JP4020412B2 - 窒化ガリウム蛍光体とその製造方法およびこの蛍光体を使用してなるディスプレイデバイス - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光表示管、ＦＥＤ及び投写管に用いられる蛍光体に関し、特に、発光特性の優れた窒化ガリウム蛍光体、その製造方法、およびその蛍光体を使用したディスプレイデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
IIIｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）とＶｂ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）からなるIIIｂ−Ｖｂ化合物である窒化ガリウム蛍光体（ＧａＮ系蛍光体）は、化合物半導体として発光ダイオード、レーザダイオード、ホトダイオードなどのオプトエレクトロニクス素子あるいは電界効果形トランジスタなどの高速素子用の材料として単結晶薄膜の形で利用されているが、蛍光体としてはまだ実用化されていない。
【０００３】
一般に、ＧａＮ系蛍光体は、Ｇａ金属やＧａ_２Ｓ_３、Ｇａ_２Ｏ_３などのＧａ元素を含む化合物に、Ｚｎ、Ｍｇなどの付活剤元素やＳｉ、Ｇｅ、Ｓ、Ｏなどの共付活剤元素を含む金属又は化合物を混合した原料混合物を、ＮＨ_３ガスを含む雰囲気中で焼成することにより合成される。このとき、ＮＨ_３の分解で生成した活性窒素により窒化反応が進む一方、同時に生成した活性水素によりＺｎ、Ｍｇなどの付活剤が水素化され不活性化するため、蛍光体の発光特性が低下するという問題があった。また、水分は、原料混合物を焼成中に生成し、又は得られた蛍光体を処理中に吸着され蛍光体に残留し、デバイスに用いたときデバイス内部で飛散し電極を汚染してデバイスの性能を低下させるという問題があった。このようなことから、蛍光体中にＨ_２、Ｈ_２Ｏを多く含んでいる従来のＧａＮ系蛍光体は発光特性が低く、蛍光表示管等のディスプレイデバイスへの実用化が困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は上述した問題を解決することを目的とし、すなわち、発光特性の優れた窒化ガリウム蛍光体とその製造方法、さらにこの蛍光体を使用しているディスプレイデバイスを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上述した問題を解決するため、ＧａＮ、（Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ等の窒化ガリウム蛍光体について鋭意検討した結果、蛍光体に含まれるＨ_２を所定のレベル以下にすることにより、極めて優れた発光特性の窒化ガリウム蛍光体を製作することに成功した。さらに、本発明の窒化ガリウム蛍光体は、好ましくはＨ_２とＨ_２Ｏの両方を所定のレベル以下にすることにより発光特性を向上できる。
【０００６】
窒化ガリウム蛍光体に含まれるＨ_２やＨ_２Ｏは、蛍光体を熱処理し、あるいはマイクロ波照射して所定のレベル以下にできる。本発明の請求項７に記載する窒化ガリウム蛍光体の製造方法は、実質的にＨ_２とＨ_２Ｏガスを含まない雰囲気で、蛍光体を５００℃〜１１００℃の温度で１０分間以上熱処理する。さらに好ましくは熱処理の温度は、６００℃以上とする。また、熱処理する雰囲気としては、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスを含む雰囲気、減圧雰囲気、大気雰囲気が好ましい。本発明の請求項１５の製造方法は、窒化ガリウム蛍光体粉末を、実質的にＨ_２とＨ_２Ｏのガスを含まない雰囲気で、マイクロ波照射する。熱処理され、あるいはマイクロ波照射された窒化ガリウム蛍光体は、熱やマイクロ波によって蛍光体に含まれるＨ_２、Ｈ_２Ｏなどが除かれて、発光特性の優れた蛍光体となる。
【０００７】
上述したように、窒化ガリウム蛍光体は原料混合物をＮＨ_３ガス雰囲気中で焼成することにより合成されるが、ＮＨ_３の分解で生成した活性水素によりＺｎ、Ｍｇなどの付活剤が水素化され不活性化して、蛍光体の発光特性が低下するという問題があった。また、蛍光体中に含まれる水分は、デバイスに用いたときデバイス内部で飛散し電極を汚染してデバイスの性能を低下させるという問題があった。これに対し、本発明は、蛍光体中にＨ_２、Ｈ_２Ｏを多く含み発光特性が低い従来の窒化ガリウム蛍光体を、実質的にＨ_２とＨ_２Ｏのガスを含まない雰囲気で熱処理又はマイクロ波照射して、蛍光体に含まれるＨ_２、Ｈ_２Ｏを所定のレベル以下にすることで、Ｚｎ、Ｍｇなどの付活剤を再活性化して蛍光体の発光特性を改善し、これを用いた蛍光表示管、ＦＥＤ、投写管等のディスプレイデバイスの性能を向上させるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための窒化ガリウム蛍光体とその製造方法、ならびにこの蛍光体を使用しているディスプレイデバイスを例示するものであって、本発明を下記のものに特定しない。
【０００９】
本発明の窒化ガリウム蛍光体は次のようにして得られる。この蛍光体は以下の組成式で示すことができる。
（Ｇａ，Ｘ）Ｎ：Ｙ，Ｚ
ただし、ＸはＩｎ、Ｂ、Ａｌのうちの少なくとも一種であり、Ｙは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｄ及びＨｇからなる群より選ばれる少なくとも一種であり、ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種である。
【００１０】
この組成式の窒化ガリウム蛍光体は、原料として、ガリウム化合物、前記Ｘを含む化合物、前記Ｙを含む化合物、及び前記Ｚを含む化合物を混合した原料混合物、又はガリウム、前記Ｘ、前記Ｙ、及び前記Ｚの各元素を含む共沈物を用い、ＮＨ_３ガスを含むガスを流しながら５００〜１２００℃で焼成して製造される。
【００１１】
上記ガリウム化合物、前記Ｘを含む化合物、前記Ｙを含む化合物としては、酸化物、硫化物等が好ましく、これにより窒化ガリウム蛍光体中にＯ、Ｓ等の元素が導入されるため、この場合前記Ｚを含む化合物を別に混合しなくても良い。
【００１２】
上記ガリウム、前記Ｘ、前記Ｙ、及び前記Ｚの各元素を含む共沈物としては、これらの元素を含む水溶液にアンモニア水又はシュウ酸等を加えて生成する沈殿物が好ましく、これを熱分解して用いてもよい。
【００１３】
こうして得られる窒化ガリウム蛍光体を、実質的にＨ_２とＨ_２Ｏ分を含まないガス雰囲気中で熱処理又はマイクロ波照射する。熱処理は、５００〜１１００℃の温度で１０分間以上とする。熱処理やマイクロ波照射は、実質的にＨ_２とＨ_２Ｏ分を有しないガス雰囲気であればよく、Ｎ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどの不活性ガスを含む雰囲気、減圧雰囲気、大気雰囲気又は酸素雰囲気で熱処理することができる。熱処理の最適条件はガス雰囲気によって異なる。一般に熱処理の効果は温度に依存し、温度が５００℃より低い場合は脱ガス効果が少なく、１１００℃より高い場合は窒化ガリウム母体の分解が著しく進行し制御が難しく適当でない。時間は１０分間以上であれば効果があり、より好ましくは６０分間以上である。
【００１４】
マイクロ波照射の効果は、マイクロ波を照射する電力と蛍光体重量と照射時間とに依存する。窒化ガリウム蛍光体に照射されるマイクロ波電力は、蛍光体に対して１〜１００Ｗ／ｇとし、照射時間は３０分以上とする。
【００１５】
また、あらかじめ酸・アルカリなどで表面処理を行った窒化ガリウム蛍光体も、熱処理やマイクロ波照射により同様の効果が得られる。例えば、焼成後の窒化ガリウム蛍光体を、０．１ｍｏｌ／ｌ硝酸水溶液中、約５０℃で１時間攪拌処理を行い、洗浄脱水後乾燥させる。酸処理により窒化ガリウムからの水分放出量は増加するが、次に熱処理し、あるいはマイクロ波照射することで水素放出量、水分放出量ともに減少し、輝度が改善される。
【００１６】
本発明の蛍光体を真空中で加熱したときのＨ_２、Ｈ_２Ｏガス放出量は、昇温脱離式ガス分析装置（以下ＴＤＳと称す）を用いて、次のようにして測定できる。先ず、蛍光体粉末約１０ｍｇを精秤した後、電子科学株式会社製、昇温脱離ガス分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓの試料台に載せる。次に、１０^−７〜１０^−８Ｐａの範囲に減圧した後、１０００℃まで６０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温する。昇温後１０００℃で約２０分間保持し、完全に脱ガスさせる。試料台上部に取り付けられた４重極質量分析計で、昇温開始時から窒化ガリウム蛍光体より放出されるＨ_２、Ｈ_２Ｏの信号をカウント積算する。このデータより各ガスの昇温脱離スペクトル積分面積を得る。定量には一定量の水素をあらかじめイオン注入したＳｉ基板を基準に用い、水素の昇温脱離スペクトルを測定して得られる検量線を用いる。また、この水素検量線を基準に他元素イオンのフラグメンテーションファクターやイオン化係数を考慮してＨ_２Ｏなどの定量を行う。
【００１７】
次に、本発明の蛍光体を用いて蛍光表示管を作製し、５０Ｖｄｃ駆動で点灯させるときの輝度を、上記Ｈ_２、Ｈ_２Ｏガス放出量との関係から図１〜図４に示す。輝度（Ｙ）の値は、熱処理またはマイクロ波照射を行わない蛍光体を基準（Ｙ＝１００％）として求めた相対値（相対輝度）である。本発明の窒化ガリウム蛍光体の特性をこれらの図を参照して詳述する。
【００１８】
図１は、窒化ガリウム蛍光体粉末を窒素ガス雰囲気中、５００〜９００℃で熱処理し、熱処理前後の蛍光体のＨ_２ガス放出量とこれらの蛍光体を用いて作製される蛍光表示管の輝度との関係を示したものである。この図から、Ｈ_２ガス放出量が０．２ｃｍ^３／ｇ以下で輝度が高く、特に０．１ｃｍ^３／ｇ以下で非常に輝度が高くなることがわかる。図２は、同様に熱処理し、熱処理前後の蛍光体のＨ_２Ｏガス放出量とこれらの蛍光体を用いて作製される蛍光表示管の輝度との関係を示したものである。この図から、Ｈ_２Ｏガス放出量が２．０ｃｍ^３／ｇ以下で輝度が高く、特に１．５ｃｍ^３／ｇ以下で非常に輝度が高くなることがわかる。なお、Ｎ_２以外のＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＣＯ_２などの不活性ガスを含む雰囲気、減圧雰囲気でも窒素ガス雰囲気と類似した結果となる。
【００１９】
図３は、窒化ガリウム蛍光体粉末を大気雰囲気中、５００〜７００℃で熱処理し、熱処理前後の蛍光体のＨ_２ガス放出量とこれらの蛍光体を用いて作製される蛍光表示管の輝度との関係を示したものである。この図から、Ｈ_２ガス放出量が０．２ｃｍ^３／ｇ以下で輝度が高く、特に０．１５ｃｍ^３／ｇ以下で非常に輝度が高くなることがわかる。図４は、同様に熱処理し、熱処理前後の蛍光体のＨ_２Ｏガス放出量とこれらの蛍光体を用いて作製される蛍光表示管の輝度との関係を示したものである。この図から、Ｈ_２Ｏガス放出量が２．０ｃｍ^３／ｇ以下で輝度が高く、特に１．５ｃｍ^３／ｇ以下で非常に輝度が高くなることがわかる。しかしながら、大気雰囲気の場合、熱処理温度が８００℃より高くなると、蛍光体表面から酸化され、窒化ガリウムの分解が著しく進行し、Ｈ_２、Ｈ_２Ｏガス放出量は減少するものの蛍光表示管の輝度は低下する。なお、酸素雰囲気でも大気雰囲気と類似した結果となる。
【００２０】
【実施例】
［比較例１］
以下の原料を秤量する。
Ｇａ_２Ｓ_３…………３０ｇ
Ｉｎ_２Ｓ_３………０．５ｇ
ＺｎＳ………………６ｇ
以上の原料を良く混合し、得られる原料混合物をアルミナボートに入れ、これを炉に挿入する。その後、ＮＨ_３ガスを流量１．５リットル／ｍｉｎで供給しながら、１１００℃で３時間保持して焼成した後、冷却する。アルミナボートを取り出して（Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ：Ｚｎ，Ｓ蛍光体を得る。
【００２１】
［実施例１］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末をアルミナボートに入れ、炉に挿入する。その後、Ｎ_２ガスを流量１．０リットル／ｍｉｎで供給しながら、８００℃で１時間保持して熱処理した後、冷却する。アルミナボートを取り出して本発明の窒化ガリウム蛍光体を得る。この蛍光体のＴＤＳによる脱離ガス放出量を前述した方法で測定すると、真空中で加熱したときのＨ_２ガス放出量は０．０７ｃｍ^３／ｇであり、Ｈ_２Ｏガス放出量は０．９ｃｍ^３／ｇである。
【００２２】
このように窒素ガス雰囲気中で熱処理して得られる本発明の蛍光体を用いて、図５（ａ）、（ｂ）に示すような蛍光表示管を作製する。（ａ）は本発明に係る蛍光表示管の一部を破断して示す要部平面図であり、（ｂ）は同要部拡大断面図である。ここで、１は、ガラス、セラミックスなどの絶縁材料からなる基板であり、この基板１上に配線導体２を被着し、さらにこの配線導体２を所定位置にスルーホール３ａの形成された絶縁層３により覆う。この絶縁層３は低融点のフリットガラスを主成分とし、これにバインダー、有機溶剤、及び黒色の顔料を混合し、ペースト状に調合して印刷、焼成したものである。４は、前記絶縁層３上に日字形に形成された陽極導体であり、この陽極導体上に本発明の蛍光体からなる蛍光体層５が周知のスクリーン印刷法、電着法、沈殿法等により被着され、陽極６が形成される。さらに、この陽極６が日字形に配列されて、一桁のパターン表示部７となっている。また、８は、前記パターン表示部７に対面する上方に配設されたメッシュ状の制御電極、９は、加熱されて電子を放出するフィラメント状の陰極、１０は、箱形状に形成され、前記基板１の周辺部に装着されて基板１とともに真空外囲器を構成し、前記各電極を高真空雰囲気に保持する少なくとも表示窓部が透明にされた前囲器、１１は、前記基板１と前囲器１０との封着部を気密に貫通し、前記各電極に駆動信号を導入するための導入端子である。この蛍光表示管を５０Ｖｄｃ×７ｍＡ／ｃｍ^２で駆動したときの色度（ｘ、ｙ）、輝度（Ｙ）は、ｘ＝０．１６１、ｙ＝０．１３８、Ｙ＝１３４％となる。
【００２３】
［実施例２〜６］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末をそれぞれ５００℃、６００℃、７００℃、９００℃、１０００℃の温度で熱処理する以外は実施例１と同様に行い、実施例２〜６の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００２４】
［実施例７〜１０］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末を大気雰囲気中で、それぞれ５００℃、６００℃、７００℃、８００℃の温度で熱処理する以外は実施例１と同様に行い、実施例７〜１０の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００２５】
［実施例１１〜１３］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末をアルゴン雰囲気中で、それぞれ５００℃、７００℃、９００℃の温度で熱処理する以外は実施例１と同様に行い、実施例１１〜１３の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００２６】
［実施例１４〜１７］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末を減圧雰囲気（真空雰囲気）中で、それぞれ５００℃、７００℃、９００℃、１１００℃の温度で熱処理する以外は実施例１と同様に行い、実施例１４〜１７の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００２７】
［比較例２］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末をアンモニア雰囲気中、８００℃で熱処理する以外は実施例１と同様に行い、比較例２の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００２８】
［比較例３〜７］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末を、それぞれ塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸の０．１ｍｏｌ／ｌ溶液を用いて、５０℃で１時間攪拌処理した後、洗浄、脱水、乾燥して、酸処理された比較例３〜７の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００２９】
［実施例１８〜２２］
比較例３〜７で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末を実施例１と同様に熱処理して実施例１８〜２２の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００３０】
［実施例２３］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末１００ｇをアルミナボートに入れ、これをマイクロ波発生装置に接続したマイクロ波加熱装置内に入れて、窒素ガス雰囲気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を出力９００Ｗで１時間照射して実施例２３の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００３１】
［実施例２４］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末を大気雰囲気中で３０分間マイクロ波照射する以外は実施例２３と同様に行い、マイクロ波照射された実施例２４の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００３２】
［実施例２５］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末をアルゴン雰囲気中でマイクロ波照射する以外は実施例２３と同様に行い、マイクロ波照射された実施例２５の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００３３】
［実施例２６］
比較例１で得られる窒化ガリウム蛍光体粉末を減圧雰囲気（真空雰囲気）中でマイクロ波照射する以外は実施例２３と同様に行い、マイクロ波照射された実施例２６の窒化ガリウム蛍光体を得る。
【００３４】
実施例１〜２６及び比較例１〜７で得られる窒化ガリウム蛍光体について、上述した方法でＨ_２、Ｈ_２Ｏガス放出量を測定する。また、これらの窒化ガリウム蛍光体を用いて実施例１と同様にして蛍光表示管を作製すると、５０Ｖｄｃ×７ｍＡ／ｃｍ^２で駆動したときの色度（ｘ、ｙ）、輝度（Ｙ）は表１に示すようになる。
【００３５】
【表１】

【００３６】
【発明の効果】
以上述べたように、窒化ガリウム蛍光体粉末を実質的にＨ_２とＨ_２Ｏのガスを含まない雰囲気で熱処理又はマイクロ波照射することにより、真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２、Ｈ_２Ｏガス放出量が、蛍光体に対してそれぞれ０．２ｃｍ^３／ｇ以下、２．０ｃｍ^３／ｇ以下の窒化ガリウム蛍光体を得ることができ、発光特性を大幅に改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】窒素ガス雰囲気中で熱処理した蛍光体のＨ_２ガス放出量と蛍光表示管の輝度との関係を示すグラフ図
【図２】窒素ガス雰囲気中で熱処理した蛍光体のＨ_２Ｏガス放出量と蛍光表示管の輝度との関係を示すグラフ図
【図３】大気雰囲気中で熱処理した蛍光体のＨ_２ガス放出量と蛍光表示管の輝度との関係を示すグラフ図
【図４】大気雰囲気中で熱処理した蛍光体のＨ_２Ｏガス放出量と蛍光表示管の輝度との関係を示すグラフ図
【図５】本発明による蛍光表示管の一部を破断して示す要部平面図（ａ）と要部拡大断面図（ｂ）
【符号の説明】
１……基板、
２……配線導体、
３……絶縁層、
３ａ……スノーホール、
４……陽極導体、
５……蛍光体層、
６……陽極、
７……パターン表示部、
８……制御電極、
９……陰極、
１０……前囲器、
１１……導入端子

Claims (15)

1. 一般式が次式で表される窒化ガリウム蛍光体であって、真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２ガス放出量が、蛍光体に対して０．２ｃｍ^３／ｇ以下にしてなり、Ｈ_２Ｏガス放出量が、蛍光体に対して２．０ｃｍ^３／ｇ以下にしてなることを特徴とする窒化ガリウム蛍光体。
   （Ｇａ，Ｘ）Ｎ：Ｙ，Ｚ
   ただし、ＸはＩｎ、Ｂ、Ａｌのうちの少なくとも一種であり、Ｙは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｄ及びＨｇからなる群より選ばれる少なくとも一種であり、ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種である。
2. 真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２ガス放出量が、蛍光体に対して０．１５ｃｍ^３／ｇ以下にしてなることを特徴する請求項１に記載の窒化ガリウム蛍光体。
3. 真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２ガス放出量が、蛍光体に対して０．１ｃｍ^３／ｇ以下にしてなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム蛍光体。
4. 真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２Ｏガス放出量が、蛍光体に対して１．５ｃｍ^３／ｇ以下にしてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の窒化ガリウム蛍光体。
5. 一般式が（Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ：Ｚｎ，Ｓで表されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一に記載の窒化ガリウム蛍光体。
6. 一般式が次式で表される窒化ガリウム蛍光体を製造する製造方法であって、窒化ガリウム蛍光体粉末を、Ｈ_２とＨ_２Ｏのガスを含まない雰囲気で、５００℃〜１１００℃の温度で１０分間以上、熱処理し、真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２ガス放出量が、蛍光体に対して０．２ｃｍ^３／ｇ以下であり、Ｈ_２Ｏガス放出量が、蛍光体に対して２．０ｃｍ^３／ｇ以下であることを特徴とする窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
   （Ｇａ，Ｘ）Ｎ：Ｙ，Ｚ
   ただし、ＸはＩｎ、Ｂ、Ａｌのうちの少なくとも一種であり、Ｙは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｄ及びＨｇからなる群より選ばれる少なくとも一種であり、ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種である。
7. 窒化ガリウム蛍光体粉末を熱処理する温度が６００℃以上であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
8. 窒化ガリウム蛍光体粉末を熱処理する雰囲気が窒素ガスを含む雰囲気であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
9. 窒化ガリウム蛍光体粉末を熱処理する雰囲気がアルゴンガスを含む雰囲気であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
10. 酸処理している窒化ガリウム蛍光体粉末を熱処理することを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
11. 一般式が次式で表される窒化ガリウム蛍光体を製造する製造方法であって、窒化ガリウム蛍光体粉末を、Ｈ_２とＨ_２Ｏのガスを含まない雰囲気で、マイクロ波電力が蛍光体に対して１〜１００Ｗ／ｇ、照射時間が３０分以上でマイクロ波照射し、真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２ガス放出量が、蛍光体に対して０．２ｃｍ^３／ｇ以下であり、Ｈ_２Ｏガス放出量が、蛍光体に対して２．０ｃｍ^３／ｇ以下であることを特徴とする窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
    （Ｇａ，Ｘ）Ｎ：Ｙ，Ｚ
    ただし、ＸはＩｎ、Ｂ、Ａｌのうちの少なくとも一種であり、Ｙは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｄ及びＨｇからなる群より選ばれる少なくとも一種であり、ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種である。
12. 酸処理している窒化ガリウム蛍光体粉末をマイクロ波照射することを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
13. 一般式が（Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ：Ｚｎ，Ｓで表されることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一に記載の窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
14. 一般式が次式で表される窒化ガリウム蛍光体を用いてなるディスプレイデバイスであって、真空中で蛍光体を加熱したときのＨ_２ガス放出量が、蛍光体に対して０．２ｃｍ^３／ｇ以下にしてなり、Ｈ_２Ｏガス放出量が、蛍光体に対して２．０ｃｍ^３／ｇ以下にしてなる窒化ガリウム蛍光体を用いてなることを特徴とするディスプレイデバイス。
    （Ｇａ，Ｘ）Ｎ：Ｙ，Ｚ
    ただし、ＸはＩｎ、Ｂ、Ａｌのうちの少なくとも一種であり、Ｙは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｄ及びＨｇからなる群より選ばれる少なくとも一種であり、ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種である。
15. 一般式が（Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ：Ｚｎ，Ｓで表されることを特徴とする請求項１４に記載のディスプレイデバイス。

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