものである。基板19又はそ
の前に直接おかれたグリッド19aに正のバイアスをかけ
る。図３は、基板19とグリッド19aの両方が電圧源に結
合していることを示している。本発明を実施する際に
は、基板19又はグリッド19aのいずれかに正のバイアス
をかけることになるであろう。それ故、電子は基板表面
へ引き寄せられ、一方で、N+のような陽イオンは反発さ
れる。成長方法は、既述のようにアクセプタ源24を加え
て実施して、Ga、窒素及びアクセプタを基板の電子で富
化した表面に蒸着させる。アクセプタの原子が表面に近
づくにつれて、それは電子を帯びて陰の種として格子内
へ組み込まれる。組み込まれる際のエネルギーは中性の
アクセプタ種と比べて低い。基板又はグリッドに負のバ
イアスをかけることを除いては同じようにして、GaN格
子にドナー不純物をドープする。あるいは、基板表面に
電子又は陽イオンを衝突させることによって、荷電表面
を作り出すことができる。電子ガンとイオンガンは、そ
れぞれ、これらの種の慣用的な源である。
適切なアクセプタ種には、例えば、マグネシウム、ベ
リリウム、カルシウムなどがある。適切なドナー種に
は、例えば、シリコン、ゲルマニウム、酸素、セレン、
硫黄などがある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−155630（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−52422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−53719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−188933（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−161997（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−273632（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/318 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/314

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁性単結晶GaN膜を作製する方法であっ
    て、 分子ビームエピタキシャル成長室内に、所望の相のGaN
    に整合する適当な格子を有する単結晶基板を設け、 分子ビームガリウム源を設け、 活性窒素源を設け、そして 前記基板を前記のガリウム源と窒素源に暴露することに
    よって、下記の２工程成長法を用いてGaN膜を蒸着す
    る： 工程中に、基板が約100℃〜400℃の温度に維持され、そ
    して実質的に一定のガリウムフラックス圧力と実質的に
    一定の窒素圧力が維持される、低温核形成工程、および 工程中に、基板が約600℃〜900℃の温度に維持され、そ
    して実質的に一定のガリウムフラックス圧力と実質的に
    一定の窒素圧力が維持される、高温成長工程、 以上の工程を含む方法。
  2. 【請求項２】ドープしたｐ形GaN膜を作製する方法であ
    って、 分子ビームエピタキシャル成長室内に、所望の相のGaN
    に整合する適当な格子を有する単結晶基板を設け、 ガリウム源、窒素プラズマ源およびアクセプタ源を設
    け、 前記基板を、約100℃〜400℃の温度において、実質的に
    一定のフラックス圧力に維持された前記ガリウム源と実
    質的に一定の圧力に維持された前記窒素源に暴露するこ
    とによって核形成工程を実施し、 約600℃〜900℃の温度において成長工程を実施して、そ
    れによって前記基板上にGaN膜を蒸着させ、 前記基板の表面に正のバイアスをかけて、そして 前記表面を、前記実質的に一定のフラックス圧力に維持
    された前記ガリウム源、前記実質的に一定の圧力に維持
    された前記窒素源、及び前記アクセプタ源に暴露するこ
    とによって、ドープしたGaN膜を蒸着させて、それによ
    って、前記成長工程の間前記アクセプタを負に荷電した
    状態におく、 以上の工程を含む方法。
  3. 【請求項３】ドープしたｎ形GaN膜を作製する方法であ
    って、 分子ビームエピタキシャル成長室内に、所望の相のGaN
    に整合する適当な格子を有する単結晶基板を設け、 ガリウム源、窒素プラズマ源およびドナー源を設け、 核形成工程において前記基板を前記のガリウム源と窒素
    源に低温で暴露し、このとき、基板は約100℃〜400℃の
    温度に維持され、また実質的に一定のガリウムフラック
    ス圧力と実質的に一定の窒素圧力が維持され、そして 600℃〜900℃の温度において成長工程を実施して前記基
    板上にGaN膜を蒸着させ、さらに 前記基板の表面を負にバイアスさせ、そして 前記表面を、前記実質的に一定のフラックス圧力に維持
    された前記ガリウム源、前記実質的に一定の圧力に維持
    された前記窒素源、及び前記ドナー源に暴露することに
    よって、ドープしたGaN膜を蒸着させて、それによっ
    て、前記成長工程の間前記ドナーを正に荷電した状態に
    おく、 以上の工程を含む方法。
  4. 【請求項４】前記の単結晶基板は（100）シリコン又は
    （111）シリコン、（11−３）サファイア、（0001）サ
    ファイア又は（１−102）サファイア、（100）ヒ化ガリ
    ウム又は（111）ヒ化ガリウム、炭化ケイ素、酸化亜鉛
    又は酸化マグネシウムである、請求項１、２又は３に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】前記ガリウム源はクヌーセン発散セル又は
    金属−有機源である、請求項１、２又は３に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】前記金属−有機源がトリメチルガリウムで
    ある、請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】ガリウムフラックス圧力は約2.0〜5.0×10
    -7トルの範囲である、請求項１、２又は３に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】前記活性窒素源は電子サイクロトロン共鳴
    マイクロ波プラズマ（ECR源）またはホットタングステ
    ンフィラメントで発生した窒素のプラズマである、請求
    項１、２又は３に記載の方法。
  9. 【請求項９】窒素の過圧を前記成長室内で保持する、請
    求項１、２又は３に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記窒素圧力／前記ガリウムフラックス
    圧力の比率は約102〜104の範囲である、請求項１、２又
    は３に記載の方法。
  11. 【請求項１１】活性窒素源には窒素原子種又は窒素イオ
    ン種が含まれる、請求項１、２又は３に記載の方法。
  12. 【請求項１２】前記の低温核形成工程には、基板を前記
    のガリウム源と窒素源へ３〜15分間暴露することが含ま
    れる、請求項１、２又は３に記載の方法。
  13. 【請求項１３】前記膜の厚さは30〜500Aである、請求項
    12に記載の方法。
  14. 【請求項１４】前記の高温成長工程で0.5〜10μｍの厚
    さの膜を蒸着する、請求項１、２又は３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】基板の表面を荷電させる前記工程は、前
    記基板の直前におかれたグリッドに電気的にバイアスを
    かけるか、電子ガンからの電子を前記表面に衝突させる
    か、イオンガスからの陽イオンを前記表面に衝突させる
    か、または前記基板表面の背面に電気アースを設けるこ
    とを含む、請求項２又は３に記載の方法。
  16. 【請求項１６】前記成長工程には、基板を800℃未満の
    温度に保持することを含む、請求項１、２又は３に記載
    の方法。
  17. 【請求項１７】前記成長工程には、基板を600℃以下の
    温度に保持することを含む、請求項16に記載の方法。
  18. 【請求項１８】絶縁性単結晶GaN膜の作製装置であっ
    て、 所望の相のGaNと整合する適当な格子を有する単結晶基
    板を収容する分子ビームエピタキシャル成長室、 分子ビームガリウム源、 活性窒素源、および 前記基板を前記のガリウム源と窒素源に暴露させて、低
    温核形成工程と高温成長工程を含む２工程成長法を用い
    て膜を蒸着させる手段、 を含む装置。
  19. 【請求項１９】ドープしたGaN膜の作製装置であって、 所望の相のGaNと整合する適当な格子を有する単結晶基
    板を収容する分子ビームエピタキシャル成長室、 ガリウム源、活性窒素源及びアクセプタまたはドナー
    源、 前記基板の表面に負または正のバイアスをかける手段、
    および 前記基板を前記のガリウム源、窒素源及びアクセプタま
    たはドナー源に暴露して、低温核形成工程と高温成長工
    程とを含む２工程成長法を用いて膜を蒸着させる手段、 を含む装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160077222A (ko) * 2013-12-20 2016-07-01 엔지케이 인슐레이터 엘티디 질화갈륨층을 포함하는 기판 및 그 제조 방법

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6953703B2 (en) * 1991-03-18 2005-10-11 The Trustees Of Boston University Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen
EP0576566B1 (en) * 1991-03-18 1999-05-26 Trustees Of Boston University A method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
US5657335A (en) * 1993-11-01 1997-08-12 The Regents, University Of California P-type gallium nitride
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US6958093B2 (en) * 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
JPH07263766A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Agency Of Ind Science & Technol 金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置
US6130147A (en) * 1994-04-07 2000-10-10 Sdl, Inc. Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials
US5814534A (en) * 1994-08-05 1998-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of doping with beryllium and method of fabricating semiconductor optical element doped with beryllium
JPH08172056A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体層の成長方法
US5843590A (en) * 1994-12-26 1998-12-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial wafer and method of preparing the same
TW290743B (ja) * 1995-03-27 1996-11-11 Sumitomo Electric Industries
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5679965A (en) * 1995-03-29 1997-10-21 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US6617235B2 (en) 1995-03-30 2003-09-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of manufacturing Group III-V compound semiconductor
US5625202A (en) * 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
US5677538A (en) * 1995-07-07 1997-10-14 Trustees Of Boston University Photodetectors using III-V nitrides
US5923058A (en) * 1995-11-09 1999-07-13 Northrop Grumman Corporation Aluminum gallium nitride heterojunction bipolar transistor
JP2743901B2 (ja) * 1996-01-12 1998-04-28 日本電気株式会社 窒化ガリウムの結晶成長方法
JP2947156B2 (ja) * 1996-02-29 1999-09-13 双葉電子工業株式会社 蛍光体の製造方法
EP0803594B1 (en) * 1996-04-22 2001-07-04 Sony Corporation Crystal growing substrate
US5866925A (en) * 1997-01-09 1999-02-02 Sandia Corporation Gallium nitride junction field-effect transistor
US5781229A (en) * 1997-02-18 1998-07-14 Mcdonnell Douglas Corporation Multi-viewer three dimensional (3-D) virtual display system and operating method therefor
US6284395B1 (en) 1997-03-05 2001-09-04 Corning Applied Technologies Corp. Nitride based semiconductors and devices
JP3899652B2 (ja) * 1997-03-14 2007-03-28 住友電気工業株式会社 エピタキシャルウェハ
US6019841A (en) * 1997-03-24 2000-02-01 G.T. Equuipment Technologies Inc. Method and apparatus for synthesis and growth of semiconductor crystals
JP3491492B2 (ja) * 1997-04-09 2004-01-26 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
TW420835B (en) * 1997-06-16 2001-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacture method and manufacturing device therefor
JP3349931B2 (ja) * 1997-10-30 2002-11-25 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
GB2331307A (en) 1997-11-15 1999-05-19 Sharp Kk Growth of buffer layer by molecular beam epitaxy
DE19855476A1 (de) * 1997-12-02 1999-06-17 Murata Manufacturing Co Lichtemittierendes Halbleiterelement mit einer Halbleiterschicht auf GaN-Basis, Verfahren zur Herstellung desselben und Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht auf GaN-Basis
KR100279737B1 (ko) * 1997-12-19 2001-02-01 정선종 전계방출소자와 광소자로 구성된 단파장 광전소자 및 그의 제작방법
JPH11274467A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Murata Mfg Co Ltd 光電子集積回路素子
KR100277691B1 (ko) * 1998-09-17 2001-02-01 정선종 단파장 광전소자 제조용 장치 및 그를 이용한 단파장 광전소자제조방법
JP3007971B1 (ja) * 1999-03-01 2000-02-14 東京大学長 単結晶薄膜の形成方法
JP2000252359A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Sony Corp 絶縁膜のエッチング方法および配線層の形成方法
US6518637B1 (en) 1999-04-08 2003-02-11 Wayne State University Cubic (zinc-blende) aluminum nitride
US6290774B1 (en) * 1999-05-07 2001-09-18 Cbl Technology, Inc. Sequential hydride vapor phase epitaxy
CA2311061C (en) * 1999-06-11 2009-10-06 National Research Council Of Canada Molecular beam epitaxy (mbe) growth of semi-insulating c-doped gan
GB2350927A (en) * 1999-06-12 2000-12-13 Sharp Kk A method growing nitride semiconductor layer by molecular beam epitaxy
EP1065299A3 (en) * 1999-06-30 2006-02-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III-V nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
GB2362263A (en) * 2000-05-12 2001-11-14 Juses Chao Amorphous and polycrystalline growth of gallium nitride-based semiconductors
US7043129B2 (en) * 2000-06-16 2006-05-09 Wayne State University Wide bandgap semiconductor waveguide structures
US6848295B2 (en) * 2002-04-17 2005-02-01 Wayne State University Acoustic wave sensor apparatus, method and system using wide bandgap materials
AU2002219978A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-11 Kyma Technologies, Inc. Method and apparatus for producing miiin columns and miiin materials grown thereon
KR20020056566A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 조장연 질화 갈륨계 반도체 박막의 피형 활성화 방법
US6576932B2 (en) 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
US20040029365A1 (en) * 2001-05-07 2004-02-12 Linthicum Kevin J. Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
JP4150527B2 (ja) * 2002-02-27 2008-09-17 日鉱金属株式会社 結晶の製造方法
US20040144927A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Auner Gregory W. Microsystems arrays for digital radiation imaging and signal processing and method for making microsystem arrays
US6853075B2 (en) * 2003-01-28 2005-02-08 Wayne State University Self-assembled nanobump array stuctures and a method to fabricate such structures
US6911079B2 (en) * 2002-04-19 2005-06-28 Kopin Corporation Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors
US6734091B2 (en) 2002-06-28 2004-05-11 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
AU2003251539A1 (en) 2002-06-17 2003-12-31 Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
US7002180B2 (en) * 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US6955985B2 (en) 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US7410524B2 (en) * 2003-06-19 2008-08-12 Tower Paul M Regenerable purification system for removal of siloxanes and volatile organic carbons
US7170095B2 (en) * 2003-07-11 2007-01-30 Cree Inc. Semi-insulating GaN and method of making the same
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
TWI431674B (zh) * 2003-09-09 2014-03-21 Univ California 單一或多重閘極場平板之製造
US20050110040A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Hui Peng Texture for localizing and minimizing effects of lattice constants mismatch
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
TWI244222B (en) * 2004-03-11 2005-11-21 Epistar Corp A ternary nitride buffer layer containing nitride light-emitting device and manufacturing method of the same
US7928424B2 (en) * 2004-03-11 2011-04-19 Epistar Corporation Nitride-based light-emitting device
US9524869B2 (en) 2004-03-11 2016-12-20 Epistar Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device
US8562738B2 (en) 2004-03-11 2013-10-22 Epistar Corporation Nitride-based light-emitting device
US7229866B2 (en) * 2004-03-15 2007-06-12 Velox Semiconductor Corporation Non-activated guard ring for semiconductor devices
US7550783B2 (en) 2004-05-11 2009-06-23 Cree, Inc. Wide bandgap HEMTs with source connected field plates
US7573078B2 (en) 2004-05-11 2009-08-11 Cree, Inc. Wide bandgap transistors with multiple field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US7417266B1 (en) 2004-06-10 2008-08-26 Qspeed Semiconductor Inc. MOSFET having a JFET embedded as a body diode
TWI243412B (en) * 2004-08-13 2005-11-11 Chun-Yen Chang Apparatus of catalytic molecule beam epitaxy and process for growing III-nitride materials using thereof
US7436039B2 (en) * 2005-01-06 2008-10-14 Velox Semiconductor Corporation Gallium nitride semiconductor device
US7462505B2 (en) * 2005-02-23 2008-12-09 Tekcore Co., Ltd. Growth process of a crystalline gallium nitride based compound and semiconductor device including gallium nitride based compound
JP5283502B2 (ja) * 2005-05-11 2013-09-04 ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ 極性が制御されたｉｉｉ族窒化物薄膜及びその製法
US7638818B2 (en) 2005-09-07 2009-12-29 Cree, Inc. Robust transistors with fluorine treatment
US20070090384A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-26 Liang-Wen Wu Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof
US8026568B2 (en) 2005-11-15 2011-09-27 Velox Semiconductor Corporation Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance
US7566918B2 (en) 2006-02-23 2009-07-28 Cree, Inc. Nitride based transistors for millimeter wave operation
US7388236B2 (en) * 2006-03-29 2008-06-17 Cree, Inc. High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors
US20070240631A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures
JP2008109084A (ja) 2006-09-26 2008-05-08 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ
US20080092819A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Substrate support structure with rapid temperature change
US8283699B2 (en) 2006-11-13 2012-10-09 Cree, Inc. GaN based HEMTs with buried field plates
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
US7939853B2 (en) * 2007-03-20 2011-05-10 Power Integrations, Inc. Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor
US20080314311A1 (en) * 2007-06-24 2008-12-25 Burrows Brian H Hvpe showerhead design
US9218991B2 (en) 2007-06-25 2015-12-22 Infineon Technologies Americas Corp. Ion implantation at high temperature surface equilibrium conditions
US8395132B2 (en) 2007-06-25 2013-03-12 International Rectifier Corporation Ion implanting while growing a III-nitride layer
US8093597B2 (en) * 2007-06-25 2012-01-10 International Rectifier Corporation In situ dopant implantation and growth of a III-nitride semiconductor body
US20090149008A1 (en) * 2007-10-05 2009-06-11 Applied Materials, Inc. Method for depositing group iii/v compounds
US20090194026A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Burrows Brian H Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US7915178B2 (en) 2008-07-30 2011-03-29 North Carolina State University Passivation of aluminum nitride substrates
US20100025796A1 (en) * 2008-08-04 2010-02-04 Amir Massoud Dabiran Microchannel plate photocathode
US7825427B2 (en) * 2008-09-12 2010-11-02 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface
US20100139554A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for making gallium nitride and gallium aluminum nitride thin films
TWI398558B (zh) * 2009-03-11 2013-06-11 Univ Nat Sun Yat Sen 氮化鎵立體磊晶結構及其製作方法
US20110079251A1 (en) * 2009-04-28 2011-04-07 Olga Kryliouk Method for in-situ cleaning of deposition systems
US20100273291A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Decontamination of mocvd chamber using nh3 purge after in-situ cleaning
TW201039381A (en) * 2009-04-29 2010-11-01 Applied Materials Inc Method of forming in-situ pre-GaN deposition layer in HVPE
WO2011022699A1 (en) * 2009-08-21 2011-02-24 Soraa, Inc. Rapid growth method and structures for gallium and nitrogen containing ultra-thin epitaxial structures for devices
KR20120090996A (ko) * 2009-08-27 2012-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법
US20110064545A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanism with preheating features
KR20120099632A (ko) * 2009-10-07 2012-09-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｌｅｄ 제조를 위한 개선된 다중 챔버 분할 프로세스
US8318522B2 (en) * 2009-12-15 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Surface passivation techniques for chamber-split processing
US20110204376A1 (en) * 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
US20110207256A1 (en) * 2010-02-24 2011-08-25 Applied Materials, Inc. In-situ acceptor activation with nitrogen and/or oxygen plasma treatment
US8829999B2 (en) 2010-05-20 2014-09-09 Cree, Inc. Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors
US9076827B2 (en) 2010-09-14 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Transfer chamber metrology for improved device yield
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US8778783B2 (en) 2011-05-20 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for improved growth of group III nitride buffer layers
US8980002B2 (en) 2011-05-20 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Methods for improved growth of group III nitride semiconductor compounds
US8853086B2 (en) 2011-05-20 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Methods for pretreatment of group III-nitride depositions
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
US8633094B2 (en) 2011-12-01 2014-01-21 Power Integrations, Inc. GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure
US8940620B2 (en) 2011-12-15 2015-01-27 Power Integrations, Inc. Composite wafer for fabrication of semiconductor devices
US9299560B2 (en) * 2012-01-13 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing group III-V layers on substrates
US9396933B2 (en) 2012-04-26 2016-07-19 Applied Materials, Inc. PVD buffer layers for LED fabrication
US9112103B1 (en) 2013-03-11 2015-08-18 Rayvio Corporation Backside transparent substrate roughening for UV light emitting diode
US8928037B2 (en) 2013-02-28 2015-01-06 Power Integrations, Inc. Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer
US9929310B2 (en) 2013-03-14 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices
US11091370B2 (en) 2013-05-02 2021-08-17 Pallidus, Inc. Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices
US10322936B2 (en) 2013-05-02 2019-06-18 Pallidus, Inc. High purity polysilocarb materials, applications and processes
US9919972B2 (en) 2013-05-02 2018-03-20 Melior Innovations, Inc. Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices
US9657409B2 (en) 2013-05-02 2017-05-23 Melior Innovations, Inc. High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
US9847411B2 (en) 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
WO2015143206A1 (en) 2014-03-19 2015-09-24 Solar-Tectic, Llc Method of making ceramic glass
US9818964B2 (en) 2016-05-09 2017-11-14 Solar-Tectic Llc Method of growing III-V semiconductor films for tandem solar cells
US10622447B2 (en) 2017-03-29 2020-04-14 Raytheon Company Group III-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions
US11075271B2 (en) 2019-10-14 2021-07-27 Cree, Inc. Stepped field plates with proximity to conduction channel and related fabrication methods
US11749758B1 (en) 2019-11-05 2023-09-05 Semiq Incorporated Silicon carbide junction barrier schottky diode with wave-shaped regions
US11469333B1 (en) 2020-02-19 2022-10-11 Semiq Incorporated Counter-doped silicon carbide Schottky barrier diode

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3683240A (en) * 1971-07-22 1972-08-08 Rca Corp ELECTROLUMINESCENT SEMICONDUCTOR DEVICE OF GaN
US3829556A (en) * 1972-03-24 1974-08-13 Bell Telephone Labor Inc Growth of gallium nitride crystals
US3819974A (en) * 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
JPS5631320B2 (ja) * 1974-04-16 1981-07-20
CA1071068A (en) * 1975-03-19 1980-02-05 Guy-Michel Jacob Method of manufacturing single crystals by growth from the vapour phase
JPS5815480B2 (ja) * 1975-08-19 1983-03-25 松下電器産業株式会社 チツカガリウムタンケツシヨウノ セイチヨウホウホウ
SU773795A1 (ru) * 1977-04-01 1980-10-23 Предприятие П/Я А-1172 Светоизлучающий прибор
US4396929A (en) * 1979-10-19 1983-08-02 Matsushita Electric Industrial Company, Ltd. Gallium nitride light-emitting element and method of manufacturing the same
US4476620A (en) * 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
JPS6055996B2 (ja) * 1979-12-05 1985-12-07 松下電器産業株式会社 電場発光半導体装置
JPS575325A (en) * 1980-06-12 1982-01-12 Junichi Nishizawa Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof
FR2514566A1 (fr) * 1982-02-02 1983-04-15 Bagratishvili Givi Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif
US4589015A (en) * 1982-06-02 1986-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Color television camera with bias light device featuring reduced color shading
JPH0652716B2 (ja) * 1984-08-24 1994-07-06 日本電信電話株式会社 半導体結晶性膜製造装置
US4615766A (en) * 1985-02-27 1986-10-07 International Business Machines Corporation Silicon cap for annealing gallium arsenide
JPS61291494A (ja) * 1985-06-19 1986-12-22 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法
US4819057A (en) * 1985-09-30 1989-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element
JPS62119196A (ja) * 1985-11-18 1987-05-30 Univ Nagoya 化合物半導体の成長方法
JPH0654758B2 (ja) * 1986-02-07 1994-07-20 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶膜の成長方法
JPH0754806B2 (ja) * 1987-01-20 1995-06-07 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶膜の成長方法
US5218216A (en) * 1987-01-31 1993-06-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same
US4911102A (en) * 1987-01-31 1990-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Process of vapor growth of gallium nitride and its apparatus
JPH0617280B2 (ja) * 1987-03-18 1994-03-09 社団法人生産技術振興協会 ＺｎＳｅ単結晶作製法
US5304820A (en) * 1987-03-27 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same
DE3810245A1 (de) * 1987-03-27 1988-10-06 Japan Incubator Inc Lichtemittierendes element und verfahren zu seiner herstellung
CA1321121C (en) * 1987-03-27 1993-08-10 Hiroyuki Tokunaga Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same
US5140385A (en) * 1987-03-27 1992-08-18 Misawa Co., Ltd. Light emitting element and method of manufacture
JPS6439082A (en) * 1987-08-05 1989-02-09 Sharp Kk Blue-light emitting display element
US4792467A (en) * 1987-08-17 1988-12-20 Morton Thiokol, Inc. Method for vapor phase deposition of gallium nitride film
US4960728A (en) * 1987-10-05 1990-10-02 Texas Instruments Incorporated Homogenization anneal of II-VI compounds
JPH01231331A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Seisan Gijutsu Shinko Kyokai 半導体単結晶製造方法
JPH01232732A (ja) * 1988-03-14 1989-09-18 Seisan Gijutsu Shinko Kyokai 半導体結晶製造方法
CH677100A5 (ja) * 1988-04-08 1991-04-15 Daverio Ag
US4946548A (en) * 1988-04-29 1990-08-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Dry etching method for semiconductor
JP2650730B2 (ja) * 1988-08-08 1997-09-03 シャープ株式会社 炭化珪素半導体を用いたｐｎ接合型発光ダイオード
JPH0281A (ja) * 1988-09-16 1990-01-05 Konica Corp 現像方法
JP2829319B2 (ja) * 1988-09-16 1998-11-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3140751B2 (ja) * 1988-09-16 2001-03-05 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
IT1225624B (it) * 1988-10-20 1990-11-22 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento per formare contatti metallo-semiconduttore autoallineatiin dispositivi integrati contenenti strutture misfet
JP2663583B2 (ja) * 1988-11-24 1997-10-15 日本電気株式会社 シリコン基板上のヘテロエピタキシャル膜の製造方法
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5076860A (en) * 1989-01-13 1991-12-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Algan compound semiconductor material
JP2704181B2 (ja) * 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
JP3026087B2 (ja) * 1989-03-01 2000-03-27 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
JPH069257B2 (ja) * 1989-03-30 1994-02-02 名古屋大学長 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法
JP2809692B2 (ja) * 1989-04-28 1998-10-15 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP2809691B2 (ja) * 1989-04-28 1998-10-15 株式会社東芝 半導体レーザ
JPH033233A (ja) * 1989-05-30 1991-01-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
US5119540A (en) * 1990-07-24 1992-06-09 Cree Research, Inc. Apparatus for eliminating residual nitrogen contamination in epitaxial layers of silicon carbide and resulting product
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
EP0420188A1 (en) * 1989-09-27 1991-04-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor heterojunction structure
US4946547A (en) * 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5178911A (en) * 1989-11-30 1993-01-12 The President And Fellows Of Harvard College Process for chemical vapor deposition of main group metal nitrides
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5243204A (en) * 1990-05-18 1993-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon carbide light emitting diode and a method for the same
JP3078821B2 (ja) * 1990-05-30 2000-08-21 豊田合成株式会社 半導体のドライエッチング方法
US5248631A (en) * 1990-08-24 1993-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Doping of iib-via semiconductors during molecular beam epitaxy using neutral free radicals
JP2913808B2 (ja) * 1990-09-25 1999-06-28 住友電気工業株式会社 ＺｎＳｅ青色発光素子の製造方法
US5200022A (en) * 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5334277A (en) * 1990-10-25 1994-08-02 Nichia Kagaky Kogyo K.K. Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
US5173751A (en) * 1991-01-21 1992-12-22 Pioneer Electronic Corporation Semiconductor light emitting device
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
JP2786952B2 (ja) * 1991-02-27 1998-08-13 株式会社豊田中央研究所 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
US5093576A (en) * 1991-03-15 1992-03-03 Cree Research High sensitivity ultraviolet radiation detector
EP0576566B1 (en) * 1991-03-18 1999-05-26 Trustees Of Boston University A method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US5182670A (en) * 1991-08-30 1993-01-26 Apa Optics, Inc. Narrow band algan filter
JPH05129656A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Sharp Corp ｐｎ接合型発光ダイオード
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US5313078A (en) * 1991-12-04 1994-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Multi-layer silicon carbide light emitting diode having a PN junction
JPH05327109A (ja) * 1992-03-26 1993-12-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機光学利得素子およびその励起方法
US5359345A (en) * 1992-08-05 1994-10-25 Cree Research, Inc. Shuttered and cycled light emitting diode display and method of producing the same
US5323022A (en) * 1992-09-10 1994-06-21 North Carolina State University Platinum ohmic contact to p-type silicon carbide
US5298767A (en) * 1992-10-06 1994-03-29 Kulite Semiconductor Products, Inc. Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device
US5338944A (en) * 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160077222A (ko) * 2013-12-20 2016-07-01 엔지케이 인슐레이터 엘티디 질화갈륨층을 포함하는 기판 및 그 제조 방법
KR101723780B1 (ko) * 2013-12-20 2017-04-05 엔지케이 인슐레이터 엘티디 질화갈륨층을 포함하는 기판 및 그 제조 방법

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