JP2002289927A - 発光素子 - Google Patents
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/06—Lamps with luminescent screen excited by the ray or stream
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen characterised by the doping materials
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の白熱灯、蛍光灯、及びＬＥＤなどの発光
素子に起因した、諸問題を生じることのない、新規な発
光素子を提供する。 【解決手段】本発明の発光素子１０は、透明基材１と、
この透明基材１上に形成された、希土類元素を含むIII
−Ｖ族窒化物半導体層２と、このIII−Ｖ族窒化物半導
体層２に対向するように設けられた電子線照射源３とを
具える。そして、電子線照射源３より照射された電子線
によってIII−Ｖ族窒化物半導体層２中の前記希土類元
素を励起し、発光させる。
素子に起因した、諸問題を生じることのない、新規な発
光素子を提供する。 【解決手段】本発明の発光素子１０は、透明基材１と、
この透明基材１上に形成された、希土類元素を含むIII
−Ｖ族窒化物半導体層２と、このIII−Ｖ族窒化物半導
体層２に対向するように設けられた電子線照射源３とを
具える。そして、電子線照射源３より照射された電子線
によってIII−Ｖ族窒化物半導体層２中の前記希土類元
素を励起し、発光させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子に関し、
詳しくは白色発光の発光素子として好適に用いることの
できる発光素子に関する。
詳しくは白色発光の発光素子として好適に用いることの
できる発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】照明用の発光素子としては、白熱灯や蛍
光灯などの一般的な光源の他、複数の半導体層を積層し
てなる発光ダイオード（ＬＥＤ）などが用いられてい
る。白熱灯や蛍光灯はそれ自体で三原色を含む白色光を
生成、発光させることができるため、所定の物体をフル
カラーで認識することができる。
光灯などの一般的な光源の他、複数の半導体層を積層し
てなる発光ダイオード（ＬＥＤ）などが用いられてい
る。白熱灯や蛍光灯はそれ自体で三原色を含む白色光を
生成、発光させることができるため、所定の物体をフル
カラーで認識することができる。
【０００３】一方、ＬＥＤが発する光は、一般にその素
子構成で決定される単色光であるため、フルカラー認識
を実現することができないでいたが、近年、白色発光Ｌ
ＥＤの開発が盛んに進められている。例えば、ＲＧＢを
用いた白色ＬＥＤや、青色ＬＥＤの上に黄色の蛍光体を
まぶし、二色をもとにした白色ＬＥＤが試作されてい
る。
子構成で決定される単色光であるため、フルカラー認識
を実現することができないでいたが、近年、白色発光Ｌ
ＥＤの開発が盛んに進められている。例えば、ＲＧＢを
用いた白色ＬＥＤや、青色ＬＥＤの上に黄色の蛍光体を
まぶし、二色をもとにした白色ＬＥＤが試作されてい
る。
【０００４】さらには、紫外ＬＥＤを作製して、この紫
外線により三原色の蛍光体を発光させて白色ＬＥＤを得
る試みがなされている。この方法は、その原理は蛍光灯
と基本的には同じであり、蛍光灯における水銀放電によ
る紫外発光を紫外ＬＥＤに置き換えるものである。
外線により三原色の蛍光体を発光させて白色ＬＥＤを得
る試みがなされている。この方法は、その原理は蛍光灯
と基本的には同じであり、蛍光灯における水銀放電によ
る紫外発光を紫外ＬＥＤに置き換えるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、白熱灯
はフィラメントを加熱することによって発光を得るもの
であるため、フィラメント加熱に多大な電力を必要とす
る。
はフィラメントを加熱することによって発光を得るもの
であるため、フィラメント加熱に多大な電力を必要とす
る。
【０００６】さらに、ＲＧＢを用いた白色ＬＥＤは、そ
れぞれ異なるＬＥＤチップを用い、コスト高となるた
め、照明用として実用化するのは困難である。また、二
色白色ＬＥＤは、三原色でないため、所定の物体をフル
カラーで認識することができない。同様に、紫外ＬＥＤ
を用いた白色ＬＥＤは、三原色の蛍光体を別途必要とす
る点から、コスト的なデメリットがある。さらに、青色
ＬＥＤを実現しているＧａＮ系を短波長化して前記紫外
ＬＥＤを得ようとすると、発光効率が激減するという問
題がある。
れぞれ異なるＬＥＤチップを用い、コスト高となるた
め、照明用として実用化するのは困難である。また、二
色白色ＬＥＤは、三原色でないため、所定の物体をフル
カラーで認識することができない。同様に、紫外ＬＥＤ
を用いた白色ＬＥＤは、三原色の蛍光体を別途必要とす
る点から、コスト的なデメリットがある。さらに、青色
ＬＥＤを実現しているＧａＮ系を短波長化して前記紫外
ＬＥＤを得ようとすると、発光効率が激減するという問
題がある。
【０００７】また、ＬＥＤ自体、半導体層間のｐｎ接合
を利用して発光を行うものであるため、このｐｎ制御に
起因した本来的な困難性を有している。特に、ＬＥＤを
ＡｌＧａＩｎＮ系の半導体材料から構成した場合、ｐ型
半導体層の作製は極めて困難である。
を利用して発光を行うものであるため、このｐｎ制御に
起因した本来的な困難性を有している。特に、ＬＥＤを
ＡｌＧａＩｎＮ系の半導体材料から構成した場合、ｐ型
半導体層の作製は極めて困難である。
【０００８】本発明は、上述した従来の発光素子に起因
した問題を有することのない、新規な発光素子を提供す
ることを目的とする。
した問題を有することのない、新規な発光素子を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明の発光素子は、透明基材と、この透明基材上に形
成された、希土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層
と、このIII−Ｖ族窒化物半導体層の表面から５ｍｍ以
内の距離において、前記III−Ｖ族窒化物半導体層と対
向するように設けられた電子線照射源とを具え、この電
子線照射源より照射された電子線によって前記III−Ｖ
族窒化物半導体層中の希土類元素を励起し、発光させる
ことを特徴とする。
本発明の発光素子は、透明基材と、この透明基材上に形
成された、希土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層
と、このIII−Ｖ族窒化物半導体層の表面から５ｍｍ以
内の距離において、前記III−Ｖ族窒化物半導体層と対
向するように設けられた電子線照射源とを具え、この電
子線照射源より照射された電子線によって前記III−Ｖ
族窒化物半導体層中の希土類元素を励起し、発光させる
ことを特徴とする。
【００１０】本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意
検討した結果、上述した従来の発光素子と異なる原理及
び構成に基づく発光素子を発明するに至った。
検討した結果、上述した従来の発光素子と異なる原理及
び構成に基づく発光素子を発明するに至った。
【００１１】本発明の発光素子は、III−Ｖ族窒化物半
導体層中の希土類元素を励起して発光を得るものである
ため、前記希土類元素の種類を適宜に選択することによ
り、任意の色度の光を発生させることができる。
導体層中の希土類元素を励起して発光を得るものである
ため、前記希土類元素の種類を適宜に選択することによ
り、任意の色度の光を発生させることができる。
【００１２】また、２種類以上の希土類元素を任意の割
合で添加することにより、発光素子より発せられる光の
色度をより広範囲に変化させることができる。
合で添加することにより、発光素子より発せられる光の
色度をより広範囲に変化させることができる。
【００１３】さらに、例えば、青色領域の波長の光を生
成させるためのＴｍ、緑色領域の波長の光を生成するた
めのＥｒ、さらに、赤色領域の波長の光を生成するため
のＥｕ又はＰｒを、それぞれ任意の割合で添加すること
により、これら希土類元素からの蛍光が重畳されること
によって白色光を生成することができる。
成させるためのＴｍ、緑色領域の波長の光を生成するた
めのＥｒ、さらに、赤色領域の波長の光を生成するため
のＥｕ又はＰｒを、それぞれ任意の割合で添加すること
により、これら希土類元素からの蛍光が重畳されること
によって白色光を生成することができる。
【００１４】したがって、従来のＬＥＤなどと比較して
白色光を簡易に生成することができる。さらには、ＬＥ
Ｄに特有のｐｎ制御の困難性などの問題も生じることが
ない。
白色光を簡易に生成することができる。さらには、ＬＥ
Ｄに特有のｐｎ制御の困難性などの問題も生じることが
ない。
【００１５】また、電子線照射源としてはカーボンナノ
チューブなどを用いることができるとともに、電子線照
射源とIII−Ｖ族窒化物半導体層との距離を小さくする
ことによって、商用電圧以下においても発光させること
ができる。また、必要とする電流値を非常に小さくでき
るため、白熱灯などと比較して消費電力を低減すること
ができる。
チューブなどを用いることができるとともに、電子線照
射源とIII−Ｖ族窒化物半導体層との距離を小さくする
ことによって、商用電圧以下においても発光させること
ができる。また、必要とする電流値を非常に小さくでき
るため、白熱灯などと比較して消費電力を低減すること
ができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に即して詳細に説明する。図１は、本発明の発光素子の
一例を示す構成図である。図１に示す本発明の発光素子
１０は、透明基材１と、この透明基材上に形成された希
土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層２とを具えて
いる。そして、III−Ｖ族窒化物半導体層２と対向する
ようにして、電子線照射源３が設けられている。
に即して詳細に説明する。図１は、本発明の発光素子の
一例を示す構成図である。図１に示す本発明の発光素子
１０は、透明基材１と、この透明基材上に形成された希
土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層２とを具えて
いる。そして、III−Ｖ族窒化物半導体層２と対向する
ようにして、電子線照射源３が設けられている。
【００１７】電子線照射源３とIII−Ｖ族窒化物半導体
層２との間に所定の電圧を印加することにより、電子線
照射源３からは所定の電子線Ａが発せられ、III−Ｖ族
窒化物半導体層２の主面２Ａ上に照射される。すると、
III−Ｖ族窒化物半導体層２中に含有された希土類元素
は電子線Ａを吸収し、励起されて、前記希土類元素に固
有の蛍光を発する。この蛍光は透明基材１を介し、光Ｂ
として取り出される。
層２との間に所定の電圧を印加することにより、電子線
照射源３からは所定の電子線Ａが発せられ、III−Ｖ族
窒化物半導体層２の主面２Ａ上に照射される。すると、
III−Ｖ族窒化物半導体層２中に含有された希土類元素
は電子線Ａを吸収し、励起されて、前記希土類元素に固
有の蛍光を発する。この蛍光は透明基材１を介し、光Ｂ
として取り出される。
【００１８】ここで、電子線照射源３から照射された電
子線によるチャージアップを抑制するため、III−Ｖ族
窒化物半導体層２は電気的に接地されている。したがっ
て、III−Ｖ族窒化物半導体層２中に含有させる希土類
元素の種類を適宜に選択することにより、前記希土類元
素の蛍光に起因した任意の色度の光Ｂを得ることができ
る。
子線によるチャージアップを抑制するため、III−Ｖ族
窒化物半導体層２は電気的に接地されている。したがっ
て、III−Ｖ族窒化物半導体層２中に含有させる希土類
元素の種類を適宜に選択することにより、前記希土類元
素の蛍光に起因した任意の色度の光Ｂを得ることができ
る。
【００１９】電子線照射源３とIII−Ｖ族窒化物半導体
層２との間の空間は、必要に応じて排気され、所定の真
空度に保持する。
層２との間の空間は、必要に応じて排気され、所定の真
空度に保持する。
【００２０】さらに、III−Ｖ族窒化物半導体層２中に
２種類以上の希土類元素を含有させることによって、こ
れらの希土類元素からの蛍光が互いに重畳され、より広
範囲な色度の光Ｂを簡易に得ることができる。
２種類以上の希土類元素を含有させることによって、こ
れらの希土類元素からの蛍光が互いに重畳され、より広
範囲な色度の光Ｂを簡易に得ることができる。
【００２１】そして、上述したような青色領域の波長の
光を生成させるためのＴｍ、緑色領域の波長の光を生成
するためのＥｒ、さらに、赤色領域の波長の光を生成す
るためのＥｕ又はＰｒを、それぞれ任意の割合で添加す
ることにより、白色光を生成し、発光させることができ
る。すなわち、従来のＬＥＤと比較して白色光を簡易に
得ることができる。
光を生成させるためのＴｍ、緑色領域の波長の光を生成
するためのＥｒ、さらに、赤色領域の波長の光を生成す
るためのＥｕ又はＰｒを、それぞれ任意の割合で添加す
ることにより、白色光を生成し、発光させることができ
る。すなわち、従来のＬＥＤと比較して白色光を簡易に
得ることができる。
【００２２】希土類元素の含有量については特に限定さ
れるものでないが、発光素子の発光強度を高めるべく、
可能な限り多量の希土類元素を含有させることが好まし
い。具体的には０．０１〜７原子％程度である。
れるものでないが、発光素子の発光強度を高めるべく、
可能な限り多量の希土類元素を含有させることが好まし
い。具体的には０．０１〜７原子％程度である。
【００２３】また、III−Ｖ族窒化物半導体層２を構成
する半導体材料は、一般にＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙ
Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦０）なる組成式で表すことができ、導
電性を付与すべく、必要に応じてＭｇ、Ｓｉ、又はＢな
どの添加元素を含有することもできる。さらには、Ｎの
一部をＡｓ及びＳｂで置換したものであっても良い。な
お、前記III−Ｖ族窒化物半導体層は単結晶である必要
はなく、多結晶であっても良い。
する半導体材料は、一般にＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙ
Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦０）なる組成式で表すことができ、導
電性を付与すべく、必要に応じてＭｇ、Ｓｉ、又はＢな
どの添加元素を含有することもできる。さらには、Ｎの
一部をＡｓ及びＳｂで置換したものであっても良い。な
お、前記III−Ｖ族窒化物半導体層は単結晶である必要
はなく、多結晶であっても良い。
【００２４】さらに、前記III−Ｖ族窒化物半導体層２
は、希土類元素を多量に含有して発光強度を向上させる
べく、バンドギャップの大きい半導体材料から構成され
ることが好ましい。したがって、上述した一般式におい
てＡｌ含有量が大きいことが好ましい。具体的には、Ａ
ｌを５０原子％含有することが好ましく、さらにはＡｌ
Ｎ（Ａｌを１００％含有）から構成されていることが好
ましい。
は、希土類元素を多量に含有して発光強度を向上させる
べく、バンドギャップの大きい半導体材料から構成され
ることが好ましい。したがって、上述した一般式におい
てＡｌ含有量が大きいことが好ましい。具体的には、Ａ
ｌを５０原子％含有することが好ましく、さらにはＡｌ
Ｎ（Ａｌを１００％含有）から構成されていることが好
ましい。
【００２５】III−Ｖ族窒化物半導体層２は、ＣＶＤ
法、ＭＯＣＶＤ法及びＭＢＥ法など公知の成膜方法によ
って作製することができる。また、III−Ｖ族窒化物半
導体層２中への希土類元素の添加は、ＣＶＤ法などにお
いて、希土類元素を含有した原料ガスを用いることによ
って行うことができる。また、ＭＢＥ法による場合にお
いては、所望の希土類元素原料を用いることによっても
行うことができる。
法、ＭＯＣＶＤ法及びＭＢＥ法など公知の成膜方法によ
って作製することができる。また、III−Ｖ族窒化物半
導体層２中への希土類元素の添加は、ＣＶＤ法などにお
いて、希土類元素を含有した原料ガスを用いることによ
って行うことができる。また、ＭＢＥ法による場合にお
いては、所望の希土類元素原料を用いることによっても
行うことができる。
【００２６】さらには、III−Ｖ族窒化物半導体層２を
所定の成膜方法によって作製した後、イオン注入法など
によって前記希土類元素を注入し、含有させることもで
きる。
所定の成膜方法によって作製した後、イオン注入法など
によって前記希土類元素を注入し、含有させることもで
きる。
【００２７】また、電子線照射源３には、上述したカー
ボンナノチューブの他、Ｓｉ、ＡｌＮ、ＬａＢ６を線源
として用いることができる。これらの電子線照射源を用
いるとともに、電子線照射源３とIII−Ｖ族窒化物半導
体層２との距離を５ｍｍ以下と小さくすることにより、
商用電圧以下の低い電圧で発光させることができる。例
えば、電子線照射源３とIII−Ｖ族窒化物半導体層２と
の距離を１ｍｍ程度とし、１００Ｖの商用電圧を用いた
場合、電界強度は１００ｋＶ／ｃｍの高電解とすること
ができる。
ボンナノチューブの他、Ｓｉ、ＡｌＮ、ＬａＢ６を線源
として用いることができる。これらの電子線照射源を用
いるとともに、電子線照射源３とIII−Ｖ族窒化物半導
体層２との距離を５ｍｍ以下と小さくすることにより、
商用電圧以下の低い電圧で発光させることができる。例
えば、電子線照射源３とIII−Ｖ族窒化物半導体層２と
の距離を１ｍｍ程度とし、１００Ｖの商用電圧を用いた
場合、電界強度は１００ｋＶ／ｃｍの高電解とすること
ができる。
【００２８】また、透明基材１には、サファイア、石英
ガラス、その他の酸化物、セラミック材料、半導体材料
などを用いることができる。
ガラス、その他の酸化物、セラミック材料、半導体材料
などを用いることができる。
【００２９】図２は、図１に示す発光素子１０の変形例
を示す構成図である。図２に示す発光素子１０は、III
−Ｖ族窒化物半導体層２の主面２Ａ上において、導電膜
４を有しており、この導電膜４は電気的に接地されてい
る。したがって、この場合においては、電子線照射源３
から照射されてきた電子線によってIII−Ｖ族窒化物半
導体層２がチャージアップするのをより効果的に抑制す
ることができ、発光素子１０を長時間安定的に動作させ
ることができる。
を示す構成図である。図２に示す発光素子１０は、III
−Ｖ族窒化物半導体層２の主面２Ａ上において、導電膜
４を有しており、この導電膜４は電気的に接地されてい
る。したがって、この場合においては、電子線照射源３
から照射されてきた電子線によってIII−Ｖ族窒化物半
導体層２がチャージアップするのをより効果的に抑制す
ることができ、発光素子１０を長時間安定的に動作させ
ることができる。
【００３０】導電膜４は、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔなどの金
属、ＩＴＯなどの導電性酸化物、ｎ型ＡｌＧａＮ、及び
ｐ型ＡｌＧａＮなどの導電性化合物半導体を例示するこ
とができる。
属、ＩＴＯなどの導電性酸化物、ｎ型ＡｌＧａＮ、及び
ｐ型ＡｌＧａＮなどの導電性化合物半導体を例示するこ
とができる。
【００３１】
【実施例】本実施例においては、図１に示すような発光
素子１０を作製した。２インチ径の厚さ４３０μmのサ
ファイア基板を透明基材１として用い、このサファイア
基板１を１０００℃に加熱するとともに、この基板上に
トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム及びアン
モニアの原料ガスを用い、III−Ｖ族窒化物半導体層と
してのＡｌ０．５Ｇａ０．５Ｎ層を厚さ２μｍに形成し
た。なお、適当な有機金属あるいはハロゲン化金属を用
いることにより、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｅｕの希土類元素
を前記Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎ層中に含有させた。
素子１０を作製した。２インチ径の厚さ４３０μmのサ
ファイア基板を透明基材１として用い、このサファイア
基板１を１０００℃に加熱するとともに、この基板上に
トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム及びアン
モニアの原料ガスを用い、III−Ｖ族窒化物半導体層と
してのＡｌ０．５Ｇａ０．５Ｎ層を厚さ２μｍに形成し
た。なお、適当な有機金属あるいはハロゲン化金属を用
いることにより、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｅｕの希土類元素
を前記Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎ層中に含有させた。
【００３２】このようにして作製したＡｌ０．５Ｇａ
０．５Ｎ層に対して、電子線照射源３としてのカーボン
ナノチューブより電子線を照射したところ、５０Ｌ／Ｗ
の強度の白色光が生成し、発光されるのが観察された。
すなわち、本発明の発光素子が実用的な照明用素子とし
て使用可能であることが確認された。
０．５Ｎ層に対して、電子線照射源３としてのカーボン
ナノチューブより電子線を照射したところ、５０Ｌ／Ｗ
の強度の白色光が生成し、発光されるのが観察された。
すなわち、本発明の発光素子が実用的な照明用素子とし
て使用可能であることが確認された。
【００３３】以上、具体例を挙げながら、本発明を発明
の実施の形態に即して詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
の実施の形態に即して詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
は、透明基材上に形成されたIII−Ｖ族窒化物半導体層
中に希土類元素を含有させ、この希土類元素に対して電
子線を照射し、前記希土類元素を励起して得た蛍光を利
用するものである。したがって、前記希土類元素の種類
を適宜に選択することにより、任意の色度、さらには白
色光を簡易に生成することができる。
は、透明基材上に形成されたIII−Ｖ族窒化物半導体層
中に希土類元素を含有させ、この希土類元素に対して電
子線を照射し、前記希土類元素を励起して得た蛍光を利
用するものである。したがって、前記希土類元素の種類
を適宜に選択することにより、任意の色度、さらには白
色光を簡易に生成することができる。
【００３５】また、有害物質を使用していないため、廃
棄処理上の問題を生じることもない。さらには、電子線
照射源を適宜に選択し、この電子線照射源とIII−Ｖ族
窒化物半導体層との距離を小さくすることにより、商用
電圧以下での動作が可能となり、消費電力を大幅に低減
させることができる。
棄処理上の問題を生じることもない。さらには、電子線
照射源を適宜に選択し、この電子線照射源とIII−Ｖ族
窒化物半導体層との距離を小さくすることにより、商用
電圧以下での動作が可能となり、消費電力を大幅に低減
させることができる。
【図１】本発明の発光素子の一例を示す構成図である。
【図２】図１に示す発光素子の変形例を示す構成図であ
る。
る。
１ 透明基材、２ III−Ｖ族窒化物半導体層、３ 電
子線照射源、４ 導電膜、１０ 発光素子、Ａ 電子
線、Ｂ 光
子線照射源、４ 導電膜、１０ 発光素子、Ａ 電子
線、Ｂ 光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 修 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4H001 XA00 XA07 XA21 XA39 XB30 XB40 XB50 5F041 AA11 CA40 CA50 CA57 CA64 FF11
Claims (5)
- 【請求項１】透明基材と、この透明基材上に形成され
た、希土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層と、こ
のIII−Ｖ族窒化物半導体層の表面から５ｍｍ以内の距
離において、前記III−Ｖ族窒化物半導体層と対向する
ように設けられた電子線照射源とを具え、この電子線照
射源より照射された電子線によって前記III−Ｖ族窒化
物半導体層中の希土類元素を励起し、発光させることを
特徴とする、発光素子。 - 【請求項２】前記III−Ｖ族窒化物半導体層は、その電
子線照射側に導電膜を具えることを特徴とする、請求項
１に記載の発光素子。 - 【請求項３】前記導電膜は、金属、導電性酸化物、導電
性化合物半導体から選ばれる少なくとも一種から構成さ
れていることを特徴とする、請求項２に記載の発光素
子。 - 【請求項４】前記III−Ｖ族窒化物半導体層は、２種類
以上の希土類元素を含有することを特徴とする、請求項
１〜３のいずれか一に記載の発光素子。 - 【請求項５】前記III−Ｖ族窒化物半導体層は、青色領
域の光を発する第１の希土類元素と、緑色領域の光を発
する第２の希土類元素と、赤色領域の光を発する第３の
希土類元素とを含み、全体として白色光を生成すること
を特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089092A JP2002289927A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 発光素子 |
| US10/097,275 US6713954B2 (en) | 2001-03-27 | 2002-03-15 | Light-emitting element |
| EP02006882A EP1246262A3 (en) | 2001-03-27 | 2002-03-26 | Light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089092A JP2002289927A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289927A true JP2002289927A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18944076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001089092A Pending JP2002289927A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6713954B2 (ja) |
| EP (1) | EP1246262A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002289927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005259864A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 多色光の発光方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972516B2 (en) * | 2002-06-14 | 2005-12-06 | University Of Cincinnati | Photopump-enhanced electroluminescent devices |
| US7118928B2 (en) | 2002-12-02 | 2006-10-10 | University Of Cincinnati | Method of forming a semiconductor phosphor layer by metalorganic chemical vapor deposition for use in light-emitting devices |
| EP1704596A2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-09-27 | Dot Metrics Technology, Inc. | Quantum dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth and methods of manufacture |
| AU2003280778A1 (en) * | 2003-11-13 | 2004-06-06 | Japan Communication Inc. | Field emission ultraviolet lamp |
| CN102576649B (zh) | 2009-08-26 | 2014-07-23 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 发光元件、其制造方法及其发光方法 |
| US9096799B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-08-04 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Luminescent element, preparation method thereof and luminescence method |
| JP5520381B2 (ja) * | 2009-08-26 | 2014-06-11 | 海洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | 窒化物を含む発光素子、その製造方法および発光方法 |
| EP2473010B1 (en) | 2009-08-26 | 2014-03-19 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Light emitting element, manufacturing method and light emitting method thereof |
| US9102874B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-08-11 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Luminescent element, preparation method thereof and luminescence method |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2254486B (en) * | 1991-03-06 | 1995-01-18 | Sony Corp | Flat image-display apparatus |
| JP3719613B2 (ja) * | 1995-04-24 | 2005-11-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2947156B2 (ja) * | 1996-02-29 | 1999-09-13 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
| FR2747686B1 (fr) * | 1996-04-22 | 2002-07-05 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Materiau fluorescent |
| JP3209096B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2001-09-17 | 豊田合成株式会社 | ３族窒化物化合物半導体発光素子 |
| EP0896354A1 (en) * | 1997-08-08 | 1999-02-10 | Pioneer Electronic Corporation | Electron emission device and display device using the same |
| JPH11307020A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Futaba Corp | 電界放出形表示素子 |
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2001
- 2001-03-27 JP JP2001089092A patent/JP2002289927A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-15 US US10/097,275 patent/US6713954B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-26 EP EP02006882A patent/EP1246262A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1246262A3 (en) | 2009-12-23 |
| US6713954B2 (en) | 2004-03-30 |
| US20020158569A1 (en) | 2002-10-31 |
| EP1246262A2 (en) | 2002-10-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050614 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060420 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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