JP2947156B2 - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体の製造方法Info
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- C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
- C04B35/62675—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the treatment temperature
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウムと窒
化インジウムの固溶体にドープ物質がドープされて電子
線励起によって発光し、原料物質の選択によって各種の
発光色を実現でき、輝度特性及び寿命特性に優れた蛍光
体と、その製造方法に関する。
化インジウムの固溶体にドープ物質がドープされて電子
線励起によって発光し、原料物質の選択によって各種の
発光色を実現でき、輝度特性及び寿命特性に優れた蛍光
体と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭５１−４１６８６号公報には、Ｇ
ａ2 Ｏ3 をアンモニア雰囲気下で窒化させて得たＧａＮ
を母体とし、Ｃｄをドーパントとした蛍光体が開示され
ている。この蛍光体は電子線励起による発光には応用さ
れておらず、前記文献にも電子線励起による発光につい
ての記載はない。電子線励起によって発光する蛍光体で
はないが、ＬＥＤの分野においてはドーパントとしてＺ
ｎやＭｇをドープしたＧａＮが知られている。
ａ2 Ｏ3 をアンモニア雰囲気下で窒化させて得たＧａＮ
を母体とし、Ｃｄをドーパントとした蛍光体が開示され
ている。この蛍光体は電子線励起による発光には応用さ
れておらず、前記文献にも電子線励起による発光につい
ての記載はない。電子線励起によって発光する蛍光体で
はないが、ＬＥＤの分野においてはドーパントとしてＺ
ｎやＭｇをドープしたＧａＮが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｇａ2 Ｏ3 を窒素雰囲
気下で窒化させると、Ｇａ2 Ｏ3 は物質の表面から窒化
していくが、高温にするとその表面は再び酸化してしま
う。即ち、窒化ガリウムは窒素が抜けやすい性質と、さ
らに酸素の存在により酸化される可能性を有している。
従って酸化物であるＧａ2 Ｏ3 を原料物質とすると、こ
れを完全に窒化することは困難であり、得られた窒化ガ
リウムも残存した酸素が発光に悪影響を及ぼすなど品質
が良好とはいえない。さらに、窒化ガリウムの電子線励
起素子への応用を考えた場合、蛍光体としての窒化ガリ
ウムの粉体は基板等に塗布された後に大気中で焼成され
る等、素子の製作過程で各種の熱処理を受けるため、そ
の表面が劣化する可能性があった。
気下で窒化させると、Ｇａ2 Ｏ3 は物質の表面から窒化
していくが、高温にするとその表面は再び酸化してしま
う。即ち、窒化ガリウムは窒素が抜けやすい性質と、さ
らに酸素の存在により酸化される可能性を有している。
従って酸化物であるＧａ2 Ｏ3 を原料物質とすると、こ
れを完全に窒化することは困難であり、得られた窒化ガ
リウムも残存した酸素が発光に悪影響を及ぼすなど品質
が良好とはいえない。さらに、窒化ガリウムの電子線励
起素子への応用を考えた場合、蛍光体としての窒化ガリ
ウムの粉体は基板等に塗布された後に大気中で焼成され
る等、素子の製作過程で各種の熱処理を受けるため、そ
の表面が劣化する可能性があった。
【０００４】本発明は、酸素の影響を受けることがな
く、電子線励起によって発光し、原料物質の選択によっ
て各種の発光色を実現でき、輝度特性及び寿命特性に優
れた蛍光体と、その製造方法を提供することを目的とし
ている。
く、電子線励起によって発光し、原料物質の選択によっ
て各種の発光色を実現でき、輝度特性及び寿命特性に優
れた蛍光体と、その製造方法を提供することを目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体の製造方法は、原料物質である硫化ガリウムと、硫
化インジウムと、硫化又は塩化したドープ物質の中か
ら、少なくとも硫化ガリウムと硫化又は塩化したドープ
物質を含む原料物質を選択して混合し、窒素を含む雰囲
気内においてこれらを加熱して化学式Ｇａ1-x Ｉｎ
x Ｎ：Ａ（但し０≦ｘ＜０．８、Ａ＝Ｚｎ又はＭｇ）で
表される蛍光体を製造することを特徴としている。
光体の製造方法は、原料物質である硫化ガリウムと、硫
化インジウムと、硫化又は塩化したドープ物質の中か
ら、少なくとも硫化ガリウムと硫化又は塩化したドープ
物質を含む原料物質を選択して混合し、窒素を含む雰囲
気内においてこれらを加熱して化学式Ｇａ1-x Ｉｎ
x Ｎ：Ａ（但し０≦ｘ＜０．８、Ａ＝Ｚｎ又はＭｇ）で
表される蛍光体を製造することを特徴としている。
【０００６】
【０００７】
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の蛍光体は、化学式Ｇａ
1-x Ｉｎx Ｎ：Ａ（但し０≦ｘ＜０．８、Ａ＝Ｚｎ又は
Ｍｇ）で表される。即ち、この蛍光体の母体はＧａＮと
ＩｎＮの固溶体であり、ｘ＝０の場合は母体がＧａＮで
あり、ｘが０よりも大きく０．８よりも小さい場合は母
体がＧａＩｎＮとなる。ドーパントはＺｎ又はＭｇであ
る。
1-x Ｉｎx Ｎ：Ａ（但し０≦ｘ＜０．８、Ａ＝Ｚｎ又は
Ｍｇ）で表される。即ち、この蛍光体の母体はＧａＮと
ＩｎＮの固溶体であり、ｘ＝０の場合は母体がＧａＮで
あり、ｘが０よりも大きく０．８よりも小さい場合は母
体がＧａＩｎＮとなる。ドーパントはＺｎ又はＭｇであ
る。
【０００９】この蛍光体を製造するには、少なくとも次
の原料物質を用意する。まず、酸素を含まないガリウム
化合物、例えば硫化ガリウム。次に、必要に応じて酸素
を含まないインジウム化合物、例えば硫化インジウム。
そして、酸素を含まないドープ物質、例えばＺｎ又はＭ
ｇの硫化物又は塩化物を用意する。
の原料物質を用意する。まず、酸素を含まないガリウム
化合物、例えば硫化ガリウム。次に、必要に応じて酸素
を含まないインジウム化合物、例えば硫化インジウム。
そして、酸素を含まないドープ物質、例えばＺｎ又はＭ
ｇの硫化物又は塩化物を用意する。
【００１０】前述した原料物質の中から必要なものを選
択し、これらを窒素を含む雰囲気内において加熱すれ
ば、前記化学式によって表される粒状蛍光体を得ること
ができる。
択し、これらを窒素を含む雰囲気内において加熱すれ
ば、前記化学式によって表される粒状蛍光体を得ること
ができる。
【００１１】図１はＧａＮを母体とする本発明の蛍光体
の発光スペクトルを示す。この蛍光体は電子線の射突に
よて発光する際に４５０ｎｍ付近に強度のピークを有し
ており、青色に発光する。
の発光スペクトルを示す。この蛍光体は電子線の射突に
よて発光する際に４５０ｎｍ付近に強度のピークを有し
ており、青色に発光する。
【００１２】図２は、本発明の蛍光体におけるドープ物
質（Ｚｎ又はＭｇ）のｍｏｌ％と、電子線の射突によっ
て発光する際の輝度の相対強度の関係を示すグラフであ
る。ドープ物質（Ｚｎ又はＭｇ）のｍｏｌ％の好ましい
範囲は０．００５〜０．７の範囲であり、この時蛍光体
の発光強度の相対値はピーク時の約５０％以上となる。
ドープ物質（Ｚｎ又はＭｇ）のｍｏｌ％のさらに好まし
い範囲は０．０１〜０．３の範囲であり、この時蛍光体
の発光強度の相対値はピーク時の約７０％以上となる。
質（Ｚｎ又はＭｇ）のｍｏｌ％と、電子線の射突によっ
て発光する際の輝度の相対強度の関係を示すグラフであ
る。ドープ物質（Ｚｎ又はＭｇ）のｍｏｌ％の好ましい
範囲は０．００５〜０．７の範囲であり、この時蛍光体
の発光強度の相対値はピーク時の約５０％以上となる。
ドープ物質（Ｚｎ又はＭｇ）のｍｏｌ％のさらに好まし
い範囲は０．０１〜０．３の範囲であり、この時蛍光体
の発光強度の相対値はピーク時の約７０％以上となる。
【００１３】図３は、本発明の蛍光体におけるＧａＮ及
びＩｎＮの混晶比と、蛍光体のエネルギギャップとの関
係を示すグラフである。混晶比が異なれば蛍光体のエネ
ルギギャップも異なり、これによって蛍光体の発光色の
違いが生じる。例えば、ＧａＮの比率が大きい場合に
は、蛍光体の発光色は緑からさらに青に近くなるが、Ｉ
ｎＮの比率が大きい場合には、蛍光体の発光色は赤に近
づいていく。
びＩｎＮの混晶比と、蛍光体のエネルギギャップとの関
係を示すグラフである。混晶比が異なれば蛍光体のエネ
ルギギャップも異なり、これによって蛍光体の発光色の
違いが生じる。例えば、ＧａＮの比率が大きい場合に
は、蛍光体の発光色は緑からさらに青に近くなるが、Ｉ
ｎＮの比率が大きい場合には、蛍光体の発光色は赤に近
づいていく。
【００１４】図４は、本発明の蛍光体を蛍光表示管の陽
極に適用し、この蛍光表示管を発光させた場合、該蛍光
表示管の陽極の電圧Ｖと蛍光体の輝度の相対値との関係
を示すグラフである。本発明の蛍光体であるＧａＮ：Ｍ
ｇとＧａＩｎＮ：Ｚｎは、比較のために記載した公知の
蛍光体であるＧａＮ：Ｃｄに比べ、同じ陽極電圧に対す
る輝度の相対値が大きい。
極に適用し、この蛍光表示管を発光させた場合、該蛍光
表示管の陽極の電圧Ｖと蛍光体の輝度の相対値との関係
を示すグラフである。本発明の蛍光体であるＧａＮ：Ｍ
ｇとＧａＩｎＮ：Ｚｎは、比較のために記載した公知の
蛍光体であるＧａＮ：Ｃｄに比べ、同じ陽極電圧に対す
る輝度の相対値が大きい。
【００１５】図５は、本発明の蛍光体を発光部に有する
蛍光表示管を連続点灯させた場合、初期の輝度を１００
とした時の輝度の相対値と連続点灯時間との関係を示し
たグラフである。本発明の蛍光体によれば、連続点灯時
間が約２０００時間程度になっても輝度の低下はほとん
どなく、初期の輝度を維持している。
蛍光表示管を連続点灯させた場合、初期の輝度を１００
とした時の輝度の相対値と連続点灯時間との関係を示し
たグラフである。本発明の蛍光体によれば、連続点灯時
間が約２０００時間程度になっても輝度の低下はほとん
どなく、初期の輝度を維持している。
【００１６】
１）第１の実施例 第１実施例であるＧａＮ：Ｍｇ蛍光体の製造方法を説明
する。Ｇａ2 Ｓ3 を２３．５ｇと、ＭｇＣｌ2 を０．０
４ｇ（Ｍｇで母体に対して０．２ｍｏｌ％）使用する。
これらの原料を混合して石英ボードに載せ、これを石英
管の中に入れる。石英管の中に流量１０ｍｌ／ｍｉｎ．
でアンモニアを流しながら前記混合した原料を１１００
℃の温度下に１０時間保持すると、下記の反応によって
ＧａＮ：Ｍｇ蛍光体粒子が得られる。 Ｇａ2 Ｓ3 ＋２ＮＨ3 →２ＧａＮ＋３Ｈ2 Ｓ
する。Ｇａ2 Ｓ3 を２３．５ｇと、ＭｇＣｌ2 を０．０
４ｇ（Ｍｇで母体に対して０．２ｍｏｌ％）使用する。
これらの原料を混合して石英ボードに載せ、これを石英
管の中に入れる。石英管の中に流量１０ｍｌ／ｍｉｎ．
でアンモニアを流しながら前記混合した原料を１１００
℃の温度下に１０時間保持すると、下記の反応によって
ＧａＮ：Ｍｇ蛍光体粒子が得られる。 Ｇａ2 Ｓ3 ＋２ＮＨ3 →２ＧａＮ＋３Ｈ2 Ｓ
【００１７】本実施例のＧａＮ：Ｍｇ蛍光体をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）で観察すると、従来の知見に基づ
けば針状になるであろうという本発明者等の予測に反し
て、この蛍光体は平板状の粒子状を呈していた。
（走査型電子顕微鏡）で観察すると、従来の知見に基づ
けば針状になるであろうという本発明者等の予測に反し
て、この蛍光体は平板状の粒子状を呈していた。
【００１８】前記蛍光体の試料を用いて蛍光表示管を作
成する。前記蛍光体の試料を蛍光表示管の陽極基板の陽
極導体上に有機バインダーを用いて塗布する。該陽極基
板を大気中にて５００℃で焼成し、前記バインダーを除
去する。この陽極基板上に制御電極や陰極等の各種電極
等を設け、さらに陽極基板に容器部を封着して外囲器を
構成し、外囲器内を高真空状態に排気して封止する。こ
のようにして作成した蛍光表示管の陽極に５０Ｖの電圧
を印加し、陰極及び制御電極にも適当な電圧を加え、陰
極から放出された電子を陽極の蛍光体層に射突させて発
光させる。
成する。前記蛍光体の試料を蛍光表示管の陽極基板の陽
極導体上に有機バインダーを用いて塗布する。該陽極基
板を大気中にて５００℃で焼成し、前記バインダーを除
去する。この陽極基板上に制御電極や陰極等の各種電極
等を設け、さらに陽極基板に容器部を封着して外囲器を
構成し、外囲器内を高真空状態に排気して封止する。こ
のようにして作成した蛍光表示管の陽極に５０Ｖの電圧
を印加し、陰極及び制御電極にも適当な電圧を加え、陰
極から放出された電子を陽極の蛍光体層に射突させて発
光させる。
【００１９】図１はＧａＮを母体とする本実施例の蛍光
体の発光スペクトルを示す。この蛍光体は電子線の射突
によて発光する際に４５０ｎｍ付近に強度のピークを有
しており、青色に発光する。
体の発光スペクトルを示す。この蛍光体は電子線の射突
によて発光する際に４５０ｎｍ付近に強度のピークを有
しており、青色に発光する。
【００２０】ＭｇＣｌ2 の量を０．００１ｍｏｌ％〜１
０ｍｏｌ％の範囲で変化させて複数種類の試料を得た。
各試料のＭｇのｍｏｌ％と、電子線の射突によって発光
する際の輝度の相対強度の関係は、前述した図２のグラ
フと同様のグラフとなり、ドープ物質であるＭｇのｍｏ
ｌ％の好ましい範囲も［発明の実施の形態］の項で説明
した通りである。
０ｍｏｌ％の範囲で変化させて複数種類の試料を得た。
各試料のＭｇのｍｏｌ％と、電子線の射突によって発光
する際の輝度の相対強度の関係は、前述した図２のグラ
フと同様のグラフとなり、ドープ物質であるＭｇのｍｏ
ｌ％の好ましい範囲も［発明の実施の形態］の項で説明
した通りである。
【００２１】前記蛍光表示管における陽極の電圧Ｖａと
蛍光体の輝度の相対値との関係は、図４で示したＧａ
Ｎ：Ｍｇ蛍光体と同様である。
蛍光体の輝度の相対値との関係は、図４で示したＧａ
Ｎ：Ｍｇ蛍光体と同様である。
【００２２】前記蛍光表示管を連続点灯させた場合、初
期の輝度を１００とした時の輝度の相対値と連続点灯時
間との関係は、図５で示したグラフと同様である。
期の輝度を１００とした時の輝度の相対値と連続点灯時
間との関係は、図５で示したグラフと同様である。
【００２３】２）第２の実施例 第２実施例であるＧａＩｎＮ：Ｚｎ蛍光体の製造方法を
説明する。Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇと、Ｉｎ2 Ｓ3 を
９．８ｇと、ＺｎＳを０．０２ｇ（Ｚｎで０．１ｍｏｌ
％）使用する。これらの原料を良く混合して石英ボード
に載せ、これを石英管の中に入れる。石英管の中に流量
１０ｍｌ／ｍｉｎ．でアンモニアを流しながら前記混合
した原料を１１５０℃の温度下に６時間保持すると、Ｇ
ａＩｎＮ：Ｚｎ蛍光体が得られる。
説明する。Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇと、Ｉｎ2 Ｓ3 を
９．８ｇと、ＺｎＳを０．０２ｇ（Ｚｎで０．１ｍｏｌ
％）使用する。これらの原料を良く混合して石英ボード
に載せ、これを石英管の中に入れる。石英管の中に流量
１０ｍｌ／ｍｉｎ．でアンモニアを流しながら前記混合
した原料を１１５０℃の温度下に６時間保持すると、Ｇ
ａＩｎＮ：Ｚｎ蛍光体が得られる。
【００２４】前記蛍光体の試料を用いて蛍光表示管を作
成する。蛍光表示管の前面側となる陽極基板の上に、透
光性を有するＩＴＯ電極からなる陽極導体を形成する。
該陽極導体上に前記蛍光体の試料をＰＶＡを用いてスラ
リー塗布し、該陽極基板を大気中にて４８０℃で焼成す
る。
成する。蛍光表示管の前面側となる陽極基板の上に、透
光性を有するＩＴＯ電極からなる陽極導体を形成する。
該陽極導体上に前記蛍光体の試料をＰＶＡを用いてスラ
リー塗布し、該陽極基板を大気中にて４８０℃で焼成す
る。
【００２５】この陽極基板に対面する陰極基板の内面に
は、電子源としての電界放出素子を形成する。まず陰極
基板の表面に陰極導体を形成する。陰極導体及び陰極基
板の上に絶縁層を形成する。絶縁層の上にはゲートを形
成する。ゲートと絶縁層には、陰極導体に達する孔をエ
ッチングによって形成する。孔内の陰極導体上にコーン
形状のエミッタを形成する。陰極導体とゲートに適当な
電圧を印加すれば、エミッタの先端から電子が電界放出
される。
は、電子源としての電界放出素子を形成する。まず陰極
基板の表面に陰極導体を形成する。陰極導体及び陰極基
板の上に絶縁層を形成する。絶縁層の上にはゲートを形
成する。ゲートと絶縁層には、陰極導体に達する孔をエ
ッチングによって形成する。孔内の陰極導体上にコーン
形状のエミッタを形成する。陰極導体とゲートに適当な
電圧を印加すれば、エミッタの先端から電子が電界放出
される。
【００２６】前記陽極基板と陰極基板を所定の微小な間
隔をおいて対面させ、両基板の外周縁部を気密性を有す
るスペーサ部材、例えばふうフリットガラス等で封着
し、外囲器を構成する。外囲器内は内部を高真空状態に
排気して封止する。このようにして作成した蛍光表示管
の陽極に約１００Ｖの電圧を印加し、陰極導体及びゲー
トにも適当な電圧を加え、陰極から電界放出された電子
を陽極の蛍光体層に射突させて発光させる。蛍光体層の
発光は、透光性を有する陽極導体及び陽極基板を介して
陽極基板の外側から視認される。
隔をおいて対面させ、両基板の外周縁部を気密性を有す
るスペーサ部材、例えばふうフリットガラス等で封着
し、外囲器を構成する。外囲器内は内部を高真空状態に
排気して封止する。このようにして作成した蛍光表示管
の陽極に約１００Ｖの電圧を印加し、陰極導体及びゲー
トにも適当な電圧を加え、陰極から電界放出された電子
を陽極の蛍光体層に射突させて発光させる。蛍光体層の
発光は、透光性を有する陽極導体及び陽極基板を介して
陽極基板の外側から視認される。
【００２７】本実施例の蛍光体を用いた前記蛍光表示管
を前記の条件で駆動すると、蛍光体層は緑色に発光し
た。蛍光体の発光色は、図３に示したように、ＧａＮ及
びＩｎＮの混晶比によって決まるエネルギギャップの違
いに起因する。
を前記の条件で駆動すると、蛍光体層は緑色に発光し
た。蛍光体の発光色は、図３に示したように、ＧａＮ及
びＩｎＮの混晶比によって決まるエネルギギャップの違
いに起因する。
【００２８】前記蛍光表示管における陽極の電圧Ｖａと
蛍光体の輝度の相対値との関係は、図４で示したＧａＩ
ｎＮ：Ｚｎ蛍光体と同様である。
蛍光体の輝度の相対値との関係は、図４で示したＧａＩ
ｎＮ：Ｚｎ蛍光体と同様である。
【００２９】本実施例においては、反応ガスとしてアン
モニアを用いたが、メチルアミンやアミルアミン等のア
ミン系物質を用いることができる。その場合には、反応
温度をアンモニアを用いた場合よりも低くすることがで
きる。
モニアを用いたが、メチルアミンやアミルアミン等のア
ミン系物質を用いることができる。その場合には、反応
温度をアンモニアを用いた場合よりも低くすることがで
きる。
【００３０】３）第３の実施例 第３実施例であるＧａＮ：Ｚｎ蛍光体の製造方法を説明
する。Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇと、ＺｎＳを０．０２ｇ
（Ｚｎで０．１ｍｏｌ％）を良く混合して石英ボードに
載せ、これを石英管の中に入れる。石英管の中に流量１
０ｍｌ／ｍｉｎ．でアンモニアを流しながら前記混合し
た原料を１１５０℃の温度下に６時間保持すると、Ｇａ
Ｎ：Ｚｎ蛍光体が得られる。
する。Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇと、ＺｎＳを０．０２ｇ
（Ｚｎで０．１ｍｏｌ％）を良く混合して石英ボードに
載せ、これを石英管の中に入れる。石英管の中に流量１
０ｍｌ／ｍｉｎ．でアンモニアを流しながら前記混合し
た原料を１１５０℃の温度下に６時間保持すると、Ｇａ
Ｎ：Ｚｎ蛍光体が得られる。
【００３１】４）第４の実施例 第４の実施例であるＧａＩｎＮ：Ｍｇ蛍光体の製造方法
を説明する。Ｇａ2 Ｓ 3 を１６．４ｇと、Ｉｎ2 Ｓ3 を
９．８ｇと、ＭｇＣｌ2 を０．０４ｇ（Ｍｇで０．２ｍ
ｏｌ％）とを良く混合して石英ボードに載せ、これを石
英管の中に入れる。石英管の中に流量１０ｍｌ／ｍｉ
ｎ．でアンモニアを流しながら前記混合した原料を１１
５０℃の温度下に６時間保持すると、ＧａＩｎＮ：Ｍｇ
蛍光体が得られる。
を説明する。Ｇａ2 Ｓ 3 を１６．４ｇと、Ｉｎ2 Ｓ3 を
９．８ｇと、ＭｇＣｌ2 を０．０４ｇ（Ｍｇで０．２ｍ
ｏｌ％）とを良く混合して石英ボードに載せ、これを石
英管の中に入れる。石英管の中に流量１０ｍｌ／ｍｉ
ｎ．でアンモニアを流しながら前記混合した原料を１１
５０℃の温度下に６時間保持すると、ＧａＩｎＮ：Ｍｇ
蛍光体が得られる。
【００３２】第３及び第４の実施例の蛍光体によって
も、図１〜図３を参照して説明したのと同様の効果を得
ることができる。
も、図１〜図３を参照して説明したのと同様の効果を得
ることができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、製造時には酸素の影響
を受けることがなく、電子線励起によって発光し、原料
物質の選択によって青等の各種の発光色を実現でき、輝
度特性及び寿命特性に優れた蛍光体を提供することがで
きる。
を受けることがなく、電子線励起によって発光し、原料
物質の選択によって青等の各種の発光色を実現でき、輝
度特性及び寿命特性に優れた蛍光体を提供することがで
きる。
【図１】ＧａＮを母体とする本発明の蛍光体の発光スペ
クトルを示す図である。
クトルを示す図である。
【図２】本発明の蛍光体におけるドープ物質（Ｚｎ又は
Ｍｇ）のｍｏｌ％と、電子線の射突によって発光する際
の輝度の相対強度の関係を示す図である。
Ｍｇ）のｍｏｌ％と、電子線の射突によって発光する際
の輝度の相対強度の関係を示す図である。
【図３】本発明の蛍光体におけるＧａＮ及びＩｎＮの混
晶比と、蛍光体のエネルギギャップとの関係を示す図で
ある。
晶比と、蛍光体のエネルギギャップとの関係を示す図で
ある。
【図４】本発明の蛍光体を陽極に有する蛍光表示管を発
光させた場合、該蛍光表示管の陽極の電圧Ｖａと蛍光体
の輝度の相対値との関係を示す図である。
光させた場合、該蛍光表示管の陽極の電圧Ｖａと蛍光体
の輝度の相対値との関係を示す図である。
【図５】本発明の蛍光体を陽極に有する蛍光表示管を連
続点灯させた場合、初期の輝度を１００とした時の輝度
の相対値と連続点灯時間との関係を示した図である。
続点灯させた場合、初期の輝度を１００とした時の輝度
の相対値と連続点灯時間との関係を示した図である。
フロントページの続き (72)発明者 蟹江 壽 千葉県松戸市新松戸３−１−１パークハ ウス新松戸311の207 (56)参考文献 特開 昭51−41686（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−88099（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 11/62 C09K 11/08 C30B 29/38 - 29/44 C01B 21/06 ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 原料物質である硫化ガリウムと、硫化イ
ンジウムと、硫化又は塩化したドープ物質の中から、少
なくとも硫化ガリウムと硫化又は塩化したドープ物質を
含む原料物質を選択して混合し、窒素を含む雰囲気内に
おいてこれらを加熱して化学式Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ａ
（但し０≦ｘ＜０．８、Ａ＝Ｚｎ又はＭｇ）で表される
蛍光体を製造する蛍光体の製造方法。
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