JP2002016283A - 化合物半導体ウェハおよび発光素子 - Google Patents
化合物半導体ウェハおよび発光素子Info
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- JP2002016283A JP2002016283A JP2000195017A JP2000195017A JP2002016283A JP 2002016283 A JP2002016283 A JP 2002016283A JP 2000195017 A JP2000195017 A JP 2000195017A JP 2000195017 A JP2000195017 A JP 2000195017A JP 2002016283 A JP2002016283 A JP 2002016283A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 混合色発光素子を従来の単色光発光素子の製
造工程と全く同様の製造工程で製造でき、小型かつ軽量
化を図ることができる化合物半導体ウェハおよび発光素
子を提供する。 【解決手段】 この発光ダイオードは、希土類元素をド
ープした絶縁性あるいは半絶縁性を有する基板１上に、
窒化ガリウム系の複数の半導体層２，３，４，５，６か
ら構成される発光体を積層したものである。希土類元素
は発光体からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結
果的に発光体からの発光と希土類元素からの蛍光との混
合色が得られる。
造工程と全く同様の製造工程で製造でき、小型かつ軽量
化を図ることができる化合物半導体ウェハおよび発光素
子を提供する。 【解決手段】 この発光ダイオードは、希土類元素をド
ープした絶縁性あるいは半絶縁性を有する基板１上に、
窒化ガリウム系の複数の半導体層２，３，４，５，６か
ら構成される発光体を積層したものである。希土類元素
は発光体からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結
果的に発光体からの発光と希土類元素からの蛍光との混
合色が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、混合色を発生する
ことが可能な化合物半導体ウェハおよび発光素子に関
し、特に、混合色発光素子を従来の単色光発光素子の製
造工程と全く同様の製造工程で製造でき、小型かつ軽量
化を図ることができる化合物半導体ウェハおよび発光素
子に関する。
ことが可能な化合物半導体ウェハおよび発光素子に関
し、特に、混合色発光素子を従来の単色光発光素子の製
造工程と全く同様の製造工程で製造でき、小型かつ軽量
化を図ることができる化合物半導体ウェハおよび発光素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体を用いた発光素子
は、そのエネルギーバンドギャップに応じた単色光また
は単色光に近い光しか放出することができず、例えば
白、赤紫、ピンク等の色は表現できなかった。
は、そのエネルギーバンドギャップに応じた単色光また
は単色光に近い光しか放出することができず、例えば
白、赤紫、ピンク等の色は表現できなかった。
【０００３】しかし、近年では青色発光ダイオードと青
色以外の蛍光を有する蛍光体を組み合わせ、青色発光ダ
イオードの発光の一部を蛍光体の励起光とし、発光ダイ
オードからの発光と蛍光体からの蛍光との混合色、特に
白色を得る白色発光ダイオードが提案されている。
色以外の蛍光を有する蛍光体を組み合わせ、青色発光ダ
イオードの発光の一部を蛍光体の励起光とし、発光ダイ
オードからの発光と蛍光体からの蛍光との混合色、特に
白色を得る白色発光ダイオードが提案されている。
【０００４】このような従来の白色発光ダイオードとし
て、例えば、特開平５−ｌ５２６０９号公報に示される
ものがある。
て、例えば、特開平５−ｌ５２６０９号公報に示される
ものがある。
【０００５】この白色発光ダイオードは、青色の光を発
する青色発光素子を、その青色発光素子の発光によって
励起されて蛍光を発する蛍光材料を含む樹脂モールドに
よって包囲したものである。この青色発光素子からの青
色の光と蛍光材料からの蛍光との混合色、例えば白色光
を得ることができる。
する青色発光素子を、その青色発光素子の発光によって
励起されて蛍光を発する蛍光材料を含む樹脂モールドに
よって包囲したものである。この青色発光素子からの青
色の光と蛍光材料からの蛍光との混合色、例えば白色光
を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の白色発
光ダイオードによれば、樹脂モールドに蛍光材料を混入
させる工程が必要がある。この工程は従来の単色発光ダ
イオードの製造工程には含まれない工程であるため、従
来の単色発光ダイオードの製造工程をそのまま適用する
ことができず、これが白色発光ダイオードが高価である
ことの一因となっている。また、蛍光材料を混入させる
ための樹脂モールドが必要であるので、小型かつ軽量化
が制限される。
光ダイオードによれば、樹脂モールドに蛍光材料を混入
させる工程が必要がある。この工程は従来の単色発光ダ
イオードの製造工程には含まれない工程であるため、従
来の単色発光ダイオードの製造工程をそのまま適用する
ことができず、これが白色発光ダイオードが高価である
ことの一因となっている。また、蛍光材料を混入させる
ための樹脂モールドが必要であるので、小型かつ軽量化
が制限される。
【０００７】従って、本発明の目的は、混合色発光素子
を従来の単色光発光素子の製造工程と全く同様の製造工
程で製造することができる化合物半導体ウェハおよび発
光素子を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、小型かつ軽量化を図ることができる化合物半導体ウ
ェハおよび発光素子を提供することにある。
を従来の単色光発光素子の製造工程と全く同様の製造工
程で製造することができる化合物半導体ウェハおよび発
光素子を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、小型かつ軽量化を図ることができる化合物半導体ウ
ェハおよび発光素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、基板と、前記基板上に形成された複数の半
導体層からなる発光体とを備え、前記基板は、少なくと
も１種類の希土類元素を含むことを特徴とする化合物半
導体ウェハを提供する。上記構成によれば、希土類元素
は発光体からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結
果的に発光体からの発光と希土類元素からの蛍光との混
合色が得られる。
成するため、基板と、前記基板上に形成された複数の半
導体層からなる発光体とを備え、前記基板は、少なくと
も１種類の希土類元素を含むことを特徴とする化合物半
導体ウェハを提供する。上記構成によれば、希土類元素
は発光体からの発光によって励起されて蛍光を生じ、結
果的に発光体からの発光と希土類元素からの蛍光との混
合色が得られる。
【０００９】本発明は、上記目的を達成するため、基板
と、前記基板上に形成された複数の半導体層からなる発
光体と、前記発光体に電圧を印加するための一対の電極
とを備え、前記基板は、少なくとも１種類の希土類元素
を含むことを特徴とする発光素子を提供する。
と、前記基板上に形成された複数の半導体層からなる発
光体と、前記発光体に電圧を印加するための一対の電極
とを備え、前記基板は、少なくとも１種類の希土類元素
を含むことを特徴とする発光素子を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る発光ダ
イオードは、蛍光体である希土類元素がドープされてい
る絶縁性あるいは半絶縁性を有する基板上に、複数の半
導体層から構成される発光体を積層して化合物半導体ウ
ェハを形成し、この化合物半導体ウェハを加工すること
により得られる。
イオードは、蛍光体である希土類元素がドープされてい
る絶縁性あるいは半絶縁性を有する基板上に、複数の半
導体層から構成される発光体を積層して化合物半導体ウ
ェハを形成し、この化合物半導体ウェハを加工すること
により得られる。
【００１１】希土類元素は、発光体からの発光によつて
励起されて蛍光を生じ、結果的に発光体からの発光と希
土類元素からの蛍光との混合色が得られる。希土類元素
は、必ずしも１種類である必要はなく、複数であっても
よく、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのい
ずれかの元素から選択される。希土類元素は、元素ごと
に特定の波長の蛍光を生じるため、希土類元素の種類を
適当に選択することで所望の混合色を得ることが可能で
ある。例えば、発光体からの発光と補色の関係にある蛍
光を有する蛍光体を用いれば白色を得ることが可能であ
る。
励起されて蛍光を生じ、結果的に発光体からの発光と希
土類元素からの蛍光との混合色が得られる。希土類元素
は、必ずしも１種類である必要はなく、複数であっても
よく、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのい
ずれかの元素から選択される。希土類元素は、元素ごと
に特定の波長の蛍光を生じるため、希土類元素の種類を
適当に選択することで所望の混合色を得ることが可能で
ある。例えば、発光体からの発光と補色の関係にある蛍
光を有する蛍光体を用いれば白色を得ることが可能であ
る。
【００１２】発光体を構成する半導体層は、特に制限は
ないが、一般的に、蛍光体の励起に必要な波長は蛍光の
波長よりも短くなければならないことを考慮すると、青
色の発光を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導
体が好ましい。この場合、基板としては、ＧａＮ系化合
物半導体の積層に最適であるサファイア基板が好まし
い。また、半導体層は、必ずしもＧａＮ系化合物半導体
で構成される必要はなく、所望の色および蛍光体の最適
励起波長に合わせてＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、Ｇａ
Ｐ系等の化合物半導体で構成してもよい。この場合、基
板としては、それぞれの半導体層に適した材料、例えば
ＧａＡｓ基板等を用いることができる。さらに、発光体
の発光は必ずしも単色である必要はなく、所望の色が得
られるように２つ以上の発光スペクトルのピークを有す
るように半導体層を構成してもよい。
ないが、一般的に、蛍光体の励起に必要な波長は蛍光の
波長よりも短くなければならないことを考慮すると、青
色の発光を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導
体が好ましい。この場合、基板としては、ＧａＮ系化合
物半導体の積層に最適であるサファイア基板が好まし
い。また、半導体層は、必ずしもＧａＮ系化合物半導体
で構成される必要はなく、所望の色および蛍光体の最適
励起波長に合わせてＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、Ｇａ
Ｐ系等の化合物半導体で構成してもよい。この場合、基
板としては、それぞれの半導体層に適した材料、例えば
ＧａＡｓ基板等を用いることができる。さらに、発光体
の発光は必ずしも単色である必要はなく、所望の色が得
られるように２つ以上の発光スペクトルのピークを有す
るように半導体層を構成してもよい。
【００１３】蛍光体は、必ずしも１種類または２種類で
ある必要はなく、必要に応じて３種類以上のものを用い
てもよい。また、蛍光体の発光波長は必ずしも１つであ
る必要はなく２つ以上の発光ピークを有するものを使用
してもよい。
ある必要はなく、必要に応じて３種類以上のものを用い
てもよい。また、蛍光体の発光波長は必ずしも１つであ
る必要はなく２つ以上の発光ピークを有するものを使用
してもよい。
【００１４】発光体および蛍光体は、共にそれぞれのエ
ネルギー準位で規定されている波長の光しか放出できな
い。そのため、これらを単独で発光させたときのＣＩＥ
−ＸＹＺ表色系における色度座標はある一点に定まる。
発光体の発光の色度座標を（ＸLED，ＹLED）、蛍光体の
発光の色度座標を（ＸPH，ＹPH）とすると、本実施の形
態による発光体の発光の色度座標はこの２点（ＸLED，
ＹLED）、（ＸPH，ＹPH）を結ぶ直線上に存在する。直
線上のどの点になるかは発光体の発光強度と蛍光体の発
光強度の比で決まり、発光体の発光強度が強ければ、
（ＸLED，ＹLED）に近づき、蛍光体の発光強度に近づけ
ば、（ＸPH，ＹPH）に近づく。従って、蛍光体の配合量
を制御することで２点間を結ぶ直線上の所望の色を得る
ことができる。また、蛍光体が２種類以上ある場合に
は、同様の方法で順次混合色の色度座標を求めていけば
最終的な発光体の色度座標が求まる。なお、ＣＩＥ−Ｘ
ＹＺ表色系における混色については、例えば「光工学ハ
ンドブック」（小瀬他，朝倉書店（１９８６））ｐｌ１
６−ｌｌ９に詳細が述べられている。
ネルギー準位で規定されている波長の光しか放出できな
い。そのため、これらを単独で発光させたときのＣＩＥ
−ＸＹＺ表色系における色度座標はある一点に定まる。
発光体の発光の色度座標を（ＸLED，ＹLED）、蛍光体の
発光の色度座標を（ＸPH，ＹPH）とすると、本実施の形
態による発光体の発光の色度座標はこの２点（ＸLED，
ＹLED）、（ＸPH，ＹPH）を結ぶ直線上に存在する。直
線上のどの点になるかは発光体の発光強度と蛍光体の発
光強度の比で決まり、発光体の発光強度が強ければ、
（ＸLED，ＹLED）に近づき、蛍光体の発光強度に近づけ
ば、（ＸPH，ＹPH）に近づく。従って、蛍光体の配合量
を制御することで２点間を結ぶ直線上の所望の色を得る
ことができる。また、蛍光体が２種類以上ある場合に
は、同様の方法で順次混合色の色度座標を求めていけば
最終的な発光体の色度座標が求まる。なお、ＣＩＥ−Ｘ
ＹＺ表色系における混色については、例えば「光工学ハ
ンドブック」（小瀬他，朝倉書店（１９８６））ｐｌ１
６−ｌｌ９に詳細が述べられている。
【００１５】本実施の形態によれば、基板そのものが発
光するため、化合物半導体ウェハの形状は、従来の単色
光発光素子、およびその製造のための化合物半導体ウェ
ハと全く同様の形状とすることができる。そのため、発
光素子内に蛍光体含有層を設けたりする必要はなく、従
来の単色光発光素子の製造工程と全く同様の製造工程で
混合色発光素子を製造することが可能になる。また、希
土類元素のドープ量を制御することで、発光体からの発
光と希土類元素からの蛍光の割合を制御し、混合色を制
御することも可能である。また、本発光ダイオードは、
照明機器、液晶用バックライト、各種インジケータ、表
示パネル等、これまで単色の発光ダイオードでは表現で
きなかった分野に応用が可能である。さらに、低消費電
力、軽量、小型等の利点を生かし、蛍光灯等の従来の照
明機器の置き換えも可能である。
光するため、化合物半導体ウェハの形状は、従来の単色
光発光素子、およびその製造のための化合物半導体ウェ
ハと全く同様の形状とすることができる。そのため、発
光素子内に蛍光体含有層を設けたりする必要はなく、従
来の単色光発光素子の製造工程と全く同様の製造工程で
混合色発光素子を製造することが可能になる。また、希
土類元素のドープ量を制御することで、発光体からの発
光と希土類元素からの蛍光の割合を制御し、混合色を制
御することも可能である。また、本発光ダイオードは、
照明機器、液晶用バックライト、各種インジケータ、表
示パネル等、これまで単色の発光ダイオードでは表現で
きなかった分野に応用が可能である。さらに、低消費電
力、軽量、小型等の利点を生かし、蛍光灯等の従来の照
明機器の置き換えも可能である。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の実施例１の発光ダイオード
を示す。この発光ダイオードは、Ｅｒをドープしたサフ
ァイア基板１と、この基板１上に順次形成されたＳｉド
ープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層３、
アンドープＧａＮ層４、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層５
およびＭｇドープｐ型ＧａＮ層６と、Ｍｇドープｐ型Ｇ
ａＮ層６上に形成されたｐ型電極７と、Ｓｉドープｎ型
ＧａＮ層２上に形成されたｎ型電極８とを有する。
を示す。この発光ダイオードは、Ｅｒをドープしたサフ
ァイア基板１と、この基板１上に順次形成されたＳｉド
ープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層３、
アンドープＧａＮ層４、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層５
およびＭｇドープｐ型ＧａＮ層６と、Ｍｇドープｐ型Ｇ
ａＮ層６上に形成されたｐ型電極７と、Ｓｉドープｎ型
ＧａＮ層２上に形成されたｎ型電極８とを有する。
【００１７】次に、この発光ダイオードの製造方法を説
明する。まず、Ｅｒをドープしたサファイア基板１を準
備し、このＥｒドープサファイア基板１上に、有機金属
気相成長法を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉ
ドープｎ型ＡｌＧａＮ層３、アンドープＧａＮ層４、Ｍ
ｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層
６をこの順に積層する。Ｍｇドープ層５，６をｐ型化さ
せるために窒素雰囲気中で熱処理を施す。この熱処理を
施してＭｇドープ層５，６をｐ型化させる段階で、結晶
表面の一部をエッチングによりｎ型ＧａＮ層２に到達す
るまで掘り下げ、ｎ型ＧａＮ層２上にｎ側電極８を、ｐ
型ＧａＮ層６上にｐ側電極７をそれぞれ形成すると、ダ
ブルヘテロ構造のＧａＮ系ＬＥＤが作製できる。なお、
これらＧａＮ系材料を積層して成長させることにより発
光ダイオードを作製する技術は公知であり、例えば、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６４（１９９４）１６８
７‐１６８９等に詳しく開示されている。
明する。まず、Ｅｒをドープしたサファイア基板１を準
備し、このＥｒドープサファイア基板１上に、有機金属
気相成長法を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉ
ドープｎ型ＡｌＧａＮ層３、アンドープＧａＮ層４、Ｍ
ｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層５、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層
６をこの順に積層する。Ｍｇドープ層５，６をｐ型化さ
せるために窒素雰囲気中で熱処理を施す。この熱処理を
施してＭｇドープ層５，６をｐ型化させる段階で、結晶
表面の一部をエッチングによりｎ型ＧａＮ層２に到達す
るまで掘り下げ、ｎ型ＧａＮ層２上にｎ側電極８を、ｐ
型ＧａＮ層６上にｐ側電極７をそれぞれ形成すると、ダ
ブルヘテロ構造のＧａＮ系ＬＥＤが作製できる。なお、
これらＧａＮ系材料を積層して成長させることにより発
光ダイオードを作製する技術は公知であり、例えば、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６４（１９９４）１６８
７‐１６８９等に詳しく開示されている。
【００１８】図２は、こうして作製した発光ダイオード
の電極７，８にそれぞれワイヤ９をボンデイングして通
電して得られた発光スペクトルである。波長４５０ｎｍ
近傍のピークはＧａＮ活性層４からの発光であり、波長
５４０ｎｍ近傍のピークはサファイア基板１にドープさ
れたＥｒからの発光である。色度座標を測定したところ
ｘ＝１．６、ｙ＝２．７であった。目視により確認した
ところ、発光はやや青みのかかった白色であった。
の電極７，８にそれぞれワイヤ９をボンデイングして通
電して得られた発光スペクトルである。波長４５０ｎｍ
近傍のピークはＧａＮ活性層４からの発光であり、波長
５４０ｎｍ近傍のピークはサファイア基板１にドープさ
れたＥｒからの発光である。色度座標を測定したところ
ｘ＝１．６、ｙ＝２．７であった。目視により確認した
ところ、発光はやや青みのかかった白色であった。
【００１９】図３は、本発明の実施例２に係る発光ダイ
オードを示す。この第２の実施の形態は、サファイア基
板１０にＥｒおよびＥｕをドープしたものを用いたもの
であり、他は第１の実施の形態と同様に構成されてい
る。
オードを示す。この第２の実施の形態は、サファイア基
板１０にＥｒおよびＥｕをドープしたものを用いたもの
であり、他は第１の実施の形態と同様に構成されてい
る。
【００２０】図４は、この発光ダイオードの電極７，８
にそれぞれワイヤ９をボンディングして通電して得られ
た発光スペクトルである。波長４５０ｎｍ近傍のピーク
はＧａＮ活性層４からの発光、波長５４０ｎｍ近傍のピ
ークはサファイア基板１０にドープされたＥｒからの発
光、波長６２０ｎｍ近傍のピークはサファイア基板１０
にドープされたＥｕからの発光である。色度座標を測定
したところｘ＝２．７、ｙ＝２．７であった。目視によ
り確認したところ、発光は白色であった。
にそれぞれワイヤ９をボンディングして通電して得られ
た発光スペクトルである。波長４５０ｎｍ近傍のピーク
はＧａＮ活性層４からの発光、波長５４０ｎｍ近傍のピ
ークはサファイア基板１０にドープされたＥｒからの発
光、波長６２０ｎｍ近傍のピークはサファイア基板１０
にドープされたＥｕからの発光である。色度座標を測定
したところｘ＝２．７、ｙ＝２．７であった。目視によ
り確認したところ、発光は白色であった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に希土類元素をドープしているので、発光体からの
発光と希土類元素からの蛍光との混合色が得られ、発光
素子内に蛍光体含有層を設ける必要がないため、従来の
単色光発光素子の製造工程と全く同様の製造工程で小型
かつ軽量の混色発光素子を製造することができる。
基板に希土類元素をドープしているので、発光体からの
発光と希土類元素からの蛍光との混合色が得られ、発光
素子内に蛍光体含有層を設ける必要がないため、従来の
単色光発光素子の製造工程と全く同様の製造工程で小型
かつ軽量の混色発光素子を製造することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオー
ドの構造を示す断面図
ドの構造を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオー
ドの発光スペクトル
ドの発光スペクトル
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る発光ダイオー
ドの構造を示す断面図
ドの構造を示す断面図
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る発光ダイオー
ドの発光スペクトル
ドの発光スペクトル
１ Ｅｒドープサファイア基板 ２ Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層 ３ Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層 ４ アンドープＧａＮ活性層 ５ Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層 ６ Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層 ７ ｐ型電極 ８ ｎ型電極 ９ ワイヤ １０ Ｅｒ，Ｅｕドープサファイア基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土屋 忠厳 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 Ｆターム(参考） 4H001 CA05 CA07 XA07 XA08 XA13 XA31 YA12 YA14 YA58 YA60 YA62 YA63 YA68 YA69 YA70 5F041 AA14 AA47 CA34 CA35 CA36 CA37 CA40 CA46 CA49 CA50 CA57 DA07 FF01 FF11
Claims (11)
- 【請求項１】基板と、 前記基板上に形成された複数の半導体層からなる発光体
とを備え、 前記基板は、少なくとも１種類の希土類元素を含むこと
を特徴とする化合物半導体ウェハ。 - 【請求項２】前記少なくとも１種類の希土類元素は、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのいずれかの
元素であることを特徴とする請求項１記載の化合物半導
体ウェハ。 - 【請求項３】前記基板は、主にサファイアで構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体ウェ
ハ。 - 【請求項４】前記発光体は、窒化ガリウム系の前記複数
の半導体層で構成されることを特徴とする請求項１記載
の化合物半導体ウェハ。 - 【請求項５】前記発光体は、少なくとも１組のｐｎ接合
を構成していることを特徴とする請求項１記載の化合物
半導体ウェハ。 - 【請求項６】サファイア基板上に、Ｓｉドープｎ型Ｇａ
Ｎ層、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層、アンドープＧａＮ
層、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層およびＭｇドープｐ型
ＧａＮ層をこの順に積層してなる化合物半導体ウェハに
おいて、 前記サファイア基板は、Ｅｒをドープされたことを特徴
とする化合物半導体ウェハ。 - 【請求項７】サファイア基板上に、Ｓｉドープｎ型Ｇａ
Ｎ層、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層、アンドープＧａＮ
層、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮ層およびＭｇドープｐ型
ＧａＮ層をこの順に積層してなる化合物半導体ウェハに
おいて、 前記サファイア基板は、ＥｒおよびＥｕをドープされた
ことを特徴とする化合物半導体ウェハ。 - 【請求項８】基板と、 前記基板上に形成された複数の半導体層からなる発光体
と、 前記発光体に電圧を印加するための一対の電極とを備
え、 前記基板は、少なくとも１種類の希土類元素を含むこと
を特徴とする発光素子。 - 【請求項９】前記発光体は、発光スペクトルに少なくと
も２つのピークを有することを特徴とする請求項８記載
の発光素子。 - 【請求項１０】前記発光体の発光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色
系における色度座標は、０．２≦ｘ≦０．５、かつ、
０．２≦ｙ≦０．５の範囲にあることを特徴とする請求
項８記載の発光素子。 - 【請求項１１】前記少なくとも１種類の希土類元素は、
前記発光体からの発光と補色の関係にある蛍光を有する
ことを特徴とする請求項８記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000195017A JP2002016283A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 化合物半導体ウェハおよび発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000195017A JP2002016283A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 化合物半導体ウェハおよび発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016283A true JP2002016283A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18693759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000195017A Pending JP2002016283A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 化合物半導体ウェハおよび発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109792A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Sony Corp | 半導体発光素子および波長変換基板 |
-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000195017A patent/JP2002016283A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007109792A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Sony Corp | 半導体発光素子および波長変換基板 |
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