JP2897716B2 - 蛍光体 - Google Patents
蛍光体Info
- Publication number
- JP2897716B2 JP2897716B2 JP8100215A JP10021596A JP2897716B2 JP 2897716 B2 JP2897716 B2 JP 2897716B2 JP 8100215 A JP8100215 A JP 8100215A JP 10021596 A JP10021596 A JP 10021596A JP 2897716 B2 JP2897716 B2 JP 2897716B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- mol
- luminance
- concentration
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウムと窒
化インジウムの固溶体にドープ物質がドープされた蛍光
体であって、電子線励起によって発光し、原料物質の選
択によって各種の発光色を実現できる輝度特性及び寿命
特性に優れた蛍光体に関する。
化インジウムの固溶体にドープ物質がドープされた蛍光
体であって、電子線励起によって発光し、原料物質の選
択によって各種の発光色を実現できる輝度特性及び寿命
特性に優れた蛍光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭５１−４１６８６号公報には、Ｇ
ａ2 Ｏ3 をアンモニア雰囲気下で窒化させて得たＧａＮ
を母体とし、Ｃｄをドーパントとした蛍光体が開示され
ている。この蛍光体は電子線励起による発光には応用さ
れておらず、前記文献にも電子線励起による発光につい
ての記載はない。
ａ2 Ｏ3 をアンモニア雰囲気下で窒化させて得たＧａＮ
を母体とし、Ｃｄをドーパントとした蛍光体が開示され
ている。この蛍光体は電子線励起による発光には応用さ
れておらず、前記文献にも電子線励起による発光につい
ての記載はない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｇａ2 Ｏ3 を窒素雰囲
気下で窒化させると、Ｇａ2 Ｏ3 は物質の表面から窒化
していくが、高温にするとその表面は再び酸化してしま
う。即ち、窒化ガリウムは窒素が抜けやすい性質があ
り、このためｎ型で非常に低抵抗であり、ノンドープで
も発光する。
気下で窒化させると、Ｇａ2 Ｏ3 は物質の表面から窒化
していくが、高温にするとその表面は再び酸化してしま
う。即ち、窒化ガリウムは窒素が抜けやすい性質があ
り、このためｎ型で非常に低抵抗であり、ノンドープで
も発光する。
【０００４】窒化ガリウムの発光は、ドナー（Ｄ）とア
クセプター（Ａ）のペア発光である。アクセプターとし
てはＺｎ、Ｍｇ等を用いるが、ドナーは自然に形成され
る窒素欠陥であるから、従来の製法ではドナー濃度を高
くしようとすると物質中の欠陥を増やすこととなり、結
晶性を低下させることになってしまう。このように、従
来の窒化ガリウムにおいては、ドナーの数を所望の値に
制御して生成することはできなかった。
クセプター（Ａ）のペア発光である。アクセプターとし
てはＺｎ、Ｍｇ等を用いるが、ドナーは自然に形成され
る窒素欠陥であるから、従来の製法ではドナー濃度を高
くしようとすると物質中の欠陥を増やすこととなり、結
晶性を低下させることになってしまう。このように、従
来の窒化ガリウムにおいては、ドナーの数を所望の値に
制御して生成することはできなかった。
【０００５】また窒化ガリウムは、酸素の存在により酸
化される可能性を有しており、従って酸化物であるＧａ
2 Ｏ3 を原料物質とすると、これを完全に窒化すること
は困難であり、得られた窒化ガリウムも残存した酸素が
発光に悪影響を及ぼすなど品質が良好とはいえない。
化される可能性を有しており、従って酸化物であるＧａ
2 Ｏ3 を原料物質とすると、これを完全に窒化すること
は困難であり、得られた窒化ガリウムも残存した酸素が
発光に悪影響を及ぼすなど品質が良好とはいえない。
【０００６】本発明は、製造時には酸素の影響を受ける
ことがなく、ドナーの濃度が制御されるために発光の効
率が高く、添加元素の選択によって電子線励起により各
種の発光色を実現でき、輝度特性及び寿命特性に優れた
蛍光体を提供することを目的としている。
ことがなく、ドナーの濃度が制御されるために発光の効
率が高く、添加元素の選択によって電子線励起により各
種の発光色を実現でき、輝度特性及び寿命特性に優れた
蛍光体を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体は、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ｍ，Ｘ（但し０≦ｘ＜０．
８、ＭはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，
Ｈｇなる集合から選ばれた少なくとも１の元素、Ｘは
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂなる集合から選ばれた少な
くとも１の元素）で表される。
光体は、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ｍ，Ｘ（但し０≦ｘ＜０．
８、ＭはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，
Ｈｇなる集合から選ばれた少なくとも１の元素、Ｘは
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂなる集合から選ばれた少な
くとも１の元素）で表される。
【０００８】請求項２に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記Ｍ及び前記Ｘの濃度範囲
（ｍｏｌ％）が、それぞれ０．００５＜Ｍ＜０．７及び
０．００２＜Ｘ＜０．８であることを特徴としている。
記載の蛍光体において、前記Ｍ及び前記Ｘの濃度範囲
（ｍｏｌ％）が、それぞれ０．００５＜Ｍ＜０．７及び
０．００２＜Ｘ＜０．８であることを特徴としている。
【０００９】請求項３に記載された蛍光体は、請求項２
記載の蛍光体において、前記Ｍ及び前記Ｘの濃度範囲
（ｍｏｌ％）が、それぞれ０．０１＜Ｍ＜０．３及び
０．００５＜Ｘ＜０．３であることを特徴としている。
記載の蛍光体において、前記Ｍ及び前記Ｘの濃度範囲
（ｍｏｌ％）が、それぞれ０．０１＜Ｍ＜０．３及び
０．００５＜Ｘ＜０．３であることを特徴としている。
【００１０】請求項４に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体を酸素を含まない原料物質から製造したこ
とを特徴としている。
記載の蛍光体を酸素を含まない原料物質から製造したこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項５に記載された蛍光体は、請求項４
記載の蛍光体において、前記酸素を含まない原料物質
が、（ＳｉＨa Ｎb ）n （但しａ＝１〜３、ｂ＝０又は
１）を含む物質であることを特徴としている。
記載の蛍光体において、前記酸素を含まない原料物質
が、（ＳｉＨa Ｎb ）n （但しａ＝１〜３、ｂ＝０又は
１）を含む物質であることを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の蛍光体は、ドナーとなる
元素を添加することでドナーの濃度を制御し、発光の効
率を向上させる。また製造時には酸素の影響を受けない
ような原料物質を用いて製造する。化学式はＧａ1-x Ｉ
ｎx Ｎ：Ｍ，Ｘ（但し０≦ｘ＜０．８）で表される。ド
ナーとなる元素Ｘとしては、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐ
ｂ等の４族元素がよい。添加元素ＭはＢｅ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇがよい。特に、Ｓｉ
を蛍光体中に添加するためには、ポリシラザン（東燃株
式会社の商標）を用いるとよい。ポリシラザンは、化学
式（ＳｉＨa Ｎb ）n （但しａ＝１〜３、ｂ＝０又は
１）のペルヒドロポリシラザンである。この物質を用い
れば、蛍光体中に添加されるＳｉ原子の数を精密に制御
することができる。また、この物質はＣやＯを含まない
ので、窒化物の製造に有利である。なお、Ｇｅを添加す
るためにはＧｅＳ2 、Ｓｎを添加するためにはＳｎＣｌ
2 等の物質を使用する。このように、ドナー物質の添加
量を適宜制御すれば、電子線励起により各種の発光色に
発光する輝度特性及び寿命特性に優れた蛍光体を製造で
きる。
元素を添加することでドナーの濃度を制御し、発光の効
率を向上させる。また製造時には酸素の影響を受けない
ような原料物質を用いて製造する。化学式はＧａ1-x Ｉ
ｎx Ｎ：Ｍ，Ｘ（但し０≦ｘ＜０．８）で表される。ド
ナーとなる元素Ｘとしては、Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐ
ｂ等の４族元素がよい。添加元素ＭはＢｅ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇがよい。特に、Ｓｉ
を蛍光体中に添加するためには、ポリシラザン（東燃株
式会社の商標）を用いるとよい。ポリシラザンは、化学
式（ＳｉＨa Ｎb ）n （但しａ＝１〜３、ｂ＝０又は
１）のペルヒドロポリシラザンである。この物質を用い
れば、蛍光体中に添加されるＳｉ原子の数を精密に制御
することができる。また、この物質はＣやＯを含まない
ので、窒化物の製造に有利である。なお、Ｇｅを添加す
るためにはＧｅＳ2 、Ｓｎを添加するためにはＳｎＣｌ
2 等の物質を使用する。このように、ドナー物質の添加
量を適宜制御すれば、電子線励起により各種の発光色に
発光する輝度特性及び寿命特性に優れた蛍光体を製造で
きる。
【００１３】
(1) 第１実施例 ＧａＮ：Ｍｇ，Ｓｉ Ｇａ2 Ｓ3 を２３．５ｇ（０．１ｍｏｌ）秤量する。こ
れにＭｇＣｌ2 を０．０２ｇ（０．１ｍｏｌ％／Ｇａ）
を加える。さらに、 Ｓｉ濃度とＭｇ濃度が等しくなる
ように、ポリシラザン２０％溶液を０．０５ｇ加える。
これらを混合して石英ボードに載せ、これを石英管の中
に置く。石英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流
しながら、１１００℃で１０時間保持した。ＧａＮ：Ｍ
ｇ，Ｓｉを得た。
れにＭｇＣｌ2 を０．０２ｇ（０．１ｍｏｌ％／Ｇａ）
を加える。さらに、 Ｓｉ濃度とＭｇ濃度が等しくなる
ように、ポリシラザン２０％溶液を０．０５ｇ加える。
これらを混合して石英ボードに載せ、これを石英管の中
に置く。石英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流
しながら、１１００℃で１０時間保持した。ＧａＮ：Ｍ
ｇ，Ｓｉを得た。
【００１４】上記の製造工程においてＭｇ量を固定する
とともに、ポリシラザン２０％溶液の量を変化させてＳ
ｉ量を０．００１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％まで変化させ
た複数種類の試料を作製した。このように作製した本実
施例の蛍光体の粒形は、ＳＥＭによる観察の結果、従来
の窒化ガリウム蛍光体のような針状ではなく、平板状で
あった。
とともに、ポリシラザン２０％溶液の量を変化させてＳ
ｉ量を０．００１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％まで変化させ
た複数種類の試料を作製した。このように作製した本実
施例の蛍光体の粒形は、ＳＥＭによる観察の結果、従来
の窒化ガリウム蛍光体のような針状ではなく、平板状で
あった。
【００１５】また、Ｓｉなしの試料と、ポリシラザンの
代わりにＳｉＯ2 を用いた試料も作製した。
代わりにＳｉＯ2 を用いた試料も作製した。
【００１６】これらの試料をガラス基板上の陽極導体上
に有機バインダを用いて塗布し、大気中で５００℃にて
焼成してバインダを除去し、蛍光体層が形成された陽極
基板を作製した。陽極基板の上面側に制御電極や陰極を
配設し、陽極基板の上面に箱型の容器部をフリットガラ
スで封着して外囲器を構成する。外囲器の内部を高真空
状態に排気し、約５００℃にて外囲器を封止して蛍光表
示管を製作した。陽極導体に約５０Ｖの電圧を印加し、
蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価した。
に有機バインダを用いて塗布し、大気中で５００℃にて
焼成してバインダを除去し、蛍光体層が形成された陽極
基板を作製した。陽極基板の上面側に制御電極や陰極を
配設し、陽極基板の上面に箱型の容器部をフリットガラ
スで封着して外囲器を構成する。外囲器の内部を高真空
状態に排気し、約５００℃にて外囲器を封止して蛍光表
示管を製作した。陽極導体に約５０Ｖの電圧を印加し、
蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価した。
【００１７】図１に示すように、各試料の発光色はいず
れも青色であった。図２に示すように、発光輝度はＳｉ
のドープ量によって変化し、ドープ量が少ない領域では
輝度が低い。またＳｉが多すぎると余分なＳｉが析出し
て輝度が低くなり、その時には蛍光体の発光状態が不均
一になってチャージアップが所々見られた。ＳｉＯ2を
用いた試料の輝度は、ポリシラザンを用いた試料の輝度
の約７５％であった。
れも青色であった。図２に示すように、発光輝度はＳｉ
のドープ量によって変化し、ドープ量が少ない領域では
輝度が低い。またＳｉが多すぎると余分なＳｉが析出し
て輝度が低くなり、その時には蛍光体の発光状態が不均
一になってチャージアップが所々見られた。ＳｉＯ2を
用いた試料の輝度は、ポリシラザンを用いた試料の輝度
の約７５％であった。
【００１８】(2) 第２実施例 ＧａＮ：Ｍｇ，Ｇｅ Ｇａ2 Ｓ3 を２３．５ｇ（０．１ｍｏｌ）秤量する。こ
れにＭｇＣｌ2 を０．０１ｇ（０．０５ｍｏｌ％／Ｇ
ａ）を加える。さらに、Ｍｇ濃度とＧｅ濃度が同濃度に
なるように、ＧｅＳ2 を０．０１４ｇ添加してよく混合
する。これらを石英ボードに載せ、これを石英管の中に
置く。石英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流し
ながら、１１００℃で１０時間保持した。ＧａＮ：Ｍ
ｇ，Ｇｅを得た。
れにＭｇＣｌ2 を０．０１ｇ（０．０５ｍｏｌ％／Ｇ
ａ）を加える。さらに、Ｍｇ濃度とＧｅ濃度が同濃度に
なるように、ＧｅＳ2 を０．０１４ｇ添加してよく混合
する。これらを石英ボードに載せ、これを石英管の中に
置く。石英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流し
ながら、１１００℃で１０時間保持した。ＧａＮ：Ｍ
ｇ，Ｇｅを得た。
【００１９】また、Ｇｅなしの試料と、ＧｅＳ2 の代わ
りにＧｅＯ2 を用いた試料も作製した。
りにＧｅＯ2 を用いた試料も作製した。
【００２０】これらの試料を用いて第１実施例と同様に
蛍光表示管を作製した。陽極導体に約５０Ｖの電圧を印
加し、蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価し
た。
蛍光表示管を作製した。陽極導体に約５０Ｖの電圧を印
加し、蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価し
た。
【００２１】各試料の発光色はいずれも青色であった。
Ｇｅを用いない試料の輝度を１００％とすると、本実施
例の試料の輝度は１７０％であり、Ｇｅを添加した効果
が認められた。ＧｅＯ2 を用いた試料の輝度は１３０％
であった。
Ｇｅを用いない試料の輝度を１００％とすると、本実施
例の試料の輝度は１７０％であり、Ｇｅを添加した効果
が認められた。ＧｅＯ2 を用いた試料の輝度は１３０％
であった。
【００２２】(3) 第３実施例 Ｇａ0.7 ＩｎＮ：Ｚｎ，
Ｇｅ Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇとＩｎ2 Ｓ3 を９．８ｇ用い
る。これに、ＺｎＳを０．０２ｇ（０．１ｍｏｌ％／Ｇ
ａ）と、Ｚｎの濃度とＧｅの濃度が同濃度になるよう
に、ＧｅＳ2 を０．０２７ｇ添加し、良く混合する。こ
れらを石英ボードに載せ、これを石英管の中に置く。石
英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、
１１５０℃で６時間保持した。Ｇａ0.7 ＩｎＮ：Ｚｎ，
Ｇｅを得た。
Ｇｅ Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇとＩｎ2 Ｓ3 を９．８ｇ用い
る。これに、ＺｎＳを０．０２ｇ（０．１ｍｏｌ％／Ｇ
ａ）と、Ｚｎの濃度とＧｅの濃度が同濃度になるよう
に、ＧｅＳ2 を０．０２７ｇ添加し、良く混合する。こ
れらを石英ボードに載せ、これを石英管の中に置く。石
英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、
１１５０℃で６時間保持した。Ｇａ0.7 ＩｎＮ：Ｚｎ，
Ｇｅを得た。
【００２３】上記の製造工程においてＧｅ量を固定する
とともに、ＺｎＳの量を変化させてＺｎ量を０．００１
ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％まで変化させた複数種類の試料
を作製した。また、Ｇｅなしの試料と、ポリシラザンの
代わりにＳｉＯ2 を用いた試料も作製した。又、Ｚｎ量
を固定し、Ｇｅを０．００１〜５ｍｏｌ％まで変化させ
た複数の試料も作製した。
とともに、ＺｎＳの量を変化させてＺｎ量を０．００１
ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％まで変化させた複数種類の試料
を作製した。また、Ｇｅなしの試料と、ポリシラザンの
代わりにＳｉＯ2 を用いた試料も作製した。又、Ｚｎ量
を固定し、Ｇｅを０．００１〜５ｍｏｌ％まで変化させ
た複数の試料も作製した。
【００２４】これらの試料とＰＶＡを用いてスラリー液
を製作し、該スラリー液をガラス基板上のＩＴＯ電極に
塗布する。これを大気中で４８０℃にて焼成して蛍光体
層が形成された陽極基板を作製した。内面側に電界放出
形陰極が形成された陰極基板を用意し、これの内面側を
前記陽極基板の上面側に所定の間隔をおいて対面させ、
両基板の外周の間をスペーサ部材を介して封着すること
によって外囲器を構成する。外囲器の内部を高真空状態
に排気し、封止して電界放出表示素子（FED,Field Emis
sion Cathode)を製作した。陽極導体に電圧を印加し、
電界放出形陰極から放出された電子を陽極の蛍光体層に
射突させて蛍光体を発光させ、その輝度特性を比較・評
価した。
を製作し、該スラリー液をガラス基板上のＩＴＯ電極に
塗布する。これを大気中で４８０℃にて焼成して蛍光体
層が形成された陽極基板を作製した。内面側に電界放出
形陰極が形成された陰極基板を用意し、これの内面側を
前記陽極基板の上面側に所定の間隔をおいて対面させ、
両基板の外周の間をスペーサ部材を介して封着すること
によって外囲器を構成する。外囲器の内部を高真空状態
に排気し、封止して電界放出表示素子（FED,Field Emis
sion Cathode)を製作した。陽極導体に電圧を印加し、
電界放出形陰極から放出された電子を陽極の蛍光体層に
射突させて蛍光体を発光させ、その輝度特性を比較・評
価した。
【００２５】図３に示すように、発光輝度はＧｅのドー
プ量によって変化し、ドープ量が少ない領域では輝度が
低い。またＧｅが多すぎる輝度が低くなる。Ｚｎについ
ても、図５に示すように最適値を中心としてドープ量に
よって輝度の相対強度が変化する。
プ量によって変化し、ドープ量が少ない領域では輝度が
低い。またＧｅが多すぎる輝度が低くなる。Ｚｎについ
ても、図５に示すように最適値を中心としてドープ量に
よって輝度の相対強度が変化する。
【００２６】(4) 第４実施例 Ｇａ0.7 ＩｎＮ：Ｍｇ，
Ｚｎ，Ｓｉ Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇとＩｎ2 Ｓ3 を９．８ｇ用い
る。これに、ＭｇＣｌ2を０．０１ｇ（０．０５ｍｏｌ
％／Ｇａ）とＺｎＳを０．０１ｇ（０．０５ｍｏｌ％／
Ｇａ）を加え、さらにＳｉの濃度が、ＺｎとＭｇを合わ
せた濃度と等しくなるように、ポリシラザン２０％水溶
液を０．０５ｇ添加する。これらを良く混合して石英ボ
ードに載せ、これを石英管の中に置く。石英管内に１０
ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、１１８０℃で
６時間保持した。Ｇａ0.7 ＩｎＮ：Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｉを
得た。Ｓｉなしの試料も作製した。
Ｚｎ，Ｓｉ Ｇａ2 Ｓ3 を１６．４ｇとＩｎ2 Ｓ3 を９．８ｇ用い
る。これに、ＭｇＣｌ2を０．０１ｇ（０．０５ｍｏｌ
％／Ｇａ）とＺｎＳを０．０１ｇ（０．０５ｍｏｌ％／
Ｇａ）を加え、さらにＳｉの濃度が、ＺｎとＭｇを合わ
せた濃度と等しくなるように、ポリシラザン２０％水溶
液を０．０５ｇ添加する。これらを良く混合して石英ボ
ードに載せ、これを石英管の中に置く。石英管内に１０
ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、１１８０℃で
６時間保持した。Ｇａ0.7 ＩｎＮ：Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｉを
得た。Ｓｉなしの試料も作製した。
【００２７】これらの試料を用いて第１実施例と同様に
FED を作製した。陽極導体に約１００Ｖの電圧を印加
し、蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価し
た。
FED を作製した。陽極導体に約１００Ｖの電圧を印加
し、蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価し
た。
【００２８】本例の蛍光体は緑色に発光した。Ｓｉのな
い試料の発光輝度を１００％とすると、本例の蛍光体は
１８０％の輝度が得られ、Ｓｉ添加効果が認められた。
い試料の発光輝度を１００％とすると、本例の蛍光体は
１８０％の輝度が得られ、Ｓｉ添加効果が認められた。
【００２９】(5) 第５実施例 ＧａＮ：Ｍｇ，Ｓｎ Ｇａ2 Ｓ3 を２３．５ｇ（０．１ｍｏｌ）秤量する。Ｍ
ｇＣｌ2 を０．０２ｇ（０．１ｍｏｌ％／Ｇａ）と、Ｓ
ｎの濃度がＭｇの濃度が等しくなるようにＳｎＣｌ2 を
０．０４ｇ添加してよく混合する。これらを石英ボード
に載せ、これを石英管の中に置く。石英管内に１０ｍｌ
／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、１２００℃で１０
時間保持した。ＧａＮ：Ｍｇ，Ｓｎを得た。
ｇＣｌ2 を０．０２ｇ（０．１ｍｏｌ％／Ｇａ）と、Ｓ
ｎの濃度がＭｇの濃度が等しくなるようにＳｎＣｌ2 を
０．０４ｇ添加してよく混合する。これらを石英ボード
に載せ、これを石英管の中に置く。石英管内に１０ｍｌ
／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、１２００℃で１０
時間保持した。ＧａＮ：Ｍｇ，Ｓｎを得た。
【００３０】上記の製造工程においてＳｎ量を固定する
とともに、Ｍｇ量を０．００１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％
まで変化させた複数種類の試料を作製した。Ｓｎなしの
試料も作製した。又、Ｍｇ量を固定するとともにＳｎを
０．００１〜５ｍｏｌ％まで変化させた複数の試料も作
製した。
とともに、Ｍｇ量を０．００１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％
まで変化させた複数種類の試料を作製した。Ｓｎなしの
試料も作製した。又、Ｍｇ量を固定するとともにＳｎを
０．００１〜５ｍｏｌ％まで変化させた複数の試料も作
製した。
【００３１】これらの試料を用いて第１実施例と同様に
蛍光表示管を作製した。陽極導体に約５０Ｖの電圧を印
加し、蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価し
た。
蛍光表示管を作製した。陽極導体に約５０Ｖの電圧を印
加し、蛍光体を発光させてその輝度特性を比較・評価し
た。
【００３２】図４に示すように、発光輝度はＳｎのドー
プ量によって変化し、ドープ量が少ない領域では輝度が
低い。またＳｎが多すぎる輝度が低くなる。Ｍｇについ
ても、図５に示すように最適値を中心としてドープ量に
よって輝度の相対強度が変化する。
プ量によって変化し、ドープ量が少ない領域では輝度が
低い。またＳｎが多すぎる輝度が低くなる。Ｍｇについ
ても、図５に示すように最適値を中心としてドープ量に
よって輝度の相対強度が変化する。
【００３３】(6) 第６実施例 Ｇａ0.5 ＩｎＮ：Ｚｎ，
Ｓｎ Ｇａ2 Ｓ3 を１１．７ｇとＩｎ2 Ｓ3 を１６．３ｇ用い
る。これに、ＺｎＳを０．００４ｇ（０．０２ｍｏｌ％
／Ｇａ）と、Ｓｎの濃度がＺｎの濃度と等しくなるよう
にＳｎＣｌ2 を０．００８ｇ添加する。これらを良く混
合して石英ボードに載せ、これを石英管の中に置く。石
英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、
１１５０℃で８時間保持した。Ｇａ0.5 ＩｎＮ：Ｚｎ，
Ｓｎを得た。Ｓｎなしの試料も作製した。
Ｓｎ Ｇａ2 Ｓ3 を１１．７ｇとＩｎ2 Ｓ3 を１６．３ｇ用い
る。これに、ＺｎＳを０．００４ｇ（０．０２ｍｏｌ％
／Ｇａ）と、Ｓｎの濃度がＺｎの濃度と等しくなるよう
にＳｎＣｌ2 を０．００８ｇ添加する。これらを良く混
合して石英ボードに載せ、これを石英管の中に置く。石
英管内に１０ｍｌ／ｍｉｎでアンモニアを流しながら、
１１５０℃で８時間保持した。Ｇａ0.5 ＩｎＮ：Ｚｎ，
Ｓｎを得た。Ｓｎなしの試料も作製した。
【００３４】これらの試料を用いて第１実施例と同様に
FED を作製した。陽極導体に約０〜１００Ｖの範囲で種
々の値の電圧を印加し、蛍光体を発光させてそれぞれそ
の輝度特性を比較・評価した。
FED を作製した。陽極導体に約０〜１００Ｖの範囲で種
々の値の電圧を印加し、蛍光体を発光させてそれぞれそ
の輝度特性を比較・評価した。
【００３５】本例の蛍光体は橙色に発光した。Ｓｎのな
い試料の発光輝度に対して略倍の相対輝度を示し、Ｓｎ
添加効果が認められた。
い試料の発光輝度に対して略倍の相対輝度を示し、Ｓｎ
添加効果が認められた。
【００３６】以上説明した実施例において使用されたＭ
ｇやＺｎについては、その濃度Ｍ（ｍｏｌ％）の範囲は
０．００５＜Ｍ＜０．７であり、さらに好ましくは０．
０１＜Ｍ＜０．３がよい。また、ＭｇやＺｎの代わり
に、Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｈｇを用いてもよ
い。
ｇやＺｎについては、その濃度Ｍ（ｍｏｌ％）の範囲は
０．００５＜Ｍ＜０．７であり、さらに好ましくは０．
０１＜Ｍ＜０．３がよい。また、ＭｇやＺｎの代わり
に、Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｈｇを用いてもよ
い。
【００３７】以上説明した実施例において使用されたＳ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎについては、その濃度Ｘ（ｍｏｌ％）の
範囲は０．００２＜Ｘ＜０．８であり、さらに好ましく
は０．００５＜Ｘ＜０．３がよい。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎの
代わりに、Ｃ又はＰｂを用いることもできる。
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎについては、その濃度Ｘ（ｍｏｌ％）の
範囲は０．００２＜Ｘ＜０．８であり、さらに好ましく
は０．００５＜Ｘ＜０．３がよい。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎの
代わりに、Ｃ又はＰｂを用いることもできる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の蛍光体は、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ
（但し０≦ｘ＜０．８）の母体に、ドナーの濃度が適当
に制御されるように添加元素をドープさせている。この
ため、本発明の蛍光体は輝度特性及び寿命特性に優れて
おり、添加元素の選択によって電子線励起により各種の
発光色を実現できるという効果がある。また、酸素を含
まない原料物質を使用すれば、製造時に酸素の悪影響を
受けることがない。
（但し０≦ｘ＜０．８）の母体に、ドナーの濃度が適当
に制御されるように添加元素をドープさせている。この
ため、本発明の蛍光体は輝度特性及び寿命特性に優れて
おり、添加元素の選択によって電子線励起により各種の
発光色を実現できるという効果がある。また、酸素を含
まない原料物質を使用すれば、製造時に酸素の悪影響を
受けることがない。
【図１】本発明の第１実施例の効果を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例の効果を示す図である。
【図３】本発明の第３実施例の効果を示す図である。
【図４】本発明の第５実施例の効果を示す図である。
【図５】本発明の第３実施例及び第５実施例の効果を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明の第６実施例の効果を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 義孝 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (72)発明者 蟹江 壽 千葉県松戸市新松戸３−１−１パークハ ウス新松戸311の207 (56)参考文献 特開 昭51−41686（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−235548（ＪＰ，Ａ) 特公 昭36−6527（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 11/62 C01B 21/06 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ：Ｍ，Ｘ（但し０≦ｘ
＜０．８、ＭはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，
Ｃｄ，Ｈｇなる集合から選ばれた少なくとも１の元素、
ＸはＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂなる集合から選ばれた
少なくとも１の元素）で表される蛍光体。 - 【請求項２】 前記Ｍ及び前記Ｘの濃度範囲（ｍｏｌ
％）が、それぞれ０．００５＜Ｍ＜０．７及び０．００
２＜Ｘ＜０．８である請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項３】 前記Ｍ及び前記Ｘの濃度範囲（ｍｏｌ
％）が、それぞれ０．０１＜Ｍ＜０．３及び０．００５
＜Ｘ＜０．３である請求項２記載の蛍光体。 - 【請求項４】 酸素を含まない原料物質から製造した請
求項１記載の蛍光体。 - 【請求項５】 前記酸素を含まない原料物質が、（Ｓｉ
Ｈa Ｎb ）n （但しａ＝１〜３、ｂ＝０又は１）を含む
物質である請求項４記載の蛍光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8100215A JP2897716B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 蛍光体 |
| FR9704874A FR2747686B1 (fr) | 1996-04-22 | 1997-04-21 | Materiau fluorescent |
| KR1019970014839A KR100341532B1 (ko) | 1996-04-22 | 1997-04-22 | 형광체의제조방법 |
| US08/837,823 US5976412A (en) | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Fluorescent material |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8100215A JP2897716B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 蛍光体 |
| US08/837,283 US5748580A (en) | 1994-06-14 | 1997-04-11 | Objective lens actuator for optical head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09286982A JPH09286982A (ja) | 1997-11-04 |
| JP2897716B2 true JP2897716B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=26441280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8100215A Expired - Fee Related JP2897716B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897716B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002309249A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法 |
| JP2006104338A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蛍光体およびこれを用いた紫外発光蛍光ランプ |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP8100215A patent/JP2897716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09286982A (ja) | 1997-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2947156B2 (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
| KR100489575B1 (ko) | 표시 장치용 형광체 및 그것을 이용한 전계 방출형 표시장치 | |
| US4100454A (en) | Low-velocity electron excited fluorescent display device | |
| US5976412A (en) | Fluorescent material | |
| JP2897716B2 (ja) | 蛍光体 | |
| JPS61145277A (ja) | 発光組成物および低速電子線励起螢光表示管 | |
| WO2004031322A1 (ja) | 表示装置用蛍光体とその製造方法、およびそれを用いたカラー表示装置 | |
| US4453179A (en) | Variable color cathodoluminescent composition, method, and display device utilizing same | |
| JP3982667B2 (ja) | 低速電子線励起蛍光体及び蛍光表示管 | |
| KR100341532B1 (ko) | 형광체의제조방법 | |
| US20110008584A1 (en) | Fluorescent material, fluorescent substance, display, and process for preparing fluorescent substance | |
| JP4516390B2 (ja) | 蛍光体 | |
| JP2002080845A (ja) | 低速電子線励起蛍光体及び蛍光表示管 | |
| JPH01168789A (ja) | 電子線励起蛍光体及びその製造方法 | |
| JPH09255953A (ja) | 蛍光体及びその製造方法 | |
| WO2004076587A1 (ja) | 低電圧・高電流密度用緑色発光蛍光体とそれを用いた電界放出型表示装置 | |
| JP4249571B2 (ja) | 蛍光発光装置とその製造方法 | |
| JP2008285527A (ja) | 低速電子線用蛍光体、その製造方法および蛍光表示管 | |
| JP2828019B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JP2004099692A (ja) | 酸化亜鉛系蛍光体 | |
| JPS6234079B2 (ja) | ||
| JPS58222180A (ja) | 低速電子線励起青色「け」光体及びこの「け」光体を用いた「け」光表示管 | |
| JPH02178386A (ja) | 青色発光蛍光体 | |
| KR100773949B1 (ko) | 청색 발광 형광체 및 이를 포함하는 냉음극 형광램프 | |
| JP2005076024A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用希土類添加酸化ガリウム−酸化錫多元系酸化物蛍光体薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080312 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |