JP2002231995A - 半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ - Google Patents
半導体発光素子及びエピタキシャルウェハInfo
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- JP2002231995A JP2002231995A JP2001029301A JP2001029301A JP2002231995A JP 2002231995 A JP2002231995 A JP 2002231995A JP 2001029301 A JP2001029301 A JP 2001029301A JP 2001029301 A JP2001029301 A JP 2001029301A JP 2002231995 A JP2002231995 A JP 2002231995A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】一種類の材料系からなる半導体発光素子を基
に、簡便な方法で作成でき、白色、中間色を含む様々な
色合いの発光が得られる半導体発光素子及びそのための
エピタキシャルウェハを安価に提供すること。 【解決手段】基板１上に少なくとも第１導電型の下部ク
ラッド層３と、該下部クラッド層よりバンドギャップエ
ネルギーが小さい発光層４と、該発光層よりバンドギャ
ップエネルギーが大きい第２導電型の上部クラッド層５
を積層してなる半導体発光素子において、前記下部クラ
ッド層３または上部クラッド層５のうち少なくとも一方
に１種類以上の希土類元素を含ませ、このクラッド層に
ドープされた希土類元素が前記発光層４からの発光によ
って励起され蛍光を生じるように構成する。
に、簡便な方法で作成でき、白色、中間色を含む様々な
色合いの発光が得られる半導体発光素子及びそのための
エピタキシャルウェハを安価に提供すること。 【解決手段】基板１上に少なくとも第１導電型の下部ク
ラッド層３と、該下部クラッド層よりバンドギャップエ
ネルギーが小さい発光層４と、該発光層よりバンドギャ
ップエネルギーが大きい第２導電型の上部クラッド層５
を積層してなる半導体発光素子において、前記下部クラ
ッド層３または上部クラッド層５のうち少なくとも一方
に１種類以上の希土類元素を含ませ、このクラッド層に
ドープされた希土類元素が前記発光層４からの発光によ
って励起され蛍光を生じるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単色光以外の発光
を得ることが可能な半導体発光素子及びエピタキシャル
ウェハに関するものである。
を得ることが可能な半導体発光素子及びエピタキシャル
ウェハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表示用の可視光発光素子には、半
導体発光素子がよく用いられている。半導体発光素子は
発光層に用いる材料によって発光波長がきまり、発光ス
ペクトルの鋭い単色光が得られる。従来使用されている
半導体発光素子は、ＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体発光
素子、ＧａＰ系の緑色半導体発光素子が一般的で、最近
これにＧａＮ系の青色半導体発光素子が加わって、赤、
青、緑の光の３原色が揃い、半導体発光素子によるフル
カラーディスプレイが可能になった。
導体発光素子がよく用いられている。半導体発光素子は
発光層に用いる材料によって発光波長がきまり、発光ス
ペクトルの鋭い単色光が得られる。従来使用されている
半導体発光素子は、ＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体発光
素子、ＧａＰ系の緑色半導体発光素子が一般的で、最近
これにＧａＮ系の青色半導体発光素子が加わって、赤、
青、緑の光の３原色が揃い、半導体発光素子によるフル
カラーディスプレイが可能になった。
【０００３】一方、蛍光体を利用した発光機器には、低
圧水銀放電により放出される紫外線を励起光源とした蛍
光ランプが広く利用されている。
圧水銀放電により放出される紫外線を励起光源とした蛍
光ランプが広く利用されている。
【０００４】近年では、一つの半導体光素子内に、複数
個の異なる材料からなるチップを搭載し、それらからの
発光を混合することにより様々な色合いを出すことが可
能な半導体素子が提供されている。
個の異なる材料からなるチップを搭載し、それらからの
発光を混合することにより様々な色合いを出すことが可
能な半導体素子が提供されている。
【０００５】また、青色半導体発光素子と青色以外の蛍
光を持つ蛍光体を組み合わせ、青色半導体発光素子の発
光の一部を蛍光体の励起光とし、発光素子からの発光と
蛍光体からの蛍光の混合色、特に白色を得る半導体発光
素子も提供されている。
光を持つ蛍光体を組み合わせ、青色半導体発光素子の発
光の一部を蛍光体の励起光とし、発光素子からの発光と
蛍光体からの蛍光の混合色、特に白色を得る半導体発光
素子も提供されている。
【０００６】このような半導体発光素子の一例として、
例えば特開平５−１５２６０９号公報による方法が公知
である。この方法では、一般式Ｇａz1Ａｌ1-z1Ｎ（０≦
Ｚ１≦１）で表される化合物半導体からなる発光ダイオ
ードチップをステム上に配置し、その周囲を樹脂でモー
ルドする。上記樹脂には蛍光物質が含有されており、上
記蛍光物質は発光ダイオードチップからの放射光により
励起され、蛍光を生じる。結果として、発光ダイオード
チップからの発光と蛍光物質からの蛍光の混合光を得る
ことができる。
例えば特開平５−１５２６０９号公報による方法が公知
である。この方法では、一般式Ｇａz1Ａｌ1-z1Ｎ（０≦
Ｚ１≦１）で表される化合物半導体からなる発光ダイオ
ードチップをステム上に配置し、その周囲を樹脂でモー
ルドする。上記樹脂には蛍光物質が含有されており、上
記蛍光物質は発光ダイオードチップからの放射光により
励起され、蛍光を生じる。結果として、発光ダイオード
チップからの発光と蛍光物質からの蛍光の混合光を得る
ことができる。
【０００７】さらに、上記とは異なる方法として、特開
２０００−４９３７４号公報による方法が公知である。
この方法では、蛍光中心をドープしたＧａＮ基板やＺｎ
Ｓｅ基板上に、Ｇａ1-z2Ｉｎz2Ｎ（０≦ｚ２≦１）で表
される化合物半導体で構成される発光層を積層し、発光
ダイオードチップを得る。ＧａＮ基板に含有される蛍光
中心は発光層からの放射光により励起され、蛍光を生じ
る。結果として、発光層からの発光とＧａＮ基板に含有
された蛍光中心からの蛍光の混合光を得ることができ
る。
２０００−４９３７４号公報による方法が公知である。
この方法では、蛍光中心をドープしたＧａＮ基板やＺｎ
Ｓｅ基板上に、Ｇａ1-z2Ｉｎz2Ｎ（０≦ｚ２≦１）で表
される化合物半導体で構成される発光層を積層し、発光
ダイオードチップを得る。ＧａＮ基板に含有される蛍光
中心は発光層からの放射光により励起され、蛍光を生じ
る。結果として、発光層からの発光とＧａＮ基板に含有
された蛍光中心からの蛍光の混合光を得ることができ
る。
【０００８】また、特開２０００−８２８４５号公報に
よる方法も公知である。この方法では、蛍光中心をドー
プしたＺｎＳｅ基板上に、ＺｎＳｅもしくはＺｎＳｅと
Ｚｎ 1-z3Ｃｄz3Ｓｅで表される発光層を積層し、発光ダ
イオードチップを得る。ＺｎＳｅ基板に含有される蛍光
中心は発光層からの放射光により励起され、蛍光を生じ
る。結果として、発光層からの発光とＺｎＳｅ基板に含
有された蛍光中心からの蛍光の混合光を得ることができ
る。
よる方法も公知である。この方法では、蛍光中心をドー
プしたＺｎＳｅ基板上に、ＺｎＳｅもしくはＺｎＳｅと
Ｚｎ 1-z3Ｃｄz3Ｓｅで表される発光層を積層し、発光ダ
イオードチップを得る。ＺｎＳｅ基板に含有される蛍光
中心は発光層からの放射光により励起され、蛍光を生じ
る。結果として、発光層からの発光とＺｎＳｅ基板に含
有された蛍光中心からの蛍光の混合光を得ることができ
る。
【０００９】このように、従来、１つの半導体発光素子
で白色や中間色を出すためには、１つの半導体発光素子
内に複数個の異なる材料からなるチップを搭載したり、
樹脂モールドに蛍光材料を含有させたり、基板に蛍光体
を添加するなどしていた。
で白色や中間色を出すためには、１つの半導体発光素子
内に複数個の異なる材料からなるチップを搭載したり、
樹脂モールドに蛍光材料を含有させたり、基板に蛍光体
を添加するなどしていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１つの
半導体発光素子内に複数個の異なる材料からなるチップ
を搭載する形態の場合、半導体発光素子の構造が複雑で
製作が難しいので、従って高価であり、また色合いの微
調整が難しいといった問題があった。
半導体発光素子内に複数個の異なる材料からなるチップ
を搭載する形態の場合、半導体発光素子の構造が複雑で
製作が難しいので、従って高価であり、また色合いの微
調整が難しいといった問題があった。
【００１１】また、樹脂モールドに蛍光材料を含有させ
る形態の場合には、そのように樹脂モールドに蛍光材料
を含有させる工程が必須であり、この工程は従来の単色
発光ダイオードの製造工程には含まれないため、単色発
光ダイオードの樹脂モールド工程をそのまま適用するこ
とができない。
る形態の場合には、そのように樹脂モールドに蛍光材料
を含有させる工程が必須であり、この工程は従来の単色
発光ダイオードの製造工程には含まれないため、単色発
光ダイオードの樹脂モールド工程をそのまま適用するこ
とができない。
【００１２】一方、基板に蛍光体を添加する形態の場合
には、蛍光体の種類を変えることで色合いの微妙な調整
が可能である反面、蛍光体が基板に添加されているため
に、様々な色の発光素子をラインナップするためには多
種類の基板を作製する必要があり、コストの増加を招い
ていた。
には、蛍光体の種類を変えることで色合いの微妙な調整
が可能である反面、蛍光体が基板に添加されているため
に、様々な色の発光素子をラインナップするためには多
種類の基板を作製する必要があり、コストの増加を招い
ていた。
【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、一種類の材料系からなる半導体発光素子を基に、簡
便な方法で作成でき、半導体発光素子の長所である小
型、軽量、低消費電力、長寿命といった点を活かしつ
つ、これまでできなかった白色、中間色を含む様々な色
合いの発光が得られる半導体発光素子及びそのためのエ
ピタキシャルウェハを安価で提供することにある。
し、一種類の材料系からなる半導体発光素子を基に、簡
便な方法で作成でき、半導体発光素子の長所である小
型、軽量、低消費電力、長寿命といった点を活かしつ
つ、これまでできなかった白色、中間色を含む様々な色
合いの発光が得られる半導体発光素子及びそのためのエ
ピタキシャルウェハを安価で提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１５】請求項１の発明に係る半導体発光素子は、
基板上に少なくとも第１導電型の下部クラッド層と、該
下部クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい
発光層と、該発光層よりバンドギャップエネルギーが大
きい第２導電型の上部クラッド層を積層してなる半導体
発光素子において、前記下部クラッド層または上部クラ
ッド層のうち少なくとも一方に１種類以上の希土類元素
を含ませ、このクラッド層にドープされた希土類元素
が、前記発光層からの発光によって励起され蛍光を生じ
るように構成したことを特徴とする。
基板上に少なくとも第１導電型の下部クラッド層と、該
下部クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい
発光層と、該発光層よりバンドギャップエネルギーが大
きい第２導電型の上部クラッド層を積層してなる半導体
発光素子において、前記下部クラッド層または上部クラ
ッド層のうち少なくとも一方に１種類以上の希土類元素
を含ませ、このクラッド層にドープされた希土類元素
が、前記発光層からの発光によって励起され蛍光を生じ
るように構成したことを特徴とする。
【００１６】前記希土類元素は、そのうち少なくとも１
種類がＣｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのい
ずれかの元素である（請求項２）。
種類がＣｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのい
ずれかの元素である（請求項２）。
【００１７】また請求項９の発明に係るエピタキシャル
ウェハは、基板上に少なくとも第１導電型の下部クラッ
ド層と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネルギ
ーが小さい発光層と、該発光層よりバンドギャップエネ
ルギーが大きい第２導電型の上部クラッド層を積層して
なるエピタキシャルウェハにおいて、前記下部クラッド
層または上部クラッド層のうち少なくとも一方に、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのいずれかの
元素である１種類以上の希土類元素を含ませたことを特
徴とする。
ウェハは、基板上に少なくとも第１導電型の下部クラッ
ド層と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネルギ
ーが小さい発光層と、該発光層よりバンドギャップエネ
ルギーが大きい第２導電型の上部クラッド層を積層して
なるエピタキシャルウェハにおいて、前記下部クラッド
層または上部クラッド層のうち少なくとも一方に、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのいずれかの
元素である１種類以上の希土類元素を含ませたことを特
徴とする。
【００１８】本発明の半導体発光素子又はエピタキシャ
ルウェハにおいては、前記積層された各層のうち、少な
くとも１層が（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｎ系（０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の半導体層で構成される（請求項
３、請求項１０）。
ルウェハにおいては、前記積層された各層のうち、少な
くとも１層が（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｎ系（０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の半導体層で構成される（請求項
３、請求項１０）。
【００１９】また、本発明の一形態においては、前記積
層された各層のうち、少なくとも１層がＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ系（０≦ｘ≦１）の半導体層で構成される（請求項
４、請求項１１）。
層された各層のうち、少なくとも１層がＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ系（０≦ｘ≦１）の半導体層で構成される（請求項
４、請求項１１）。
【００２０】また、本発明の他の形態においては、前記
積層された各層のうち、少なくとも１層が（Ａｌx Ｇａ
1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ系（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の半
導体層で構成される（請求項５、請求項１２）。
積層された各層のうち、少なくとも１層が（Ａｌx Ｇａ
1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ系（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の半
導体層で構成される（請求項５、請求項１２）。
【００２１】また、本発明の他の形態においては、前記
積層された各層のうち、少なくとも１層がＺｎＳｅ系の
半導体層で構成される（請求項６、請求項１３）。
積層された各層のうち、少なくとも１層がＺｎＳｅ系の
半導体層で構成される（請求項６、請求項１３）。
【００２２】さらに本発明の半導体発光素子において
は、発光スペクトルに少なくとも２つのピークを持ち
（請求項７）、また、発光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系にお
ける色度座標が０．２≦ｘ≦０．５且つ、０．２≦ｙ≦
０．５の範囲にあることを特徴とする（請求項８）。
は、発光スペクトルに少なくとも２つのピークを持ち
（請求項７）、また、発光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系にお
ける色度座標が０．２≦ｘ≦０．５且つ、０．２≦ｙ≦
０．５の範囲にあることを特徴とする（請求項８）。
【００２３】＜発明の要点＞本発明の要点は、半導体発
光素子の発光層に隣接するクラッド層に希土類元素をド
ープした点にある。これらの希土類元素は該発光層から
の発光によって励起されて蛍光を生じ、結果的に該発光
層からの発光と希土類元素からの蛍光の混合色を得るこ
とができる。これにより、半導体発光素子の種類、即ち
材料を変えることなく、前記挿入層にドープする希土類
元素を変えるだけで様々な色の半導体発光素子を得るこ
とができる。
光素子の発光層に隣接するクラッド層に希土類元素をド
ープした点にある。これらの希土類元素は該発光層から
の発光によって励起されて蛍光を生じ、結果的に該発光
層からの発光と希土類元素からの蛍光の混合色を得るこ
とができる。これにより、半導体発光素子の種類、即ち
材料を変えることなく、前記挿入層にドープする希土類
元素を変えるだけで様々な色の半導体発光素子を得るこ
とができる。
【００２４】＜作用＞本発明による半導体発光素子又は
エピタキシャルウェハにおいては、そのクラッド層に希
土類元素がドープされている。これらの希土類元素は前
記発光層からの発光によって励起され蛍光を生じ、結果
的に前記発光層からの発光と前記挿入層の希土類元素か
らの蛍光の混合色を得ることができる。
エピタキシャルウェハにおいては、そのクラッド層に希
土類元素がドープされている。これらの希土類元素は前
記発光層からの発光によって励起され蛍光を生じ、結果
的に前記発光層からの発光と前記挿入層の希土類元素か
らの蛍光の混合色を得ることができる。
【００２５】希土類元素は元素ごとに特定の波長の蛍光
を生じるため、希土類元素の種類を適当に選択すること
で、所望の混合色を得ることが可能である。例えば、前
記発光層からの発光と補色の関係にある蛍光を有する蛍
光体を用いれば、白色を得ることが可能である。希土類
元素は必ずしも１種類である必要はなく、複数であって
もよい。
を生じるため、希土類元素の種類を適当に選択すること
で、所望の混合色を得ることが可能である。例えば、前
記発光層からの発光と補色の関係にある蛍光を有する蛍
光体を用いれば、白色を得ることが可能である。希土類
元素は必ずしも１種類である必要はなく、複数であって
もよい。
【００２６】さらに、希土類元素のドープ量を制御する
ことで、前記発光層からの発光と希土類元素からの蛍光
の割合を制御し、混合色を制御することも可能である。
ことで、前記発光層からの発光と希土類元素からの蛍光
の割合を制御し、混合色を制御することも可能である。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００２８】＜実施形態１＞図１に本発明の第一の実施
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
【００２９】サファイア基板１上に有機金属気相成長法
を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉドープｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層３（第１導電型の下部クラッド
層）、アンドープＧａＮ発光層４、Ｅｒ、Ｍｇドープｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層５（第２導電型の上部クラッド
層）、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６をこの順に積層する。
積層する結晶は、Ｅｒ、Ｍｇドープ層５及びＭｇドープ
層６をｐ型化させるために窒素雰囲気中で熱処理を施
す。なお、これらＧａＮ系材料を積層して成長し半導体
発光素子を作製する技術は公知であり、例えばAppl.Phy
s.Lett.64(1994)1687-1689等に詳しく開示されている。
を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層２、Ｓｉドープｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層３（第１導電型の下部クラッド
層）、アンドープＧａＮ発光層４、Ｅｒ、Ｍｇドープｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層５（第２導電型の上部クラッド
層）、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層６をこの順に積層する。
積層する結晶は、Ｅｒ、Ｍｇドープ層５及びＭｇドープ
層６をｐ型化させるために窒素雰囲気中で熱処理を施
す。なお、これらＧａＮ系材料を積層して成長し半導体
発光素子を作製する技術は公知であり、例えばAppl.Phy
s.Lett.64(1994)1687-1689等に詳しく開示されている。
【００３０】熱処理を施してＥｒ、Ｍｇドープ層５及び
Ｍｇドープ層６をｐ型化させた段階で、結晶表面の一部
をエッチングによりｎ型ＧａＮ層２に到達するまで掘り
下げ、このｎ型ＧａＮ層２のエッチング部上にｎ側電極
８を、またｐ型ＧａＮ層６上にｐ側電極７をそれぞれ形
成すると、ダブルへテロ構造のＧａＮ系半導体発光素子
ができる。
Ｍｇドープ層６をｐ型化させた段階で、結晶表面の一部
をエッチングによりｎ型ＧａＮ層２に到達するまで掘り
下げ、このｎ型ＧａＮ層２のエッチング部上にｎ側電極
８を、またｐ型ＧａＮ層６上にｐ側電極７をそれぞれ形
成すると、ダブルへテロ構造のＧａＮ系半導体発光素子
ができる。
【００３１】こうして作製した半導体発光素子の電極７
及び８にそれぞれワイヤ９をボンディングして通電した
ところ、図２に示すような発光スペクトルが得られた。
図２の横軸は波長［nm］、縦軸は任意単位［ａ．ｕ．］
である。波長４５０nm近傍のピークはＧａＮ発光層４か
らの発光であり、波長５４０nm近傍のピークはＥｒ、Ｍ
ｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５にドープされたＥ
ｒからの発光である。
及び８にそれぞれワイヤ９をボンディングして通電した
ところ、図２に示すような発光スペクトルが得られた。
図２の横軸は波長［nm］、縦軸は任意単位［ａ．ｕ．］
である。波長４５０nm近傍のピークはＧａＮ発光層４か
らの発光であり、波長５４０nm近傍のピークはＥｒ、Ｍ
ｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５にドープされたＥ
ｒからの発光である。
【００３２】ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色度座標を
測定したところ、ｘ＝１．６、ｙ＝２．７であった。目
視により確認したところ、発光はやや青みのかかった白
色であった。
測定したところ、ｘ＝１．６、ｙ＝２．７であった。目
視により確認したところ、発光はやや青みのかかった白
色であった。
【００３３】ここで、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色
度座標について述べる。
度座標について述べる。
【００３４】半導体発光素子、蛍光体ともにそれぞれの
エネルギー準位で規定されている波長の光しか放出でき
ない。そのため、これらを単独で発光させたときのＣＩ
Ｅ−ＸＹＺ表色系における色度座標はある一点に定ま
る。半導体発光素子の発光の色度座標を（ＸLED ，Ｙ
LED ）、蛍光体の発光の色度座標を（ＸPH，ＹPH）とす
ると、本発明による半導体発光素子の発光の色度座標は
この２点（ＸLED ，ＹLED）（ＸPH，ＹPH）を結ぶ直線
上に存在する。直線上のどの点になるかは半導体発光素
子の発光強度と蛍光体の発光強度の比で決まり、半導体
発光素子の発光強度が強ければ（ＸLED ，ＹLED ）に近
づき、蛍光体の発光強度に近づけば（ＸPH，ＹPH）に近
づく。したがって、蛍光体の配合量を制御することで２
点間を結ぶ直線上の所望の色を得ることができる。
エネルギー準位で規定されている波長の光しか放出でき
ない。そのため、これらを単独で発光させたときのＣＩ
Ｅ−ＸＹＺ表色系における色度座標はある一点に定ま
る。半導体発光素子の発光の色度座標を（ＸLED ，Ｙ
LED ）、蛍光体の発光の色度座標を（ＸPH，ＹPH）とす
ると、本発明による半導体発光素子の発光の色度座標は
この２点（ＸLED ，ＹLED）（ＸPH，ＹPH）を結ぶ直線
上に存在する。直線上のどの点になるかは半導体発光素
子の発光強度と蛍光体の発光強度の比で決まり、半導体
発光素子の発光強度が強ければ（ＸLED ，ＹLED ）に近
づき、蛍光体の発光強度に近づけば（ＸPH，ＹPH）に近
づく。したがって、蛍光体の配合量を制御することで２
点間を結ぶ直線上の所望の色を得ることができる。
【００３５】蛍光体が２種類以上ある場合には、同様の
方法で順次混合色の色度座標を求めていけば最終的な半
導体発光素子の色度座標が求まる。
方法で順次混合色の色度座標を求めていけば最終的な半
導体発光素子の色度座標が求まる。
【００３６】ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における混色につい
ては、例えば「光工学ハンドブック」（小瀬 他、朝倉
書店（１９８６））ｐ１１６〜１１９に詳細が述べられ
ている。
ては、例えば「光工学ハンドブック」（小瀬 他、朝倉
書店（１９８６））ｐ１１６〜１１９に詳細が述べられ
ている。
【００３７】＜実施形態２＞図３に本発明の第二の実施
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
【００３８】サファイア基板１０上に有機金属気相成長
法を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層１１、Ｓｉドープ
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２（第１導電型の下部クラ
ッド層）、アンドープＧａＮ発光層１３、Ｅｒ、Ｅｕ、
Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１４（第２導電型
の上部クラッド層）、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層１５をこ
の順に積層する。積層する結晶は、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｍｇド
ープ層１４及びＭｇドープ層１５をｐ型化させるため
に、窒素雰囲気中で熱処理を施す。熱処理を施してＥ
ｒ、Ｅｕ、Ｍｇドープ層１４及びＭｇドープ層１５をｐ
型化させた段階で、結晶表面の一部をエッチングにより
ｎ型ＧａＮ層１１に到達するまで掘り下げ、ｎ型ＧａＮ
層１１上にｎ側電極１７を、ｐ型ＧａＮ層１５上にｐ側
電極１６をそれぞれ形成すると、ダブルへテロ構造のＧ
ａＮ系半導体発光素子ができる。
法を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層１１、Ｓｉドープ
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２（第１導電型の下部クラ
ッド層）、アンドープＧａＮ発光層１３、Ｅｒ、Ｅｕ、
Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１４（第２導電型
の上部クラッド層）、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層１５をこ
の順に積層する。積層する結晶は、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｍｇド
ープ層１４及びＭｇドープ層１５をｐ型化させるため
に、窒素雰囲気中で熱処理を施す。熱処理を施してＥ
ｒ、Ｅｕ、Ｍｇドープ層１４及びＭｇドープ層１５をｐ
型化させた段階で、結晶表面の一部をエッチングにより
ｎ型ＧａＮ層１１に到達するまで掘り下げ、ｎ型ＧａＮ
層１１上にｎ側電極１７を、ｐ型ＧａＮ層１５上にｐ側
電極１６をそれぞれ形成すると、ダブルへテロ構造のＧ
ａＮ系半導体発光素子ができる。
【００３９】こうして作製した半導体発光素子の電極１
６及び１７にそれぞれワイヤ１８をボンディングして通
電したところ、図４に示すような発光スペクトルが得ら
れた。波長４５０nm近傍のピークはアンドープＧａＮ発
光層１３からの発光であり、また波長５４０nm近傍のピ
ークはＥｒ、Ｅｕ、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層１４にドープされたＥｒからの発光であり、そして波
長６２０nm近傍のピークはＥｒ、Ｅｕ、Ｍｇドープｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層１４にドープされたＥｕからの発
光である。
６及び１７にそれぞれワイヤ１８をボンディングして通
電したところ、図４に示すような発光スペクトルが得ら
れた。波長４５０nm近傍のピークはアンドープＧａＮ発
光層１３からの発光であり、また波長５４０nm近傍のピ
ークはＥｒ、Ｅｕ、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層１４にドープされたＥｒからの発光であり、そして波
長６２０nm近傍のピークはＥｒ、Ｅｕ、Ｍｇドープｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層１４にドープされたＥｕからの発
光である。
【００４０】ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色度座標を
測定したところ、ｘ＝２．７、ｙ＝２．７であった。目
視により確認したところ、発光は白色であった。
測定したところ、ｘ＝２．７、ｙ＝２．７であった。目
視により確認したところ、発光は白色であった。
【００４１】＜実施形態３＞図５に本発明の第三の実施
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
【００４２】Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板１９上に、Ｓ
ｅがドープされたｎ型ＧａＡｓバッファ層２０と、Ｅ
ｕ、Ｓｅがドープされたｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0. 5 Ｐクラッド層２１（第１導電型の下部クラッド
層）と、このｎ型クラッド層２１よりもバンドギャップ
エネルギーが小さい組成でかつアンドープである（Ａｌ
0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5Ｐ発光層２２と、この発光
層２２よりもバンドギャップエネルギーが大きい組成で
かつＥｕ、Ｚｎがドープされたｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２３（第２導電型の
上部クラッド層）と、Ｚｎがドープされたｐ型ＧａＰか
らなる電流拡散層２４とが順次積層されている。
ｅがドープされたｎ型ＧａＡｓバッファ層２０と、Ｅ
ｕ、Ｓｅがドープされたｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0. 5 Ｐクラッド層２１（第１導電型の下部クラッド
層）と、このｎ型クラッド層２１よりもバンドギャップ
エネルギーが小さい組成でかつアンドープである（Ａｌ
0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5Ｐ発光層２２と、この発光
層２２よりもバンドギャップエネルギーが大きい組成で
かつＥｕ、Ｚｎがドープされたｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２３（第２導電型の
上部クラッド層）と、Ｚｎがドープされたｐ型ＧａＰか
らなる電流拡散層２４とが順次積層されている。
【００４３】以上の方法により作製した発光ダイオード
の発光スペクトルを図６に示す。発光スペクトルには波
長５９０nmのピークと波長６２０nmのピークが見られ
る。波長５９０nmのピークはＡｌＧａＩｎＰ系発光素子
（発光層２２）からの発光であり、また波長６２０nmの
ピークは、Ｅｕ、Ｓｅドープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２１とＥｕ、Ｚｎドープｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２３に
ドープされたＥｕからの発光である。
の発光スペクトルを図６に示す。発光スペクトルには波
長５９０nmのピークと波長６２０nmのピークが見られ
る。波長５９０nmのピークはＡｌＧａＩｎＰ系発光素子
（発光層２２）からの発光であり、また波長６２０nmの
ピークは、Ｅｕ、Ｓｅドープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２１とＥｕ、Ｚｎドープｐ型
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層２３に
ドープされたＥｕからの発光である。
【００４４】＜実施形態４＞図７に本発明の第四の実施
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
形態にかかわる半導体発光素子の模式図な断面図を示
す。
【００４５】Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板２５上に、Ｃ
ｌがドープされたｎ型ＺｎＳｅバッファ層２６と、Ｅ
ｕ、Ｃｌがドープされたｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層２７
（第１導電型の下部クラッド層）と、このｎ型クラッド
層２７よりもバンドギャップエネルギーが小さい組成で
かつアンドープであるＺｎＣｄＳｅ発光層２８と、この
発光層２８よりもバンドギャップエネルギーが大きい組
成でかつＥｕ、Ｎがドープされたｐ型ＺｎＳＳｅクラッ
ド層２９（第２導電型の上部クラッド層）と、Ｎがドー
プされたｐ型ＺｎＳｅからなるコンタクト層３０とが順
次積層されている。
ｌがドープされたｎ型ＺｎＳｅバッファ層２６と、Ｅ
ｕ、Ｃｌがドープされたｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層２７
（第１導電型の下部クラッド層）と、このｎ型クラッド
層２７よりもバンドギャップエネルギーが小さい組成で
かつアンドープであるＺｎＣｄＳｅ発光層２８と、この
発光層２８よりもバンドギャップエネルギーが大きい組
成でかつＥｕ、Ｎがドープされたｐ型ＺｎＳＳｅクラッ
ド層２９（第２導電型の上部クラッド層）と、Ｎがドー
プされたｐ型ＺｎＳｅからなるコンタクト層３０とが順
次積層されている。
【００４６】以上の方法により作製した発光ダイオード
の発光スペクトルを図８に示す。発光スペクトルには波
長５２０nmのピークと、波長６２０nmのピークが見られ
る。波長５２０nmのピークはＺｎＳｅ系発光素子（発光
層２８）からの発光であり、波長６２０nmのピークはＥ
ｕ、Ｎドープｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層２９とＥｕ、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層２７にドープされた
Ｅｕからの発光である。
の発光スペクトルを図８に示す。発光スペクトルには波
長５２０nmのピークと、波長６２０nmのピークが見られ
る。波長５２０nmのピークはＺｎＳｅ系発光素子（発光
層２８）からの発光であり、波長６２０nmのピークはＥ
ｕ、Ｎドープｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層２９とＥｕ、Ｃ
ｌドープｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層２７にドープされた
Ｅｕからの発光である。
【００４７】＜他の実施形態＞実施形態で示した半導体
発光素子の発光層の発光は必ずしも単色である必要はな
く、所望の色が得られるように２つ以上の発光スペクト
ルのピークを持つように半導体発光素子を構成してもよ
い。
発光素子の発光層の発光は必ずしも単色である必要はな
く、所望の色が得られるように２つ以上の発光スペクト
ルのピークを持つように半導体発光素子を構成してもよ
い。
【００４８】また、希土類元素による蛍光体も必ずしも
１種類または２種類である必要はなく、必要に応じて３
種類以上の蛍光体を用いてもよい。さらに、蛍光体の発
光波長は必ずしも１つである必要はなく、２つ以上の発
光ピークを持つ蛍光体を使用してもよい。
１種類または２種類である必要はなく、必要に応じて３
種類以上の蛍光体を用いてもよい。さらに、蛍光体の発
光波長は必ずしも１つである必要はなく、２つ以上の発
光ピークを持つ蛍光体を使用してもよい。
【００４９】本発明による半導体発光素子は有機金属気
相成長法以外の例えば分子線エピタキシー法などの他の
エピタキシャル成長法によって作製することも可能であ
る。
相成長法以外の例えば分子線エピタキシー法などの他の
エピタキシャル成長法によって作製することも可能であ
る。
【００５０】＜使用方法、応用システム＞本発明による
半導体発光素子は白色光を得ることが可能であり、照明
機器、液晶用バックライト、各種インジケータ、表示パ
ネル等、これまで単色の半導体発光素子では表現できな
かった分野に応用が可能である。さらに、低消費電力、
軽量、小型等の利点を生かし、蛍光灯等の従来の照明機
器の置き換えも可能である。
半導体発光素子は白色光を得ることが可能であり、照明
機器、液晶用バックライト、各種インジケータ、表示パ
ネル等、これまで単色の半導体発光素子では表現できな
かった分野に応用が可能である。さらに、低消費電力、
軽量、小型等の利点を生かし、蛍光灯等の従来の照明機
器の置き換えも可能である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、小
型、軽量、低消費電力、長寿命といった従来の半導体発
光素子の長所をそのままに、従来の半導体発光素子では
実現できなかった色合いの発光素子が容易に得られる。
型、軽量、低消費電力、長寿命といった従来の半導体発
光素子の長所をそのままに、従来の半導体発光素子では
実現できなかった色合いの発光素子が容易に得られる。
【００５２】また本発明によれば、同一構造で前記クラ
ッド層にドープする希土類元素だけを変えることによ
り、種々の色の発光素子を容易に得ることができる。こ
のため、従来は種々の色の発光素子を作成するために、
発光色毎に材料や基板を変え、材料毎に半導体発光素子
製造装置を揃えて、製造技術を立ち上げていかなければ
ならなかったものが、本発明では製造に必要な装置が少
なくて済み、製造工程が簡略化できるため、製造コスト
を大幅に低減できる。
ッド層にドープする希土類元素だけを変えることによ
り、種々の色の発光素子を容易に得ることができる。こ
のため、従来は種々の色の発光素子を作成するために、
発光色毎に材料や基板を変え、材料毎に半導体発光素子
製造装置を揃えて、製造技術を立ち上げていかなければ
ならなかったものが、本発明では製造に必要な装置が少
なくて済み、製造工程が簡略化できるため、製造コスト
を大幅に低減できる。
【００５３】さらに本発明によれば、中間色や白色が容
易かつ安価で得られるため、これまで半導体発光素子が
使われていなかった照明などの分野に応用が広がる。
易かつ安価で得られるため、これまで半導体発光素子が
使われていなかった照明などの分野に応用が広がる。
【図１】本発明の第一の実施形態にかかわる半導体発光
素子の模式図な断面図である。
素子の模式図な断面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態にかかわる半導体発光
素子の発光スペクトルを示す図である。
素子の発光スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の第二の実施形態にかかわる半導体発光
素子の模式図な断面図である。
素子の模式図な断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態にかかわる半導体発光
素子の発光スペクトルを示す図である。
素子の発光スペクトルを示す図である。
【図５】本発明の第三の実施形態のかかわる半導体発光
素子の模式図な断面図である。
素子の模式図な断面図である。
【図６】本発明の第三の実施形態にかかわる半導体発光
素子の発光スペクトルを示す図である。
素子の発光スペクトルを示す図である。
【図７】本発明の第四の実施形態にかかわる半導体発光
素子の模式図な断面図である。
素子の模式図な断面図である。
【図８】本発明の第四の実施形態にかかわる半導体発光
素子の発光スペクトルを示す図である。
素子の発光スペクトルを示す図である。
１、１０ サファイア基板 ２、１１ Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層 ３、１２ Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮクラッド層（下部
クラッド層） ４、１３ アンドープＧａＮ発光層 ５ Ｅｒ、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層（上部
クラッド層） ６、１５ Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層 １４ Ｅｕ、Ｅｒ、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層（上部クラッド層） ２１ Ｅｕ、Ｓｅドープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ２２ アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
発光層 ２３ Ｅｕ、Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ２７ Ｅｕ、Ｃｌドープｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ２８ アンドープＺｎＣｄＳｅ発光層 ２９ Ｅｕ、Ｎドープｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層
クラッド層） ４、１３ アンドープＧａＮ発光層 ５ Ｅｒ、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層（上部
クラッド層） ６、１５ Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層 １４ Ｅｕ、Ｅｒ、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層（上部クラッド層） ２１ Ｅｕ、Ｓｅドープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ２２ アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
発光層 ２３ Ｅｕ、Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層 ２７ Ｅｕ、Ｃｌドープｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ２８ アンドープＺｎＣｄＳｅ発光層 ２９ Ｅｕ、Ｎドープｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋元 克弥 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 土屋 忠厳 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 Ｆターム(参考） 5F041 AA14 CA36 CA39 CA40 CA43 CA50 CA57 CA65 FF11
Claims (13)
- 【請求項１】基板上に少なくとも第１導電型の下部クラ
ッド層と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネル
ギーが小さい発光層と、該発光層よりバンドギャップエ
ネルギーが大きい第２導電型の上部クラッド層を積層し
てなる半導体発光素子において、前記下部クラッド層ま
たは上部クラッド層のうち、少なくとも一方に１種類以
上の希土類元素を含ませ、このクラッド層にドープされ
た希土類元素が前記発光層からの発光によって励起され
蛍光を生じるように構成したことを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項２】前記希土類元素のうち、少なくとも１種類
がＣｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのいずれ
かの元素であることを特徴とする請求項１に記載の半導
体発光素子。 - 【請求項３】前記積層された各層のうち、少なくとも１
層が（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＮ系（０≦ｘ≦１，
０≦ｙ≦１）の半導体層で構成されることを特徴とする
請求項１又は２に記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】前記積層された各層のうち、少なくとも１
層がＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ系（０≦ｘ≦１）の半導体層で
構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半
導体発光素子。 - 【請求項５】前記積層された各層のうち、少なくとも１
層が（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＰ系（０≦ｘ≦１，
０≦ｙ≦１）の半導体層で構成されることを特徴とする
請求項１又は２に記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】前記積層された各層のうち、少なくとも１
層がＺｎＳｅ系の半導体層で構成されることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の半導体発光素子。 - 【請求項７】発光スペクトルに少なくとも２つのピーク
を持つことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載
の半導体発光素子。 - 【請求項８】発光のＣＩＥ−ＸＹＺ表色系における色度
座標が０．２≦ｘ≦０．５且つ、０．２≦ｙ≦０．５の
範囲にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに
記載の半導体発光素子。 - 【請求項９】基板上に少なくとも第１導電型の下部クラ
ッド層と、該下部クラッド層よりバンドギャップエネル
ギーが小さい発光層と、該発光層よりバンドギャップエ
ネルギーが大きい第２導電型の上部クラッド層を積層し
てなるエピタキシャルウェハにおいて、前記下部クラッ
ド層または上部クラッド層のうち、少なくとも一方に、
Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのいずれか
の元素である１種類以上の希土類元素を含ませたことを
特徴とするエピタキシャルウェハ。 - 【請求項１０】前記積層された各層のうち、少なくとも
１層が（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-yＮ系（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）の半導体層で構成されることを特徴と
する請求項９記載のエピタキシャルウェハ。 - 【請求項１１】前記積層された各層のうち、少なくとも
１層がＡｌx Ｇａ1-xＡｓ系（０≦ｘ≦１）の半導体層
で構成されていることを特徴とする請求項９記載のエピ
タキシャルウェハ。 - 【請求項１２】前記積層された各層のうち、少なくとも
１層が（Ａｌx Ｇａ1-x）y Ｉｎ１−ｙ Ｐ系（０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の半導体層で構成されていること
を特徴とする請求項９記載のエピタキシャルウェハ。 - 【請求項１３】前記積層された各層のうち、少なくとも
１層がＺｎＳｅ系の半導体層で構成されていることを特
徴とする請求項９記載のエピタキシャルウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001029301A JP2002231995A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001029301A JP2002231995A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002231995A true JP2002231995A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18893665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001029301A Withdrawn JP2002231995A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002231995A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259864A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 多色光の発光方法 |
| US9742144B1 (en) * | 2016-09-22 | 2017-08-22 | LGS Innovations LLC | CMOS compatible rare-earth-doped waveguide amplifier |
| CN114300946A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 北京工业大学 | 一种稀土掺杂的光子级联边发射半导体激光器及制备方法 |
-
2001
- 2001-02-06 JP JP2001029301A patent/JP2002231995A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259864A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 多色光の発光方法 |
| JP4503316B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2010-07-14 | 日本碍子株式会社 | 多色光の発光方法 |
| US9742144B1 (en) * | 2016-09-22 | 2017-08-22 | LGS Innovations LLC | CMOS compatible rare-earth-doped waveguide amplifier |
| US20180083411A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | LGS Innovations LLC | Cmos compatible rare-earth-doped waveguide amplifier |
| US10666009B2 (en) * | 2016-09-22 | 2020-05-26 | LGS Innovations LLC | CMOS compatible rare-earth-doped waveguide amplifier |
| CN114300946A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 北京工业大学 | 一种稀土掺杂的光子级联边发射半导体激光器及制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |